JPS6140573A - 半導体装置の試験法 - Google Patents

半導体装置の試験法

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JPS6140573A
JPS6140573A JP16306584A JP16306584A JPS6140573A JP S6140573 A JPS6140573 A JP S6140573A JP 16306584 A JP16306584 A JP 16306584A JP 16306584 A JP16306584 A JP 16306584A JP S6140573 A JPS6140573 A JP S6140573A
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JP
Japan
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temperature
semiconductor
test
steam pressure
fixed time
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JP16306584A
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Inventor
Sadanobu Sato
佐藤 定信
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の蒸気加圧試験における信頼度を
容易かつ短時間で確認することができる試験法に関する
ものである。
〔従来の技術〕
半導体装置は低価格化のためモールド化が進められてい
る。それに伴い半導体装置、特に樹脂封止半導体装置の
信頼度を確認するための試験として耐湿性試験が重要と
なっている。耐湿性試験の中でも特に、温度、蒸気圧を
パラメータとした蒸気加圧試験が広く用いられている。
蒸気加圧試験は、一般に知られている通シ、半導体装置
に規定の温度によシ一定の蒸気圧を長時間加えることに
よシ、その蒸気圧による半導体装置例えば樹脂封止半導
体装置では特に半導体装置に搭載されているチップの電
極の腐蝕、外部リードの腐蝕等の耐性を確認している。
また、蒸気加圧試験による半導体装置の劣化の確認のた
めの測定の際に常温常湿に半導体装置をもどさなければ
ならず、その回数も多くなシ、作業工程が多く必要であ
る。
一方、樹脂封止半導体装置では、蒸気加圧試験において
一定時間間隔で常温、常湿にさらした場合には半導体装
置の蒸気加圧試験における寿命はその時間間隔と正の相
関がある。したがって従来の蒸気加圧試験法では、半導
体装置の耐湿性を確認するKは不十分であった。
〔発明が解決しようとする手段〕
本発明の目的は、以上に述べた従来の蒸気加圧試験法の
持つ欠点を改善し、確実かつ容易に耐湿性を試験しうる
試験法を提供することにある。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明によれば、蒸気加圧試験において、一定時間間隔
で周期的に所定の時間、槽内の温度、蒸気圧を下げるこ
とによシ、半導体装置にストレスを断続的に加えて加速
試験を行う半導体装置の試験法を得る。
〔実施例〕
次に、本発明を図面に基づきよシ詳細に説明する。
第1図は蒸気加圧試験状態の略図である。
第1図に示す通り蒸気加圧試験では、密封容器4に供試
半導体装置lと水3、供試半導体装置1が水3にふれさ
せないだめの網2を入れ恒温槽5で槽内の温度を上げる
ことで密封容器4内の蒸気圧を上げている。
第2図fa)は従来の蒸気加圧試験における温度の継時
変化を示したものであシ、供試半導体装置1に一定の蒸
気加圧が加わる。しかし前述の通り半導体装置1の劣化
を確認する目的で、不規則に何回か、常温、常湿にもど
している。このため従来の蒸気加圧試験法では、半導体
装置の耐湿性を確認するには不十分であった。
第2図tb)、 (C)、 (d)は本発明の各実施例
の蒸気加圧試験における温度の経時変化である。
第2図tb1. tc)、 tdlで分かる様に一定時
間間隔で一定時間恒温槽5の温度を下げることによシ密
封容器4内の蒸気圧を強制的に一定時間間隔で下げてい
る。こうすることによシ供試半導体装置1にストレスを
断続的に加えることができ、加速試験となる。
〔発明の効果〕
以上述べた様に、本発明によれば、半導体装置の蒸気加
圧試験における信頼度を容易にかつ短時間で確認するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第4図は、蒸気加圧試験状態の断面略図である。 第2図ta)は従来の蒸気加圧試験における温度の経時
変化を示すグラフ、第2図[b)、 (C)および(d
)は、本発明の蒸気加圧試験における温度の経時変化の
各実施例を示すグラフである。 ■・・・・・・供試半導体装置、2・・・・・・網、3
・・・・・・水、4・・・・・・密封容器、5・・・・
・・恒温槽N 逢 ζ 1に−9−′S更− ,1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高温、高蒸気圧の槽内に半導体装置をおいて、該半導体
    装置を試験する試験方法において一定時間間隔で周期的
    に槽内の温度、蒸気圧を下げることを特徴とする半導体
    装置の試験法。
JP16306584A 1984-08-02 1984-08-02 半導体装置の試験法 Pending JPS6140573A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5892967A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の信頼性評価試験方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5892967A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の信頼性評価試験方法

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