JPH0468695B2 - - Google Patents
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- JPH0468695B2 JPH0468695B2 JP58250564A JP25056483A JPH0468695B2 JP H0468695 B2 JPH0468695 B2 JP H0468695B2 JP 58250564 A JP58250564 A JP 58250564A JP 25056483 A JP25056483 A JP 25056483A JP H0468695 B2 JPH0468695 B2 JP H0468695B2
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- JP
- Japan
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- layer
- magnetic tape
- sliding contact
- contact member
- ceramic
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はビデオテープレコーダ（以下VTRと
略称する）などに用いられる磁気記録再生装置の
磁気テープ摺接部材に関する。
略称する）などに用いられる磁気記録再生装置の
磁気テープ摺接部材に関する。
VTRのように磁気テープ走行系を有する磁気
記録再生装置において、磁気テープとして蒸着テ
ープを使用する場合には、磁気テープ摺接部材の
摺接面に窒化チタンのようなセラミツクスをコー
テイングすると、良好なテープ走行性が得られる
ことは本発明者らにより明らかにされている。
記録再生装置において、磁気テープとして蒸着テ
ープを使用する場合には、磁気テープ摺接部材の
摺接面に窒化チタンのようなセラミツクスをコー
テイングすると、良好なテープ走行性が得られる
ことは本発明者らにより明らかにされている。
このようなセラミツクコーテイング層を得る方
法としては、電子ビーム蒸着法、反応性スパツタ
リング法、レーザビーム蒸着法等の物理蒸着法の
他に光CVD法等の化学蒸着法が使用されており、
通常のCVD法は用いられていない。その理由は、
上記４つの方法（電子ビーム蒸着法、反応性スパ
ツタリング法、レーザビーム蒸着法、光CVD法）
によるコーテイングプロセスにおいては、コーテ
イング中の基盤温度を200℃ないしそれ以下に保
持してもコーテイング可能なのに対し、通常の
CVD法によるコーテイングプロセスにおいては、
コーテイング中の基盤温度を700℃以上にしなけ
ればならないからである。つまり磁気記録再生装
置の磁気テープ摺接部材には装置の軽量化のた
め、アルミニウム合金、マグネシウム合金、チタ
ン合金等の軽金属が基材として使用されており、
これらの基材を200℃を越える温度に長時間保持
することは製品精度上好ましくないためである。
法としては、電子ビーム蒸着法、反応性スパツタ
リング法、レーザビーム蒸着法等の物理蒸着法の
他に光CVD法等の化学蒸着法が使用されており、
通常のCVD法は用いられていない。その理由は、
上記４つの方法（電子ビーム蒸着法、反応性スパ
ツタリング法、レーザビーム蒸着法、光CVD法）
によるコーテイングプロセスにおいては、コーテ
イング中の基盤温度を200℃ないしそれ以下に保
持してもコーテイング可能なのに対し、通常の
CVD法によるコーテイングプロセスにおいては、
コーテイング中の基盤温度を700℃以上にしなけ
ればならないからである。つまり磁気記録再生装
置の磁気テープ摺接部材には装置の軽量化のた
め、アルミニウム合金、マグネシウム合金、チタ
ン合金等の軽金属が基材として使用されており、
これらの基材を200℃を越える温度に長時間保持
することは製品精度上好ましくないためである。
一方、磁気テープ摺接部材の摺接面にセラミツ
クコーテイングを施すと、良好なテープ走行性が
得られるが、軽合金基材の線膨張係数はセラミツ
クコーテイング膜の線膨張係数に比べてかなり大
きいため、前記各方法により軽合金基材の表面に
セラミツクコーテング膜を形成したとしても、膜
に亀裂が発生し、膜が基材から剥離してしまうこ
とが多かつた。そのため、軽合金基材とセラミツ
クコーテイング膜との間にセラミツクを構成する
主要金属元素からなる膜を形成させ、セラミツク
膜の剥離を防止しているが、本発明者らの実験で
は剥離の程度は減少するものの完全に防止するに
は不十分であつた。
クコーテイングを施すと、良好なテープ走行性が
得られるが、軽合金基材の線膨張係数はセラミツ
クコーテイング膜の線膨張係数に比べてかなり大
きいため、前記各方法により軽合金基材の表面に
セラミツクコーテング膜を形成したとしても、膜
に亀裂が発生し、膜が基材から剥離してしまうこ
とが多かつた。そのため、軽合金基材とセラミツ
クコーテイング膜との間にセラミツクを構成する
主要金属元素からなる膜を形成させ、セラミツク
膜の剥離を防止しているが、本発明者らの実験で
は剥離の程度は減少するものの完全に防止するに
は不十分であつた。
本発明の目的は、磁気記録再生装置の磁気テー
プとの摺接面にセラミツクコーテイング層を有す
る摺接部材において、セラミツクコーテング膜が
剥離し難い磁気テープ摺接部材を提供することに
ある。また本発明の他の目的は上記のような週接
部材を容易かつ安価に製造可能な方法を提供する
ことにある。
プとの摺接面にセラミツクコーテイング層を有す
る摺接部材において、セラミツクコーテング膜が
剥離し難い磁気テープ摺接部材を提供することに
ある。また本発明の他の目的は上記のような週接
部材を容易かつ安価に製造可能な方法を提供する
ことにある。
本発明は上記目的を達成するために次の如く構
成したことを特徴としている。すなわち、磁気テ
ープ走行系を有する磁気記録再生装置の磁気テー
プ摺接部材の摺接面に、金属元素からなる第１層
のコーテング層を形成し、この第１層の上に上記
第１層の金属元素を構成成分とするセラミツクス
からなる第２層のコーテイング層を形成し、前記
第１層と第２層との間に形成される境界層を、前
記金属元素の含有率が連続的乃至段階的に変化す
るものとしたことを特徴としている。
成したことを特徴としている。すなわち、磁気テ
ープ走行系を有する磁気記録再生装置の磁気テー
プ摺接部材の摺接面に、金属元素からなる第１層
のコーテング層を形成し、この第１層の上に上記
第１層の金属元素を構成成分とするセラミツクス
からなる第２層のコーテイング層を形成し、前記
第１層と第２層との間に形成される境界層を、前
記金属元素の含有率が連続的乃至段階的に変化す
るものとしたことを特徴としている。
また本発明は前記摺接部材の基材の摺接面にセ
ラミツクコーテイング層を形成し、前記基材とセ
ラミツクコーテイング層との境界層にてセラミツ
クを構成する元素のうち、主要な金属元素の含有
率が連続的に変化するものとしたことを特徴とし
ている。
ラミツクコーテイング層を形成し、前記基材とセ
ラミツクコーテイング層との境界層にてセラミツ
クを構成する元素のうち、主要な金属元素の含有
率が連続的に変化するものとしたことを特徴とし
ている。
さらに本発明は上記セラミツクコーテイング層
を反応性イオンプレーテイングにより形成する製
造プロセスにおいて、コーテイング初期における
反応ガスの真空槽内への導入量を連続的に変化さ
せることを特徴としている。
を反応性イオンプレーテイングにより形成する製
造プロセスにおいて、コーテイング初期における
反応ガスの真空槽内への導入量を連続的に変化さ
せることを特徴としている。
第１図は本発明の一実施例におけるテープ走行
系を示す系統図である。第１図において、テープ
１０はカセツト１１内の供給リール１２より出
て、以下の経路をとる。
系を示す系統図である。第１図において、テープ
１０はカセツト１１内の供給リール１２より出
て、以下の経路をとる。
カセツト内ポスト１３→カセツト内ポスト１４
→テンシヨンポスト１５→回転ローラ１６→傾斜
ポスト１７→回転ローラ１８→テープリーダ１９
→全幅消去ヘツド２０→テープガイド２１→ドラ
ム２２→傾斜ポスト２３→オーデイオ消去ヘツド
２４→オーデイオコントロールヘツド２５→ポス
ト２６→キヤプスタン２７およびピンチローラ２
８→カセツト内ポスト２９→カセツト内ポスト３
０。
→テンシヨンポスト１５→回転ローラ１６→傾斜
ポスト１７→回転ローラ１８→テープリーダ１９
→全幅消去ヘツド２０→テープガイド２１→ドラ
ム２２→傾斜ポスト２３→オーデイオ消去ヘツド
２４→オーデイオコントロールヘツド２５→ポス
ト２６→キヤプスタン２７およびピンチローラ２
８→カセツト内ポスト２９→カセツト内ポスト３
０。
テープ１０は以上の経路を経て巻取りリール３
１へ至ることになる。
１へ至ることになる。
第２図ａ，ｂは上記ドラム２２の平面図および
側面図である。ドラム２２は上ドラム（本実施例
においては回転ドラム）４１と下ドラム（本実施
例においては固定ドラム）４２とから構成されて
いる。前記上ドラム４１はシヤフト４３が固定さ
れており、上ドラム４１はシヤフト４３と共に回
転するようになつている。また上記上ドラム４１
には一対の磁気ヘツド４４，４５が180°異なる位
置に図示の如く設けられている。また下ドラム４
２にはテープガイド４６が設けられており、この
テープガイド４６に沿つて磁気テープ（不図示）
は走行する。
側面図である。ドラム２２は上ドラム（本実施例
においては回転ドラム）４１と下ドラム（本実施
例においては固定ドラム）４２とから構成されて
いる。前記上ドラム４１はシヤフト４３が固定さ
れており、上ドラム４１はシヤフト４３と共に回
転するようになつている。また上記上ドラム４１
には一対の磁気ヘツド４４，４５が180°異なる位
置に図示の如く設けられている。また下ドラム４
２にはテープガイド４６が設けられており、この
テープガイド４６に沿つて磁気テープ（不図示）
は走行する。
第３図および第４図は第２図ａのＦ部拡大図で
ある。第３図、第４図中４７チタン（Ti）層、
４８は境界層、４９は窒化チタン（TiN）層で
あり、第３図においてTi層４７の膜厚は0.4μｍ、
境界層４８の膜厚は0.1μｍ、TiN層４９の膜厚は
0.5μｍであり、第４図において境界層４８の膜厚
は0.1μｍ、TiN層４９の膜厚は0.4μｍである。こ
のようにドラム２２（上ドラム４１と下ドラム４
２あるいは上ドラム４１か下ドラム４２のいずれ
か）の表面には、セラミツクスによる膜が反応性
イオンプレーテイングにより被着されている。
ある。第３図、第４図中４７チタン（Ti）層、
４８は境界層、４９は窒化チタン（TiN）層で
あり、第３図においてTi層４７の膜厚は0.4μｍ、
境界層４８の膜厚は0.1μｍ、TiN層４９の膜厚は
0.5μｍであり、第４図において境界層４８の膜厚
は0.1μｍ、TiN層４９の膜厚は0.4μｍである。こ
のようにドラム２２（上ドラム４１と下ドラム４
２あるいは上ドラム４１か下ドラム４２のいずれ
か）の表面には、セラミツクスによる膜が反応性
イオンプレーテイングにより被着されている。
第５図は上記反応性イオンプレーテイングを行
なうイオンプレーテイング装置の構成を示す概略
図である。図中５１はベルジヤであり、このベル
ジヤ５１内において試料５２を串刺状に取付けた
試料取付台５３がモータ５４の動力で作動する回
転機構によつて図中矢印５３ａ方向に自転しなが
ら図中矢印５３ｂ方向に公転するものとなつてい
る。また上記試料取付台５３は基盤電圧電源５５
により負の電圧がかけられており、これにより試
料５２は負に帯電している。図中５６はTiを入
れた蒸発源であり、ビーム装置５７から矢印の如
くビームを当てることによりTiを蒸発させる。
また上記蒸発源５６の上方にはイオン化電源５８
に正の電圧が印加されているイオン化電極５９が
設けてあり、この電極５９により蒸発源５６とイ
オン化電極５８との間の空間がプラズマ状態とな
つて蒸発したTiはイオン化される。イオン化さ
れたTiは試料取付台５３に向かつて加速され、
高い運動エネルギーをもつて試料５２に衝突し、
Ti層を形成する。またガス系６０から反応ガス
としてN2ガスを導入すれば、N2ガスがプラズマ
状態となり、試料取付台５３に向かつて加速され
上記試料５２にTiN層が形成される。なおTi層
を形成したのちTiN層を形成する条件は、Ti層
のときイオン化電源を40V、基盤電圧300Vとし、
TiN層のときイオン化電源を40V、基盤電圧を
100Vとする。
なうイオンプレーテイング装置の構成を示す概略
図である。図中５１はベルジヤであり、このベル
ジヤ５１内において試料５２を串刺状に取付けた
試料取付台５３がモータ５４の動力で作動する回
転機構によつて図中矢印５３ａ方向に自転しなが
ら図中矢印５３ｂ方向に公転するものとなつてい
る。また上記試料取付台５３は基盤電圧電源５５
により負の電圧がかけられており、これにより試
料５２は負に帯電している。図中５６はTiを入
れた蒸発源であり、ビーム装置５７から矢印の如
くビームを当てることによりTiを蒸発させる。
また上記蒸発源５６の上方にはイオン化電源５８
に正の電圧が印加されているイオン化電極５９が
設けてあり、この電極５９により蒸発源５６とイ
オン化電極５８との間の空間がプラズマ状態とな
つて蒸発したTiはイオン化される。イオン化さ
れたTiは試料取付台５３に向かつて加速され、
高い運動エネルギーをもつて試料５２に衝突し、
Ti層を形成する。またガス系６０から反応ガス
としてN2ガスを導入すれば、N2ガスがプラズマ
状態となり、試料取付台５３に向かつて加速され
上記試料５２にTiN層が形成される。なおTi層
を形成したのちTiN層を形成する条件は、Ti層
のときイオン化電源を40V、基盤電圧300Vとし、
TiN層のときイオン化電源を40V、基盤電圧を
100Vとする。
発明者らは上述したイオンプレーテイング装置
を用いてドラム２２に様々な条件でTi層および
TiN層を形成し、その膜の密着性をヒートサイ
クル試験により調べてみた。このヒートサイクル
試験というのは、高温に保持された槽と低温に保
持された槽の間を試料を入れた篭を往復させ、試
料の変化を調べる試験方法であり、今回は200℃
〜−70℃の間を、１サイクルを20分間として500
サイクル繰返し試験を行なつた。
を用いてドラム２２に様々な条件でTi層および
TiN層を形成し、その膜の密着性をヒートサイ
クル試験により調べてみた。このヒートサイクル
試験というのは、高温に保持された槽と低温に保
持された槽の間を試料を入れた篭を往復させ、試
料の変化を調べる試験方法であり、今回は200℃
〜−70℃の間を、１サイクルを20分間として500
サイクル繰返し試験を行なつた。
第６図は第１例における表面状態の条件グラフ
である。この例においてはドラム２２の表面に
Ti層が形成され、そのTi層のすぐ上にTiN層が
形成されることになる。すなわち第４図中の境界
層４８がない場合である。つまりTi層４７が0.4μ
ｍあり、その上にTiN層４９が0.5μｍ形成される
ことになる。このような状態の膜を形成した場合
は、ドラム表面上にクラツクが生じ、部分的に剥
離してしまつた。上記クラツクはテープに傷をつ
けるため、画質劣化が起こつてしまう。したがつ
て第６図の条件では最適な膜が得られない。
である。この例においてはドラム２２の表面に
Ti層が形成され、そのTi層のすぐ上にTiN層が
形成されることになる。すなわち第４図中の境界
層４８がない場合である。つまりTi層４７が0.4μ
ｍあり、その上にTiN層４９が0.5μｍ形成される
ことになる。このような状態の膜を形成した場合
は、ドラム表面上にクラツクが生じ、部分的に剥
離してしまつた。上記クラツクはテープに傷をつ
けるため、画質劣化が起こつてしまう。したがつ
て第６図の条件では最適な膜が得られない。
第７図は第２例の表面状態の条件グラフを示す
図である。この場合、表面状態は第４図に示した
通りになる。つまりドラム２２の表面にTi層４
７が0.4μｍ形成され、その上にＳ層すなわち境界
層４８が0.1μｍコートされ、さらにその上にTiN
層４９が0.5μｍ形成されている。また境界層４８
は連続的にTiの量が変化している。このような
状態の膜を形成したときには、表面にクラツクが
発生せず、剥離等を問題が生じない。
図である。この場合、表面状態は第４図に示した
通りになる。つまりドラム２２の表面にTi層４
７が0.4μｍ形成され、その上にＳ層すなわち境界
層４８が0.1μｍコートされ、さらにその上にTiN
層４９が0.5μｍ形成されている。また境界層４８
は連続的にTiの量が変化している。このような
状態の膜を形成したときには、表面にクラツクが
発生せず、剥離等を問題が生じない。
第８図は第３例の表面状態の条件グラフであ
る。この場合は、前記第２例と同様に第４図に示
す表面状態となるが、Ｓ層すなわち境界層４８が
段階的に変化している。このような状態の膜を形
成したときにもクラツクなどは発生せず、良質の
表面が得られる。
る。この場合は、前記第２例と同様に第４図に示
す表面状態となるが、Ｓ層すなわち境界層４８が
段階的に変化している。このような状態の膜を形
成したときにもクラツクなどは発生せず、良質の
表面が得られる。
第９図は第４例の表面状態の条件グラフを示す
図である。この場合の表面状態は第５図に示すよ
うになる。すなわち、Ti層をほとんど作らず、
そのまま連続的にTiの量を変化させ、TiN層４
９を形成している。このような状態の膜を形成し
たときにもクラツクなどは発生せず、良質の膜が
得られ、表面状態が良好になる。
図である。この場合の表面状態は第５図に示すよ
うになる。すなわち、Ti層をほとんど作らず、
そのまま連続的にTiの量を変化させ、TiN層４
９を形成している。このような状態の膜を形成し
たときにもクラツクなどは発生せず、良質の膜が
得られ、表面状態が良好になる。
第１０図は第５例の表面状態の条件グラフであ
る。この場合も表面状態は第５図に示すようにな
る。すなわち初めからN2ガスを入れ、TiN層４
９まで段階的にTiの含有率を変化させている。
このような膜においても、クラツクは発生せず、
表面状態は良好である。
る。この場合も表面状態は第５図に示すようにな
る。すなわち初めからN2ガスを入れ、TiN層４
９まで段階的にTiの含有率を変化させている。
このような膜においても、クラツクは発生せず、
表面状態は良好である。
第１１図および第１２図はTiの含有率を変化
させる場合の条件グラフである。第１１図におい
ては、まず真空度を１×10-6TorrとしておきN2
ガスを導入する。そして約10分間かけてN2ガス
の導入量を徐々に増加させ、真空度を４×
10-4Torrまで連続的に変化させている。
させる場合の条件グラフである。第１１図におい
ては、まず真空度を１×10-6TorrとしておきN2
ガスを導入する。そして約10分間かけてN2ガス
の導入量を徐々に増加させ、真空度を４×
10-4Torrまで連続的に変化させている。
第１２図においては、N2ガスの導入量を段階
的に増加させて真空度を0.5×10-4Torrを２分間、
１×10-4Torrを２分間、２×10-4Torrを２分間、
３×10-4Torrを２分間、４×10-4Torrを２分間
としたのち、５×10-4Torrとしている。
的に増加させて真空度を0.5×10-4Torrを２分間、
１×10-4Torrを２分間、２×10-4Torrを２分間、
３×10-4Torrを２分間、４×10-4Torrを２分間
としたのち、５×10-4Torrとしている。
このようにTiの含有量を連続的、不連続的に
変化させるという簡単な方法より表面にクラツク
が入ることのない良質の膜を有する摺接部材を安
価に得ることができる。
変化させるという簡単な方法より表面にクラツク
が入ることのない良質の膜を有する摺接部材を安
価に得ることができる。
なお本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。たとえば本実施例では反応性イオンプレー
テイングにより膜の形成を行なつたが反応性スパ
ツタリングを用いることも可能である。また反応
ガスとして窒素ガスを用い、窒化チタン層を形成
したが、アセチレガスを導入して炭化チタンある
いは酸素ガスを導入して酸化チタンを形成するよ
うにしてもよい。さらに金属元素としては、チタ
ン以外に周期率表の族、族、ａ族、ａ
族、ａ族の元素を用いることができる。
ない。たとえば本実施例では反応性イオンプレー
テイングにより膜の形成を行なつたが反応性スパ
ツタリングを用いることも可能である。また反応
ガスとして窒素ガスを用い、窒化チタン層を形成
したが、アセチレガスを導入して炭化チタンある
いは酸素ガスを導入して酸化チタンを形成するよ
うにしてもよい。さらに金属元素としては、チタ
ン以外に周期率表の族、族、ａ族、ａ
族、ａ族の元素を用いることができる。
磁気記録再生装置の磁気テープとの摺接面にセ
ラミツクコーテイングを有する摺接部材におい
て、前記摺接部材の軽金属基材とセラミツクコー
テイング膜との間もしくはセラミツクを構成する
主要金属元素からなるコーテイング膜とセラミツ
クコーテイング膜の当該金属元素の含有率が漸時
変化するように形成した境界層を設けるようにし
たので、従来のものに比べてセラミツク膜が剥離
しにくい摺接部材を提供できる。また本発明によ
れば、このような摺接部材を容易かつ安価に製造
可能な方法を提供できる。
ラミツクコーテイングを有する摺接部材におい
て、前記摺接部材の軽金属基材とセラミツクコー
テイング膜との間もしくはセラミツクを構成する
主要金属元素からなるコーテイング膜とセラミツ
クコーテイング膜の当該金属元素の含有率が漸時
変化するように形成した境界層を設けるようにし
たので、従来のものに比べてセラミツク膜が剥離
しにくい摺接部材を提供できる。また本発明によ
れば、このような摺接部材を容易かつ安価に製造
可能な方法を提供できる。
第１図は本発明の一実施例のテープ走行系を示
す図、第２図ａ，ｂはドラムの平面図および側面
図、第３図および第４図は上記ドラムの部分拡大
図、第５図はイオンプレーテイング装置の構成を
示す概略図、第６図〜第１０図はチタンの含有量
の変化を示す図、第１１図および第１２図は真空
度の変化を示す図である。 １０……磁気テープ、１３，１４，２９，３０
……カセツト内ポスト、１５……テンシヨンポス
ト、１７，２３……傾斜ポスト、２２……ドラ
ム、２６……ポスト、４７……Ti層、４８……
境界層、４９……TiN層、５１……チヤンバ、
５２……試料、５３……試料取付台、５４……回
転機構、５５……基盤電圧電源、５６……蒸発
源、５７……ビーム装置、５８……イオン化電
源、５９……イオン化電極、６０……ガス系。
す図、第２図ａ，ｂはドラムの平面図および側面
図、第３図および第４図は上記ドラムの部分拡大
図、第５図はイオンプレーテイング装置の構成を
示す概略図、第６図〜第１０図はチタンの含有量
の変化を示す図、第１１図および第１２図は真空
度の変化を示す図である。 １０……磁気テープ、１３，１４，２９，３０
……カセツト内ポスト、１５……テンシヨンポス
ト、１７，２３……傾斜ポスト、２２……ドラ
ム、２６……ポスト、４７……Ti層、４８……
境界層、４９……TiN層、５１……チヤンバ、
５２……試料、５３……試料取付台、５４……回
転機構、５５……基盤電圧電源、５６……蒸発
源、５７……ビーム装置、５８……イオン化電
源、５９……イオン化電極、６０……ガス系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気テープ走行系を有する磁気記録再生装置
の磁気テープと摺接する部材において、上記部材
の摺接面に形成された金属元素からなる第１層の
コーテイング層と、このコーテイング層の外側に
形成され前記第１層の金属元素を構成成分とする
セラミツクスからなる第２層のコーテイング層
と、前記第１層と第２層との間に形成される境界
層とを具備し、前記境界層は金属元素の含有率が
連続的乃至段階的に変化していることを特徴とす
る磁気テープ摺接部材。 ２ 前記第１層の金属元素は、周期率表の族、
族、ａ族、ａ族、ａ族の元素の少なくと
も一つを主要な成分として含む特許請求の範囲第
１項記載の磁気テープ摺接部材。 ３ 前記第１層の金属元素は、チタンである特許
請求の範囲第１項記載の磁気テープ摺接部材。 ４ 前記第２層のセラミツクスは、前記第１層の
金属元素の窒化物、炭化物、酸化物の少なくとも
一つを主要な成分として含む特許請求の範囲第１
項記載の磁気テープ摺接部材。 ５ 前記第２層のセラミツクスは、チタンの窒化
物、炭化物、酸化物の少なくとも一つを主要な成
分として含む特許請求の範囲第１項記載の磁気テ
ープ摺接部材。 ６ 前記第１層の金属元素がチタンであり、前記
第２層のセラミツクが窒化チタンである特許請求
の範囲第１項記載の磁気テープ摺接部材。 ７ 前記第１層と第２層との境界層における金属
元素の含有率は、単調に減少している特許請求の
範囲第１項記載の磁気テープ摺接部剤。 ８ 前記第１層と第２層との境界層における金属
元素の含有率は、直線的に減少している特許請求
の範囲第１項記載の磁気テープ摺接部材。 ９ 前記第１層と第２層との境界層における金属
元素の含有率は、段階的に減少し、その段階が少
なくとも３段階である特許請求の範囲第１項記載
の磁気テープ摺接部材。 １０ 前記第１層はイオンプレーテイングにより
形成され、前記第２層は反応性イオンプレーテン
グにより形成される特許請求の範囲第１項記載の
磁気テープ摺接部材。 １１ 磁気テープ走行系を有する磁気記録再生装
置の磁気テープと摺接する部材において、上記部
材の基材の摺接面にセラミツクコーテイング層を
有し、上記基材とセラミツクコーテイング層との
境界層にてセラミツクを構成する元素のうち主要
な金属元素の含有率が連続的に変化していること
を特徴としている磁気テープ摺接部材。 １２ 前記セラミツクコーテイング層を構成する
元素のうち主要な金属元素は、周期率表の族、
族、ａ族、ａ族、ａ族の元素の少なくと
も一つである特許請求の範囲第１１項記載の磁気
テープ摺接部材。 １３ 前記セラミツクコーテイング層は、窒化
物、炭化物、酸化物の少なくとも一つを主要な成
分とする特許請求の範囲第１１項記載の磁気テー
プ摺接部材。 １４ 前記セラミツクコーテイング層は、チタン
の窒化物である特許請求の範囲第１１項記載の磁
気テープ摺接部材。 １５ 前記基材とセラミツクコーテイング層との
境界層におけるセラミツクを構成する元素のうち
主要な金属元素の含有率は、単調に減少している
特許請求の範囲第１１項記載の磁気テープ摺接部
材。 １６ 前記基材とセラミツクコーテイング層との
境界層におけるセラミツクを構成する元素のうち
主要な金属元素の含有率は、直線的に減少してい
る特許請求の範囲第１１項記載の磁気テープ摺接
部材。 １７ 前記基材とセラミツクコーテイング層との
境界層におけるセラミツクを構成する元素のうち
主要な金属元素の含有率は、段階的に減少し、そ
の段階が少なくとも３段階である特許請求の範囲
第１１項記載の磁気テープ摺接部材。 １８ 前記セラミツクコーテイング層は反応性イ
オンプレーテイングにより形成される特許請求の
範囲第１１項記載の磁気テープ摺接部材。 １９ 磁気テープ走行系を有する磁気記録再生装
置の磁気テープと摺接し、摺接面にセラミツクコ
ーテイング層を有する摺接部材のセラミツクコー
テイング層を、反応性イオンプレーテイングによ
つて形成する製造プロセスにおいて、コーテイン
グ初期における反応ガスの真空槽内への導入量を
連続的に変化させることを特徴とする磁気テープ
摺接部材の製造方法。 ２０ 前記コーテイング初期における反応ガスの
真空槽内への導入量を、単調に増大、もしくは直
線的に増大、もしくは段階的に増大し、その段階
が少なくとも３段階である特許請求の範囲第１９
項記載の磁気テープ摺接部材の製造方法。 ２１ 前記真空槽内へ導入される反応ガスは、窒
素ガス、アセチレンガス、酸素ガスの少なくとも
一つである特許請求の範囲第１９項記載の磁気テ
ープ摺接部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25056483A JPS60138758A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気テ−プ摺接部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25056483A JPS60138758A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気テ−プ摺接部材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138758A JPS60138758A (ja) | 1985-07-23 |
| JPH0468695B2 true JPH0468695B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=17209766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25056483A Granted JPS60138758A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気テ−プ摺接部材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138758A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202350A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Hitachi Ltd | 磁気テ−プ摺接部材 |
| JPH0346150A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Sharp Corp | 磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095755A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Toshiba Corp | 耐摩耗品 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP25056483A patent/JPS60138758A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60138758A (ja) | 1985-07-23 |
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