JPS6134923A - 半導体結晶成長装置 - Google Patents
半導体結晶成長装置Info
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- JPS6134923A JPS6134923A JP15397384A JP15397384A JPS6134923A JP S6134923 A JPS6134923 A JP S6134923A JP 15397384 A JP15397384 A JP 15397384A JP 15397384 A JP15397384 A JP 15397384A JP S6134923 A JPS6134923 A JP S6134923A
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- JP
- Japan
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- substrate
- semiconductor crystal
- growth
- crystal growth
- semiconductor
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は半導体の結晶成長層を単分子層オーダーで形成
するのに好適な半導体結晶成長装置に関する。
するのに好適な半導体結晶成長装置に関する。
［先行技術とその問題点］
従来から半導体の薄膜結晶を得るための気相エピタキシ
技術として、有機金属気相成長法（以下。
技術として、有機金属気相成長法（以下。
ＭＯ−ＣＶＤ法と呼ぶ）や分子線エピタキシー法（以下
、ＭＢＥ法と呼ぶ）が知られている。しかし、ＭＯ−Ｃ
ＶＤはソースとして■族、■族元素を水素ガス等をキャ
リアとして、同時に反応室へ導入し、熱分解によって成
長させるため、成長層の品質が悪い。また、単分子層オ
ーダーの制御が困難である等の欠点がある。
、ＭＢＥ法と呼ぶ）が知られている。しかし、ＭＯ−Ｃ
ＶＤはソースとして■族、■族元素を水素ガス等をキャ
リアとして、同時に反応室へ導入し、熱分解によって成
長させるため、成長層の品質が悪い。また、単分子層オ
ーダーの制御が困難である等の欠点がある。
一方、超高真空を利用した結晶成長法としてよく知られ
るＭＢＥ法は、物理吸着を第一段階とするために、結晶
の品質は化学反応を利用した気相成長法に劣る。ＧａＡ
ｓのような■−■族間の化合物半導体を成長する時には
、■族、Ｖ族元素をソースとして用い、ソース源自体を
成長室の中に設置している。このため、ソース源を加熱
して得られる放出ガスと蒸発量の制御、および、ソース
の補給が困難であり、成長速度を長時間一定に保つこと
が困難である。また、蒸発物の排出など真空装置が複雑
になる。更には、化合物半導体の化学量論的組成（スト
イキオメトリ−）を精密に制御することが困難で、結局
、高品質の結晶を得ることができない欠点がある。
るＭＢＥ法は、物理吸着を第一段階とするために、結晶
の品質は化学反応を利用した気相成長法に劣る。ＧａＡ
ｓのような■−■族間の化合物半導体を成長する時には
、■族、Ｖ族元素をソースとして用い、ソース源自体を
成長室の中に設置している。このため、ソース源を加熱
して得られる放出ガスと蒸発量の制御、および、ソース
の補給が困難であり、成長速度を長時間一定に保つこと
が困難である。また、蒸発物の排出など真空装置が複雑
になる。更には、化合物半導体の化学量論的組成（スト
イキオメトリ−）を精密に制御することが困難で、結局
、高品質の結晶を得ることができない欠点がある。
このような点に鑑み本願発明者等′は上記従来技術の欠
点を除いて、単分子層オーダーの成長膜厚の制御性を有
する半導体結晶成長装置を開発した。
点を除いて、単分子層オーダーの成長膜厚の制御性を有
する半導体結晶成長装置を開発した。
これを第４図を参照して説明する。
図において、１は成長槽で材質はステンレス等の金属、
２はゲートバルブ、３は１を超高真空に排気するための
排気装置、４，５は例えば■−■族化合物半導体の■族
、■族の成分元素のガス状の化合物を導入するノズル、
６，７はノズル４，５を開閉するバルブ、８は■族は成
分元素を含むガス状の化合物、９はＶの成分元素を含む
ガス状の化合物、１０は基板加熱用のヒーターで石英ガ
ラスに封入したタングステン（Ｗ）線であり、電線等は
図示省略しである。１１は測温用の熱電対、１２は化合
物半導体の基板、１３は成長槽内の真空度を測るための
圧力計である。
２はゲートバルブ、３は１を超高真空に排気するための
排気装置、４，５は例えば■−■族化合物半導体の■族
、■族の成分元素のガス状の化合物を導入するノズル、
６，７はノズル４，５を開閉するバルブ、８は■族は成
分元素を含むガス状の化合物、９はＶの成分元素を含む
ガス状の化合物、１０は基板加熱用のヒーターで石英ガ
ラスに封入したタングステン（Ｗ）線であり、電線等は
図示省略しである。１１は測温用の熱電対、１２は化合
物半導体の基板、１３は成長槽内の真空度を測るための
圧力計である。
ＧａＡｓの分子層を一層ずつ基板１２上にエピタキシャ
ル成長させる方法は、以下の通りである。即ち。
ル成長させる方法は、以下の通りである。即ち。
ゲートバルブ２を開けて超高真空排気装置３により。
成長槽１内を１０−７〜１０−’ Ｐａ５ｃａｌ（以下
、Ｐａと略す）程度に排気する。次に、ＧａＡｓ基板１
２を例えば３００〜８００℃程度ヒーター１０により加
熱し、Ｇａを含むガスとしてＴＭＧ （１−リメチルガ
リウム）８を成長槽１内の圧力が、１０ ”−” 〜１
０−７Ｐａになる範囲で、０．５〜１０秒間バルブ６を
開けて導入する。その後、パルプ６を閉じ、て成長槽１
内のガスを排気後、今度はＡｓを含むガスとしてＡｓＨ
ｓ（アルシン）９を圧力が１０’−１−１０−７Ｐａに
なる範囲で、２〜２００秒間バルブ７を開けて導入する
。これにより、基板１２上にＧａＡｓが少なくとも１分
子層成長できる。以上の操作を繰り返し、単分子層を次
々と成長させることにより、所望の厚さのＧａＡｓのエ
ピタキシャル成長層を単分子層の精度で成長させること
ができる。
、Ｐａと略す）程度に排気する。次に、ＧａＡｓ基板１
２を例えば３００〜８００℃程度ヒーター１０により加
熱し、Ｇａを含むガスとしてＴＭＧ （１−リメチルガ
リウム）８を成長槽１内の圧力が、１０ ”−” 〜１
０−７Ｐａになる範囲で、０．５〜１０秒間バルブ６を
開けて導入する。その後、パルプ６を閉じ、て成長槽１
内のガスを排気後、今度はＡｓを含むガスとしてＡｓＨ
ｓ（アルシン）９を圧力が１０’−１−１０−７Ｐａに
なる範囲で、２〜２００秒間バルブ７を開けて導入する
。これにより、基板１２上にＧａＡｓが少なくとも１分
子層成長できる。以上の操作を繰り返し、単分子層を次
々と成長させることにより、所望の厚さのＧａＡｓのエ
ピタキシャル成長層を単分子層の精度で成長させること
ができる。
しかしながら、上記半導体結晶成長装置においては、エ
ピタキシャル成長速度が遅く、また、成長温度も高く保
たねばならず、化学量論的組成（ストイキオメトリ−）
を満たす良質な結晶を得ることが困難であった。
ピタキシャル成長速度が遅く、また、成長温度も高く保
たねばならず、化学量論的組成（ストイキオメトリ−）
を満たす良質な結晶を得ることが困難であった。
［発明の目的コ
本発明は、先に開発した装置を更に改良して、成長温度
を下げても成長速度が速く、基板上に分子層オーダーで
良質な結晶膜を成長させることのできる半導体結晶成長
装置を提供することを目的とする。
を下げても成長速度が速く、基板上に分子層オーダーで
良質な結晶膜を成長させることのできる半導体結晶成長
装置を提供することを目的とする。
［発明の概要］
このため、本発明は超高真空に排気した成長槽内で基板
を加熱し、その基板上に成長させたい成分元素を含むガ
スを外部から導入すると共に、外部から基板に光を照射
するようにしたことを特徴としている。
を加熱し、その基板上に成長させたい成分元素を含むガ
スを外部から導入すると共に、外部から基板に光を照射
するようにしたことを特徴としている。
［発明の実施例］
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体結晶成長装置の
構成図を示したものである。図中、第４図と同一符号は
同一または相当部分を示し、更に、１４は基板照射用の
光源、１５は光源から出てくる光を真空槽内に配置され
た半導体基板１２に導く窓の付いたボートである。
構成図を示したものである。図中、第４図と同一符号は
同一または相当部分を示し、更に、１４は基板照射用の
光源、１５は光源から出てくる光を真空槽内に配置され
た半導体基板１２に導く窓の付いたボートである。
この構成で、今、光源１４には５００ｖの高圧水銀ラン
プ、■族化合物としてはＡａＨｓ、Ｖ族化合物としては
ＴＭＧ（）−リメチルガリウム）を用いる。ゲートバル
ブ２を開けて超高真空排気装置３により成長槽１内を１
０−７〜１０−”Ｐａ程度に排気した後に、ＧａＡｓ基
板１２を例えば３００〜８００℃程度にヒーター１０に
より加熱をし、ＴＭＧを圧力として１０−”Ｐａ、４秒
間バルブ６を開けて導入し排気後、バルブ７を開けてＡ
ｓＨｓを２０秒間導入するサイクルを繰り返す。
プ、■族化合物としてはＡａＨｓ、Ｖ族化合物としては
ＴＭＧ（）−リメチルガリウム）を用いる。ゲートバル
ブ２を開けて超高真空排気装置３により成長槽１内を１
０−７〜１０−”Ｐａ程度に排気した後に、ＧａＡｓ基
板１２を例えば３００〜８００℃程度にヒーター１０に
より加熱をし、ＴＭＧを圧力として１０−”Ｐａ、４秒
間バルブ６を開けて導入し排気後、バルブ７を開けてＡ
ｓＨｓを２０秒間導入するサイクルを繰り返す。
このガス導入期間中高圧水銀ランプ光１４はボートの付
いた窓１５を通して基板１２上に連続的に照射する。こ
れにより、基板１２上には、前記１サイクル毎にＧａＡ
ｓ結晶が成長する。
いた窓１５を通して基板１２上に連続的に照射する。こ
れにより、基板１２上には、前記１サイクル毎にＧａＡ
ｓ結晶が成長する。
第２図はそのときの結晶成長速度と成長基板温度との関
係を示したもので、黒丸は光照射なし。
係を示したもので、黒丸は光照射なし。
白丸は光照射があった場合である。光照射がない場合、
成長温度４００℃では成長しない。ガスの導入条件を同
一に保ち光照射をすると４００℃でも１、ＯＡ／サイク
ル成長することが確認された。成長温度が６００°Ｃで
光照射した場合でも３．５Ａ／サイクルから４．４Ａ／
サイクルへ成長速度が増加している。
成長温度４００℃では成長しない。ガスの導入条件を同
一に保ち光照射をすると４００℃でも１、ＯＡ／サイク
ル成長することが確認された。成長温度が６００°Ｃで
光照射した場合でも３．５Ａ／サイクルから４．４Ａ／
サイクルへ成長速度が増加している。
更に電気的特性を調べたところ、不純物密度が低下し、
電子およびホール移動度が改善されることが判明した。
電子およびホール移動度が改善されることが判明した。
尚、結晶成長中に水銀ランプ光は断続的に照射してもよ
い。また、光源は高圧水銀ランプに限らず、ＡｓＨｓ
、 ＴＭＧの基板表面での付着、結晶成長を促進させる
ような紫外光を含む重水素ランプ、ｘｅ−ランプ等のラ
ンプ、エキシマ−レーザー、Ａｒレーザー光をてい倍し
たものなどを用いることができる。この場合、Ａｒレー
ザ光をてい倍した波長２５７ｎｍを照射したところ、成
長温度が５００℃で１．５Ａ／サイクルから４．０λ／
サイクルへ成長速度が増加した。また、Ａｒレーザ光を
でい倍した波長２５７ｎｍと、その−次光５１４ｎｍを
成長温度５００℃で同時に照射したところ、成長速度は
４．ｚ入ｙサイクルと微増したにずぎないが、電気的特
性は不純物密度が４．６Ｘ１０１８ｃｍ−’から２．４
Ｘ１０’ ” ａｍ ’へホール移動速度が ８４ｃ
ｍ２Ｖ−’ ｓ−１から１１０ｃｍ” Ｖ−１ｓ−’へ
と大きく改善された。更に、これらのうちのいくつかを
組み合せて同時に用いることもできる。また、Ａｒレー
ザもしくは水銀ランプのような連続光とガス導入パルス
と同期を取って、同じ位相でパルス発振するエキシマレ
ーザ光との組み合わせでも良い。また、Ｇａを含む化合
物としてはＧａＣｆ１ｓなどのハロゲン化合物でも良い
。
い。また、光源は高圧水銀ランプに限らず、ＡｓＨｓ
、 ＴＭＧの基板表面での付着、結晶成長を促進させる
ような紫外光を含む重水素ランプ、ｘｅ−ランプ等のラ
ンプ、エキシマ−レーザー、Ａｒレーザー光をてい倍し
たものなどを用いることができる。この場合、Ａｒレー
ザ光をてい倍した波長２５７ｎｍを照射したところ、成
長温度が５００℃で１．５Ａ／サイクルから４．０λ／
サイクルへ成長速度が増加した。また、Ａｒレーザ光を
でい倍した波長２５７ｎｍと、その−次光５１４ｎｍを
成長温度５００℃で同時に照射したところ、成長速度は
４．ｚ入ｙサイクルと微増したにずぎないが、電気的特
性は不純物密度が４．６Ｘ１０１８ｃｍ−’から２．４
Ｘ１０’ ” ａｍ ’へホール移動速度が ８４ｃ
ｍ２Ｖ−’ ｓ−１から１１０ｃｍ” Ｖ−１ｓ−’へ
と大きく改善された。更に、これらのうちのいくつかを
組み合せて同時に用いることもできる。また、Ａｒレー
ザもしくは水銀ランプのような連続光とガス導入パルス
と同期を取って、同じ位相でパルス発振するエキシマレ
ーザ光との組み合わせでも良い。また、Ｇａを含む化合
物としてはＧａＣｆ１ｓなどのハロゲン化合物でも良い
。
第３図は本発明の別の実施例を示したものであり、不純
物添加をするためのものである。１６，１７は例えば不
純物添加に用いるガス状化合物を導入するノズル、１８
．１９はノズル１６．１７を開閉するバルブ、２０は■
族の成分元素を含むガス状の化合物。
物添加をするためのものである。１６，１７は例えば不
純物添加に用いるガス状化合物を導入するノズル、１８
．１９はノズル１６．１７を開閉するバルブ、２０は■
族の成分元素を含むガス状の化合物。
２１は■族の成分元素を含むガス状の化合物である。
不純物を添加する以外の部分は第１図の実施例と同一で
あるので説明は省略する。
あるので説明は省略する。
この構成で、Ｐ型成長層を形成する場合は、導入ガスと
してＴＭＧ（トリメチルガリウム）８、ＡｓＨ３（アル
シン）９と添加する不純物ガスとしてＺＭＺｎ （ジメ
チル亜鉛）２０の３つのガスを循環式に導入する。
してＴＭＧ（トリメチルガリウム）８、ＡｓＨ３（アル
シン）９と添加する不純物ガスとしてＺＭＺｎ （ジメ
チル亜鉛）２０の３つのガスを循環式に導入する。
また、別の方法としてはＴＭＧ８と２ＭＺｎ２０を同時
にＡｓＨｓ ９とは交互に導入するが、Ａ５Ｈｓ ９と
２ＭＺｎ２０を同時にＴＭＧ８とは交互に導入すること
によって不純物添加ができる。
にＡｓＨｓ ９とは交互に導入するが、Ａ５Ｈｓ ９と
２ＭＺｎ２０を同時にＴＭＧ８とは交互に導入すること
によって不純物添加ができる。
尚、不純物ガスとしてはＺＭＣｄ （ジメチルカドミウ
ム）、ＺＭＭｇ（ジメチルマグネシウム）、ＳｉＨａ（
モノシラン）、ＧｅＨ４（ゲルマン）などでもよい。
ム）、ＺＭＭｇ（ジメチルマグネシウム）、ＳｉＨａ（
モノシラン）、ＧｅＨ４（ゲルマン）などでもよい。
次に、ｎ型成長層の形成は、添加する不純物ガスとして
２ＭＳｅ２１（ジメチルセレン）をＴＭＧ８、ＡｓＨ３
９と循環式に導入する。別の方法としてはＴＭＧ８と２
ＭＳｅ２１を同時にＴＭＧ８とは交互に導入することに
よって不純物添加ができる。
２ＭＳｅ２１（ジメチルセレン）をＴＭＧ８、ＡｓＨ３
９と循環式に導入する。別の方法としてはＴＭＧ８と２
ＭＳｅ２１を同時にＴＭＧ８とは交互に導入することに
よって不純物添加ができる。
尚、このときの不純物ガスとしてはＺＭＳ （ジメチル
硫黄）、Ｈ２Ｓ（硫化水素）、Ｈ２Ｓｅ（セレン化水素
）などを用いることができる。
硫黄）、Ｈ２Ｓ（硫化水素）、Ｈ２Ｓｅ（セレン化水素
）などを用いることができる。
この場合、不純物ガスの導入流量をＡｓＨｓ ９、ＴＭ
Ｇ８に比べ、例えば１０−３〜１０−６程小さく取り、
導入時間は０．５〜１０秒程にすることにより、厚さ方
向に所望の不純物能度分布を有する分子層エピタキシャ
ル成長層が形成できる。また、添加する不純物ガスの量
と時間を調整することにより、ｐｎ接合、不均一不純物
密度分布、ｎｐｎ、 ｎｐｉｎ、 Ｐｎｐ、ｐｎｉｐ等
のバイポーラトランジスタ構造、ｎ ” ｉｎ ”、ｎ
”ｎ ｎ”等の電界効果トランジスタや静電誘導トラ
ンジスタ、 ｐｎｐｎのサイリスタ構造等を実現できる
ことは勿論である。
Ｇ８に比べ、例えば１０−３〜１０−６程小さく取り、
導入時間は０．５〜１０秒程にすることにより、厚さ方
向に所望の不純物能度分布を有する分子層エピタキシャ
ル成長層が形成できる。また、添加する不純物ガスの量
と時間を調整することにより、ｐｎ接合、不均一不純物
密度分布、ｎｐｎ、 ｎｐｉｎ、 Ｐｎｐ、ｐｎｉｐ等
のバイポーラトランジスタ構造、ｎ ” ｉｎ ”、ｎ
”ｎ ｎ”等の電界効果トランジスタや静電誘導トラ
ンジスタ、 ｐｎｐｎのサイリスタ構造等を実現できる
ことは勿論である。
ところで、以上述べてきた実施例において、結晶成長に
用いるガスは主にＧａＡｓについて説明してきたが、Ｉ
ｎＰ、 ＡＲＰ、 ＧａＰ等他のｍ−ｖ族化合物に適用
できることは勿論である。Ｇａｐ−ｘＡΩｘＡｓ、Ｇａ
ｓ −ｘＡｊｌｌｘＡｓ Ｉ−ｙＰｙ等の混晶でも良
い・また・基板はＧａＡｓに限らず他の化合物基板に成
長させるヘテロエピタキシャル成長等でも良い。
用いるガスは主にＧａＡｓについて説明してきたが、Ｉ
ｎＰ、 ＡＲＰ、 ＧａＰ等他のｍ−ｖ族化合物に適用
できることは勿論である。Ｇａｐ−ｘＡΩｘＡｓ、Ｇａ
ｓ −ｘＡｊｌｌｘＡｓ Ｉ−ｙＰｙ等の混晶でも良
い・また・基板はＧａＡｓに限らず他の化合物基板に成
長させるヘテロエピタキシャル成長等でも良い。
更に、上記実施例では化合物半導体を例に説明してきた
が、本発明はこれに限らず、半導体が■族のような単一
元素から成る元素半導体であっても良好な結晶成長をす
ることができる。この場合、例えば元素半導体がＳｉの
場合は反応性のガスとして５ｉＣＲ４、５ｉＨＣｎ ｓ
−５ｉＨ２ＣＱ ２のような塩化物と、Ｈ２ガスの組
み合せによって結晶成長を行なうことができる。
が、本発明はこれに限らず、半導体が■族のような単一
元素から成る元素半導体であっても良好な結晶成長をす
ることができる。この場合、例えば元素半導体がＳｉの
場合は反応性のガスとして５ｉＣＲ４、５ｉＨＣｎ ｓ
−５ｉＨ２ＣＱ ２のような塩化物と、Ｈ２ガスの組
み合せによって結晶成長を行なうことができる。
また、以上の実施例においては、加熱源を成長槽１内部
に設けたが、赤外線ランプ等を加熱源として成長槽１外
部に設け、光学窓を通して基板１２に熱線を照射し、所
定温度に加熱するようにしてもよい。
に設けたが、赤外線ランプ等を加熱源として成長槽１外
部に設け、光学窓を通して基板１２に熱線を照射し、所
定温度に加熱するようにしてもよい。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、化学量論的組成を満たす
ことが容易で良質な結晶を一層ずつ成長させることがで
きる。また、不純物の添加を一層ずつ行なうことができ
るので非常に急峻な不純物密度分布を得ることができる
。この結果、非常に高速なトランジスタ、集積回路、ダ
イオード、発光受光素子等の製作に対して工業的価値の
高い半導体結晶成長装置が得られる。
ことが容易で良質な結晶を一層ずつ成長させることがで
きる。また、不純物の添加を一層ずつ行なうことができ
るので非常に急峻な不純物密度分布を得ることができる
。この結果、非常に高速なトランジスタ、集積回路、ダ
イオード、発光受光素子等の製作に対して工業的価値の
高い半導体結晶成長装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体結晶成長装置の
構成図、第２図は成長速度と成長基板温度の関係を示す
グラフ図、第３図は本発明の他の実施例に係る半導体結
晶成長装置の構成図、第４図は本願発明者が先に開発し
た半導体結晶成長装置の構成図である。 １・・・成長槽、２・・・ゲートバルブ、３・・・排気
装置、４，５，１６．１７・・・ノズル、６，７，１８
．１９・・・バルブ、８，９，２０．２１・・・ガス状
化合物、１０・・・ ヒーター、１１・・・熱電対、１
２・・・基板、１３・・・圧力計、１４・・・光源、１
５・・・ボート。 、−−＼ 第 ７ 図 第２図 成長う茎度〔０ｃ〕
構成図、第２図は成長速度と成長基板温度の関係を示す
グラフ図、第３図は本発明の他の実施例に係る半導体結
晶成長装置の構成図、第４図は本願発明者が先に開発し
た半導体結晶成長装置の構成図である。 １・・・成長槽、２・・・ゲートバルブ、３・・・排気
装置、４，５，１６．１７・・・ノズル、６，７，１８
．１９・・・バルブ、８，９，２０．２１・・・ガス状
化合物、１０・・・ ヒーター、１１・・・熱電対、１
２・・・基板、１３・・・圧力計、１４・・・光源、１
５・・・ボート。 、−−＼ 第 ７ 図 第２図 成長う茎度〔０ｃ〕
Claims (7)
- （１）基板を被う成長槽と、前記基板を加熱する加熱装
置と、前記成長槽を超高真空に排気する排気装置と、前
記成長槽外部から内部の基板上に成長させたい結晶成分
元素を含む分子のガスを導入するノズルと、前記基板上
に波長１８０〜６００ｎｍの光を照射する光照射機構と
を備え所定膜厚の半導体結晶成長層を単分子層の精度で
形成することを特徴とする半導体結晶成長装置。 - （２）特許請求の範囲第１項記載において、前記基板上
に元素半導体の結晶を成長させる半導体結晶成長装置。 - （３）特許請求の範囲第２項記載において、前記元素半
導体はＳｉである半導体結晶成長装置。 - （４）特許請求の範囲第１項記載において、前記基板上
に少なくとも２種類以上の元素から成る化合物半導体の
結晶を成長させる半導体結晶成長装置。 - （５）特許請求の範囲第４項記載において、前記化合物
半導体はＧａＡｓである半導体結晶成長装置。 - （６）特許請求の範囲第１項記載において、前記基板上
に不純物を添加した半導体の結晶を成長させる半導体結
晶成長装置。 - （７）特許請求の範囲第１項記載において、前記光が少
なくとも２種類以上の異なる波長から成る半導体結晶成
長装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153973A JPH0766906B2 (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | ＧａＡｓエピタキシャル成長方法 |
| GB08518798A GB2162369B (en) | 1984-07-26 | 1985-07-25 | Apparatus for forming semiconductor crystal |
| FR858511515A FR2568272B1 (fr) | 1984-07-26 | 1985-07-26 | Appareil pour former un cristal de semi-conducteur |
| DE3526889A DE3526889C2 (de) | 1984-07-26 | 1985-07-26 | Vorrichtung zum Züchten von III-V-Verbindungshalbleitern |
| US08/812,069 US6334901B1 (en) | 1984-07-26 | 1995-06-07 | Apparatus for forming semiconductor crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153973A JPH0766906B2 (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | ＧａＡｓエピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134923A true JPS6134923A (ja) | 1986-02-19 |
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