JPS6145460A - 磁気デイスク記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、電子カメラ等に用いられる磁気ディスク記録
再生装置に関し、特に磁気ディスクと磁気ディスク記録
再生装置本体における磁気ディスク駆動部との接触部位
の改良に関する。

〔従来技術〕

近年、小型磁気ディスクに撮像系でとらえた画像信号を
記録再生するようにしたいわゆる電子カメラ装置が実用
化されている。上記電子カメラ装置は従来の銀塩フィル
ムを使用するカメラに比べ、消去による書換えが可能で
ある点や、現像等の過程を必要としないで手軽に家庭の
テレビジョンで再生画像が楽しめる等の長所を有してい
る。

このような電子カメラ装置等に用いられる磁気ディスク
記録再生装置においては、上記磁気ディスクを収納した
ディスクジャケットを磁気ディスク記録再生装置本体に
装填し、磁気ヘッドにて信号の記録再生を行なうものと
なっている。

第４図は上記ディスクジャケット１のＷ、観平面図であ
り、第５図は上記ディスクジャケット１を磁気ディスク
記録再生装置本体に装填した状態を示す概観側面図であ
る。第４図、第５図に示すように、ディスクジャケット
１内には磁気ディスク２が収納されている。磁気ディス
ク２の中心部にはスピンドルモータ３のシャフト４に対
し備心しないように係合する係合孔５を有する位置決め
部材６が設けである。また符号７は磁気ディスク２がデ
ィスク面垂直方向に安定するように、磁気ディスク２の
中心部位に設けられた鉄等の吸着ヨークを吸着する磁石
である。なお符号８はジャケット１の側壁に設けた磁気
ヘッド挿入窓、９は上記窓８を非使用時において閉塞す
るシャッタ、１０は記録済みトラックカウンタ、１１は
上記磁石７により引き寄せられた磁気ディスク２を支持
するための支持部材である。

ところで、上述したように磁気ディスク２は、位置決め
部材６により位置決めされシャフト４に対し、偏心せず
に安定に位置決めされるものとなっているが、上記磁石
７の磁気吸着力が強すぎると、シャフト４に対するディ
スク平面方向の騨制−がｌになり偏心を起こすおそれが
ある。

第６図は第５図におけるＦ部拡大図である。上述したよ
うに磁石７の磁気吸着力が強いと、磁気ディスク２の位
置決め部材６と支持部材１１の頂部１１ａとの摩擦力が
大きくなる。そうするとディスク平面方向の規制が困難
となり、磁気ディスク２に偏心が生じることになる。偏
心を生じた状態で回転駆動を行なうと、トラッキングな
どに問題が発生するおそれがある。したがって、通常は
磁気吸着力の比較的弱い磁石７を用いるようにしている
が、これだけではまだ不十分であった。

また同様にステッピングモータ３のシャフト４と接触す
る磁気ディスク３の係合孔５においても、摩耗による問
題が発生している。

第７図は第４図におけるシャフト４近傍の拡大図である
。上記シャフト４と磁気ディスク２とが接触する部位は
Ｈにて示す３点である。このＨ部にはチャッキング時に
おける押圧力等に、より摩耗が生じる。その結果、磁気
ディスク２に偏心が生じ、ひいては磁気ディスク２の寿
命を短くするという問題があった。

〔目的〕

本発明の目的は、磁気ディスクと磁気ディスク駆動部と
の接触部位のπ粍度を著しく小さくすることができ、磁
気ディスクの正確な位置決めが行なえる上、磁気ディス
クの偏心を防ぐことができ、さらには磁気ディスクの長
寿命化をはかることのできる磁気ディスク記録再生装置
を提供することに゛ある。

〔概要〕

本発明は上記目的を達成するために次の如く欄成したこ
とを特徴としている。すなわち、磁気ディスクと磁気デ
ィスク記録再生装置本体における磁気ディスク駆動部と
の接触部位が、金属元素からなる第１のコーティング層
と、前記金属元素を促成成分とするセラミックスからな
る第２のコーティング層とを、上記金属元素の含有率が
連続的に変化している境界層を介して積層された被覆層
にて覆われていることを特徴としている。

なお本発明の実施態様としては次の如く購成す。

ることが望ましい。

（ａ）第１のコーティング層の金属元素は、周期律表の
■族、ＩＶａ族、Ｖａ族およびＶＩ　ａ族の元素の少な
くとも一つを主要な成分として含むこと。

（ｂ）上記第１のコーティング層の金属元素は、チタン
であること。

（Ｃ）第２のコーティング層のセラミックスは、前記第
１のコーティング層の金腐元素の窒化物。

炭化物、酸化物の少なくとも一つを主要な成分として含
むこと。

１）上記第２のコーティング層のセラミックスは、チタ
ンの窒化物、炭化物、酸化物の少なくとも一つを主要な
成分として含むこと。

（ｅ）前記第１のコーティング層の金属元素がチタンで
あり、第２のコーティング層のセラミックスが窒化チタ
ンであること。　゛ （ｆ）境界層における金属元素の含有率は、単調増加ま
たは直線的減少もしくは少なくとも３段階にわたって段
階的に減少するものとなること。

（Ｑ）第１のコーティング層はイオンブレーティングに
より形成され、第２のコーティング層は反応性イオンブ
レーティングにより形成されること。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例について説明する。本実施例で
は、第６図に示す支持部材１１の頂部１１ａに本発明を
適用する。

第１図および第２図は支持部材１１における磁気ディス
ク対向面の拡大断面図である。第１図においては上記支
持部材１１の表面に第１のコーティング層２１としてチ
タン層（Ｔｉ）が０．４μｍの膜厚で形成され、その上
に境界層２２が０゜１μｍの膜厚で形成され、さらにそ
の上に第２のコーティング層２３として窒化チタン１ｍ
（ＴｉＮ）が０．５μｍの膜厚で形成されている。また
第２図においては、上記支持部材１１の表面に境界層３
２が０．１μｍの膜厚で形成され、その上に第２のコー
ティング層３３として窒化チタン層（ＴｉＮ）が０．４
μｍの膜厚で形成されている。

また、上記境界層２２．３２の金属元素の含有率は、例
えば単調増加または直線的減少もしくは少なくとも３段
階にわたって段階的に減少する如く連続的に変化するも
のとなっている。

ところでこれらの膜を形成する方法としては、電子ビー
ム法１反応性スパッタリング法、レーザービーム法２反
応性イオンブレーティング法等の物理蒸着法（以下ＰＶ
Ｄ法と略称する）の他に、光ＣＶＤ法等の化学蒸着法（
以下ＣＶＤ法と略称する）が考えられるが、本実施例に
おいては、ＰＶＤ法の中の反応性イオンブレーティング
法により膜形成を行なった。こうすることにより、形成
される膜は強度、性質、生産性等の点において望ましい
ものとなる。

また支持部材１１の材質はアルミニウム合金＜Ａ３０５
６）とした。こうすることにより、形成された膜の密着
性がよくなる。

第３図は前記反応性イオンブレーティング法を実施する
イオンブレーティング装置の構成を示す概略図である。

図中４１はベルジャであり、このベルジャ４１内におい
て試料（本実施例においては支持部材１１としてのアル
ミニウム合金）４２を取付けた試料取付は台４３がモー
タ４４からの動力で作動する回転磯構によって図中矢印
４３ａ方向に自転しながら図中矢印４３ｂ方向に公転す
るものとなっている。また上記試料取付は台４３は電源
４５により負の電圧がかけられており、これにより試料
４２は負に帯電している。図中４６はチタンを入れた蒸
発源であり、ビーム装＠４７から矢印４７ａの如く電子
ビームを当てることによりチタンを加熱し蒸発させる。

また上記蒸発源４６の上方にはイオン化電源４８により
正の電圧が印加されているイオン化電極４つが設けてあ
り、この電極４９と蒸発源４６との間の空間がプラズマ
状態となって、蒸発したチタンはイオン化される。イオ
ン化されたチタンは試料取付は台４３に向かって加速さ
れ、高い運動エネルギーをもって試料４２に衝突し、チ
タンＦｉ　（Ｔ　ｉ　＞を形成する。

またこのときガス系５０から反応ガスとして窒素ガス（
Ｎ２）を供給することにより、上記窒素ガスがプラズマ
状態となって試料取付は台４３に向かって加速され、上
記試料４２に窒化チタン層（ＴｉＮ）が形成される。な
おチタン層を形成したのち窒化チタン層を形成する条件
は、チタン層のときイオン化電源４８を４０Ｖ、基盤電
圧を３００Ｖとし、窒化チタン層のときイオン化電源４
８を４０Ｖ、基盤電圧を１００Ｖとする。

次に上記の如く反応性イオンブレーティング法により形
成された膜の密着性を調べるためにヒートサイクル試験
を行なった。このヒートサイクル試験は、高温に保持さ
れた槽と低温に保持された槽の間を試料を入れた籠等を
往復させることにより、上記試料の変化を調べる試験で
あり、本実施例においては、２００　’Ｃ〜−７０℃に
保持されたそれぞれの槽の間を１サイクルを２０分間と
して５００サイクル行なった。また、試料としては第１
図および第２図に示す如くアルミニウム合金の上にチタ
ン層（Ｔ１）およびまたは境界層を形成し、その上に窒
化チタン層（ＴｉＮ）を形成したものと、上記アルミニ
ウム合金の上に直接窒化チタン層（ＴｉＮ）を形成した
ものとを用意した。

での結果、窒化ブタ〉・層を直接アルミニウム合金の上
に形成したものは、ヒートサイクル試験により表面上に
クラックが生じた上、部分的に剥離してしまった。この
ことは様々な条件下においても同様な結果となった。し
たがってアルミニウム合金の上に直接窒化チタン層を形
成した場合には良質な膜を１与ることはできない。

一方、第１図および第２図に示すものについては、クラ
ックの発生がほとんどなく、剥離等が生じることもなか
った。かくして上記第１図および第２図に示す如くアル
ミニウム合金の上にチタン層およびまたは境界層を形成
し、その上に窒化チタン層を形成することにより、十分
良質な膜が得られることが確認された。

このように支持部材１１の頂部１１ａに第１図または第
２図に示すような表面処理を施すことにより、磁気ディ
スク２と頂部１１ａとの摩耗度が軽減され、かつ磁気デ
ィスク２のディスク平面方向の規制が簡単になり、チャ
ッキング時において磁気ディスク２の位置決めがし易く
なる。したがって磁気ディスク２の回転に伴う偏心を防
止する・ことができ、トラッキング等に問題が生じるお
それもなくなる。

なお本発明は上記実施例に限定されるものではない。た
とえば上記実施例では支持部材１１の頂部１１ａに本発
明を適用した場合を示したが、たとえばスピンドルモー
タ３の駆動部であるシャフト４と磁気ディスク２との接
触部位（第７図においてＨにて示す部位）に適用するこ
とも可能である。こうすることにより、磁気ディスク２
とシャフト４との間における摩耗度が軽減され、ひいて
は磁気ディスクを長寿命化することができる。

また、前記実施例では第１のコーティング層としてチタ
ン層を形成した場合を示したが、金属元素は周期律表の
■族、ｆＩＪａ族、Ｖａ族、■ａ族の元素の少なくとも
一つを主要な成分として含むものであればよい。さらに
本実施例では第２のコーティング層として窒化チタン層
を形成した場合を示したが、第１のコーティング層にお
ける金属元素の窒化物、炭化物、酸化物の少なくとも一
つを主要な成分として含むものであれば同様な効果を奏
する。この他、本発明の要旨を越えない範囲で種々変形
実施可能であるのは勿論である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、磁気ディスクと磁気ディスク記録再生
装置本体における磁気ディスク駆動部との接触部位が、
金属元素からなる第１のコーティング層と、前記金属元
素を講成成分とするセラミックスからなるＮ２のコーテ
ィング層とを、上記金属元素の含有率が連続的に変化し
ている境界層を介して積層された被覆石にて覆われてい
るので、磁気ディスクと磁気ディスク駆動部との接触部
位の摩耗度を著しく小さくすることができ、磁気ディス
クの正確な位置決めが行なえる上、磁気ディスクの偏心
を防ぐことができ、ざらには磁気ディスクの長寿命化を
はかることのできる磁気ディスク記録再生装置を提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の一実施例を示す図で、第１図
および第２図は支持部材におけるディスク対向面の拡大
断面図、第３図は反応性イオンプレ。 −ティング装置の概略説明図である。第４図〜第７図は
従来例を説明するための図で、第４図はディスクジャケ
ットの概観平面図、第５図はディスクジャケットを電子
カメラ装置本体に装填した状態を示す概観側面図、第６
図は第４図におけるＦ部拡大図、Ｎ７図は第４図におけ
るシャフト近傍の拡大図である。 １・・・ディスクジャケット、２・・・磁気ディスク、
３・・・スピンドルモータ、４・・・シャフト、５・・
・係合孔、６・・・位置決め部材、７・・・磁石、１１
・・・支持部材、１１ａ・・・頂部、２１・・・第１の
コーティング層（チタン層）、２２．３２・・・境界層
、２３．３３・・・第２のコーティング層（窒化チタン
層）。 出願人代理人　弁理士　坪井　淳 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 ］１ 第７図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁気ディスク記録再生装置本体に装填された磁気ディス
   クに対し情報の記録再生を行なう磁気ディスク記録再生
   装置において、前記磁気ディスクと前記装置本体におけ
   る磁気ディスク駆動部との接触部位が、金属元素からな
   る第１のコーティング層と、前記金属元素を構成成分と
   するセラミックスからなる第２のコーティング層とを、
   上記金属元素の含有率が連続的に変化している境界層を
   介して積層された被覆層にて覆われていることを特徴と
   する磁気ディスク記録再生装置。