JPS6139514A - ＧａＡｌＡｓ半導体装置の製造方法 - Google Patents
ＧａＡｌＡｓ半導体装置の製造方法Info
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- JPS6139514A JPS6139514A JP59160030A JP16003084A JPS6139514A JP S6139514 A JPS6139514 A JP S6139514A JP 59160030 A JP59160030 A JP 59160030A JP 16003084 A JP16003084 A JP 16003084A JP S6139514 A JPS6139514 A JP S6139514A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液相エピタキシャル成長法によってＧ ａ Ａ
鳳Ａ ｓ発光ダイオードに用いるエピタキシャルウェ
ハーを製造する方法に関する。
鳳Ａ ｓ発光ダイオードに用いるエピタキシャルウェ
ハーを製造する方法に関する。
従来の技術
一般にＧａＡｌＡｓ発光ダイオード装置に製造する場合
には、第３図に示すよ５にＧ ａ Ａ ｓを基板１とし
て多層スライドＬＰＥ成長装置等を用いてＰメルト、次
いでｎメルトを接触させ、エピタキシャル成長法によっ
てＰ−ｎｆ＆合ｇＪｋ得ている。通常、アクセプター不
純物としてはＺｎを使用して２層２を、ドナー不純物と
してはＴｅ１に使用し″′Ｃｎ層３を順次点騙矢印４の
方向＆ＣｒＩｙｔ長させる。発１元の中心となる、０ｙ
はＰ層２ｆｎ層３は窓効果を目的・としたもの〕である
。この際、出来上ったエビタ争りヤル成、多層の混晶比
とし【はＰ層がＸ＝０．．３５．１層が３Ｃ＝０．６５
のＡｌｉ添加しＺ （Ｊ ａ １．１− ＸＡ ｇ Ｎ
Ａ−３にそれぞれＺ ｎ又はＴｅ１に所定磯度麻加し
た結晶か得られるようにメルトに調整して用い１発光又
は窓効果を高めている。
には、第３図に示すよ５にＧ ａ Ａ ｓを基板１とし
て多層スライドＬＰＥ成長装置等を用いてＰメルト、次
いでｎメルトを接触させ、エピタキシャル成長法によっ
てＰ−ｎｆ＆合ｇＪｋ得ている。通常、アクセプター不
純物としてはＺｎを使用して２層２を、ドナー不純物と
してはＴｅ１に使用し″′Ｃｎ層３を順次点騙矢印４の
方向＆ＣｒＩｙｔ長させる。発１元の中心となる、０ｙ
はＰ層２ｆｎ層３は窓効果を目的・としたもの〕である
。この際、出来上ったエビタ争りヤル成、多層の混晶比
とし【はＰ層がＸ＝０．．３５．１層が３Ｃ＝０．６５
のＡｌｉ添加しＺ （Ｊ ａ １．１− ＸＡ ｇ Ｎ
Ａ−３にそれぞれＺ ｎ又はＴｅ１に所定磯度麻加し
た結晶か得られるようにメルトに調整して用い１発光又
は窓効果を高めている。
特に、Ｐ層は発光中心でそのＺｎ濃度制岬は直装であ、
る。メルト中のＺｎは蒸発し易く、結晶のＺｎ一度はメ
ルトのＺｎ添加量の他に成長装置。
る。メルト中のＺｎは蒸発し易く、結晶のＺｎ一度はメ
ルトのＺｎ添加量の他に成長装置。
成長過程等にも依存するが、−例を示せばメルトのＺｎ
：０．＋５ｍｏ１％に朽シ結晶のｚｎ濃度は２ Ｘ ｌ
’、 ｏ １８ −３ＣＩｎ 程度となる。
：０．＋５ｍｏ１％に朽シ結晶のｚｎ濃度は２ Ｘ ｌ
’、 ｏ １８ −３ＣＩｎ 程度となる。
また、アクセプター不純物としてＧａを便用することも
あるが、アクセプター濃度を高めるため、多層のＬｊｅ
＆）’メルトに添加すると、格子欠陥が増大するとい
５ｆｆｉ人７Ｌ欠点があり１通常Ｚｎが使用されている
。
あるが、アクセプター濃度を高めるため、多層のＬｊｅ
＆）’メルトに添加すると、格子欠陥が増大するとい
５ｆｆｉ人７Ｌ欠点があり１通常Ｚｎが使用されている
。
上記ＰＨ４，１層のドーパントの拡散および偏析係数の
温度変比￥：無祝し、Ｐ、１層の組成変化がｌよいもの
と仮定丁れば、第４図に示すように成長方向４へのアク
セプター一度ＮＡ、およびドナーｇ度Ｎ、の分布は一定
とｌよる筈である。
温度変比￥：無祝し、Ｐ、１層の組成変化がｌよいもの
と仮定丁れば、第４図に示すように成長方向４へのアク
セプター一度ＮＡ、およびドナーｇ度Ｎ、の分布は一定
とｌよる筈である。
しかし、ＺｎはＧｅのように格子欠陥が増大する工’５
１に欠点はないが、拡散係数が大きくその拡Ｆ！！ＬＪ
Ｐ組成の温度変化などがあるためＮＡ、ＮＤは成長方向
にｇｋ度勾配を生じ、ＺｎがＰ−ｎ接合部Ｊｉ越えて１
層に拡散した分布？とる。
１に欠点はないが、拡散係数が大きくその拡Ｆ！！ＬＪ
Ｐ組成の温度変化などがあるためＮＡ、ＮＤは成長方向
にｇｋ度勾配を生じ、ＺｎがＰ−ｎ接合部Ｊｉ越えて１
層に拡散した分布？とる。
Ｎｈ、Ｎ０ｃ））ｔ″比ヲにＰ−ｎ接合部ＪＫ着目する
と第５図に模式的に示すようにＺｎ濃度ＮＮＡ拡散によ
り接合部Ｊを越えて０層３まで拡散し実線で示すよ５は
分布となり、またｎ Ｊｔ！ＩのＴｅ鐘ｆｇＬＮＤは、
成長方向４に浴って破線で示す分−（＋ｉ ’ａｔとる
。この２つの濃夏分布Ｎム、ＮＤが重する部分は、補償
幼果でその差が天ぎい方がキャリアとなって観察され、
一点鎖線で示す見掛けのキャリア一度分布５となる。
と第５図に模式的に示すようにＺｎ濃度ＮＮＡ拡散によ
り接合部Ｊを越えて０層３まで拡散し実線で示すよ５は
分布となり、またｎ Ｊｔ！ＩのＴｅ鐘ｆｇＬＮＤは、
成長方向４に浴って破線で示す分−（＋ｉ ’ａｔとる
。この２つの濃夏分布Ｎム、ＮＤが重する部分は、補償
幼果でその差が天ぎい方がキャリアとなって観察され、
一点鎖線で示す見掛けのキャリア一度分布５となる。
このため、直接遷移領域と間接遷移領域との組成境界Ｊ
′と実際の電気的接合部Ｊ′とはずれを生じ。
′と実際の電気的接合部Ｊ′とはずれを生じ。
−゛ 電気的接合部Ｊ′
が間接遷移の領域に存在下ることＫなり、極めて発光効
率の恋いものとなる。
率の恋いものとなる。
本発明が解決しようとする問題点は、＠尤幼率のよいＧ
ａＡｌ Ａｓ発光ダイオード装置を製造するため、電気
的接合部が間接遷移の領域に食込むのを防止することが
出来るようにする点にある。
ａＡｌ Ａｓ発光ダイオード装置を製造するため、電気
的接合部が間接遷移の領域に食込むのを防止することが
出来るようにする点にある。
問題を解決する手段は、Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に液
相エピタキシャル成長法によってアクセプター不純物と
してＺｏｏｍ加し之（ｊａＡＩＡｓメルｌ接触させて第
１１’層を成長させ、ｒＫいで第ＬＰ層上にＺｎを上記
Ｚｎ添加祉よりも少なく添加したＧ ａ Ａ Ｊ Ａ
ｓメルト・を接触させてｇ２Ｐ／ｉｔを成長させ、さら
にその上にドナー不純物としてＴｅを添加したＧ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓメルトを接触させて１層を成長させる方
云である。
相エピタキシャル成長法によってアクセプター不純物と
してＺｏｏｍ加し之（ｊａＡＩＡｓメルｌ接触させて第
１１’層を成長させ、ｒＫいで第ＬＰ層上にＺｎを上記
Ｚｎ添加祉よりも少なく添加したＧ ａ Ａ Ｊ Ａ
ｓメルト・を接触させてｇ２Ｐ／ｉｔを成長させ、さら
にその上にドナー不純物としてＴｅを添加したＧ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓメルトを接触させて１層を成長させる方
云である。
このため、第１図に示すように％第ｔｐ層【ｌ。
ｇ２ＰＪｌｊ１２お工び０層３のエピタキシャル成長に
当っては、それぞれ従来と同じ量のＡＩを添加シｙ３
Ｇ ａ −Ｇ ａ Ａ ｓ −Ａ １メルトを用い、基
板上に第ＬＰ＋！’ａｂＸ長させメルトには、Ｚｎを添
加して成長させ１次いで、この第Ｌ）’／＊の上に、前
記第ｔｔ’層成長時のメルトより少ない址のＺｎｙ添加
したメルトによって、厚さ：Ｌ〜２μｍの第２Ｐｌｆｉ
ｌを成長させ、さらに４２Ｐ）ＩＩの上に従来と同じ１
層を成長させる。
当っては、それぞれ従来と同じ量のＡＩを添加シｙ３
Ｇ ａ −Ｇ ａ Ａ ｓ −Ａ １メルトを用い、基
板上に第ＬＰ＋！’ａｂＸ長させメルトには、Ｚｎを添
加して成長させ１次いで、この第Ｌ）’／＊の上に、前
記第ｔｔ’層成長時のメルトより少ない址のＺｎｙ添加
したメルトによって、厚さ：Ｌ〜２μｍの第２Ｐｌｆｉ
ｌを成長させ、さらに４２Ｐ）ＩＩの上に従来と同じ１
層を成長させる。
この際、第ｔ）’＋ｎｔｔのＺｎがｍ２ＰＩ曽Ｌ２へも
拡散してくるので、＠２Ｐ層Ｌ２の成長相のメルトには
Ｚｎｖ少址しか含まないかあるいは全（合まなくてもＰ
ＩｄＬ３が得られる。ｖｃｌｉｔとしては。
拡散してくるので、＠２Ｐ層Ｌ２の成長相のメルトには
Ｚｎｖ少址しか含まないかあるいは全（合まなくてもＰ
ＩｄＬ３が得られる。ｖｃｌｉｔとしては。
・公知の多層成長用スライドボート等が使用される。
上記操作によって第ＬＰ層を成長させると、成長Ｍ後は
、 −゛ 子吟忙第１Ｐ層ｊＬのアクセプタ
ー濃度ＮＡは高いレベルにあるが、第２Ｐ層１２および
１層の成長過程で拡散し、次第に舎鹸→→−セ→低下し
てくる。第２Ｐ層１２のアクセプター濃度は、第２Ｐ層
【２とｎＡ１３との界面でドナーａ度と同じレベルニｒ
！レバよ（。
、 −゛ 子吟忙第１Ｐ層ｊＬのアクセプタ
ー濃度ＮＡは高いレベルにあるが、第２Ｐ層１２および
１層の成長過程で拡散し、次第に舎鹸→→−セ→低下し
てくる。第２Ｐ層１２のアクセプター濃度は、第２Ｐ層
【２とｎＡ１３との界面でドナーａ度と同じレベルニｒ
！レバよ（。
第１Ｐ層１１からのＺｎの拡散があるので、第２Ｐ層メ
ルト中のＺｎｎ変度極く少なくてよ（、全（Ｚｎ４含ま
ないメルトを使用してもよい。キャリア濃度につぎＮＡ
、ＮＪ）の好ヱし−・レベル化あ１ Ｂ −３ げれば、ＮＡ ： Ｌ〜３ＸＬＯｃｍ 、ＮＤ：５
〜ＬＯＸＩＯｃｍ 程度である。
ルト中のＺｎｎ変度極く少なくてよ（、全（Ｚｎ４含ま
ないメルトを使用してもよい。キャリア濃度につぎＮＡ
、ＮＪ）の好ヱし−・レベル化あ１ Ｂ −３ げれば、ＮＡ ： Ｌ〜３ＸＬＯｃｍ 、ＮＤ：５
〜ＬＯＸＩＯｃｍ 程度である。
上記のように成長を行なえば、ｎ＃３の“ｒｅも第２Ｐ
層【３に拡散するがＺｎの拡故に比較して小さいため、
組成界面ＪＫ、おいて調整でき、第２ＰｊｔｊｌＬ２、
つまりＩＰ１１Ｐ￥１！【３と０層３との組成界面Ｊに
おいて、補償効果？考ｖｄ丁れば、キリア濃度は組成界
面ＪにおいてＮＡ：ＮＤとなり、 ｉｍｌ気的接合部Ｊ
′と組成界面Ｊは一致し効率のよい発光が行なわれる。
層【３に拡散するがＺｎの拡故に比較して小さいため、
組成界面ＪＫ、おいて調整でき、第２ＰｊｔｊｌＬ２、
つまりＩＰ１１Ｐ￥１！【３と０層３との組成界面Ｊに
おいて、補償効果？考ｖｄ丁れば、キリア濃度は組成界
面ＪにおいてＮＡ：ＮＤとなり、 ｉｍｌ気的接合部Ｊ
′と組成界面Ｊは一致し効率のよい発光が行なわれる。
実施例
〔実施例【〕
Ｐ型ＧａＡｓ基板上に、第１表に示すメルトを用いて第
ＩＰ７ｄ、第２Ｐ層およびｎ１舗を順次成長させた。
ＩＰ７ｄ、第２Ｐ層およびｎ１舗を順次成長させた。
第 １ 表
操作条件は、多層スライドボートａ相エビタキ７ヤル成
長ｆＣｍを用い、８２０°Ｃで６０分保愕した後、Ｐ型
層 ａ Ａ Ｓ基板に第【Ｐ層成長用メルト＆１１ｇ１
ｉＬ、 ０ 、３ °Ｃ／ ｍ ｉ ｎの速度で降温
し、第ＬＰＪ！’ｖ成長させ、７９６６ＣＶＣ１Ｋ ’
）Ｔ： トＣロで、上記第１Ｐ層の上に第２Ｐ層成畏用
メルトを載置して７９５°Ｃに降温して第２Ｐ層を成長
させ、７９５°Ｃにおいて上ｒｉｄ第２Ｐ虐上にｎ層成
兼用メルトｖ装置しｎ層を成長させた。エピタキシャル
°成長層の厚さは第Ｌｌ’層が２５μｍ、第２Ｐ層が１
μｍ、ｎ層が２８μｍであった。また。
長ｆＣｍを用い、８２０°Ｃで６０分保愕した後、Ｐ型
層 ａ Ａ Ｓ基板に第【Ｐ層成長用メルト＆１１ｇ１
ｉＬ、 ０ 、３ °Ｃ／ ｍ ｉ ｎの速度で降温
し、第ＬＰＪ！’ｖ成長させ、７９６６ＣＶＣ１Ｋ ’
）Ｔ： トＣロで、上記第１Ｐ層の上に第２Ｐ層成畏用
メルトを載置して７９５°Ｃに降温して第２Ｐ層を成長
させ、７９５°Ｃにおいて上ｒｉｄ第２Ｐ虐上にｎ層成
兼用メルトｖ装置しｎ層を成長させた。エピタキシャル
°成長層の厚さは第Ｌｌ’層が２５μｍ、第２Ｐ層が１
μｍ、ｎ層が２８μｍであった。また。
キャリア纜度ｖＱＩＪ定したところ、Ｐ−ｎ接合部近傍
においてＮＡ冬２，０ＸＬＯｃｍ 。
においてＮＡ冬２，０ＸＬＯｃｍ 。
（’ＪＤ冬５，６ＸＬＯＣｔｎ でアッタ。
この半導体は、スキャンユングエレクトロンマイクロス
コープＣ８ＨＭ）におけるＥＢＩＣ像（・電気的接合部
Ｊ’ ）と組成界面が一致していることを確認しｚｏ 〔実施例２〕 第２表に示すメルトヲ用いて第ｔｔ’層、第２Ｐ層Ｓよ
びｎＷＩＹ順欠成長させ、贋の厚さ化、第１Ｐｌｆｌ
： ２４ μｍ、 ｍ２ ＰｊｖＩ： ２ μｍ、ｎ層
：２６μｍとしたほかは、実施例【と向じとした。
コープＣ８ＨＭ）におけるＥＢＩＣ像（・電気的接合部
Ｊ’ ）と組成界面が一致していることを確認しｚｏ 〔実施例２〕 第２表に示すメルトヲ用いて第ｔｔ’層、第２Ｐ層Ｓよ
びｎＷＩＹ順欠成長させ、贋の厚さ化、第１Ｐｌｆｌ
： ２４ μｍ、 ｍ２ ＰｊｖＩ： ２ μｍ、ｎ層
：２６μｍとしたほかは、実施例【と向じとした。
第 ２ 表
また、キャリア嬢度は、 Ｐ−ｎ接合部近傍にお１ｇ
−３− いてＮＡＡｌ１．６Ｘ Ｌ ｇ ｃｍ 、Ｎｉ
’？ｌフー３ ５．０ＸｌＯｃｍ であツタ。
−３− いてＮＡＡｌ１．６Ｘ Ｌ ｇ ｃｍ 、Ｎｉ
’？ｌフー３ ５．０ＸｌＯｃｍ であツタ。
この半導体も、実施例【りものと同ｔ４ＥＢＩｃ像と組
成界面が一致していることを確認した。
成界面が一致していることを確認した。
上記実施例」、実施例２０半尋体（発光ダイオード）と
、従来の方法でつくった第２Ｐ層を設げない発光ダイオ
ードと％：、穐常発光ダイオードの比較に用いられる４
度測定法によって比較したところ、不発明の方法によっ
てつくられたものが、明瞭に高い出刃を示すことが確認
された。
、従来の方法でつくった第２Ｐ層を設げない発光ダイオ
ードと％：、穐常発光ダイオードの比較に用いられる４
度測定法によって比較したところ、不発明の方法によっ
てつくられたものが、明瞭に高い出刃を示すことが確認
された。
具体的に数値で示せばピーク波長：５７Ｑ、ｎｍにおけ
る発光出力は、第２図に示すように、実施例１′Ｍよび
実ＭＩＡ例２においては、それぞれ従来広のり、５倍、
１．３７倍の発光出力を示しｚｏこ２ｔより、不発明の
方法によってつ（もれた発光ダイオードの組成界面にお
ける補償幼果を考慮しｙ５ＮＡ、Ｎ、Ｄは、Ｎ人＝ＮＤ
であることがわかる。
る発光出力は、第２図に示すように、実施例１′Ｍよび
実ＭＩＡ例２においては、それぞれ従来広のり、５倍、
１．３７倍の発光出力を示しｚｏこ２ｔより、不発明の
方法によってつ（もれた発光ダイオードの組成界面にお
ける補償幼果を考慮しｙ５ＮＡ、Ｎ、Ｄは、Ｎ人＝ＮＤ
であることがわかる。
不発明の効果
以上述べたように、不発明に係る（＃ａ Ａ Ｊ Ａ
ｓ発光ダイオードは、４ＴＬＰ屑とｎ層との間にアクセ
プター不純物供度の低い第２ＰＩ−が設けられているの
で、Ｐ型層のアクセプター不純物のｎ層に対する拡散が
抑制され、抽償幼釆？考１ばした１ｕ気的朕合部がｎＪ
ψ内に食込むことなく、篩いＳ度のＧａＡｌＡｓ半導体
装置が得られる。
ｓ発光ダイオードは、４ＴＬＰ屑とｎ層との間にアクセ
プター不純物供度の低い第２ＰＩ−が設けられているの
で、Ｐ型層のアクセプター不純物のｎ層に対する拡散が
抑制され、抽償幼釆？考１ばした１ｕ気的朕合部がｎＪ
ψ内に食込むことなく、篩いＳ度のＧａＡｌＡｓ半導体
装置が得られる。
第１図は本発明の詳細な説明図で、六←←÷゛、アクセ
プター不純 物が拡散し終りに後のキャリア旋層分布を示す図、第２
図は、ｆＥ米法と１本発明の方法によって造った半導体
の発光出力を比較した図、第３図ないし第５図は、従来
の方法によってつ（つた半４体の説明図で、第３図は半
導体の６１析而図、第４図は理想的キャリア分布の仮想
図、第５図は、電気的接合部がｎ ）ｄＩｃ Ａ−込む
状態のＢ！ｌｌ明図である。 【・・・・・・基板、３・・・・・・ｎ増、４・・・・
・・電灯方向。 １１・・・・・・第【Ｐ層、Ｉ２・・・・・・第２Ｐ盾
、【３・・・・・・Ｐ）ｄｌ、Ｎ人・・・・・・アクセ
グター不純物（Ｚ ｎ ）濃度、ＮＤ・・・・・・ドナ
ー不純物（ＴｅＪ磯度、Ｊ・・・・・・ｐ ｎ接合部
（組成界面）、Ｊ′・・・・・・電気的接合部。 ７−戊辰、＋５う頗 Ｊ′匁札的停４旬 第２図 第３図 第４図
プター不純 物が拡散し終りに後のキャリア旋層分布を示す図、第２
図は、ｆＥ米法と１本発明の方法によって造った半導体
の発光出力を比較した図、第３図ないし第５図は、従来
の方法によってつ（つた半４体の説明図で、第３図は半
導体の６１析而図、第４図は理想的キャリア分布の仮想
図、第５図は、電気的接合部がｎ ）ｄＩｃ Ａ−込む
状態のＢ！ｌｌ明図である。 【・・・・・・基板、３・・・・・・ｎ増、４・・・・
・・電灯方向。 １１・・・・・・第【Ｐ層、Ｉ２・・・・・・第２Ｐ盾
、【３・・・・・・Ｐ）ｄｌ、Ｎ人・・・・・・アクセ
グター不純物（Ｚ ｎ ）濃度、ＮＤ・・・・・・ドナ
ー不純物（ＴｅＪ磯度、Ｊ・・・・・・ｐ ｎ接合部
（組成界面）、Ｊ′・・・・・・電気的接合部。 ７−戊辰、＋５う頗 Ｊ′匁札的停４旬 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- Ｐ型ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル成長法によ
つてアクセプター不純物としてＺｎを添加したＧａＡｌ
Ａｓメルトを接触させて第１Ｐ層を成長させ、次いで第
１Ｐ層上にＺｎを上記Ｚｎ添加量よりも少なく添加した
ＧａＡｌＡｓメルトを接触させて第２Ｐ層を成長させ、
さらにその上にドナー不純物としてＴｅを添加したＧａ
ＡｌＡｓメルトを接触させてｎ層を成長させることを特
徴とするＧａＡｌＡｓ半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59160030A JPS6139514A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | ＧａＡｌＡｓ半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59160030A JPS6139514A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | ＧａＡｌＡｓ半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139514A true JPS6139514A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15706436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59160030A Pending JPS6139514A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | ＧａＡｌＡｓ半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348467A (ja) * | 1989-04-17 | 1991-03-01 | Nec Corp | 発光ダイオード |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP59160030A patent/JPS6139514A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348467A (ja) * | 1989-04-17 | 1991-03-01 | Nec Corp | 発光ダイオード |
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