JPS613493A - 回路形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、セラミック基板をベースとする基板に回路を
形成するだめの回路形成方法に関するものである。

〔従来の技術〕

セラミック基板をベースとする基板に回路を形成する方
法として従来一般に採用されているのは、セラミック基
板の表面にん、　Ａｇ　、　Ａｇ　／Ｐｄ　、　Ａｇ　
／Ｐｔ　。

Ｒｕ　０２等の高価な貴金属を主体原料とする厚膜ペー
ストを印刷し、それを８５０℃程度の大気中で焼成して
回路を形成する方法であった。ところが上記従来の方法
だと高価な厚膜ペーストラ必要とし、しかもそれを高温
で焼成しなければならないため高価となる欠点があった
。又、従来の方法では厚膜ペーストの焼成膜の厚さが１
０μ程度であるため、形成された回路の強度が弱く、放
熱性に劣シ、電流容量を大きくすることができず、抵抗
変化が容易にできない等、多くの欠点があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は上記従来の欠点に鑑みて提案されたもので、回
路あ強度が強く、放熱性が良好で、電流容量を大きくす
ることができ、抵抗変化が容易であると共に、安価に形
成することができる回路形成方法を提供せんとするもの
である。

〔問題点を解決するだめの手段〕

本発明は上記問題点を解決するだめに、セラミック基板
の表面に金属粒子を溶射して金属溶射膜をつくり、その
金属溶射膜をレジスト処理した後、エツチング処理して
回路を形成するようにしたことを特徴とするものである
。

〔発明の作用・効果〕

本発明の回路形成方法は上記のような方法であるため、
従来のように高価な厚膜ペースト−を必要とせず、しか
も高温で焼成する必要もないので、　。

例えばプリント配線板用の製造工程を利用することがで
きかつチップ部品も容易に搭載でき回路を安価に形成す
ることができる。又、金属溶射膜の厚さは３０　’０μ
程度にすることもできるので、形成された回路の強度が
強く、導体部分の断面積をかせぐことができるので、放
熱性が良好で電流容量を大きくすることができ、抵抗変
化が容易である等多くの利点を有し、実用上きわめて有
効な回路形成方法を提供し得るものである。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に示す実施例に基づいてｐ体的に説
明する。図面は本発明の一実施例を示す回路形成方法の
工程図５である。図中１はＡｔ２０．　。

Ｂｅｄ、　ＳｉＣ等からなるセラミック基板で、２−Ａ
はそのセラミック基板１の片面をプラスト処理して片面
を粗面Ｓとしたプラスト処理板を示し、２−Ｂはセラミ
ック基板１の両面をプラスト処理して両面とも粗面Ｓと
したプラスト処理板を示す。

３−’Ａはブラスト処理板２−Ａのプラスト処理した粗
面Ｓに、又３−Ｂはプラスト処理板２−Ｂのプラスト処
理した両粗面Ｓに各々金属粒子をプラズマ溶射して、厚
さ３０〜３００μ程度の金属溶射膜Ｍを形成した金属溶
射処理板で、片面に溶射するか両面に溶射するかは、用
途に応じて任意に選択することができる。又、溶射する
金属粒子はＣｕ、　Ｍｏ　、　Ｎｉ　、　Ａｔ、　Ｗ　
、　Ｎｉ−Ｃｒ等、用途に応じて任意に選択することが
でき否が１．一般にはＣｕやＡｔ等の安価な金属粒子を
用いる。又、減圧溶射法を採用すれば、酸化や気孔の非
常に少ない金属溶射膜Ｍｉ影形成ることができる。又、
溶射後に熱処理を行なえば、金属溶射膜Ｍの接着強度や
ンート抵抗を改善することができ、メッキ処理も可能で
ある。又、プラズマ溶射の外にワイヤー溶射やフレーム
溶射を行なって金属溶射膜Ｍｉ影形成しめても良い。

次に４−Ａは金属溶射処理板３−Ａに、又４−Ｂは金属
溶射処理板３二ＢにレジストＲ全印刷して、金属溶射膜
Ｍをレジスト処理したレジスト処理板を示す。次に、５
−Ａはレジスト処理板４−Ａを又、５−Ｂはレジスト処
理板４−１ｎエツチング処理して所望の回路を形成した
基板を示し、その基板５−Ａ、５−Ｂは必要に応じメッ
キ処理して部品とし実装されることになる。但し、基板
５−Ｂのように、裏面全面を溶射しておけば、マザーボ
ードやヒートシンクの半田接着も容易となる。又、スル
ーホールの基板を使用すれば、スルーホールも可能であ
る。

〔実施例〕

本発明の有効性を確認するため、９６％Ａ／！、２０゜
よシなる０、６　ｍｍＸ　５．０８　ｍｍ交５．０８　
ｗｎのセラミック基板の両面を、Ａ　−４３”８’Ｏの
プラスト材にて５　Ｋｐ１０＋Ｉの圧力でプラスト処理
し、その後プラスト処理した両粗面にプラズマ溶射機に
て４４〜１０μのＣｕ粒子を次の表Ｉに示す条ｉで溶射
した。

表■ このときＣｕの溶射膜の厚さが５０μ、１００μ。

３００μとなるように制御し、それぞれをレジスト処理
した後、エツチング処理して回路を形成し、各々のテス
トパターにおける緒特性を測定したところ、次の表Ｈに
示すような結果が得られた。

表■から明らかなように、本発明の回路形成方法によれ
ば、金属溶射膜の厚さを３００μ程度まで厚くしても回
路の強度は十分であシ、半田濡れ性も良好で、実用上全
く問題のないことがわかった。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明一実施例を示す回路形成方法の工程図であ
る。 １・・・セラミック基板、２−Ａ、２−Ｂ・・・ブラス
ト処理板、３−Ａ、３−Ｂ・・金属溶射処理板、４−Ａ
、４−Ｂ・・・レジスト処理板、５−Ａ、５−Ｂ・・基
板、Ｓ・・・粗面、Ｍ・・金属溶射膜、Ｒ・・・レジス
ト メツ１−タｎ王里 手続補正書（放）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　セラミツク基板の表面に金属粒子を溶射して金属溶射
   膜をつくり、その金属溶射膜をレジスト処理した後、エ
   ッチング処理して回路を形成するようにしたことを特徴
   とする回路形成方法。