JPS613472A - 太陽電池基板 - Google Patents
太陽電池基板Info
- Publication number
- JPS613472A JPS613472A JP59122907A JP12290784A JPS613472A JP S613472 A JPS613472 A JP S613472A JP 59122907 A JP59122907 A JP 59122907A JP 12290784 A JP12290784 A JP 12290784A JP S613472 A JPS613472 A JP S613472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- less
- steel plate
- thickness
- cold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
太陽電池基板とくにその表面性状の改＠に関しこの明細
書で述べる技術内容は、該表面性状を、太陽電池の受光
面に供されるアモルファス層に対するすぐれた適合を成
就し得る鉄系、なかでも低炭素鋼冷延薄板を用いる基板
材料についての開発成果を提案しようとするものである
。
書で述べる技術内容は、該表面性状を、太陽電池の受光
面に供されるアモルファス層に対するすぐれた適合を成
就し得る鉄系、なかでも低炭素鋼冷延薄板を用いる基板
材料についての開発成果を提案しようとするものである
。
太陽電池はその機械的支持の役割を果す基板上に０．１
〜１μｍ厚のアモルファス層を形成する０このアモルフ
ァス層の膜厚が非常に薄いため、電池製造の信頼性や電
池特性としての太陽光の電気的エネルギーへの変換効率
の面において基板材料の影響を強く受け、このため基板
材料の選択は製造方式とも強い関連を持つ経済性を含め
て重要である。
〜１μｍ厚のアモルファス層を形成する０このアモルフ
ァス層の膜厚が非常に薄いため、電池製造の信頼性や電
池特性としての太陽光の電気的エネルギーへの変換効率
の面において基板材料の影響を強く受け、このため基板
材料の選択は製造方式とも強い関連を持つ経済性を含め
て重要である。
（従来の技術）
従来、太陽電池の基板材料として石英ガラスやソーダラ
イムガラスおよびステンレス鋼などが使われてきた。
イムガラスおよびステンレス鋼などが使われてきた。
ガラス系材料は基板自体が光透過性を持つため電池表面
の保護の役割を同時に果すという利点はあるがガラスの
宿命とも言える破損し易い欠点が免れ難い上、とくに無
アルカリである石英ガラスは、高価であり、太陽電池製
造に際してロール゛ツー・ロールの量産性の高い方式を
採用できないという問題点がある。
の保護の役割を同時に果すという利点はあるがガラスの
宿命とも言える破損し易い欠点が免れ難い上、とくに無
アルカリである石英ガラスは、高価であり、太陽電池製
造に際してロール゛ツー・ロールの量産性の高い方式を
採用できないという問題点がある。
これに対しステンレス鋼は機械的強度が高くて強靭なた
め０．Ｆ３ｒｎｔｎ程度以下の薄い板を使うことができ
、また可撓性を有することからコイル状の材料を用いた
量産が可能であシ、さらに曲面構造を持つ太陽電池とし
ても有利に適合するなどの点で優れている◇ しかし、通常、圧延されたステンレス鋼の表面には圧延
時に発生するオイル・ビット、スクラッチなどの欠陥が
多数あり、これをそのままの状態で太陽電池の基板材料
として用いるとアモルファス層の膜厚が薄いために、そ
の形成に不均一を生じ易くまた場合によっては欠陥周辺
で電気的短絡を起こし、電池としての機能を来さなくな
ることさえある。
め０．Ｆ３ｒｎｔｎ程度以下の薄い板を使うことができ
、また可撓性を有することからコイル状の材料を用いた
量産が可能であシ、さらに曲面構造を持つ太陽電池とし
ても有利に適合するなどの点で優れている◇ しかし、通常、圧延されたステンレス鋼の表面には圧延
時に発生するオイル・ビット、スクラッチなどの欠陥が
多数あり、これをそのままの状態で太陽電池の基板材料
として用いるとアモルファス層の膜厚が薄いために、そ
の形成に不均一を生じ易くまた場合によっては欠陥周辺
で電気的短絡を起こし、電池としての機能を来さなくな
ることさえある。
このため一般的には、＃ １０００〜＃ １５００程度
まで数段階の手数をかけて砥粒研摩し、電解研摩を施す
ことによって表面粗さを調整しているのが現状である。
まで数段階の手数をかけて砥粒研摩し、電解研摩を施す
ことによって表面粗さを調整しているのが現状である。
しかし、このような方法では工程操作が複雑で処理にも
長時間を要する上・加工コストが高価となりステンレス
鋼自体の価格と加えた最終的々価格は非常に高いものに
なってしまう。
長時間を要する上・加工コストが高価となりステンレス
鋼自体の価格と加えた最終的々価格は非常に高いものに
なってしまう。
太陽電池が既存の発電方法に伍して電力用として普及す
るためには現状から大幅なコスト・ダウンが必要であシ
、上記の現状を打開し得る安価で材質特性のすぐれた基
板材料が要求されている。
るためには現状から大幅なコスト・ダウンが必要であシ
、上記の現状を打開し得る安価で材質特性のすぐれた基
板材料が要求されている。
最近に至り、上記のような事情に鑑みステンレス鋼の表
面研摩法に関して、中性塩水溶液を電解液に用いた電解
作用による基板素地面の陽極溶解に〃口えた砥粒擦過を
行って基板表面を鏡面研摩する製造方法が開発された（
特開昭５５−７１０７７号公報参照）。
面研摩法に関して、中性塩水溶液を電解液に用いた電解
作用による基板素地面の陽極溶解に〃口えた砥粒擦過を
行って基板表面を鏡面研摩する製造方法が開発された（
特開昭５５−７１０７７号公報参照）。
この場合、従来の機械的研摩と電解研摩を複合させて同
時に行うものであるため・操作時間を大幅に短縮するこ
とができるように開示されてはいるがしかし、その目的
とするところは従来法と同一でアシ・ステンレス鋼自身
の歩留りの低下とともに加工コストは依然として高いレ
ベルにあり、上記懸案の本質的な解決とはならない。
時に行うものであるため・操作時間を大幅に短縮するこ
とができるように開示されてはいるがしかし、その目的
とするところは従来法と同一でアシ・ステンレス鋼自身
の歩留りの低下とともに加工コストは依然として高いレ
ベルにあり、上記懸案の本質的な解決とはならない。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで太陽電池として具備すべき好ましい特性として
は （１） 表面粗さが小さくかつ細かなビット状欠陥も
できるだけ少ないこと、 （２）基板表面からアモルファス層へ電池特性を劣化さ
せる不純物拡散が少ないこと、 （８）耐食性、耐熱性にすぐれ太陽電池としての長期間
の使用に対し耐久性を有すること、し） 熱伝導性がす
ぐれていること、 （５）高強度でかつ可撓性を持ち、ロール・ツー・ロー
ル方式による電池の量産が可能であること（６）安価で
あること、 と要約することができる。
は （１） 表面粗さが小さくかつ細かなビット状欠陥も
できるだけ少ないこと、 （２）基板表面からアモルファス層へ電池特性を劣化さ
せる不純物拡散が少ないこと、 （８）耐食性、耐熱性にすぐれ太陽電池としての長期間
の使用に対し耐久性を有すること、し） 熱伝導性がす
ぐれていること、 （５）高強度でかつ可撓性を持ち、ロール・ツー・ロー
ル方式による電池の量産が可能であること（６）安価で
あること、 と要約することができる。
従って太陽電池基板として電池特性および信頼性の観点
から最も基本になる表面粗さが小さく、アモルファス層
への不純物拡散がなく耐久性にも優れて上掲の諸要請か
すべて有利に充足される安価な基板材料を与えることが
この発明の目的である０ （問題点を解決するための手段） 発明者らは、この目的に沿って各種薄鋼板の表面性状の
改善方法を検討した結果、高価なステンレス鋼板を用い
ることなく、低合金鋼薄板で製造される極めて安価な太
陽電池基板の開発に成功したＯ すなわちＮｉおよび／又はＱｒめっきを厚み１μｍ以上
で施した表面処理鋼板であって、そのめっき板が、Ｏ：
０．１重量％（成分含有量につき簡単のためチで示す
〕以下、Ｓｉ ： １．０重量％以下、Ｍｎ ： ２．
０重量％以下、Ｐお裏びＳ：何れも０．０２重量％以下
の成分を含有する組成の冷延鋼板よシ成る太陽電池基板
は、上記問題点の解決手段として有用である。
から最も基本になる表面粗さが小さく、アモルファス層
への不純物拡散がなく耐久性にも優れて上掲の諸要請か
すべて有利に充足される安価な基板材料を与えることが
この発明の目的である０ （問題点を解決するための手段） 発明者らは、この目的に沿って各種薄鋼板の表面性状の
改善方法を検討した結果、高価なステンレス鋼板を用い
ることなく、低合金鋼薄板で製造される極めて安価な太
陽電池基板の開発に成功したＯ すなわちＮｉおよび／又はＱｒめっきを厚み１μｍ以上
で施した表面処理鋼板であって、そのめっき板が、Ｏ：
０．１重量％（成分含有量につき簡単のためチで示す
〕以下、Ｓｉ ： １．０重量％以下、Ｍｎ ： ２．
０重量％以下、Ｐお裏びＳ：何れも０．０２重量％以下
の成分を含有する組成の冷延鋼板よシ成る太陽電池基板
は、上記問題点の解決手段として有用である。
（作用）
太陽電池基板は、前述したように電池特性を劣化させる
アモルファス層への不純物の拡散が少ないことが必要で
、上記冷延鋼板にあってもａ、ｐ、ｓなどの元素を出来
るだけ減少させることで目的に適合し、ここに製造コス
トをも考慮してＯ： ０．１係以下、ｐ ： ｏ、ｏｚ
％以下、ｓ ： ｏ、ｃｍ％以下に限定する〇 なお不純物元素は適当な添加元素との安定な化合物を生
成させることによっても拡散を抑えることが可能であシ
、その目的を満足するためには、ができる〇 次にＡｚ、ｓｉ、およびＭｎは、脱酸剤として使用され
るが過剰の添加は却工性を低下させるｆｃめ表面欠陥を
伴ううれいがあるので、Ａ／ ： ０．０５％以下、Ｓ
ｉ ： １％以下そしてＭｎ ： ｊ２％以下の添加を
必要とする。
アモルファス層への不純物の拡散が少ないことが必要で
、上記冷延鋼板にあってもａ、ｐ、ｓなどの元素を出来
るだけ減少させることで目的に適合し、ここに製造コス
トをも考慮してＯ： ０．１係以下、ｐ ： ｏ、ｏｚ
％以下、ｓ ： ｏ、ｃｍ％以下に限定する〇 なお不純物元素は適当な添加元素との安定な化合物を生
成させることによっても拡散を抑えることが可能であシ
、その目的を満足するためには、ができる〇 次にＡｚ、ｓｉ、およびＭｎは、脱酸剤として使用され
るが過剰の添加は却工性を低下させるｆｃめ表面欠陥を
伴ううれいがあるので、Ａ／ ： ０．０５％以下、Ｓ
ｉ ： １％以下そしてＭｎ ： ｊ２％以下の添加を
必要とする。
一般に太陽電池は、耐食性、耐熱性に優れることが長期
間の使用に対し耐久性を満たすために必要とされていた
のでさきに触れたように従来ステンレス鋼が専ら用いら
れた。
間の使用に対し耐久性を満たすために必要とされていた
のでさきに触れたように従来ステンレス鋼が専ら用いら
れた。
しかし、この耐食性は、それを充分保証し得る厚みのＮ
ｉ及び／又はＱｒめっき処理を行なうことによシ後述の
ように、よシ有利に対処できる。
ｉ及び／又はＱｒめっき処理を行なうことによシ後述の
ように、よシ有利に対処できる。
一方針熱性に関しても、太陽電池製造の際には２００〜
８００℃に加熱されるものの、その後は２００℃以上に
なる場合は無いことから必ずしもステンレス鋼における
ような耐熱性は必要としないのであるＣ 従って上記耐久性がとくに問題となる場合にあっても、
製造コストと表面性状とを考慮し、Ｃｕ：１チ以下、Ｎ
１：２％以下、Ｏｒ：ｌ（ｌ以下そしてＭＯ： １％以
下の何れか少くとも１種を必要によｐ添刀口とすること
もできる。
８００℃に加熱されるものの、その後は２００℃以上に
なる場合は無いことから必ずしもステンレス鋼における
ような耐熱性は必要としないのであるＣ 従って上記耐久性がとくに問題となる場合にあっても、
製造コストと表面性状とを考慮し、Ｃｕ：１チ以下、Ｎ
１：２％以下、Ｏｒ：ｌ（ｌ以下そしてＭＯ： １％以
下の何れか少くとも１種を必要によｐ添刀口とすること
もできる。
以上述べた成分組成になる冷延鋼板は、仕上げ圧延のま
まあるいは従来のステンレス鋼板におけると同様に最も
優れた表面性状をうるため、焼鈍−酸洗−スキンパス圧
延もしくは光輝焼鈍−スキンパス圧延を実施するものと
する〇 この場合において太陽電池基板として必要な可撓性をも
たせるため、通常ｇ、Ｂｍｍ以下の仕上シ厚みとする。
まあるいは従来のステンレス鋼板におけると同様に最も
優れた表面性状をうるため、焼鈍−酸洗−スキンパス圧
延もしくは光輝焼鈍−スキンパス圧延を実施するものと
する〇 この場合において太陽電池基板として必要な可撓性をも
たせるため、通常ｇ、Ｂｍｍ以下の仕上シ厚みとする。
ところで一般に冷延鋼板は、最善の工程で義造したとし
ても、圧延のままの状態では最大表面粗さくＲｍａＸ
）を０．２μ以下にするのは現在の技術では困難である
上、ピット状あるいは筋状表面欠陥を皆無にすることは
できず、この点ステンレス鋼板の場合に前述したような
表面研磨によって表面性状を向上できたのに反し、低合
金鋼の場合１表面性状の改善はもちろん、同時に耐食性
に対する措置をも必要とするため現在まで実用化されて
いなかったのである。
ても、圧延のままの状態では最大表面粗さくＲｍａＸ
）を０．２μ以下にするのは現在の技術では困難である
上、ピット状あるいは筋状表面欠陥を皆無にすることは
できず、この点ステンレス鋼板の場合に前述したような
表面研磨によって表面性状を向上できたのに反し、低合
金鋼の場合１表面性状の改善はもちろん、同時に耐食性
に対する措置をも必要とするため現在まで実用化されて
いなかったのである。
この発明は上記した成分組成の冷延鋼板に対し、Ｎｉ及
び／又き（はＱｒめづさを施すことによシ、表面粗度の
向上と表面欠陥の修復をうるとともに、耐食性をあわせ
付与する。
び／又き（はＱｒめづさを施すことによシ、表面粗度の
向上と表面欠陥の修復をうるとともに、耐食性をあわせ
付与する。
この目的を達成するために必要なＮｉ及び／又はＣｒめ
つきの厚みは、めっきされる冷延鋼板の表面粗度に依存
し、ＲｍａＸが太なるほどめっき層を厚くする必要があ
るが、充分に管理された冷延鋼板ではＲｍａｘ ＜ ０
．５μにおさめ得るため、１μｍ以上の厚み以上であれ
ばよい。
つきの厚みは、めっきされる冷延鋼板の表面粗度に依存
し、ＲｍａＸが太なるほどめっき層を厚くする必要があ
るが、充分に管理された冷延鋼板ではＲｍａｘ ＜ ０
．５μにおさめ得るため、１μｍ以上の厚み以上であれ
ばよい。
めっきの稿類としては、めっき層からアモルファス層へ
容易に拡散しないものでなくてはならず、製造面からの
配慮でこの発明ではＨ１’、 Ｏｒめっきに駆足する。
容易に拡散しないものでなくてはならず、製造面からの
配慮でこの発明ではＨ１’、 Ｏｒめっきに駆足する。
なおめっき層にはａ、ｐ、ｓなどの不純物についても同
じ理由で出来るだけ含せないのが望甘しく、めっきによ
る粗度向上効果を大にするためのいわゆるレベリング剤
の添加の場合、添加剤の成分１純度には充分注意しなく
てはいけない。
じ理由で出来るだけ含せないのが望甘しく、めっきによ
る粗度向上効果を大にするためのいわゆるレベリング剤
の添加の場合、添加剤の成分１純度には充分注意しなく
てはいけない。
Ｎ１めつきは短時間で効率よく所要の厚みのめっきが得
られる反面めっき表面の光沢度が若干低い。Ｏｒめっき
は反対にめっきに際し大電流・長時間を必要とするが優
れた光沢度が得られる。そのためＮｉ ６るいはＱｒの
単相めっきのみならず下地としてＮ＝めっきを行彦った
のち表面を薄いＱｒめつきで覆う２層めっきも有効であ
る。
られる反面めっき表面の光沢度が若干低い。Ｏｒめっき
は反対にめっきに際し大電流・長時間を必要とするが優
れた光沢度が得られる。そのためＮｉ ６るいはＱｒの
単相めっきのみならず下地としてＮ＝めっきを行彦った
のち表面を薄いＱｒめつきで覆う２層めっきも有効であ
る。
上記のようにして得られる表面処理鋼板は、さらにスキ
ンパス圧延を施すことによシ、表面粗度ならびに光沢の
一層の改善が可能で、このスキンパス圧延に用いるロー
ルの表面は、＃１００ｏ〜＃１５００程度の研磨を施す
こと、圧延率は０．１〜５チの範囲で行うことがそれぞ
れ好ましい。
ンパス圧延を施すことによシ、表面粗度ならびに光沢の
一層の改善が可能で、このスキンパス圧延に用いるロー
ルの表面は、＃１００ｏ〜＃１５００程度の研磨を施す
こと、圧延率は０．１〜５チの範囲で行うことがそれぞ
れ好ましい。
またスキンパス圧延は潤滑材を用いる湿式スキンハス圧
延でも潤滑材を用いない乾式スキンパス圧延でもその両
者とも適用ができる。
延でも潤滑材を用いない乾式スキンパス圧延でもその両
者とも適用ができる。
以上σバたところにおいてめっき操作は一般に使われて
いる連続電気めっき装置を利用することができ、従って
生産性の高い連続的な方法により、太陽電池基板を極め
て安価にかつ大量に供給できる。
いる連続電気めっき装置を利用することができ、従って
生産性の高い連続的な方法により、太陽電池基板を極め
て安価にかつ大量に供給できる。
（実施例）
転炉溶製一連続鋳造一熱間圧延一冷間圧延により製造し
た表１に組成を示す帆５ ｍｍの冷延鋼板のＡ：仕上げ
圧延のまま、Ｂ：大気焼鈍−酸洗−スキンパス圧延、０
：光輝焼鈍−スキンパス圧延の８種の仕上は状態につい
て５ Ｑ Ｑ ｒｒｖｒｂ Ｘ １０００７７１ｍのサ
ンプルを採取しＮｉめつき、Ｃｒめつき、およびＮ１下
地めっき＋Ｑｒめっきの８種類のめっきを行なった〇 めっきに際しては、電解脱脂−酸洗−めっきの工程で厚
みは０．５μｍ、１０ｇμ？ｌＺ、１．５μｍで変化さ
せた。ただしＮｉ下地めっき＋Ｏｒめっきでは表面のＯ
ｒめっきはいづれも０．２μｍとした◎Ｎｉめつき、Ｑ
ｒめつきのめっき条件は表２に示すごとく、各々最も一
般に普及したワット浴、サージェント浴を用いた。
た表１に組成を示す帆５ ｍｍの冷延鋼板のＡ：仕上げ
圧延のまま、Ｂ：大気焼鈍−酸洗−スキンパス圧延、０
：光輝焼鈍−スキンパス圧延の８種の仕上は状態につい
て５ Ｑ Ｑ ｒｒｖｒｂ Ｘ １０００７７１ｍのサ
ンプルを採取しＮｉめつき、Ｃｒめつき、およびＮ１下
地めっき＋Ｑｒめっきの８種類のめっきを行なった〇 めっきに際しては、電解脱脂−酸洗−めっきの工程で厚
みは０．５μｍ、１０ｇμ？ｌＺ、１．５μｍで変化さ
せた。ただしＮｉ下地めっき＋Ｏｒめっきでは表面のＯ
ｒめっきはいづれも０．２μｍとした◎Ｎｉめつき、Ｑ
ｒめつきのめっき条件は表２に示すごとく、各々最も一
般に普及したワット浴、サージェント浴を用いた。
表２
めっき後のサンプルの一部は１〜２％圧下率でスキンハ
ス圧延を行なった。これらのサンプルについて処理条件
と処理後の最大表面あらさくＲｍａＸ）の測定結果を表
８に示す。
ス圧延を行なった。これらのサンプルについて処理条件
と処理後の最大表面あらさくＲｍａＸ）の測定結果を表
８に示す。
表８
＊１ ：表１参照
＊２ ：Ａ−仕上げ圧延のまま
Ｂ−仕上げ圧延十大気焼鈍十酸洗＋スキンパス圧延Ｃ−
仕上げ圧延＋光輝焼鈍子スキンパス延＊δ： １ないし
２％のスキンパス圧延＊４：○−ＲｍａＸ ＜０．２μ ×Ｒｍａｘ ＞ ０−２μ あらさの測定は接触型表面あらさ計で行ない、カットオ
フ値Ｑ 、 ８ｒａｍ測定長５ 、６ ｒｎｍで５箇所
の測定値の平均を用いた。ここに基板としての評価は、
最大表面あらさく Ｒｍａｘ ）で評価しＲｍａｘ （
０，２／Ｊ以下を良好と判断した。
仕上げ圧延＋光輝焼鈍子スキンパス延＊δ： １ないし
２％のスキンパス圧延＊４：○−ＲｍａＸ ＜０．２μ ×Ｒｍａｘ ＞ ０−２μ あらさの測定は接触型表面あらさ計で行ない、カットオ
フ値Ｑ 、 ８ｒａｍ測定長５ 、６ ｒｎｍで５箇所
の測定値の平均を用いた。ここに基板としての評価は、
最大表面あらさく Ｒｍａｘ ）で評価しＲｍａｘ （
０，２／Ｊ以下を良好と判断した。
いずれの仕上げ状態についても圧延のままではＲｍａｘ
〈０．２を満たすことはできないが、Ｎｉ及び／ｉたは
６ｒめっき１．０μｍ以上のめつきによシＲｍａｘ ＜
０．２μを満足することが可能でおる。
〈０．２を満たすことはできないが、Ｎｉ及び／ｉたは
６ｒめっき１．０μｍ以上のめつきによシＲｍａｘ ＜
０．２μを満足することが可能でおる。
さらにスキンパス圧延を施すとよｐ一層ＲＩｎａＸが低
下するがめつき厚が１μ未満ではめつき後のスキンパス
でもＲｍａｘ＜ ０ 、２μを満足しない。
下するがめつき厚が１μ未満ではめつき後のスキンパス
でもＲｍａｘ＜ ０ 、２μを満足しない。
（発明の効果）
この発明の太陽電池基板は、表面粗さが十分に小さく、
アモルファス層への不純物拡散がなくし□かも耐久性に
も優れ、かつ安価であるので太陽電池の大規模な生産に
有利に適合できる。
アモルファス層への不純物拡散がなくし□かも耐久性に
も優れ、かつ安価であるので太陽電池の大規模な生産に
有利に適合できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｎｉ及び／又はＣｒめつきを厚み１μｍ以上で施し
た表面処理鋼板であつて、そのめつき原板が、 Ｃ：０．１重量％以下、 Ｓｉ：１．０重量％以下、 Ｍｎ：２．０重量％以下、 Ａｌ：０．０５重量％以下 Ｐ及びＳ：何れも０．０２重量％以下の成分を含有する
組成の冷延鋼板より成ることを特徴とする太陽電池基板
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122907A JPS613472A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | 太陽電池基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122907A JPS613472A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | 太陽電池基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613472A true JPS613472A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14847560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59122907A Pending JPS613472A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | 太陽電池基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613472A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618401A (en) * | 1992-07-16 | 1997-04-08 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Inner-shield material to be attached inside a color cathode ray tube and manufacturing method thereof |
| CN102460720A (zh) * | 2009-05-28 | 2012-05-16 | 东洋钢钣株式会社 | 化合物半导体型太阳能电池用基板 |
| EP2747101A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | Swansea University | An opto-electronic device and method for manufacturing the same |
-
1984
- 1984-06-16 JP JP59122907A patent/JPS613472A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618401A (en) * | 1992-07-16 | 1997-04-08 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Inner-shield material to be attached inside a color cathode ray tube and manufacturing method thereof |
| US5821686A (en) * | 1992-07-16 | 1998-10-13 | Tokyo Kohan Co., Ltd. | Inner-shield material to be attached inside a color cathode ray tube |
| CN102460720A (zh) * | 2009-05-28 | 2012-05-16 | 东洋钢钣株式会社 | 化合物半导体型太阳能电池用基板 |
| EP2747101A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | Swansea University | An opto-electronic device and method for manufacturing the same |
| WO2014095060A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | Swansea University | An opto-electronic device and method for manufacturing the same |
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