JPS6143802B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6143802B2 JPS6143802B2 JP17128379A JP17128379A JPS6143802B2 JP S6143802 B2 JPS6143802 B2 JP S6143802B2 JP 17128379 A JP17128379 A JP 17128379A JP 17128379 A JP17128379 A JP 17128379A JP S6143802 B2 JPS6143802 B2 JP S6143802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- flickering
- discharge tube
- tube
- lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水銀と共に希ガスを封入した低圧放電
管を備えた放電灯装置に関するものである。
管を備えた放電灯装置に関するものである。
一般に低圧放電管内に水銀と共に封入する希ガ
スはその原子量が大きくなるほどラツプ効率が向
上しかつ始動電圧が低くなるという利点があり、
最近ではクリプトンKrを主体としたネオンNe、
アルゴンArなどの混合ガスを封入したり、キセ
ノンXeを混合したりすることが行なわれてい
る。しかしその反面、希ガス特有の移動縞放電に
よるチラツキが、原子量が大きいほど比較的高い
周囲温度で発生するという問題があり、本発明は
上記の点を鑑みてなされたものである。
スはその原子量が大きくなるほどラツプ効率が向
上しかつ始動電圧が低くなるという利点があり、
最近ではクリプトンKrを主体としたネオンNe、
アルゴンArなどの混合ガスを封入したり、キセ
ノンXeを混合したりすることが行なわれてい
る。しかしその反面、希ガス特有の移動縞放電に
よるチラツキが、原子量が大きいほど比較的高い
周囲温度で発生するという問題があり、本発明は
上記の点を鑑みてなされたものである。
チラツキの原因としてはこのほかに、陰極の近
傍に形成される暗部が電源の２倍の周波数で明滅
することによつて発生するエンドフリツカがある
が、これはフリツカレス回路などで容易に解決で
きるものであり、本発明は上記のような陽光柱の
全域にわたつて発生するチラツキを防止すること
を目的とするものである。
傍に形成される暗部が電源の２倍の周波数で明滅
することによつて発生するエンドフリツカがある
が、これはフリツカレス回路などで容易に解決で
きるものであり、本発明は上記のような陽光柱の
全域にわたつて発生するチラツキを防止すること
を目的とするものである。
第１図は陽光柱に移動縞放電によるチラツキの
発生する周囲温度と封入希ガスの種類との関係を
示すもので、例えばアルゴンガスでは０〜５℃の
低温で発生するチラツキがクリプトンガスでは常
温付近で発生する。その理由は次のように考えら
れる。すなわち放電管内の水銀蒸気圧は温度とと
もに指数関数的に変化し、一方希ガスの電離電圧
は原子量が大きくなるほど低くなる。周囲温度が
低くなると、水銀蒸気圧が低下して管内のイオン
は水銀イオンから希ガスイオンに移行し、希ガス
放電による移動縞が現われるのであるが、アルゴ
ン（電離電圧15.7V）よりも原子量の大きいクリ
プトン（電離電圧13.9V）との電離電圧の差が小
さいので管内に水銀蒸気が多少残つている比較的
高い周囲温度で希ガスイオンの移行が行なわれて
いるのである。
発生する周囲温度と封入希ガスの種類との関係を
示すもので、例えばアルゴンガスでは０〜５℃の
低温で発生するチラツキがクリプトンガスでは常
温付近で発生する。その理由は次のように考えら
れる。すなわち放電管内の水銀蒸気圧は温度とと
もに指数関数的に変化し、一方希ガスの電離電圧
は原子量が大きくなるほど低くなる。周囲温度が
低くなると、水銀蒸気圧が低下して管内のイオン
は水銀イオンから希ガスイオンに移行し、希ガス
放電による移動縞が現われるのであるが、アルゴ
ン（電離電圧15.7V）よりも原子量の大きいクリ
プトン（電離電圧13.9V）との電離電圧の差が小
さいので管内に水銀蒸気が多少残つている比較的
高い周囲温度で希ガスイオンの移行が行なわれて
いるのである。
封入ガスが種々の希ガスの混合ガスである場合
には、チラツキの発生は最も重い希ガスの影響を
受け、この重希ガスの混入量が多いほど高い周囲
温度で発生することが確かめられている。
には、チラツキの発生は最も重い希ガスの影響を
受け、この重希ガスの混入量が多いほど高い周囲
温度で発生することが確かめられている。
上述のような陽光柱のチラツキ現象を抑止する
ために発明者らは、放電管の電界方向と交又する
磁界を陽光柱のほぼ全域にわたつて印加する方法
が有効であることを見出だした。例えば第２図に
示すように、クリプトン75％、アルゴン25％の混
合ガスを1.5Torrで封入した管径26mm、管長1200
mmの直管型けい光放電管１の周上の１箇所に長手
方向の略全域にわたつて永久磁石２または電磁石
を配置して、同図ｃに示すように放電管１内部の
電界方向と直交する磁界Ｈを陽光柱の略全域に印
加し、点灯後チラツキが停止するまでに要する時
間と周囲温度との関係を、磁石に最も近い放電管
外壁での磁界の強さを300〜1200G（ガウス）に
変化させて測定すると、第３図に示すようにな
る。図において、例えば300Gの印加磁界の場
合、周囲温度が５℃以下では時間が経過してもチ
ラツキが消えないことを示している。
ために発明者らは、放電管の電界方向と交又する
磁界を陽光柱のほぼ全域にわたつて印加する方法
が有効であることを見出だした。例えば第２図に
示すように、クリプトン75％、アルゴン25％の混
合ガスを1.5Torrで封入した管径26mm、管長1200
mmの直管型けい光放電管１の周上の１箇所に長手
方向の略全域にわたつて永久磁石２または電磁石
を配置して、同図ｃに示すように放電管１内部の
電界方向と直交する磁界Ｈを陽光柱の略全域に印
加し、点灯後チラツキが停止するまでに要する時
間と周囲温度との関係を、磁石に最も近い放電管
外壁での磁界の強さを300〜1200G（ガウス）に
変化させて測定すると、第３図に示すようにな
る。図において、例えば300Gの印加磁界の場
合、周囲温度が５℃以下では時間が経過してもチ
ラツキが消えないことを示している。
第３図から明らかなように、磁界のない従来の
ランプでは、周囲温度が10℃付近に低下するとチ
ラツキが全く停止せず、常温（15℃）においても
チラツキが停止するまでに５分〜10分を要してい
たが、本発明によれば例えば800Gの磁界を加え
た場合、周囲温度10℃でも点灯直後にチラツキが
完全に停止し、周囲温度５℃付近でも約３分〜４
分でチラツキが完全に停止するので、充分実用化
でき、また極寒地方でも1200Gの磁石を用いれば
０℃においても点灯直後にチラツキが消えるので
充分有効である。
ランプでは、周囲温度が10℃付近に低下するとチ
ラツキが全く停止せず、常温（15℃）においても
チラツキが停止するまでに５分〜10分を要してい
たが、本発明によれば例えば800Gの磁界を加え
た場合、周囲温度10℃でも点灯直後にチラツキが
完全に停止し、周囲温度５℃付近でも約３分〜４
分でチラツキが完全に停止するので、充分実用化
でき、また極寒地方でも1200Gの磁石を用いれば
０℃においても点灯直後にチラツキが消えるので
充分有効である。
また本発明によれば下表に示すように、効率を
大巾に向上させることができる。すなわち、
500Gの磁界を印加した場合を従来の無磁界の場
合と比較すると、ランプ電流が約７％低下するの
で安定器損失を約15％低下させることができ、ま
たランプ光束が約10％上昇してランプ効率および
総合効率が大巾に向上する。これは管内の放電路
が磁界により管壁方向に拡張され、管壁でのイオ
ン再結合が促進されて陽光柱の電位傾度が上昇す
るために、ランプ発光束、ランプ効率が上昇する
ものと考えられる。
大巾に向上させることができる。すなわち、
500Gの磁界を印加した場合を従来の無磁界の場
合と比較すると、ランプ電流が約７％低下するの
で安定器損失を約15％低下させることができ、ま
たランプ光束が約10％上昇してランプ効率および
総合効率が大巾に向上する。これは管内の放電路
が磁界により管壁方向に拡張され、管壁でのイオ
ン再結合が促進されて陽光柱の電位傾度が上昇す
るために、ランプ発光束、ランプ効率が上昇する
ものと考えられる。
従来（0G） 本発明（500G）
ランプ電流 100％ 92.6％
ランプ電圧 100％ 112.6％
ランプ電力 100％ 105.1％
ランプ光束 100％ 109.5％
さらに上記実施例（500G）と従来例（0G）の
ランプ光束に立上り特性の比較を第４図に示す。
同図より明らかなように、従来の磁界のない場合
では光束が定常状態に達するのに約10分を要した
のに対し、本発明によれば３〜４分で光束が100
％に達し、立上り特性がきわめて優れていること
がわかる。
ランプ光束に立上り特性の比較を第４図に示す。
同図より明らかなように、従来の磁界のない場合
では光束が定常状態に達するのに約10分を要した
のに対し、本発明によれば３〜４分で光束が100
％に達し、立上り特性がきわめて優れていること
がわかる。
第２図は磁界発生手段として永久磁石２を使用
し、器具本体３に取付金具４によつて取付られた
反射板５に帯状の永久磁石２を貼着して、器具本
体３の両端部下面に突設したソケツト６間に装着
されるけい光放電管１の管壁に永久磁石２が対向
するようにしたものであるが、例えば器具本体３
内に直流電源によつて同方向に磁化される電磁石
を適宜間隔をおいて適数個配置してもよい。第５
図は丸型けい光灯器具の器具本体３に環状の永久
磁石２を固着した例を示し、さた第６図は直管型
２灯用けい光灯器具の器具本体３に１個の永久磁
石２を取付けて、２本の放電管１への磁界印加を
兼ねさせたものである。
し、器具本体３に取付金具４によつて取付られた
反射板５に帯状の永久磁石２を貼着して、器具本
体３の両端部下面に突設したソケツト６間に装着
されるけい光放電管１の管壁に永久磁石２が対向
するようにしたものであるが、例えば器具本体３
内に直流電源によつて同方向に磁化される電磁石
を適宜間隔をおいて適数個配置してもよい。第５
図は丸型けい光灯器具の器具本体３に環状の永久
磁石２を固着した例を示し、さた第６図は直管型
２灯用けい光灯器具の器具本体３に１個の永久磁
石２を取付けて、２本の放電管１への磁界印加を
兼ねさせたものである。
本発明は上記のように構成されたもので、希ガ
ス放電に特有の移動縞によるチラツキを防止しか
つランプ効率を向上できる上に、原子量の大きい
クリプトン、キセノンなどの希ガスを用いても従
来のように低温時のチラツキおよび安定器損失が
増大せず、むしろ安定器を含む総合効率が向上す
るという利点があり、また静磁界を印加するもの
であるから、たとえ磁界の強さにむらがあつたり
あるいは電磁石などを断続的に配置して局部的に
磁界の弱い箇所ができても、チラツキを防止し得
るという利点がある。
ス放電に特有の移動縞によるチラツキを防止しか
つランプ効率を向上できる上に、原子量の大きい
クリプトン、キセノンなどの希ガスを用いても従
来のように低温時のチラツキおよび安定器損失が
増大せず、むしろ安定器を含む総合効率が向上す
るという利点があり、また静磁界を印加するもの
であるから、たとえ磁界の強さにむらがあつたり
あるいは電磁石などを断続的に配置して局部的に
磁界の弱い箇所ができても、チラツキを防止し得
るという利点がある。
第１図は本発明の原理説明図、第２図ａは本発
明の一実施例の斜視図、ｂは同上の要部破断斜視
図、ｃは同上の要部断面図、第３図および第４図
は同上の動作説明図、第５図および第６図は本発
明の種々の実施例を示す斜視図である。 １は放電管、２は永久磁石、３は器具本体、４
は取付金具、５は反射板、６はソケツト。
明の一実施例の斜視図、ｂは同上の要部破断斜視
図、ｃは同上の要部断面図、第３図および第４図
は同上の動作説明図、第５図および第６図は本発
明の種々の実施例を示す斜視図である。 １は放電管、２は永久磁石、３は器具本体、４
は取付金具、５は反射板、６はソケツト。
Claims (1)
- １ 水銀と共に希ガスを封入した低圧放電管を装
着する器具に、この放電管の管壁に沿うように配
設した磁界発生手段により、放電管内部の電界と
交叉する静磁界を陽光柱のほぼ全域にわたつて形
成せしめて成る低圧放電灯装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17128379A JPS5697906A (en) | 1979-12-29 | 1979-12-29 | Low voltage discharge lamp |
| US06/215,664 US4417172A (en) | 1979-12-29 | 1980-12-12 | Low pressure discharge lamp |
| DE3048524A DE3048524C2 (de) | 1979-12-29 | 1980-12-22 | Niederdruckentladungslampengerät |
| GB8041308A GB2070325B (en) | 1979-12-29 | 1980-12-23 | Low pressure discharge lamp apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17128379A JPS5697906A (en) | 1979-12-29 | 1979-12-29 | Low voltage discharge lamp |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5697906A JPS5697906A (en) | 1981-08-07 |
| JPS6143802B2 true JPS6143802B2 (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=15920445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17128379A Granted JPS5697906A (en) | 1979-12-29 | 1979-12-29 | Low voltage discharge lamp |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5697906A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853196A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | 松下電工株式会社 | けい光灯点灯装置 |
| JPH0431683Y2 (ja) * | 1985-05-27 | 1992-07-30 |
-
1979
- 1979-12-29 JP JP17128379A patent/JPS5697906A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5697906A (en) | 1981-08-07 |
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