JPS614139A - X線発生装置 - Google Patents
X線発生装置Info
- Publication number
- JPS614139A JPS614139A JP59123863A JP12386384A JPS614139A JP S614139 A JPS614139 A JP S614139A JP 59123863 A JP59123863 A JP 59123863A JP 12386384 A JP12386384 A JP 12386384A JP S614139 A JPS614139 A JP S614139A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- characteristic
- target
- electron beam
- filament
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/24—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof
- H01J35/26—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof by rotation of the anode or anticathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はX線発生装置、特に対陰極に関するものである
。
。
従来、X線発生装置においては、1種類の金属または合
金に電子ビームを照射して当該金属または合金から発生
するX線を利用していた。その発生するX線は、連続し
た波長分布を示す連続X線と上記金属または合金に特有
な線スペクトルを示す特性X線とから成っている。した
がって、特性X線を利用する場合、1つのX線発生装置
では1種類の特性X線しか利用できなかった。X線リソ
グラフィーでは、レジスト、マスクの基盤材、吸収体の
組合わせによってその露光システムに有効な特性X線が
限定される。すなわち、1つの露光装置では1種類の特
性X線しか利用できないので、レジストやマスクの変更
が伴なうような場合には、従来のような1種類の特性X
線しか利用できないX線発生装置では特性X線の変更が
できず、利用面において甚だ不都合であった。
金に電子ビームを照射して当該金属または合金から発生
するX線を利用していた。その発生するX線は、連続し
た波長分布を示す連続X線と上記金属または合金に特有
な線スペクトルを示す特性X線とから成っている。した
がって、特性X線を利用する場合、1つのX線発生装置
では1種類の特性X線しか利用できなかった。X線リソ
グラフィーでは、レジスト、マスクの基盤材、吸収体の
組合わせによってその露光システムに有効な特性X線が
限定される。すなわち、1つの露光装置では1種類の特
性X線しか利用できないので、レジストやマスクの変更
が伴なうような場合には、従来のような1種類の特性X
線しか利用できないX線発生装置では特性X線の変更が
できず、利用面において甚だ不都合であった。
本発明の目的は、上述の欠点を除去すると同時に、1つ
の装置で任意に複数の特性X線を取り出して利用するこ
とが可能なX線発生装置を提供することにある。
の装置で任意に複数の特性X線を取り出して利用するこ
とが可能なX線発生装置を提供することにある。
本発明は、上述の目的を達成するために、対陰極(ター
ゲット)に、各々に特有な特性X線を発生する金属部を
複数個設け、このうちの任意の金属部に電子ビームを照
射できるように構成されている。
ゲット)に、各々に特有な特性X線を発生する金属部を
複数個設け、このうちの任意の金属部に電子ビームを照
射できるように構成されている。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例を示し、それ
ぞれ正面図、側面図である。図において、1は電子ビー
ム2を発生させるための固定されたフィラメント、3は
電子ビーム2が照射される円筒状のクーゲラ)、4A、
4E、40は金属部材でそれぞれAt材、 Si材、
pd材であり、ターゲット3の周面に強固に固着嵌合さ
れている。また、5はターゲット3の支持部材、6はX
線である。
ぞれ正面図、側面図である。図において、1は電子ビー
ム2を発生させるための固定されたフィラメント、3は
電子ビーム2が照射される円筒状のクーゲラ)、4A、
4E、40は金属部材でそれぞれAt材、 Si材、
pd材であり、ターゲット3の周面に強固に固着嵌合さ
れている。また、5はターゲット3の支持部材、6はX
線である。
フィラメント1とターゲット3の間には、不図示の電源
により直流高電圧が印加されていて、フィラメント1よ
り発生した電子ビーム2はターゲット3上のAt材4k
に衝突し、X線6を発生する。そのX線6には、At材
4Aに特有の特性X線が含まれている。また、ターゲッ
ト3は支持部材4 5、よっ、ヶえオゎ、お9、ヵ
、っ、8いい。1装置により任意に回転移動させること
ができる。
により直流高電圧が印加されていて、フィラメント1よ
り発生した電子ビーム2はターゲット3上のAt材4k
に衝突し、X線6を発生する。そのX線6には、At材
4Aに特有の特性X線が含まれている。また、ターゲッ
ト3は支持部材4 5、よっ、ヶえオゎ、お9、ヵ
、っ、8いい。1装置により任意に回転移動させること
ができる。
第1図(a)、(b)では、電子ビーム2をAt材4A
に衝突させた例を示しているが、ターゲット3を回転移
動させることにより、S1材4B、Pd材4Cにも衝突
させ、各々特有の特性X線を発生させることが可能であ
る。
に衝突させた例を示しているが、ターゲット3を回転移
動させることにより、S1材4B、Pd材4Cにも衝突
させ、各々特有の特性X線を発生させることが可能であ
る。
したがって、ターゲットを回転移動させることにより任
意の特性X線を発生させ、それを利用できるようになっ
た。
意の特性X線を発生させ、それを利用できるようになっ
た。
次に、他の実施例を第2図にしたがって説明する。
本実施例の特徴は、ターゲットは固定されたままで、電
子ビームを発生させるフィラメントを複数個(図では2
個)設けたことにある。すなわち、ターゲット3にはA
t材4A、Si材4Bが固着されていて、各々に衝突す
る電子ビーム8A、8Eが、異なるフィラメント7A、
7Eによって発生するものである。したがって、At材
4Aの特性Xi 9Aを利用したい場合は、フイラメン
)7Aのみを点火すればよい。もちろん、両フィラメン
)7A。
子ビームを発生させるフィラメントを複数個(図では2
個)設けたことにある。すなわち、ターゲット3にはA
t材4A、Si材4Bが固着されていて、各々に衝突す
る電子ビーム8A、8Eが、異なるフィラメント7A、
7Eによって発生するものである。したがって、At材
4Aの特性Xi 9Aを利用したい場合は、フイラメン
)7Aのみを点火すればよい。もちろん、両フィラメン
)7A。
7B共点火し、At材4A、S1材4Bによる2種類の
特性XJ19A、9Bを利用してもよい。
特性XJ19A、9Bを利用してもよい。
更に、他の実施例を第3図にしたがって説明する。
本実施例の特徴は、ターゲットおよびフィラメントは固
定されたままで、フィラメントに与える電界強度を変化
させたことにある。すなわち、ターゲット3には前述の
実施例と同様にAt材4A。
定されたままで、フィラメントに与える電界強度を変化
させたことにある。すなわち、ターゲット3には前述の
実施例と同様にAt材4A。
Si材4B 、 pa材4Cが固着されていて、フィラ
メント1の引き出し電極10の電位を制御することによ
り、電子ビームを偏向させ、11A、 、1’lB。
メント1の引き出し電極10の電位を制御することによ
り、電子ビームを偏向させ、11A、 、1’lB。
110 のような電子ビームを任意に取り出せるように
しである。したがって、例えばAt材4Aの特性X線1
2A を利用したい場合には、引き出し電極10の電位
を強めて電子ビームIIAを発生させればよい。
しである。したがって、例えばAt材4Aの特性X線1
2A を利用したい場合には、引き出し電極10の電位
を強めて電子ビームIIAを発生させればよい。
本発明は以上説明したように、1つのXm発生装置で任
意に複数の特性Xiを利用することができる。更に、同
一の金属上でも電子ビームの衝突位置を変更することが
できるので、金属面上のあれや線量低下を防止し装置の
寿命を伸ばすことができる。
意に複数の特性Xiを利用することができる。更に、同
一の金属上でも電子ビームの衝突位置を変更することが
できるので、金属面上のあれや線量低下を防止し装置の
寿命を伸ばすことができる。
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例で、それぞれ
正面図、側面図を示し、第2図および第3図は本発明の
他の実施例を示す。 1・・・フィラメント、 2・・・電子ビーム。 3 ・・・ ターゲット、 4A・・・ At
(アルミニウム)材。 4B・・・ Si (シリコン)材、 4C・・・ P
a (パラジウム)材。 6 ・・・ X線。 7A、7B ・・・ フィラメント。 8A、8B ・・・ 電子ビーム。 9A、9B ・・・ 特性Xm。 11A、IIB、 1i00・ 電子ビーム。 12A、 1.2B、 12C・・・ 特性X線。
正面図、側面図を示し、第2図および第3図は本発明の
他の実施例を示す。 1・・・フィラメント、 2・・・電子ビーム。 3 ・・・ ターゲット、 4A・・・ At
(アルミニウム)材。 4B・・・ Si (シリコン)材、 4C・・・ P
a (パラジウム)材。 6 ・・・ X線。 7A、7B ・・・ フィラメント。 8A、8B ・・・ 電子ビーム。 9A、9B ・・・ 特性Xm。 11A、IIB、 1i00・ 電子ビーム。 12A、 1.2B、 12C・・・ 特性X線。
Claims (1)
- 対陰極に複数の金属部が備えられていて該複数の金属部
のうちの任意の金属部に電子ビームが照射できるように
構成されたことを特徴とするX線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123863A JPS614139A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | X線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123863A JPS614139A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | X線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614139A true JPS614139A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14871245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123863A Pending JPS614139A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | X線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614139A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124497U (ja) * | 1990-02-23 | 1991-12-17 | ||
| JPH0589809A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-04-09 | Rigaku Corp | 回転対陰極x線発生装置 |
| WO2010074031A1 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | オムロン株式会社 | X線検査方法およびx線検査装置 |
| JP2010147017A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | X線管 |
| EP2819145A1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd | X-ray generator and X-ray imaging apparatus including the same |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP59123863A patent/JPS614139A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124497U (ja) * | 1990-02-23 | 1991-12-17 | ||
| JPH0589809A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-04-09 | Rigaku Corp | 回転対陰極x線発生装置 |
| JP2010147017A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | X線管 |
| WO2010074031A1 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | オムロン株式会社 | X線検査方法およびx線検査装置 |
| EP2819145A1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd | X-ray generator and X-ray imaging apparatus including the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5102776A (en) | Method and apparatus for microlithography using x-pinch x-ray source | |
| US4767930A (en) | Method and apparatus for enlarging a charged particle beam | |
| JP2576711Y2 (ja) | X線管を備えるx線装置 | |
| US6141400A (en) | X-ray source which emits fluorescent X-rays | |
| US6232040B1 (en) | Method of electron beam exposure utilizing emitter with conductive mesh grid | |
| DE69121533D1 (de) | Elektronenstrahlerzeuger für Kathodenstrahlröhre | |
| JP2000245731A (ja) | X線撮影装置 | |
| JP2008500686A (ja) | Xuv線を発生させかつ放射するための装置 | |
| JPH0760654B2 (ja) | イオンビ−ム発生方法および装置 | |
| JPH0412497A (ja) | X線発生装置 | |
| WO1999052587A3 (en) | Methods and systems for the mass production of radioactive materials | |
| JP3361114B2 (ja) | X線発生装置 | |
| JPH0373093B2 (ja) | ||
| JPH11118998A (ja) | 電子加速器による照射利用x線発生装置 | |
| JPH0322905Y2 (ja) | ||
| JPH0322331A (ja) | X線管球 | |
| JPH0125403Y2 (ja) | ||
| EP0104371A2 (en) | Variable resolution X-ray lithography systems | |
| JP2022541912A (ja) | デュアルエネルギーx線イメージングシステム用のx線出力のバランス調整 | |
| JPH0335647U (ja) | ||
| Warlaumont | X-ray lithography and storage rings | |
| JP2954141B2 (ja) | イオン注入装置のイオンビームの中和方法 | |
| Snyder et al. | On the Mechanism for Carrier Excitation in CdS | |
| CN121393985A (zh) | 材料改性方法和材料改性设备 | |
| JP2001076657A (ja) | 回転陽極x線管 |