JPS6140134B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6140134B2 JPS6140134B2 JP3429678A JP3429678A JPS6140134B2 JP S6140134 B2 JPS6140134 B2 JP S6140134B2 JP 3429678 A JP3429678 A JP 3429678A JP 3429678 A JP3429678 A JP 3429678A JP S6140134 B2 JPS6140134 B2 JP S6140134B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- container
- sealing
- view
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 9
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
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- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Sealing Battery Cases Or Jackets (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用容器の気密封止方法に関
する。
する。
従来、シームウエルド型半導体装置用容器には
セラミツク基板にメタライズパターンを施し外部
リードと丸型あるいは角型のシールフレームをろ
う付けして成る半導体装置用容器とがある。(以
後前者を丸型シームウエルドケース、後者を角型
シームウエルドケースと呼ぶ)。これら半導体装
置用容器の封止方法は、パラレル電極を使用した
回転式シームウエルダーを使用して半導体装置用
容器のシールフレームに丸型あるいは角型キヤツ
プを載置して半導体装置用容器を回転させながら
ローラ電源のテーパー面において電気抵抗溶接を
行うものであつた。しかし、角型シームウエルド
の封止においては、回転させて封止する為にキヤ
ツプズレを起しやすく、コーナー周辺の溶接不良
が発生しやすい欠点があつた。すなわち、従来の
角型シームウエルドケースを気密封止する方法を
説明する第1図を参照すると、第1図aおよびb
の平面図および正面図に示す如く、回転台1に半
導体装置用容器2を固定してから角型シールフレ
ーム3に角型キヤツプ4を位置合せしてのせ、ス
イツチを入れるとローラー電極5がエアーシリン
ダーの力によつて下降して角型キヤツプ4を押え
つけてから回転台1が回転しはじめ、次に電流が
通電される。次に第1図cおよびdの平面図およ
び正面図に示すように回転台1が360゜回転する
間短辺、長辺、コーナ周辺はローラー電極5が上
下運動をしながらテーパー面6を幅一杯に移動し
ながら接触し封止されるが、コーナー周辺におい
て電極のテーパー面とキヤツプの接触面積が大に
なるため接触抵抗が低くなり溶け不足となり四辺
が均一な溶け具合とならない場合及びキヤツプ中
心を過大な電流が流れるのでキヤツプヤケが発生
する欠点が生じていた。上記のように従来の封止
方法では、丸型シームウエルドケースを回転式シ
ームウエルダーで封止する場合は問題がないが、
角型シームウエルドケースを封止する場合は、製
品の製造歩留り及び信頼性が低下する欠点があつ
た。
セラミツク基板にメタライズパターンを施し外部
リードと丸型あるいは角型のシールフレームをろ
う付けして成る半導体装置用容器とがある。(以
後前者を丸型シームウエルドケース、後者を角型
シームウエルドケースと呼ぶ)。これら半導体装
置用容器の封止方法は、パラレル電極を使用した
回転式シームウエルダーを使用して半導体装置用
容器のシールフレームに丸型あるいは角型キヤツ
プを載置して半導体装置用容器を回転させながら
ローラ電源のテーパー面において電気抵抗溶接を
行うものであつた。しかし、角型シームウエルド
の封止においては、回転させて封止する為にキヤ
ツプズレを起しやすく、コーナー周辺の溶接不良
が発生しやすい欠点があつた。すなわち、従来の
角型シームウエルドケースを気密封止する方法を
説明する第1図を参照すると、第1図aおよびb
の平面図および正面図に示す如く、回転台1に半
導体装置用容器2を固定してから角型シールフレ
ーム3に角型キヤツプ4を位置合せしてのせ、ス
イツチを入れるとローラー電極5がエアーシリン
ダーの力によつて下降して角型キヤツプ4を押え
つけてから回転台1が回転しはじめ、次に電流が
通電される。次に第1図cおよびdの平面図およ
び正面図に示すように回転台1が360゜回転する
間短辺、長辺、コーナ周辺はローラー電極5が上
下運動をしながらテーパー面6を幅一杯に移動し
ながら接触し封止されるが、コーナー周辺におい
て電極のテーパー面とキヤツプの接触面積が大に
なるため接触抵抗が低くなり溶け不足となり四辺
が均一な溶け具合とならない場合及びキヤツプ中
心を過大な電流が流れるのでキヤツプヤケが発生
する欠点が生じていた。上記のように従来の封止
方法では、丸型シームウエルドケースを回転式シ
ームウエルダーで封止する場合は問題がないが、
角型シームウエルドケースを封止する場合は、製
品の製造歩留り及び信頼性が低下する欠点があつ
た。
本発明の目的は上記欠点を除去し、信頼性、製
造歩留り、能率の高い半導体装置用容器の封止方
法を提供することにある。
造歩留り、能率の高い半導体装置用容器の封止方
法を提供することにある。
本発明によれば、シールフレーム上に載置され
たキヤツプの側面に一対の円柱型ローラー電極の
外径部を接触させながら半導体用容器を回転させ
両電極間に通電し電気抵抗溶接を行うことを特徴
とする気密封止方法が得られる。
たキヤツプの側面に一対の円柱型ローラー電極の
外径部を接触させながら半導体用容器を回転させ
両電極間に通電し電気抵抗溶接を行うことを特徴
とする気密封止方法が得られる。
すなわち、本発明はシールフレームを備えた半
導体装置用容器を回転台上に載置して容器上にキ
ヤツプを載置し、一対のローラー電極をシールフ
レームとキヤツプの側面から移動接触させ容器を
回転させながら通電することにより容器とキヤツ
プとを気密封止する方法においてその封止方法は
一対の垂直に取り付けられた円筒形ローラー電極
がバネにより回転台の軸芯に向つて移動しキヤツ
プ側面に接触する為、容器を360゜回転させても
各辺、各コーナーの接触面積が一定である特徴を
有する。
導体装置用容器を回転台上に載置して容器上にキ
ヤツプを載置し、一対のローラー電極をシールフ
レームとキヤツプの側面から移動接触させ容器を
回転させながら通電することにより容器とキヤツ
プとを気密封止する方法においてその封止方法は
一対の垂直に取り付けられた円筒形ローラー電極
がバネにより回転台の軸芯に向つて移動しキヤツ
プ側面に接触する為、容器を360゜回転させても
各辺、各コーナーの接触面積が一定である特徴を
有する。
以下第2図、第3図を参照して本発明を詳述す
る。第2図は本発明の封止方法の平面図及び側面
図を示し、第3図はその一部を拡大した詳細図を
示す。第2図は封止方法の手順を示したもので、
本シームウエルダーの構造は、回転台21を中心
に一対の溶接ヘツド26が具えられ、溶接ヘツド
先端には垂直に軸芯が設けられており円筒形ロー
ラー電極29が取り付けられている。溶接ヘツド
26にはスプリング27が具備されており、しか
も支持棒25の受部は可動である。又キヤツプ2
7を固定する荷重28も具備されている。第1図
a,cにおいて前述したシームウエルダーの回転
台21に半導体用容器22を載置しキヤツプ27
を載置してからスイツチを入れるとまずキヤツプ
27を固定させる為の荷重28がキヤツプ上に下
降しキヤツプの浮き上がりを防止する。次に荷重
に連動してローラー電極29が溶接ヘツド26と
共に左右からキヤツプ側面とシールリング側面に
向つて動き出し接触し一定の加重になるとマイク
ロスイツチにより回転台21を回転させ、次に低
電圧大電流を通電するとキヤツプ側面とシールリ
ング29の側面が溶融し合つてキヤツプ27とシ
ールリング23が溶接される。第3図は前述した
溶接される状態を部分拡大断面図で説明する。半
導体用容器22のシールリング23は0.1mm程度
の金属板をプレス成形したものをAg−Cuろう付
けしたものである。このシールリング29に0.1
mm厚程度のキヤツプ27を載置して溶接するとキ
ヤツプ側面とシールリング側面は容器を360゜回
転したときどの位置においてもローラー電極と直
角に接触しているので溶けの不均一がない。次
に、キヤツプ固定用の荷重の為に必然的に発生熱
が吸収されるのでキヤツプヤケが全くない。又、
シールリングを板材で成形したものであるから封
止時の発熱による熱膨脹の歪を壁30によつて吸
収する為ろう付け部31が直接受け取る事がない
ので気密性の向上にも有利である。
る。第2図は本発明の封止方法の平面図及び側面
図を示し、第3図はその一部を拡大した詳細図を
示す。第2図は封止方法の手順を示したもので、
本シームウエルダーの構造は、回転台21を中心
に一対の溶接ヘツド26が具えられ、溶接ヘツド
先端には垂直に軸芯が設けられており円筒形ロー
ラー電極29が取り付けられている。溶接ヘツド
26にはスプリング27が具備されており、しか
も支持棒25の受部は可動である。又キヤツプ2
7を固定する荷重28も具備されている。第1図
a,cにおいて前述したシームウエルダーの回転
台21に半導体用容器22を載置しキヤツプ27
を載置してからスイツチを入れるとまずキヤツプ
27を固定させる為の荷重28がキヤツプ上に下
降しキヤツプの浮き上がりを防止する。次に荷重
に連動してローラー電極29が溶接ヘツド26と
共に左右からキヤツプ側面とシールリング側面に
向つて動き出し接触し一定の加重になるとマイク
ロスイツチにより回転台21を回転させ、次に低
電圧大電流を通電するとキヤツプ側面とシールリ
ング29の側面が溶融し合つてキヤツプ27とシ
ールリング23が溶接される。第3図は前述した
溶接される状態を部分拡大断面図で説明する。半
導体用容器22のシールリング23は0.1mm程度
の金属板をプレス成形したものをAg−Cuろう付
けしたものである。このシールリング29に0.1
mm厚程度のキヤツプ27を載置して溶接するとキ
ヤツプ側面とシールリング側面は容器を360゜回
転したときどの位置においてもローラー電極と直
角に接触しているので溶けの不均一がない。次
に、キヤツプ固定用の荷重の為に必然的に発生熱
が吸収されるのでキヤツプヤケが全くない。又、
シールリングを板材で成形したものであるから封
止時の発熱による熱膨脹の歪を壁30によつて吸
収する為ろう付け部31が直接受け取る事がない
ので気密性の向上にも有利である。
以上の様に本発明は封止時の製造歩留りと、気
密性の信頼度の向上に大きな特徴を有するもので
ある。
密性の信頼度の向上に大きな特徴を有するもので
ある。
第1図a,b,c,dは従来の角型シームウエ
ルドケースの封止方法を説明する為の平面図と正
面図を示す。第2図a,b,c,dは本発明によ
る気密封止方法を説明する為の平面図と正面図を
示す。第3図は本発明により封止する時の部分拡
大断面図である。 1,21……回転台、2,22……半導体用容
器、3,23……シールリング、4,24……キ
ヤツプ、5,29……ローラー電極、25……支
持棒、26……溶接ヘツド、27……スプリン
グ、28……荷重、30……壁。
ルドケースの封止方法を説明する為の平面図と正
面図を示す。第2図a,b,c,dは本発明によ
る気密封止方法を説明する為の平面図と正面図を
示す。第3図は本発明により封止する時の部分拡
大断面図である。 1,21……回転台、2,22……半導体用容
器、3,23……シールリング、4,24……キ
ヤツプ、5,29……ローラー電極、25……支
持棒、26……溶接ヘツド、27……スプリン
グ、28……荷重、30……壁。
Claims (1)
- 1 シールフレームを備えた半導体装置用容器を
回転台上に載置して、該容器上にキヤツプを載置
しローラー電極を前記容器のシールフレームと共
に前記容器とローラ電極とを相対的に回転させ
て、前記容器とキヤツプとを気密封止する方法に
おいて、前記ローラー電極が円柱形ローラー電極
であり、かつ回転軸がほぼ垂直であることを特徴
とする半導体装置用容器の気密封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3429678A JPS54126469A (en) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | Hermetical sealing method of vessel for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3429678A JPS54126469A (en) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | Hermetical sealing method of vessel for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54126469A JPS54126469A (en) | 1979-10-01 |
| JPS6140134B2 true JPS6140134B2 (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=12410186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3429678A Granted JPS54126469A (en) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | Hermetical sealing method of vessel for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54126469A (ja) |
-
1978
- 1978-03-24 JP JP3429678A patent/JPS54126469A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54126469A (en) | 1979-10-01 |
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