JPS6145870B2 - - Google Patents
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- JPS6145870B2 JPS6145870B2 JP56080272A JP8027281A JPS6145870B2 JP S6145870 B2 JPS6145870 B2 JP S6145870B2 JP 56080272 A JP56080272 A JP 56080272A JP 8027281 A JP8027281 A JP 8027281A JP S6145870 B2 JPS6145870 B2 JP S6145870B2
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- photovoltaic power
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- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光起電力発生用半導体装置の改良に
関する。
関する。
従来、導体基板上または絶縁性担体上に導体層
が設けられている基板上に、Ｐ型またはＮ型の第
１の多結晶半導体層が形成され、その第１の多結
晶半導体層上に、その第１の多結晶半導体層とは
逆の導電型を有する第２の多結晶半導体層が、第
１の多結晶半導体層との間でPN接合を形成する
ように、積層して形成され、その第２の多結晶半
導体層上に、例えば環状の電極層が付されている
構成を有するものが提案されている。
が設けられている基板上に、Ｐ型またはＮ型の第
１の多結晶半導体層が形成され、その第１の多結
晶半導体層上に、その第１の多結晶半導体層とは
逆の導電型を有する第２の多結晶半導体層が、第
１の多結晶半導体層との間でPN接合を形成する
ように、積層して形成され、その第２の多結晶半
導体層上に、例えば環状の電極層が付されている
構成を有するものが提案されている。
このような構成の光起電力発生用半導体装置
は、互に異なる導電型を有する第１及び第２の多
結晶半導体層が、それら間にPN接合を形成する
ように、積層して形成されているので、PN接合
型の構成を有する光起電力発生用半導体装置と称
される。
は、互に異なる導電型を有する第１及び第２の多
結晶半導体層が、それら間にPN接合を形成する
ように、積層して形成されているので、PN接合
型の構成を有する光起電力発生用半導体装置と称
される。
このようなPN接合型の構成を有する光起電力
発生用半導体装置によれば、その電極層側から、
第１の多結晶半導体層を通つて第１及び第２の多
結晶半導体層間のPN接合に達する光を入射させ
ることによつて、その強さに応じた起電力を、導
体基板、または絶縁性担体上に導体層が設けられ
ている基板の導体層と、電極層との間で得ること
ができる。従つて、光起電力発生用半導体装置と
しての機能を有する。
発生用半導体装置によれば、その電極層側から、
第１の多結晶半導体層を通つて第１及び第２の多
結晶半導体層間のPN接合に達する光を入射させ
ることによつて、その強さに応じた起電力を、導
体基板、または絶縁性担体上に導体層が設けられ
ている基板の導体層と、電極層との間で得ること
ができる。従つて、光起電力発生用半導体装置と
しての機能を有する。
しかしながら、上述したPN接合型の構成を有
する光起電力発生用半導体装置の場合、第１及び
第２の多結晶半導体層が、PN接合を介して互に
連接している構成を有するので、第２の多結晶半
導体層が、第１の多結晶半導体層上に、直接、
PN接合が形成されるように、積層して形成され
る。
する光起電力発生用半導体装置の場合、第１及び
第２の多結晶半導体層が、PN接合を介して互に
連接している構成を有するので、第２の多結晶半
導体層が、第１の多結晶半導体層上に、直接、
PN接合が形成されるように、積層して形成され
る。
このため、PN接合が形成されている位置、乃
至第１及び第２の多結晶半導体層のPN接合側の
領域に、第１の多結晶半導体層の導電型を決定し
ている不純物と、第２の多結晶半導体層の導電型
を決定している不純物とが多量混在している。こ
のためPN接合の位置、乃至第１及び第２の多結
晶半導体層のPN接合側の領域に、多くの再結合
中心を有している。
至第１及び第２の多結晶半導体層のPN接合側の
領域に、第１の多結晶半導体層の導電型を決定し
ている不純物と、第２の多結晶半導体層の導電型
を決定している不純物とが多量混在している。こ
のためPN接合の位置、乃至第１及び第２の多結
晶半導体層のPN接合側の領域に、多くの再結合
中心を有している。
従つて、上述したPN接合型の構成を有する光
起電力発生用半導体装置の場合、導体基板、また
は絶縁性担体に導体層が設けられている基板の導
体層と、電極層の間に、第１及び第２の多結晶半
導体層の内部を通る内部リーク電流が、比較的大
きな量で流れる。
起電力発生用半導体装置の場合、導体基板、また
は絶縁性担体に導体層が設けられている基板の導
体層と、電極層の間に、第１及び第２の多結晶半
導体層の内部を通る内部リーク電流が、比較的大
きな量で流れる。
また、上述したPN接合型の構成を有する光起
電力発生用半導体装置の場合、第１及び第２の多
結晶半導体層が、PN接合を介して互に連接して
いる構成を有するので、第１の多結晶半導体層の
側面と、第２の多結晶半導体層の側面とが、PN
接合を介して連接している。そして、この場合、
PN接合の厚さは、極めて薄い。このため、第１
及び第２の多結晶半導体層の側面の内側間距離
が、極めて短い。
電力発生用半導体装置の場合、第１及び第２の多
結晶半導体層が、PN接合を介して互に連接して
いる構成を有するので、第１の多結晶半導体層の
側面と、第２の多結晶半導体層の側面とが、PN
接合を介して連接している。そして、この場合、
PN接合の厚さは、極めて薄い。このため、第１
及び第２の多結晶半導体層の側面の内側間距離
が、極めて短い。
従つて、上述したPN接合型の構成を有する光
起電力発生用半導体装置の場合、導体基板、また
は絶縁性担体上に導体層が設けられている基板の
導体層と、電極層との間に、第１及び第２の多結
晶半導体層の側面を通る側面リーク電流が、比較
的大きな量で流れる。
起電力発生用半導体装置の場合、導体基板、また
は絶縁性担体上に導体層が設けられている基板の
導体層と、電極層との間に、第１及び第２の多結
晶半導体層の側面を通る側面リーク電流が、比較
的大きな量で流れる。
よつて、上述したPN接合型の構成を有する光
起電力発生用半導体装置の場合、半導体基板、ま
たは絶縁性担体上に導体層が設けられている基板
の導体層と、電極層との間に、上述した内部リー
ク電流と、上述した側面リーク電流とによる、大
なるリーク電流が流れる、という欠点を有してい
た。
起電力発生用半導体装置の場合、半導体基板、ま
たは絶縁性担体上に導体層が設けられている基板
の導体層と、電極層との間に、上述した内部リー
ク電流と、上述した側面リーク電流とによる、大
なるリーク電流が流れる、という欠点を有してい
た。
よつて、本発明は、上述した欠点のない、新規
な光起電力発生用半導体装置を提案せんとするも
のである。
な光起電力発生用半導体装置を提案せんとするも
のである。
図は、本発明による光起電力発生用半導体装置
の一例を示し、絶縁性担体１上に導体層２が設け
られている基板３を有する。
の一例を示し、絶縁性担体１上に導体層２が設け
られている基板３を有する。
この場合、絶縁性担体１は、例えば、アルミ
ト、マグネシア、ベリリア、フエライトなどの絶
縁材を用いて、例えば100〜400μｍの厚さに作ら
れている。また、導体層２は、タングステン、モ
リブデン、チタンなどの金属を用いて、例えば
0.5〜５μｍの厚さに作られている。
ト、マグネシア、ベリリア、フエライトなどの絶
縁材を用いて、例えば100〜400μｍの厚さに作ら
れている。また、導体層２は、タングステン、モ
リブデン、チタンなどの金属を用いて、例えば
0.5〜５μｍの厚さに作られている。
しかして、上述した基板３上、すなわちその導
体層２上に、互に異なる導電型を有する多結晶の
多結晶半導体層４及び５が、それらの順に、且つ
それらの間に後述する真性多結晶半導体層６を介
して、それ自体は公知の例えば気相成長法によつ
て、積層して形成されている。
体層２上に、互に異なる導電型を有する多結晶の
多結晶半導体層４及び５が、それらの順に、且つ
それらの間に後述する真性多結晶半導体層６を介
して、それ自体は公知の例えば気相成長法によつ
て、積層して形成されている。
この場合、多結晶半導体層４は、例えばシリコ
ン、ゲルマニウムなどの単一元素半導体でなり、
且つ例えばＰ型を有し、また例えば0.3〜10μｍ
の厚さに形成されている。また、多結晶半導体層
５は、例えば多結晶半導体層４と同様に、シリコ
ン、ゲルマニウムなどの単一元素半導体でなり、
しかしながら、多結晶半導体層４とは逆のＮ型を
有し、また例えば0.05〜３μｍの厚さに形成され
ている。
ン、ゲルマニウムなどの単一元素半導体でなり、
且つ例えばＰ型を有し、また例えば0.3〜10μｍ
の厚さに形成されている。また、多結晶半導体層
５は、例えば多結晶半導体層４と同様に、シリコ
ン、ゲルマニウムなどの単一元素半導体でなり、
しかしながら、多結晶半導体層４とは逆のＮ型を
有し、また例えば0.05〜３μｍの厚さに形成され
ている。
また、上述した多結晶半導体層４及び５間に、
0.05〜0.5μｍ厚さの真性多結晶半導体層６が介
挿されている。
0.05〜0.5μｍ厚さの真性多結晶半導体層６が介
挿されている。
実際上、この真性多結晶半導体層６は、基板３
上に多結晶半導体層４を形成して後、多結晶半導
体層５を形成する前に、それ自体は公知の例えば
気相成長法によつて、多結晶半導体層４上に積層
して形成される。
上に多結晶半導体層４を形成して後、多結晶半導
体層５を形成する前に、それ自体は公知の例えば
気相成長法によつて、多結晶半導体層４上に積層
して形成される。
この場合、真性多結晶半導体層６の側面１６
は、真性多結晶半導体層６の主面と垂直な面に対
して傾斜している。従つて、真性多結晶半導体層
６は、所謂ベベル構造を有している。
は、真性多結晶半導体層６の主面と垂直な面に対
して傾斜している。従つて、真性多結晶半導体層
６は、所謂ベベル構造を有している。
実際上、このように傾斜している真性多結晶半
導体層６の側面１６は、基板３上に、多結晶半導
体層４と、真性多結晶半導体層６と、多結晶半導
体層５とをそれらの順に積層して形成して後、そ
れら多結晶半導体層４と、真性多結晶半導体層６
と、多結晶半導体層５とからなる積層体に対し、
所謂メサエツチングを施すことによつて、多結晶
半導体層４の側面１４と、多結晶半導体層５の側
面１５と共に、基板３の導体層２の主面と垂直な
面に対して連続的に傾斜している共通面上に延長
しているものとして形成される。
導体層６の側面１６は、基板３上に、多結晶半導
体層４と、真性多結晶半導体層６と、多結晶半導
体層５とをそれらの順に積層して形成して後、そ
れら多結晶半導体層４と、真性多結晶半導体層６
と、多結晶半導体層５とからなる積層体に対し、
所謂メサエツチングを施すことによつて、多結晶
半導体層４の側面１４と、多結晶半導体層５の側
面１５と共に、基板３の導体層２の主面と垂直な
面に対して連続的に傾斜している共通面上に延長
しているものとして形成される。
さらに、上述した多結晶半導体層５上に、環状
の電極層７が形成されている。
の電極層７が形成されている。
この場合、電極層７は、モリブデン、チタン、
アルミニウムなどを用いて、それ自体は公知の蒸
着―エツチング法によつて形成される。
アルミニウムなどを用いて、それ自体は公知の蒸
着―エツチング法によつて形成される。
なおさらに、上述した多結晶半導体層５の電極
層７が形成されている側の主面上の外部に露呈し
ている領域と、上述した多結晶半導体層４の側面
１４、真性多結晶半導体層６の側面１６及び多結
晶半導体層５の側面１５上に、連続延長して、反
射防止膜を兼ねている保護膜８が形成されてい
る。
層７が形成されている側の主面上の外部に露呈し
ている領域と、上述した多結晶半導体層４の側面
１４、真性多結晶半導体層６の側面１６及び多結
晶半導体層５の側面１５上に、連続延長して、反
射防止膜を兼ねている保護膜８が形成されてい
る。
この場合、保護膜８は、気相成長法、スパツタ
リング法などのそれ自体は公知の方法によつて形
成された、SiO，Si3N4，Al2O3などでなり、後述
する光の波長の1/2の厚さを有する。
リング法などのそれ自体は公知の方法によつて形
成された、SiO，Si3N4，Al2O3などでなり、後述
する光の波長の1/2の厚さを有する。
以上で、本発明による光起電力発生用半導体装
置の一例構成が明らかとなつた。
置の一例構成が明らかとなつた。
このような構成を有する本発明による光起電力
発生用半導体装置は、絶縁性担体１上に導体層２
が設けられている基板３上に、互に異なる導電型
を有する多結晶半導体層４及び５が積層して形成
されている構成を有する光起電力発生用半導体装
置において、その多結晶半導体層４及び５間に、
真性多結晶半導体層６が介挿されている構成を有
するので、PIN接合型の構成を有する光起電力発
生用半導体装置と称される。
発生用半導体装置は、絶縁性担体１上に導体層２
が設けられている基板３上に、互に異なる導電型
を有する多結晶半導体層４及び５が積層して形成
されている構成を有する光起電力発生用半導体装
置において、その多結晶半導体層４及び５間に、
真性多結晶半導体層６が介挿されている構成を有
するので、PIN接合型の構成を有する光起電力発
生用半導体装置と称される。
このようなPIN接合型の構成を有する光起電力
発生用半導体装置によれば、それが冒頭で上述し
た従来のPN接合型の構成を有する光起電力発生
用半導体装置において、その第１及び第２の多結
晶半導体層間のPN接合に代え、第１及び第２の
多結晶半導体層間に真性多結晶半導体層６が介挿
されていることを除いては、冒頭で上述した従来
のPN接合型の構成を有する光起電力発生用半導
体装置と同様の構成を有する。
発生用半導体装置によれば、それが冒頭で上述し
た従来のPN接合型の構成を有する光起電力発生
用半導体装置において、その第１及び第２の多結
晶半導体層間のPN接合に代え、第１及び第２の
多結晶半導体層間に真性多結晶半導体層６が介挿
されていることを除いては、冒頭で上述した従来
のPN接合型の構成を有する光起電力発生用半導
体装置と同様の構成を有する。
従つて、詳細説明は省略するが、電極層７側か
ら、多結晶半導体層５を通つて真性多結晶半導体
層６に達する光を入射させることによつて、その
強さに応じた起電力を、冒頭で上述した従来の
PN接合型の構成を有する光起電力発生用半導体
装置の場合と同様に、基板３の導体層２と、電極
層７との間で得ることができることは、明らかで
ある。
ら、多結晶半導体層５を通つて真性多結晶半導体
層６に達する光を入射させることによつて、その
強さに応じた起電力を、冒頭で上述した従来の
PN接合型の構成を有する光起電力発生用半導体
装置の場合と同様に、基板３の導体層２と、電極
層７との間で得ることができることは、明らかで
ある。
従つて、冒頭で上述した従来のPN接合型の構
成を有する光起電力発生用半導体装置と同様に、
光起電力発生用半導体装置としての機能を有す
る。
成を有する光起電力発生用半導体装置と同様に、
光起電力発生用半導体装置としての機能を有す
る。
しかしながら、上述した本発明によるPIN接合
型の構成を有する光起電力発生用半導体装置の場
合、互に異なる導電型を有する多結晶半導体層４
及び５間に、真性多結晶半導体層６が介挿されて
いる構成を有しているので、多結晶半導体層５
が、多結晶半導体層４上に、直接形成されない
で、多結晶半導体層４上に予め形成された真性多
結晶半導体層６上に形成される。そして、この場
合、真性多結晶半導体層６が、殆んどＮ型または
Ｐ型を与える不純物を含んでいないか、含んでい
るとしても極めて少ない量しか含んでいない。
型の構成を有する光起電力発生用半導体装置の場
合、互に異なる導電型を有する多結晶半導体層４
及び５間に、真性多結晶半導体層６が介挿されて
いる構成を有しているので、多結晶半導体層５
が、多結晶半導体層４上に、直接形成されない
で、多結晶半導体層４上に予め形成された真性多
結晶半導体層６上に形成される。そして、この場
合、真性多結晶半導体層６が、殆んどＮ型または
Ｐ型を与える不純物を含んでいないか、含んでい
るとしても極めて少ない量しか含んでいない。
従つて、多結晶半導体層４の導電型を決定して
いる不純物と多結晶半導体層５の導電型を決定し
ている不純物とが多量混在している部乃至領域
を、何れの内部位置にも有していない。このた
め、多くの再結合中心を有している部乃至領域
を、内部位置に有していない。
いる不純物と多結晶半導体層５の導電型を決定し
ている不純物とが多量混在している部乃至領域
を、何れの内部位置にも有していない。このた
め、多くの再結合中心を有している部乃至領域
を、内部位置に有していない。
従つて、上述した本発明によるPIN接合型の構
成を有する光起電力発生用半導体装置の場合、基
板３の導体層２と、電極層７との間に、多結晶半
導体層４及び５の内部を通る内部リーク電流が流
れるとしても、その内部リーク電流は、冒頭で上
述した従来のPN接合型の構成を有する光起電力
発生用半導体装置の場合に比し、格段的に小なる
量であるに過ぎない。
成を有する光起電力発生用半導体装置の場合、基
板３の導体層２と、電極層７との間に、多結晶半
導体層４及び５の内部を通る内部リーク電流が流
れるとしても、その内部リーク電流は、冒頭で上
述した従来のPN接合型の構成を有する光起電力
発生用半導体装置の場合に比し、格段的に小なる
量であるに過ぎない。
また、上述した本発明によるPIN接合型の構成
を有する光起電力発生用半導体装置によれば、多
結晶半導体層４及び５間に、真性多結晶半導体層
６が介挿されている構成を有している。そして、
この場合、真性多結晶半導体層６は、冒頭で上述
した従来のPN接合型の構成を有する光起電力発
生用半導体装置におけるPN接合に対し、格段的
に大なる厚さを有する。しかも、真性多結晶半導
体層６の側面１６が、真性多結晶半導体層６の主
面と垂直な面に対して傾斜している。このため、
半導体多結晶半導体層４の側面１４と、多結晶半
導体層５の側面との内側間距離が、従来のPN接
合型の構成を有する光起電力発生用半導体装置お
ける第１及び第２の多結晶半導体層の側面の内側
間距離に比し格段的に大である。
を有する光起電力発生用半導体装置によれば、多
結晶半導体層４及び５間に、真性多結晶半導体層
６が介挿されている構成を有している。そして、
この場合、真性多結晶半導体層６は、冒頭で上述
した従来のPN接合型の構成を有する光起電力発
生用半導体装置におけるPN接合に対し、格段的
に大なる厚さを有する。しかも、真性多結晶半導
体層６の側面１６が、真性多結晶半導体層６の主
面と垂直な面に対して傾斜している。このため、
半導体多結晶半導体層４の側面１４と、多結晶半
導体層５の側面との内側間距離が、従来のPN接
合型の構成を有する光起電力発生用半導体装置お
ける第１及び第２の多結晶半導体層の側面の内側
間距離に比し格段的に大である。
従つて、上述した本発明によるPIN接合型の構
成を有する光起電力発生用半導体装置の場合、基
板３の導体層２と、電極層７との間に、多結晶半
導体層４の側面１４と、多結晶半導体層５の側面
１５とを通る側面リーク電流が流れるとしても、
その側面リーク電流は、冒頭で上述した従来の
PN接合型を有する光起電力発生用半導体装置に
比し、格段的に小なる量であるに過ぎない。
成を有する光起電力発生用半導体装置の場合、基
板３の導体層２と、電極層７との間に、多結晶半
導体層４の側面１４と、多結晶半導体層５の側面
１５とを通る側面リーク電流が流れるとしても、
その側面リーク電流は、冒頭で上述した従来の
PN接合型を有する光起電力発生用半導体装置に
比し、格段的に小なる量であるに過ぎない。
よつて、上述した本発明によるPIN接合型の構
成を有する光起電力発生用半導体装置の場合、基
板３の導体層２と、電極層７との間に、リーク電
流が流れるとしても、そのリーク電流が、冒頭で
上述した従来のPN接合型を有する光起電力発生
用半導体装置に比し、格段的に小なる量であると
いう大なる特徴を有する。
成を有する光起電力発生用半導体装置の場合、基
板３の導体層２と、電極層７との間に、リーク電
流が流れるとしても、そのリーク電流が、冒頭で
上述した従来のPN接合型を有する光起電力発生
用半導体装置に比し、格段的に小なる量であると
いう大なる特徴を有する。
因みに、上述した本発明によるPIN接合型の構
成を有する光起電力発生用半導体装置の場合にお
いて、その真性多結晶半導体層６の厚さが0.5μ
ｍであるが、真性多結晶半導体層６の側面１６
が、真性多結晶半導体層６の主面と垂直であると
いうことを除いては、上述した本発明によるPIN
接合型の構成を有する光起電力発生用半導体装置
と同様の構成を有する、本発明によらない光起電
力発生用半導体装置（これを本発明によらない具
体例１とする）の場合、基板３の導体層２と電極
層７との間のリーク電流が、上述した本発明によ
るPIN接合型の構成を有する光起電力発生用半導
体装置において、その真性多結晶半導体層６が省
略され、従つて冒頭で上述した従来のPN接合型
の構成を有する光起電力発生用半導体装置の具体
例に相当する構成を有することを除いては、上述
した本発明によるPIN接合型の構成を有する光起
電力発生用半導体装置と同様の構成を有する、本
発明によらない光起電力発生用半導体装置（これ
を本発明によらない光起電力発生用半導体装置の
具体例２とする）の場合の、約1/100という少な
い量でしか流れなかつた。
成を有する光起電力発生用半導体装置の場合にお
いて、その真性多結晶半導体層６の厚さが0.5μ
ｍであるが、真性多結晶半導体層６の側面１６
が、真性多結晶半導体層６の主面と垂直であると
いうことを除いては、上述した本発明によるPIN
接合型の構成を有する光起電力発生用半導体装置
と同様の構成を有する、本発明によらない光起電
力発生用半導体装置（これを本発明によらない具
体例１とする）の場合、基板３の導体層２と電極
層７との間のリーク電流が、上述した本発明によ
るPIN接合型の構成を有する光起電力発生用半導
体装置において、その真性多結晶半導体層６が省
略され、従つて冒頭で上述した従来のPN接合型
の構成を有する光起電力発生用半導体装置の具体
例に相当する構成を有することを除いては、上述
した本発明によるPIN接合型の構成を有する光起
電力発生用半導体装置と同様の構成を有する、本
発明によらない光起電力発生用半導体装置（これ
を本発明によらない光起電力発生用半導体装置の
具体例２とする）の場合の、約1/100という少な
い量でしか流れなかつた。
また、上述した本発明によるPIN接合型の構成
を有する光起電力発生用半導体装置において、そ
の真性多結晶半導体層６の厚さが0.5μｍ、真性
多結晶半導体層６の側面１６の傾斜角が、真性半
導体６の主面と垂直な面に対して45゜であるとい
う、本発明による光起電力発生用半導体装置（こ
れを本発明による光起電力発生用半導体装置の具
体例とする）の場合、基板３の導体層２と電極７
との間のリーク電流が、上述した本発明によらな
い光起電力発生用半導体装置の具体例１の場合
の、約1/10という少ない量でしか流れなかつた。
を有する光起電力発生用半導体装置において、そ
の真性多結晶半導体層６の厚さが0.5μｍ、真性
多結晶半導体層６の側面１６の傾斜角が、真性半
導体６の主面と垂直な面に対して45゜であるとい
う、本発明による光起電力発生用半導体装置（こ
れを本発明による光起電力発生用半導体装置の具
体例とする）の場合、基板３の導体層２と電極７
との間のリーク電流が、上述した本発明によらな
い光起電力発生用半導体装置の具体例１の場合
の、約1/10という少ない量でしか流れなかつた。
さらに、上述した本発明による光起電力発生用
半導体装置の具体例の場合、基板３の導体層２
と、電極層７との間のリーク電流が、上述した本
発明によらない具体例２（冒頭で上述した従来の
PI接合型の構成を有する光起電力発生用半導体装
置の具体例に相当している）の場合の、約1/1000
という少ない量でしか流れなかつた。
半導体装置の具体例の場合、基板３の導体層２
と、電極層７との間のリーク電流が、上述した本
発明によらない具体例２（冒頭で上述した従来の
PI接合型の構成を有する光起電力発生用半導体装
置の具体例に相当している）の場合の、約1/1000
という少ない量でしか流れなかつた。
なお、上述においては、基板として、絶縁性担
体１上に導体層２が設けられている基板３を用い
た場合につき述べたが、基板として単なる導体基
板を用いることもできることは明らかであろう。
体１上に導体層２が設けられている基板３を用い
た場合につき述べたが、基板として単なる導体基
板を用いることもできることは明らかであろう。
また、上述したＰ型をＮ型、Ｎ型をＰ型と読み
替えた構成とすることもでき、その他、本発明の
精神を脱することなしに、種々の変型、変更をな
し得るであろう。
替えた構成とすることもでき、その他、本発明の
精神を脱することなしに、種々の変型、変更をな
し得るであろう。
図は、本発明による光起電力発生用半導体装置
の一例を示す略線的断面図である。 １……絶縁性担体、２……導体層、３……基
板、４，５……多結晶半導体層、６……真性多結
晶半導体層、７……電極層、８……保護膜。
の一例を示す略線的断面図である。 １……絶縁性担体、２……導体層、３……基
板、４，５……多結晶半導体層、６……真性多結
晶半導体層、７……電極層、８……保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導体基板上または絶縁性担体上に導体層が設
けられている基板上に、第１の導電型を有する第
１の多結晶半導体層が形成され、該第１の多結晶
半導体層上に第２の導電型を有する第２の多結晶
半導体層が積層して形成されている構成を有する
光起電力発生用半導体装置において、 上記第１及び第２の多結晶半導体層間に、上記
第１の多結晶半導体層上に積層して形成され且つ
上面上に上記第２の多結晶半導体層を積層して形
成している真性多結晶半導体層が介挿されて、
PIN接合型を有し、 上記真性多結晶半導体層の側面が、当該真性多
結晶半導体層の主面と垂直な面に対して傾斜して
いることを特徴とする光起電力発生用半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027281A JPS5717184A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Semiconductor device for generating photoelectromotive force |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027281A JPS5717184A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Semiconductor device for generating photoelectromotive force |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49071738A Division JPS51890A (en) | 1974-06-20 | 1974-06-20 | Handotaisochi oyobi sonosakuseihoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5717184A JPS5717184A (en) | 1982-01-28 |
| JPS6145870B2 true JPS6145870B2 (ja) | 1986-10-09 |
Family
ID=13713644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8027281A Granted JPS5717184A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Semiconductor device for generating photoelectromotive force |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5717184A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57184258A (en) * | 1982-04-26 | 1982-11-12 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of photoelectric conversion semiconductor device |
-
1981
- 1981-05-27 JP JP8027281A patent/JPS5717184A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5717184A (en) | 1982-01-28 |
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