JPS6310545A - 半導体装置の気密封止方法 - Google Patents
半導体装置の気密封止方法Info
- Publication number
- JPS6310545A JPS6310545A JP15551286A JP15551286A JPS6310545A JP S6310545 A JPS6310545 A JP S6310545A JP 15551286 A JP15551286 A JP 15551286A JP 15551286 A JP15551286 A JP 15551286A JP S6310545 A JPS6310545 A JP S6310545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- semiconductor device
- seal ring
- sealing
- electric current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の気密封止方法に関し、特にシーム
ウェルド法で封止を行う半導体装置の気密封止方法の改
良に関する。
ウェルド法で封止を行う半導体装置の気密封止方法の改
良に関する。
（従来の技術〕
従来、この種のシームウェルド法は、シールリングを備
えた半導体装置を回転台上に固定して、シールリング上
にキャップを載置し、対向する一対のローラー電極を下
降させ、キャップに接触させながら通電し、回転台を回
転してシールリングとキャップとをシームウェルドにて
気密封止する方法であった。
えた半導体装置を回転台上に固定して、シールリング上
にキャップを載置し、対向する一対のローラー電極を下
降させ、キャップに接触させながら通電し、回転台を回
転してシールリングとキャップとをシームウェルドにて
気密封止する方法であった。
上述した従来のシームウェルドによる封止方法は、一対
のローラー電極間に通電する方法である為、キャップ及
びシールリング自体の抵抗による発熱と溶接部（シール
リングとキャップの接触部）のジュール熱による発熱と
を生ずる。このときのシールリングが小さい場合には問
題にならなかったが、しかし、シールリングが大型の場
合、キャップも大型となり、シールリングとキャップの
抵抗の増加によって電極間の発熱が大きくなり、キャッ
プヤケ、キャップ変形、溶接不良などが発生し、製品の
製造歩留り及び信頼性が低下するという欠点があった。
のローラー電極間に通電する方法である為、キャップ及
びシールリング自体の抵抗による発熱と溶接部（シール
リングとキャップの接触部）のジュール熱による発熱と
を生ずる。このときのシールリングが小さい場合には問
題にならなかったが、しかし、シールリングが大型の場
合、キャップも大型となり、シールリングとキャップの
抵抗の増加によって電極間の発熱が大きくなり、キャッ
プヤケ、キャップ変形、溶接不良などが発生し、製品の
製造歩留り及び信頼性が低下するという欠点があった。
本発明の目的は、シールリングとキャップが大型になり
、シールリングとキャップの電気抵抗の増加によって電
極間の発熱が大きくなる場合でも、キャップ中央部の温
度上昇をおさえることができ、キヤ・ノプヤゲ、キャッ
プ変形、溶接不良、さらにはセラミック製半導体装置の
破壊等の発生がなくなり、製品の製造歩留り及び信頼性
を大幅に向上できる半導体装置の気密封止方法を提供す
ることにある。
、シールリングとキャップの電気抵抗の増加によって電
極間の発熱が大きくなる場合でも、キャップ中央部の温
度上昇をおさえることができ、キヤ・ノプヤゲ、キャッ
プ変形、溶接不良、さらにはセラミック製半導体装置の
破壊等の発生がなくなり、製品の製造歩留り及び信頼性
を大幅に向上できる半導体装置の気密封止方法を提供す
ることにある。
１゛開題点を解決するための手段゛］
本発明の半導体装置の気密封止方法は、シームウェルド
法によりセラミ・１クパツケージに半導体素子を気菖封
止する半導体装置力気審封止方法において、気密封止中
にキャップ部上面に乾燥窒素を吹きつけつつ気密封止を
行うことを特徴として構成される。
法によりセラミ・１クパツケージに半導体素子を気菖封
止する半導体装置力気審封止方法において、気密封止中
にキャップ部上面に乾燥窒素を吹きつけつつ気密封止を
行うことを特徴として構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は本発明の一実施例を説明するためのシームウ
ェルド概略図である。
。第１図は本発明の一実施例を説明するためのシームウ
ェルド概略図である。
第１図に示すように、シールリング３を有するセラミッ
ク製半導体装置２を回転台１に固定してからシールリン
グ３にキャップ４を位置合せしてのせ、スイッチを入れ
るとローラー電極５は下降し１、キヤ・・ｌブ４を押え
つけてから回転台が回転しはじめ、ローラー電極間に通
電が開始される。この電極間に通電が開始されると同時
に、キャップ１１の１方に位置するノズル６より乾燥窒
素７が一定流量でキャップ上面へ直接吹きつけられ、こ
の状態で封着が進む。従来のシームウェルドによも封止
方法では第１図のノズル６が設置されていなかった。
ク製半導体装置２を回転台１に固定してからシールリン
グ３にキャップ４を位置合せしてのせ、スイッチを入れ
るとローラー電極５は下降し１、キヤ・・ｌブ４を押え
つけてから回転台が回転しはじめ、ローラー電極間に通
電が開始される。この電極間に通電が開始されると同時
に、キャップ１１の１方に位置するノズル６より乾燥窒
素７が一定流量でキャップ上面へ直接吹きつけられ、こ
の状態で封着が進む。従来のシームウェルドによも封止
方法では第１図のノズル６が設置されていなかった。
Ｉ：発明の効果〕
以」二説明したように本発明はシームウェルドによる封
止方法において、一対のローラー電極間に通電している
間、キャップ上面に直接乾燥窒素を吹きつけながら半導
体装置を回転させて封止を行う方法である。このような
封止方法を行うことによりシールリングとキャップが大
型になり、シールリングとキャップの電気抵抗の増加に
よって電極間の発熱が大きくなる場合でも、キャップ中
央部へ乾燥窒素を直接吹きつけるため、キャップ中央部
の温度上昇をおさえることが可能であり、キャップヤケ
、キャップ変形、溶接不良、さらにはセラミック製半導
体装置の破壊等の発生が無くなり、製品の製造歩留り及
び信頼性が大幅に向上するという効果が得られる。
止方法において、一対のローラー電極間に通電している
間、キャップ上面に直接乾燥窒素を吹きつけながら半導
体装置を回転させて封止を行う方法である。このような
封止方法を行うことによりシールリングとキャップが大
型になり、シールリングとキャップの電気抵抗の増加に
よって電極間の発熱が大きくなる場合でも、キャップ中
央部へ乾燥窒素を直接吹きつけるため、キャップ中央部
の温度上昇をおさえることが可能であり、キャップヤケ
、キャップ変形、溶接不良、さらにはセラミック製半導
体装置の破壊等の発生が無くなり、製品の製造歩留り及
び信頼性が大幅に向上するという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのシームウェ
ルドの概略図である。
ルドの概略図である。
Claims (1)
- シームウェルド法によりセラミックパッケージに半導体
素子を気密封止する半導体装置の気密封止方法において
、気密封止中にキャップ部上面に乾燥窒素を直接吹きつ
けることを特徴とする半導体装置の気密封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15551286A JPS6310545A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 半導体装置の気密封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15551286A JPS6310545A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 半導体装置の気密封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310545A true JPS6310545A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15607671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15551286A Pending JPS6310545A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 半導体装置の気密封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6310545A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS558086A (en) * | 1978-07-03 | 1980-01-21 | Nec Corp | Method of airtight sealing of semiconductor device vessel |
| JPS59147425A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体結晶膜の形成方法 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP15551286A patent/JPS6310545A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS558086A (en) * | 1978-07-03 | 1980-01-21 | Nec Corp | Method of airtight sealing of semiconductor device vessel |
| JPS59147425A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体結晶膜の形成方法 |
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