JPS6137775B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6137775B2 JPS6137775B2 JP16171380A JP16171380A JPS6137775B2 JP S6137775 B2 JPS6137775 B2 JP S6137775B2 JP 16171380 A JP16171380 A JP 16171380A JP 16171380 A JP16171380 A JP 16171380A JP S6137775 B2 JPS6137775 B2 JP S6137775B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- protective resin
- film
- resin film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板処理方法に係り、詳しくはフオ
ト・マスク或るいは半導体等の基板を保管する際
の保護樹脂膜の形成方法及び該保護樹脂膜を有す
る基板を使用する際の前記保護樹脂膜の剥離方法
に関する。
ト・マスク或るいは半導体等の基板を保管する際
の保護樹脂膜の形成方法及び該保護樹脂膜を有す
る基板を使用する際の前記保護樹脂膜の剥離方法
に関する。
例えばパターン形式の完了したマスク基板は、
該基板を保護樹脂膜で覆うことにより、保管や運
搬に際して、基板面が機械的な衝撃や汚染等によ
り損傷せしめられることの防止がなされる。
該基板を保護樹脂膜で覆うことにより、保管や運
搬に際して、基板面が機械的な衝撃や汚染等によ
り損傷せしめられることの防止がなされる。
従来から用いられている保護樹脂膜には塩化ビ
ニール系の保護樹脂膜がある。この塩化ビニール
系保護樹脂膜は可塑性を有するので剥離は極めて
容易であるが、絶縁性が極めて高いために剥離に
際してマスク基板と該保護樹脂膜の摩擦によつて
静電気が生じ、放電のためにマスク・パターンに
短絡や焼去等の障害を発生せしめていた。そこで
最近では吸湿性を有し、そのため絶縁性が余り高
くなく、従つて剥離に際して静電気を生ずること
のない、例えばポリ・ビニール・アルコール等の
ビニール・アルコール系の高分子樹脂が保護樹脂
膜として用いられるようになつてきた。然し該ビ
ニール・アルコール系の高分子樹脂膜はマスク基
板に対する密着性が極めてよく、且つ可塑性を持
たないために、該樹脂膜を機械的に剥離すること
が困難であつた。そのため従来は該ポリ・ビニー
ル・アルコール膜で覆つて保管されていたマスク
基板を使用する際には、ポリ・ビニール・アルコ
ールが水溶性であることを利用して、該マスク基
板を60〜80〔℃〕程度の温水中で処理してポリ・
ビニール・アルコール膜を溶解除去する方法が用
いられていた。然しこのような湯洗い等の湿式の
除去方法に於ては、水に溶けて、マスク基板に形
成されているマスク・パターンとガラス基板間に
形成されている角部等に浸入したポリ・ビニー
ル・アルコールを完全に除去するためには、何段
も洗浄を行わねばならず、工程が煩雑になり且つ
作業工数が多くかかるという問題があつた。
ニール系の保護樹脂膜がある。この塩化ビニール
系保護樹脂膜は可塑性を有するので剥離は極めて
容易であるが、絶縁性が極めて高いために剥離に
際してマスク基板と該保護樹脂膜の摩擦によつて
静電気が生じ、放電のためにマスク・パターンに
短絡や焼去等の障害を発生せしめていた。そこで
最近では吸湿性を有し、そのため絶縁性が余り高
くなく、従つて剥離に際して静電気を生ずること
のない、例えばポリ・ビニール・アルコール等の
ビニール・アルコール系の高分子樹脂が保護樹脂
膜として用いられるようになつてきた。然し該ビ
ニール・アルコール系の高分子樹脂膜はマスク基
板に対する密着性が極めてよく、且つ可塑性を持
たないために、該樹脂膜を機械的に剥離すること
が困難であつた。そのため従来は該ポリ・ビニー
ル・アルコール膜で覆つて保管されていたマスク
基板を使用する際には、ポリ・ビニール・アルコ
ールが水溶性であることを利用して、該マスク基
板を60〜80〔℃〕程度の温水中で処理してポリ・
ビニール・アルコール膜を溶解除去する方法が用
いられていた。然しこのような湯洗い等の湿式の
除去方法に於ては、水に溶けて、マスク基板に形
成されているマスク・パターンとガラス基板間に
形成されている角部等に浸入したポリ・ビニー
ル・アルコールを完全に除去するためには、何段
も洗浄を行わねばならず、工程が煩雑になり且つ
作業工数が多くかかるという問題があつた。
本発明は上記問題点に鑑み、基板との密着性に
優れ且つ可塑性を持たない保護樹脂膜を溶解除去
等の湿式の除去法を用いず、機械的に剥離除去す
ることを可能にする保護樹脂膜の形成方法及び該
保護樹脂膜の剥離方法を提供する。
優れ且つ可塑性を持たない保護樹脂膜を溶解除去
等の湿式の除去法を用いず、機械的に剥離除去す
ることを可能にする保護樹脂膜の形成方法及び該
保護樹脂膜の剥離方法を提供する。
即ち本発明の基板処理方法はフオト・マスク或
るいは半導体等の基板を保管するに際して、該基
板の所望の領域にフオト・レジスト膜を被着して
後、該基板を覆う保護樹脂膜を形成し、該保護樹
脂膜を有する基板を使用するに際して、該基板上
のフオト・レジスト膜に保護樹脂膜を通して紫外
線を照射し、該フオト・レジスト膜の光反応によ
り生ずるガスにより基板と保護樹脂膜間に空隙部
を形成せしめ、該空隙部から保護樹脂膜の剥離を
行うことを特徴とする。
るいは半導体等の基板を保管するに際して、該基
板の所望の領域にフオト・レジスト膜を被着して
後、該基板を覆う保護樹脂膜を形成し、該保護樹
脂膜を有する基板を使用するに際して、該基板上
のフオト・レジスト膜に保護樹脂膜を通して紫外
線を照射し、該フオト・レジスト膜の光反応によ
り生ずるガスにより基板と保護樹脂膜間に空隙部
を形成せしめ、該空隙部から保護樹脂膜の剥離を
行うことを特徴とする。
以下本発明をフオト・マスクに適用する際の一
実施例について詳細に説明する。
実施例について詳細に説明する。
本発明の基板処理方法に於ては、マスク・パタ
ーンの形成が完了したフオト・マスク基板を保管
する場合の保護樹脂膜を形成するに際して、先ず
マスク基板に於ける露光がなされない領域、例え
ば四隅の10〔mm〕角程度の領域の片面又は両面
に、はけ塗り又は浸漬塗布により10〜数10〔μ
ｍ〕程度の厚さの紫外線露光用フオト・レジスト
膜（ポジ型、ネガ型何れでも良い）を被着する。
次いで該フオト・レジスト膜を乾燥窒素中等に於
て１〜２〔時間〕程度乾燥した後、該マスク基板
を例えばポリビニール・アルコール10〔wt％〕
水溶液：エチル・アルコール＝７：３の組成を有
するポリビニール・アルコール溶液中に浸漬し引
き上げることにより、前記マスク基板上に該マス
ク基板の全面を覆うポリビニール・アルコール層
を形成する。そして該マスク基板を乾燥窒素等の
乾燥雰囲気中にたてかけて20〜30〔分〕程度放置
することにより、マスク基板上に該基板全面を覆
う平均の厚さ50〜100〔μｍ〕程度の可塑性を時
たないポリビニール・アルコール皮膜からなる保
護樹脂膜が形成される。なお以上の操作は総て紫
外線の遮断された室内（通常のフオト・プロセス
に於ける暗室内）で行われる。そして該マスク基
板は上記ポリビニール・アルコール皮膜を保護樹
脂膜として保管容器中に格納される。
ーンの形成が完了したフオト・マスク基板を保管
する場合の保護樹脂膜を形成するに際して、先ず
マスク基板に於ける露光がなされない領域、例え
ば四隅の10〔mm〕角程度の領域の片面又は両面
に、はけ塗り又は浸漬塗布により10〜数10〔μ
ｍ〕程度の厚さの紫外線露光用フオト・レジスト
膜（ポジ型、ネガ型何れでも良い）を被着する。
次いで該フオト・レジスト膜を乾燥窒素中等に於
て１〜２〔時間〕程度乾燥した後、該マスク基板
を例えばポリビニール・アルコール10〔wt％〕
水溶液：エチル・アルコール＝７：３の組成を有
するポリビニール・アルコール溶液中に浸漬し引
き上げることにより、前記マスク基板上に該マス
ク基板の全面を覆うポリビニール・アルコール層
を形成する。そして該マスク基板を乾燥窒素等の
乾燥雰囲気中にたてかけて20〜30〔分〕程度放置
することにより、マスク基板上に該基板全面を覆
う平均の厚さ50〜100〔μｍ〕程度の可塑性を時
たないポリビニール・アルコール皮膜からなる保
護樹脂膜が形成される。なお以上の操作は総て紫
外線の遮断された室内（通常のフオト・プロセス
に於ける暗室内）で行われる。そして該マスク基
板は上記ポリビニール・アルコール皮膜を保護樹
脂膜として保管容器中に格納される。
又該フオト・マスク基板を使用する際には、該
マスク基板を通常の紫外線露光に用いる水銀ラン
プ或るいはキセノン・ランプ等から照射されてい
る紫外光中に数秒間さらして、マスク基板上に形
成されているフオト・レジスト膜にポリビニー
ル・アルコール皮膜を通して被光せしめる。該被
光によりフオト・レジストは光反応を起し窒素ガ
スを発生する。そして該窒素ガスはポリビニー
ル・アルコール膜を押し上げ、フオト・レジスト
膜被着領域近傍のマスク基板とポリビニール・ア
ルコール皮膜を剥離せしめる。従つて該領域を起
点として機械的に剥離を行へば、マスク基板全面
のポリビニール・アルコール皮膜を容易に除去す
ることができる。そして該剥離除去を行つたマス
ク基板上にはポリビニール・アルコール皮膜の破
片が残留することがないので、ポリビニール・ア
ルコール皮膜剥離除去後マスク基板の洗浄を行う
必要はない。
マスク基板を通常の紫外線露光に用いる水銀ラン
プ或るいはキセノン・ランプ等から照射されてい
る紫外光中に数秒間さらして、マスク基板上に形
成されているフオト・レジスト膜にポリビニー
ル・アルコール皮膜を通して被光せしめる。該被
光によりフオト・レジストは光反応を起し窒素ガ
スを発生する。そして該窒素ガスはポリビニー
ル・アルコール膜を押し上げ、フオト・レジスト
膜被着領域近傍のマスク基板とポリビニール・ア
ルコール皮膜を剥離せしめる。従つて該領域を起
点として機械的に剥離を行へば、マスク基板全面
のポリビニール・アルコール皮膜を容易に除去す
ることができる。そして該剥離除去を行つたマス
ク基板上にはポリビニール・アルコール皮膜の破
片が残留することがないので、ポリビニール・ア
ルコール皮膜剥離除去後マスク基板の洗浄を行う
必要はない。
上記実施例に於ては保護樹脂膜としてポリビニ
ール・アルコール膜を使用する場合について説明
したが、本発明の方法は上記以外の可塑性を持た
ない保護樹脂膜にも適用できる。又本発明はフオ
ト・マスク基板に限らず半導体基板にも有効であ
る。
ール・アルコール膜を使用する場合について説明
したが、本発明の方法は上記以外の可塑性を持た
ない保護樹脂膜にも適用できる。又本発明はフオ
ト・マスク基板に限らず半導体基板にも有効であ
る。
以上説明したように本発明によれば、保護樹脂
膜を溶解等の湿式の除去法を用いずに、機械的に
容易に、且つ完全に剥離除去することができるの
で、フオト・マスク或るいは半導体装置の製造工
程の簡略化が図れる。
膜を溶解等の湿式の除去法を用いずに、機械的に
容易に、且つ完全に剥離除去することができるの
で、フオト・マスク或るいは半導体装置の製造工
程の簡略化が図れる。
Claims (1)
- １ フオト・マスク或るいは半導体等の基板を保
管するに際して、該基板の所望の領域にフオト・
レジスト膜を被着して後、該基板を覆う保護樹脂
膜を形成し、該保護樹脂膜を有する基板を使用す
るに際して、該基板上のフオト・レジスト膜に保
護樹脂膜を通して紫外線を照射し、該フオト・レ
ジスト膜の光反応により生ずるガスにより、基板
と保護樹脂膜間に空隙部を形成せしめ、該空隙部
から保護樹脂膜の剥離を行うことを特徴とする基
板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16171380A JPS5785230A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Substrate treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16171380A JPS5785230A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Substrate treatment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5785230A JPS5785230A (en) | 1982-05-27 |
| JPS6137775B2 true JPS6137775B2 (ja) | 1986-08-26 |
Family
ID=15740456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16171380A Granted JPS5785230A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Substrate treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5785230A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06100825B2 (ja) * | 1985-08-29 | 1994-12-12 | 富士通株式会社 | パタ−ン形成方法 |
| JP7602924B2 (ja) * | 2021-02-02 | 2024-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
-
1980
- 1980-11-17 JP JP16171380A patent/JPS5785230A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5785230A (en) | 1982-05-27 |
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