JPS6140573A - 半導体装置の試験法 - Google Patents
半導体装置の試験法Info
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- JPS6140573A JPS6140573A JP16306584A JP16306584A JPS6140573A JP S6140573 A JPS6140573 A JP S6140573A JP 16306584 A JP16306584 A JP 16306584A JP 16306584 A JP16306584 A JP 16306584A JP S6140573 A JPS6140573 A JP S6140573A
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- Japan
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- temperature
- semiconductor
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title abstract description 32
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の蒸気加圧試験における信頼度を
容易かつ短時間で確認することができる試験法に関する
ものである。
容易かつ短時間で確認することができる試験法に関する
ものである。
半導体装置は低価格化のためモールド化が進められてい
る。それに伴い半導体装置、特に樹脂封止半導体装置の
信頼度を確認するための試験として耐湿性試験が重要と
なっている。耐湿性試験の中でも特に、温度、蒸気圧を
パラメータとした蒸気加圧試験が広く用いられている。
る。それに伴い半導体装置、特に樹脂封止半導体装置の
信頼度を確認するための試験として耐湿性試験が重要と
なっている。耐湿性試験の中でも特に、温度、蒸気圧を
パラメータとした蒸気加圧試験が広く用いられている。
蒸気加圧試験は、一般に知られている通シ、半導体装置
に規定の温度によシ一定の蒸気圧を長時間加えることに
よシ、その蒸気圧による半導体装置例えば樹脂封止半導
体装置では特に半導体装置に搭載されているチップの電
極の腐蝕、外部リードの腐蝕等の耐性を確認している。
に規定の温度によシ一定の蒸気圧を長時間加えることに
よシ、その蒸気圧による半導体装置例えば樹脂封止半導
体装置では特に半導体装置に搭載されているチップの電
極の腐蝕、外部リードの腐蝕等の耐性を確認している。
また、蒸気加圧試験による半導体装置の劣化の確認のた
めの測定の際に常温常湿に半導体装置をもどさなければ
ならず、その回数も多くなシ、作業工程が多く必要であ
る。
めの測定の際に常温常湿に半導体装置をもどさなければ
ならず、その回数も多くなシ、作業工程が多く必要であ
る。
一方、樹脂封止半導体装置では、蒸気加圧試験において
一定時間間隔で常温、常湿にさらした場合には半導体装
置の蒸気加圧試験における寿命はその時間間隔と正の相
関がある。したがって従来の蒸気加圧試験法では、半導
体装置の耐湿性を確認するKは不十分であった。
一定時間間隔で常温、常湿にさらした場合には半導体装
置の蒸気加圧試験における寿命はその時間間隔と正の相
関がある。したがって従来の蒸気加圧試験法では、半導
体装置の耐湿性を確認するKは不十分であった。
本発明の目的は、以上に述べた従来の蒸気加圧試験法の
持つ欠点を改善し、確実かつ容易に耐湿性を試験しうる
試験法を提供することにある。
持つ欠点を改善し、確実かつ容易に耐湿性を試験しうる
試験法を提供することにある。
本発明によれば、蒸気加圧試験において、一定時間間隔
で周期的に所定の時間、槽内の温度、蒸気圧を下げるこ
とによシ、半導体装置にストレスを断続的に加えて加速
試験を行う半導体装置の試験法を得る。
で周期的に所定の時間、槽内の温度、蒸気圧を下げるこ
とによシ、半導体装置にストレスを断続的に加えて加速
試験を行う半導体装置の試験法を得る。
次に、本発明を図面に基づきよシ詳細に説明する。
第1図は蒸気加圧試験状態の略図である。
第1図に示す通り蒸気加圧試験では、密封容器4に供試
半導体装置lと水3、供試半導体装置1が水3にふれさ
せないだめの網2を入れ恒温槽5で槽内の温度を上げる
ことで密封容器4内の蒸気圧を上げている。
半導体装置lと水3、供試半導体装置1が水3にふれさ
せないだめの網2を入れ恒温槽5で槽内の温度を上げる
ことで密封容器4内の蒸気圧を上げている。
第2図fa)は従来の蒸気加圧試験における温度の継時
変化を示したものであシ、供試半導体装置1に一定の蒸
気加圧が加わる。しかし前述の通り半導体装置1の劣化
を確認する目的で、不規則に何回か、常温、常湿にもど
している。このため従来の蒸気加圧試験法では、半導体
装置の耐湿性を確認するには不十分であった。
変化を示したものであシ、供試半導体装置1に一定の蒸
気加圧が加わる。しかし前述の通り半導体装置1の劣化
を確認する目的で、不規則に何回か、常温、常湿にもど
している。このため従来の蒸気加圧試験法では、半導体
装置の耐湿性を確認するには不十分であった。
第2図tb)、 (C)、 (d)は本発明の各実施例
の蒸気加圧試験における温度の経時変化である。
の蒸気加圧試験における温度の経時変化である。
第2図tb1. tc)、 tdlで分かる様に一定時
間間隔で一定時間恒温槽5の温度を下げることによシ密
封容器4内の蒸気圧を強制的に一定時間間隔で下げてい
る。こうすることによシ供試半導体装置1にストレスを
断続的に加えることができ、加速試験となる。
間間隔で一定時間恒温槽5の温度を下げることによシ密
封容器4内の蒸気圧を強制的に一定時間間隔で下げてい
る。こうすることによシ供試半導体装置1にストレスを
断続的に加えることができ、加速試験となる。
以上述べた様に、本発明によれば、半導体装置の蒸気加
圧試験における信頼度を容易にかつ短時間で確認するこ
とができる。
圧試験における信頼度を容易にかつ短時間で確認するこ
とができる。
第4図は、蒸気加圧試験状態の断面略図である。
第2図ta)は従来の蒸気加圧試験における温度の経時
変化を示すグラフ、第2図[b)、 (C)および(d
)は、本発明の蒸気加圧試験における温度の経時変化の
各実施例を示すグラフである。 ■・・・・・・供試半導体装置、2・・・・・・網、3
・・・・・・水、4・・・・・・密封容器、5・・・・
・・恒温槽N 逢 ζ 1に−9−′S更− ,1
変化を示すグラフ、第2図[b)、 (C)および(d
)は、本発明の蒸気加圧試験における温度の経時変化の
各実施例を示すグラフである。 ■・・・・・・供試半導体装置、2・・・・・・網、3
・・・・・・水、4・・・・・・密封容器、5・・・・
・・恒温槽N 逢 ζ 1に−9−′S更− ,1
Claims (1)
- 高温、高蒸気圧の槽内に半導体装置をおいて、該半導体
装置を試験する試験方法において一定時間間隔で周期的
に槽内の温度、蒸気圧を下げることを特徴とする半導体
装置の試験法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16306584A JPS6140573A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 半導体装置の試験法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16306584A JPS6140573A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 半導体装置の試験法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6140573A true JPS6140573A (ja) | 1986-02-26 |
Family
ID=15766510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16306584A Pending JPS6140573A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 半導体装置の試験法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6140573A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892967A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の信頼性評価試験方法 |
-
1984
- 1984-08-02 JP JP16306584A patent/JPS6140573A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892967A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の信頼性評価試験方法 |
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