JPH06349962A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06349962A JPH06349962A JP14034193A JP14034193A JPH06349962A JP H06349962 A JPH06349962 A JP H06349962A JP 14034193 A JP14034193 A JP 14034193A JP 14034193 A JP14034193 A JP 14034193A JP H06349962 A JPH06349962 A JP H06349962A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- base
- cap
- mounting
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】セラミックベースおよびキャップを使用したガ
ラス封止タイプの半導体装置において信頼性の高い半導
体装置を提供することを目的とする。 【構成】半導体素子を取り付ける凹部を有し矩形に形成
され、その周囲に取り付けられたガラス部を有するベー
スと、前記凹部に半導体素子を取り付けた後前記を密閉
するキャップを有する半導体装置の製造方法において、
前記ベースおよびキャップの取付けは前記ガラス部をベ
ース取付け部の中央部を高く形成し、取付け部の中央よ
りガラス接着するものである。 【効果】ガラス封止部に気泡の発生することがなく信頼
性の高い半導体装置を実現することが可能となる。
ラス封止タイプの半導体装置において信頼性の高い半導
体装置を提供することを目的とする。 【構成】半導体素子を取り付ける凹部を有し矩形に形成
され、その周囲に取り付けられたガラス部を有するベー
スと、前記凹部に半導体素子を取り付けた後前記を密閉
するキャップを有する半導体装置の製造方法において、
前記ベースおよびキャップの取付けは前記ガラス部をベ
ース取付け部の中央部を高く形成し、取付け部の中央よ
りガラス接着するものである。 【効果】ガラス封止部に気泡の発生することがなく信頼
性の高い半導体装置を実現することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り、特にセラミックからなるベースおよびキャップを
使用するガラス封止タイプの半導体装置に適用して有効
な技術に関するものである。
係り、特にセラミックからなるベースおよびキャップを
使用するガラス封止タイプの半導体装置に適用して有効
な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体素
子を封止する技術として主に安価な量産に使用される樹
脂封止タイプのものと高信頼度を要求されるガラス封止
タイプのものがある。樹脂封止タイプのものについては
トランスファモールドによって成形されるが、ガラス封
止のもの例えばＤＩＬＧ（Ｄｕａｌ・Ｉｎｌｉｎｅ・Ｐ
ａｃｋａｇｅ），ＦＰＧ（Ｆｌａｔ・Ｐａｃｋａｇｅ・
Ｇｌａｓｓ）についてはセラミック系の材料からなるベ
ースとキャップを形成しベースは外部リードを取付け、
所望の位置に半導体素子を取付けた後、ガラスにてキャ
ップを接着し封止するものである。
子を封止する技術として主に安価な量産に使用される樹
脂封止タイプのものと高信頼度を要求されるガラス封止
タイプのものがある。樹脂封止タイプのものについては
トランスファモールドによって成形されるが、ガラス封
止のもの例えばＤＩＬＧ（Ｄｕａｌ・Ｉｎｌｉｎｅ・Ｐ
ａｃｋａｇｅ），ＦＰＧ（Ｆｌａｔ・Ｐａｃｋａｇｅ・
Ｇｌａｓｓ）についてはセラミック系の材料からなるベ
ースとキャップを形成しベースは外部リードを取付け、
所望の位置に半導体素子を取付けた後、ガラスにてキャ
ップを接着し封止するものである。
【０００３】またこのような封止技術の一例を示したも
のとして「ＬＳＩ設計製作技術」昭和６２年９月３０日
刊、森末道忠監修、電気書院発行、４０４頁から４４０
頁がある。
のとして「ＬＳＩ設計製作技術」昭和６２年９月３０日
刊、森末道忠監修、電気書院発行、４０４頁から４４０
頁がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしガラス封止タイ
プのものはベースおよびキャップの取付け面にガラスが
均等に塗布されたものであるため、自重で取付け面のガ
ラスの中央部が沈み込み、取付け面の端部が盛り上がる
ような形状となってしまうという現象が発生する。この
ような現象はベースとキャップとの取付け時において、
ガラス面の端部が盛り上がっており端部から取付面が接
着するため、その間に気泡を形成してしまう原因となっ
ていた。このような気泡はガラス封止面のクラックを引
き起こしたり、外観不良、信頼性の低下などの問題を発
生していた。
プのものはベースおよびキャップの取付け面にガラスが
均等に塗布されたものであるため、自重で取付け面のガ
ラスの中央部が沈み込み、取付け面の端部が盛り上がる
ような形状となってしまうという現象が発生する。この
ような現象はベースとキャップとの取付け時において、
ガラス面の端部が盛り上がっており端部から取付面が接
着するため、その間に気泡を形成してしまう原因となっ
ていた。このような気泡はガラス封止面のクラックを引
き起こしたり、外観不良、信頼性の低下などの問題を発
生していた。
【０００５】本願発明の目的は上記したような問題を解
決し、信頼性の高いガラス封止型の半導体装置を提供す
ることを目的とする。
決し、信頼性の高いガラス封止型の半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの手段について説明すれば下記
のとおりである。
発明のうち代表的なものの手段について説明すれば下記
のとおりである。
【０００７】すなわち矩形に形成され半導体素子を取り
付ける凹部を有しその周囲に形成された取付面にガラス
層を有するベースと、前記凹部に半導体素子を取り付け
た後、前記凹部を密閉しかつ前記ベースの取付面におい
て接続されるキャップを有する半導体装置の製造方法に
おいて、前記ベースおよびキャップの取付けは前記キャ
ップあるいはベースの取付面において中央部を高く形成
したガラス層にて、取付け面の中央からガラス接着し半
導体素子を封止するものである。
付ける凹部を有しその周囲に形成された取付面にガラス
層を有するベースと、前記凹部に半導体素子を取り付け
た後、前記凹部を密閉しかつ前記ベースの取付面におい
て接続されるキャップを有する半導体装置の製造方法に
おいて、前記ベースおよびキャップの取付けは前記キャ
ップあるいはベースの取付面において中央部を高く形成
したガラス層にて、取付け面の中央からガラス接着し半
導体素子を封止するものである。
【０００８】
【作用】上記した手段によれば、必ず取付け面の中央部
分からガラスが接着されることとなるので、空気が取付
け面内から外部に逃げていくので、取付け部内に気泡が
発生することがなくなる。
分からガラスが接着されることとなるので、空気が取付
け面内から外部に逃げていくので、取付け部内に気泡が
発生することがなくなる。
【０００９】
【実施例】図１は本願発明の半導体装置の製造方法に使
用するガラス封止タイプの半導体装置のキャップを示し
た正面図と側面断面図である。図２は図１に示したキャ
ップを使用しベースに取り付ける場合を示した側面断面
図である。
用するガラス封止タイプの半導体装置のキャップを示し
た正面図と側面断面図である。図２は図１に示したキャ
ップを使用しベースに取り付ける場合を示した側面断面
図である。
【００１０】図１に示したように本実施例におけるキャ
ップ１はセラミックからなり、矩形に形成され、さらに
キャップ側取付面２の封止ガラス層が枠に沿っての中央
部が高く形成されるように塗布されている。このように
中央部が高く形成された段階状のガラス層の形成につい
ては、徐々に取付面中央が小さくなるようにしたマスク
を使用し、複数回のガラス塗布を取付面２に行なうこと
で形成する。本実施例については３枚のマスクを用いて
ガラス層２ａ、２ｂ、２ｃの３層が形成され、ガラス層
２ｃが最も少ない面積となり取付面中央部のガラス層を
形成している。これらガラス層を形成するガラスについ
ては低融点ガラスを用いている。
ップ１はセラミックからなり、矩形に形成され、さらに
キャップ側取付面２の封止ガラス層が枠に沿っての中央
部が高く形成されるように塗布されている。このように
中央部が高く形成された段階状のガラス層の形成につい
ては、徐々に取付面中央が小さくなるようにしたマスク
を使用し、複数回のガラス塗布を取付面２に行なうこと
で形成する。本実施例については３枚のマスクを用いて
ガラス層２ａ、２ｂ、２ｃの３層が形成され、ガラス層
２ｃが最も少ない面積となり取付面中央部のガラス層を
形成している。これらガラス層を形成するガラスについ
ては低融点ガラスを用いている。
【００１１】ベース３はキャップ１とやはり同様に矩形
に形成されている。キャップ１とベース３の接着におい
ては、既にベース中央部に形成された素子取付けのため
の凹部に半導体素子６がＡｕ−Ｓｉ層７によって取り付
けられ、ベース側取付面４は前記キャップ取付面２に使
用したものと同等なガラスを用いて取付られたリード８
と前記ガラスで形成され、半導体素子６と外部リード８
とはワイヤボンディングにより接続工程が終了してい
る。このようなベース３を用意し、前記キャップ２を前
記ベース３上に位置決め配置し、封止炉をガラス層の溶
融する温度まで高め通過することによって前記取付面の
ガラス層を溶かして接着し封止される。この際キャップ
１およびベース３はキャップ枠に沿って高く形成された
中央部より接着し、徐々に端部まで接着し半導体素子６
を内部に封止する。
に形成されている。キャップ１とベース３の接着におい
ては、既にベース中央部に形成された素子取付けのため
の凹部に半導体素子６がＡｕ−Ｓｉ層７によって取り付
けられ、ベース側取付面４は前記キャップ取付面２に使
用したものと同等なガラスを用いて取付られたリード８
と前記ガラスで形成され、半導体素子６と外部リード８
とはワイヤボンディングにより接続工程が終了してい
る。このようなベース３を用意し、前記キャップ２を前
記ベース３上に位置決め配置し、封止炉をガラス層の溶
融する温度まで高め通過することによって前記取付面の
ガラス層を溶かして接着し封止される。この際キャップ
１およびベース３はキャップ枠に沿って高く形成された
中央部より接着し、徐々に端部まで接着し半導体素子６
を内部に封止する。
【００１２】本実施例によれば、キャップ取付面のガラ
ス層の形状を変更することによって適用することが可能
である。
ス層の形状を変更することによって適用することが可能
である。
【００１３】
【発明の効果】本願において開示される発明によって得
られるものの効果を記載すれば下記の通りである。
られるものの効果を記載すれば下記の通りである。
【００１４】すなわちセラミックベースおよびキャップ
を使用したガラス封止タイプの半導体装置の製造におい
て、ガラス接着部に気泡の発生することがなく信頼性の
向上した半導体装置を得ることが可能となる。
を使用したガラス封止タイプの半導体装置の製造におい
て、ガラス接着部に気泡の発生することがなく信頼性の
向上した半導体装置を得ることが可能となる。
【００１５】本願発明はその技術を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることはいうまでもない。すなわ
ち本実施例においては段差形状を３段階のマスクを使用
することによって行ったが、２段階あるいは４段階にて
行っても良い。またベース面に外部リードを取付けた
後、段差状のガラス層を形成することも可能である。
いて種々変更可能であることはいうまでもない。すなわ
ち本実施例においては段差形状を３段階のマスクを使用
することによって行ったが、２段階あるいは４段階にて
行っても良い。またベース面に外部リードを取付けた
後、段差状のガラス層を形成することも可能である。
【図１】本願発明の実施例であるガラス封止タイプの半
導体装置を製造するためのキャップを示した正面図と断
面図。
導体装置を製造するためのキャップを示した正面図と断
面図。
【図２】図１に示したキャップを使用しベースに取り付
ける工程を示した側面断面図。
ける工程を示した側面断面図。
１．．キャップ、２．．取付面（キャップ側）、２ａ，
２ｂ，２ｃ．．ガラス層、３．．ベース、４．．取付面
（ベース側）、５．．ベースガラス層、６．．半導体素
子、７．．Ａｕ−Ｓｉ層、８．．リード
２ｂ，２ｃ．．ガラス層、３．．ベース、４．．取付面
（ベース側）、５．．ベースガラス層、６．．半導体素
子、７．．Ａｕ−Ｓｉ層、８．．リード
Claims (1)
- 【請求項１】矩形に形成され半導体素子を取り付ける凹
部を有しその周囲に形成された取付面にガラス層を有す
るベースと、前記凹部に半導体素子を取り付けた後、前
記凹部を密閉しかつ前記ベースの取付面において接続さ
れるキャップを用いて製造する半導体装置の製造方法に
おいて、前記ベースおよびキャップの取付けは前記キャ
ップあるいはベースの取付面において中央部を高く形成
したガラス層にて、取付け面の中央の高い部分からガラ
スを溶融させ接着し半導体素子を封止することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14034193A JPH06349962A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14034193A JPH06349962A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349962A true JPH06349962A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15266582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14034193A Pending JPH06349962A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349962A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6280559B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing color electroluminescent display apparatus and method of bonding light-transmitting substrates |
-
1993
- 1993-06-11 JP JP14034193A patent/JPH06349962A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6280559B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing color electroluminescent display apparatus and method of bonding light-transmitting substrates |
| US6551440B2 (en) | 1998-06-24 | 2003-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing color electroluminescent display apparatus and method of bonding light-transmitting substrates |
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