JPS6146030B2 - - Google Patents
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- JPS6146030B2 JPS6146030B2 JP7899679A JP7899679A JPS6146030B2 JP S6146030 B2 JPS6146030 B2 JP S6146030B2 JP 7899679 A JP7899679 A JP 7899679A JP 7899679 A JP7899679 A JP 7899679A JP S6146030 B2 JPS6146030 B2 JP S6146030B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
- C09K19/58—Dopants or charge transfer agents
- C09K19/586—Optically active dopants; chiral dopants
-
- G—PHYSICS
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Description
この発明は、二つの支持板の間に挟まれ二つの
異なる光学的状態間に切り換え可能な液晶層を備
え、この液晶層はネマチツク基礎材料とチラル添
加物とを含む液晶セルに関する。 この種のデイスプレイは例えば西独国特許出願
公開第2727562号公報に記載されているように多
数の実施形態をもつて公知である。 ネマチツク液晶にチラル化合物をドーブすると
特徴的なねじりが発生する。このねじりのピツチ
と回転方向はドーブ物質のねじり性能(ヘリカル
ツウイスチングパワー)とその濃度だけではなく
温度にも関係する。これらのヘリツクスパラメー
タはそれ自体が誘起されたコレステリツク組織の
位相変換しきい値電界等の重要な特性値に影響を
与えるものであるから例えば必要なスイツチング
電圧も動作温度によつて変化する。 このようなしきい値電圧変化は液晶デイスプレ
イを充分高い電圧レベルで制御すれば障害とはな
らないものであるが、このような手段は電力損失
を高めるだけではなく多重化方式が可能のデイス
プレイではスイツチング電圧が上昇すれば過応答
の危険が増大するため適用範囲が限定される。 そのためスイツチング電圧を動作温度に追従さ
せる方法が種々検討されたがそれに適した制御回
路は一般に著しく複雑なものでありしきい値電圧
が一定の温度ドリフトを示すときに限つて比較的
簡単に実現される。しかしこのような温度依存性
は誘起コレステリツク相を持つ液晶において実際
に認められたことはない。(温度に直線的に関係
するしきい値電圧について報告されたことがある
が総てコレステリツク成分から成る二成分混合物
についてのものである。) この発明の目的は誘起されたコレステリツク配
向を持つ液晶層においてねじり(ツウイスト)が
規定の温度依存性を示すようにする方法とそれを
実現する手段を見出すことである。この温度関係
はある程度広い温度範囲で認められ、また比較的
広い範囲に亘つて変化させられることが必要であ
る。更にこの温度関係が調整可能であり他の液晶
パラメータの所望の温度依存性を導き得ることが
重要である。 この目的はこの発明によれば、二つの支持板の
間に挟まれ二つの異なる光学的状態間に切換可能
な液晶層を備え、この液晶層ネマチツク基礎材料
と少なくとも二つのチラル添加物とを含み、この
チラル添加物はともに液晶層内でその両光学的状
態の一つにおいて、ねじりによつて特徴づけられ
たコレステリツク相を誘起するような液晶セルに
おいて、一方のチラル添加物はネマチツク基礎材
料中に右回りのねじれを発生させるものであり、
他方のチラル添加物はネマチツク基礎材料中に左
回りのねじれを発生させるものであり、ヘリツク
スパラメータの温度関数を制御して液晶セルの特
性の温度化を設定し得るようにすることによつて
達成される。 この発明による多重ドーピングが誘起されたコ
レステリツク相の温度特性に与える影響は次のよ
うなものである。 第一近似においてヘリツクスピツチの逆数は光
学活性添加物の重量%に比例し、他方複数のチラ
ル添加物の影響は加算的である。これからhiをi
番目の添加物のヘリカルツウイスチングパワーci
をその濃度(重量%)としてヘリツクスピツチp
は次の式: で与えられる。 この式は添加物がコレステリツク類似であつて
コレステリル誘導体に属するとき一般にc>20重
量%で無効になる。ネマチツク類似のチラル添加
物は現在ドーブ物質として推奨されているがそれ
に対しては近似式(1)が通常全濃度範囲で適用され
る。温度に関係する量hiを清澄点温度又は平均動
作温度付近でベキ級数に展開すると となる。τは清澄点温度tK又は平均動作温度tM
と実際の温度tとの差でτ=t−tK又はτ=t
−tMである。 (2)によつて(1)を書き換えると 和の順序を換えると 一般に許されているように各ドープ物質が誘起
するピツチの逆数が温度の上昇に伴つて直線的に
低下するとすれば(4)は となる。ここでα1 iとα2 iとは常に符号が逆であ
る。二種類のチラル添加物の場合には(5)は次の通
り簡単になる。 (6)によれば二種類の同じ向きに回転させるチラ
ル添加物をドープするとヘリツクスピツチの温度
特性は両添加物を一方だけを使用したときのヘリ
ツクスピツチの温度特性の中間に位置する。従つ
て大きな変化はこの場合不可能である。ネマチツ
ク基礎物質に右回転と左回転の添加物が溶解して
いるとベキ級数の係数は次の符号を持つ。 α1 1>0,α2 1<0 α1 2<0,α2 2>0 右回り座標系では右回転ドープ物質のα1 iは正
となり、左回転ドープ物質のα1 iは負となる。従
つて|α2 1c1|=|α2 2c2| であると温度に無関係なヘリツクスピツチが得ら
れる。|α1 1c1|=|α1 2c2|となるように濃度を
選ぶとτ=0でヘリツクスの逆転が起る。同様に
してヘリツクスピツチを温度上昇に伴つて一種類
のチラル化合物をドープしたときよりも急激に増
大又は減小させることができる。 ヘリツクスピツチが温度に無関係であるとしき
い値電圧もこれらの量が直線的関係にあるとき温
度に無関係に一定である。この関係は一般にコレ
ステリツク相がネマチツク相に移る電界に対して
成立する。完全に直線的でなくても場合によつて
はヘリツクスピツチの温度特性を適当に補正する
ことにより一定のしきい値電界とすることができ
る。 (1)式の関係自体は以前からよく知られていて例
えば雑誌“Mol.Cryst.and Liq.Cryst”15,
1975,p.27に記載されている。この文献には更に
回転能力が一般に温度に関係することが示されて
いる。この関係を計算によつて求めることは
“Naturwissenschaften,62,1975,S.436に発表
されている。この論文の著者は観測された温度特
性を分子回転の秩序パラメータに及ぼす温度の影
響に帰している。しかしそれから導かれた関係か
らは定量的に満足できる結果は与えられない。最
近発表された論文(Mol.Cryst.and Liq.
Cryst.42,1977,p.15)にはこの関係の知識が括
められているが、第一に誘起されたコレステリツ
ク組織は天然のコレステリツク相とは異つた挙動
を示すこと、第二に誘起されたねじりの温度特性
を精確に表現する式を解析的に導くことができる
がその物理的の解明はまだなされていないことが
確言されている。上記の文献によればホスト物質
中に強制的に作られたコレステリツク配向現象は
長い間活発な科学的の興味を持たれているがこの
観測結果を利用して誘起されたねじりにある目的
に沿つた影響を与えることは考えられていなかつ
た。特に回転性の異る添加物の多重ドーピングに
より特定の温度特性を達成しようとする考えが示
唆されることはなかつた。 この発明による多重ドーピングは多くの表示原
理に対して有利である。即ち多くの相転移効果例
えば可逆相転移、ヒステリシスを伴う相転移(二
安定効果)、メモリ性能を持つ相転位においてタ
ーンオン又はターンオフしきい値電圧に問題とな
る余地のない温度特性を与えることができる。 ツウイステツドネマチツク効果に基くデイスプ
レイの場合容易に温度に無関係な一定のヘリツク
ス・ピツチを設定することができる。温度に無関
係なしきい値電圧も実現可能であり、静止状態の
ヘリツクスピツチが短い程その実現が容易であ
る。 電界による変形に基くダイナミツク型のデイス
プレイにおいても温度に無関係なしきい値電圧を
考えることができる。最後に螺旋構造においての
波長選択性の反射を利用する泡領域表示装置を温
度に対して安定化することも可能であると考えら
れる。 図面についてこの発明を更に詳細に説明する。 第1図に示した液晶セルは前面支持板1、背面
支持板2、これらの支持板を連結する枠3および
両支持板と枠3によつてかこまれた室を満たす液
晶層4から構成されている。支持板の向い合つた
内面にはそれぞれ導電層と液晶分子を配列させる
配向層8と9が設けられている。前面の導電層は
セグメント電極6となり、背面の導電層は連続し
た背面電極7となつている。この表示セルは相転
移効果に基くもので充分高い電圧を印加すること
により静止状態において誘起されたコレステリツ
ク配向がホメオトロピロク−ネマチツク配向に移
る。印加電圧を下げて行くとこの相は最初の中そ
のまま保持され、第二しきい値以下に下るとねじ
られた出発状態に戻る。 この実施例の液晶層は商品名S1132で呼ばれて
いるメルク社のネマチツク基礎材料に二種類のチ
ラル化合物が添加されたものである。添加材は共
にメルク社のもので商品名CB15およびZLI811で
呼ばれている。基礎材料S1132は三種類のフエニ
ルシクロヘキサンの混合物である。両添加材の化
学構造式は第表に示されている。両添加材の添
加重量比はCB15が1275重量%、ZLI811が10.63重
量%である。第2図の曲線11で示すようにター
ンオフしきい値電圧は約−3℃から+40℃の間で
実質上一定であるがメルク社の商品名E8で呼ば
れているネマチツク基礎材料に上記のCB15を
6.83重量%、ZLI811を6.33重量%加えたものは曲
線12で示すように10℃から40℃までの狭い温度
範囲でターンオンしきい値電圧がほぼ一定であ
る。 第3図には種々のドープ物質を同じネマチツク
基礎材料(メルク社の“nematische Phase
4”)に溶解したもののヘリツクスピツチの相対
値(30℃の値に対する比)を温度の関数として示
す。このネマチツク基礎材料は二種類のアゾキシ
化合物
異なる光学的状態間に切り換え可能な液晶層を備
え、この液晶層はネマチツク基礎材料とチラル添
加物とを含む液晶セルに関する。 この種のデイスプレイは例えば西独国特許出願
公開第2727562号公報に記載されているように多
数の実施形態をもつて公知である。 ネマチツク液晶にチラル化合物をドーブすると
特徴的なねじりが発生する。このねじりのピツチ
と回転方向はドーブ物質のねじり性能(ヘリカル
ツウイスチングパワー)とその濃度だけではなく
温度にも関係する。これらのヘリツクスパラメー
タはそれ自体が誘起されたコレステリツク組織の
位相変換しきい値電界等の重要な特性値に影響を
与えるものであるから例えば必要なスイツチング
電圧も動作温度によつて変化する。 このようなしきい値電圧変化は液晶デイスプレ
イを充分高い電圧レベルで制御すれば障害とはな
らないものであるが、このような手段は電力損失
を高めるだけではなく多重化方式が可能のデイス
プレイではスイツチング電圧が上昇すれば過応答
の危険が増大するため適用範囲が限定される。 そのためスイツチング電圧を動作温度に追従さ
せる方法が種々検討されたがそれに適した制御回
路は一般に著しく複雑なものでありしきい値電圧
が一定の温度ドリフトを示すときに限つて比較的
簡単に実現される。しかしこのような温度依存性
は誘起コレステリツク相を持つ液晶において実際
に認められたことはない。(温度に直線的に関係
するしきい値電圧について報告されたことがある
が総てコレステリツク成分から成る二成分混合物
についてのものである。) この発明の目的は誘起されたコレステリツク配
向を持つ液晶層においてねじり(ツウイスト)が
規定の温度依存性を示すようにする方法とそれを
実現する手段を見出すことである。この温度関係
はある程度広い温度範囲で認められ、また比較的
広い範囲に亘つて変化させられることが必要であ
る。更にこの温度関係が調整可能であり他の液晶
パラメータの所望の温度依存性を導き得ることが
重要である。 この目的はこの発明によれば、二つの支持板の
間に挟まれ二つの異なる光学的状態間に切換可能
な液晶層を備え、この液晶層ネマチツク基礎材料
と少なくとも二つのチラル添加物とを含み、この
チラル添加物はともに液晶層内でその両光学的状
態の一つにおいて、ねじりによつて特徴づけられ
たコレステリツク相を誘起するような液晶セルに
おいて、一方のチラル添加物はネマチツク基礎材
料中に右回りのねじれを発生させるものであり、
他方のチラル添加物はネマチツク基礎材料中に左
回りのねじれを発生させるものであり、ヘリツク
スパラメータの温度関数を制御して液晶セルの特
性の温度化を設定し得るようにすることによつて
達成される。 この発明による多重ドーピングが誘起されたコ
レステリツク相の温度特性に与える影響は次のよ
うなものである。 第一近似においてヘリツクスピツチの逆数は光
学活性添加物の重量%に比例し、他方複数のチラ
ル添加物の影響は加算的である。これからhiをi
番目の添加物のヘリカルツウイスチングパワーci
をその濃度(重量%)としてヘリツクスピツチp
は次の式: で与えられる。 この式は添加物がコレステリツク類似であつて
コレステリル誘導体に属するとき一般にc>20重
量%で無効になる。ネマチツク類似のチラル添加
物は現在ドーブ物質として推奨されているがそれ
に対しては近似式(1)が通常全濃度範囲で適用され
る。温度に関係する量hiを清澄点温度又は平均動
作温度付近でベキ級数に展開すると となる。τは清澄点温度tK又は平均動作温度tM
と実際の温度tとの差でτ=t−tK又はτ=t
−tMである。 (2)によつて(1)を書き換えると 和の順序を換えると 一般に許されているように各ドープ物質が誘起
するピツチの逆数が温度の上昇に伴つて直線的に
低下するとすれば(4)は となる。ここでα1 iとα2 iとは常に符号が逆であ
る。二種類のチラル添加物の場合には(5)は次の通
り簡単になる。 (6)によれば二種類の同じ向きに回転させるチラ
ル添加物をドープするとヘリツクスピツチの温度
特性は両添加物を一方だけを使用したときのヘリ
ツクスピツチの温度特性の中間に位置する。従つ
て大きな変化はこの場合不可能である。ネマチツ
ク基礎物質に右回転と左回転の添加物が溶解して
いるとベキ級数の係数は次の符号を持つ。 α1 1>0,α2 1<0 α1 2<0,α2 2>0 右回り座標系では右回転ドープ物質のα1 iは正
となり、左回転ドープ物質のα1 iは負となる。従
つて|α2 1c1|=|α2 2c2| であると温度に無関係なヘリツクスピツチが得ら
れる。|α1 1c1|=|α1 2c2|となるように濃度を
選ぶとτ=0でヘリツクスの逆転が起る。同様に
してヘリツクスピツチを温度上昇に伴つて一種類
のチラル化合物をドープしたときよりも急激に増
大又は減小させることができる。 ヘリツクスピツチが温度に無関係であるとしき
い値電圧もこれらの量が直線的関係にあるとき温
度に無関係に一定である。この関係は一般にコレ
ステリツク相がネマチツク相に移る電界に対して
成立する。完全に直線的でなくても場合によつて
はヘリツクスピツチの温度特性を適当に補正する
ことにより一定のしきい値電界とすることができ
る。 (1)式の関係自体は以前からよく知られていて例
えば雑誌“Mol.Cryst.and Liq.Cryst”15,
1975,p.27に記載されている。この文献には更に
回転能力が一般に温度に関係することが示されて
いる。この関係を計算によつて求めることは
“Naturwissenschaften,62,1975,S.436に発表
されている。この論文の著者は観測された温度特
性を分子回転の秩序パラメータに及ぼす温度の影
響に帰している。しかしそれから導かれた関係か
らは定量的に満足できる結果は与えられない。最
近発表された論文(Mol.Cryst.and Liq.
Cryst.42,1977,p.15)にはこの関係の知識が括
められているが、第一に誘起されたコレステリツ
ク組織は天然のコレステリツク相とは異つた挙動
を示すこと、第二に誘起されたねじりの温度特性
を精確に表現する式を解析的に導くことができる
がその物理的の解明はまだなされていないことが
確言されている。上記の文献によればホスト物質
中に強制的に作られたコレステリツク配向現象は
長い間活発な科学的の興味を持たれているがこの
観測結果を利用して誘起されたねじりにある目的
に沿つた影響を与えることは考えられていなかつ
た。特に回転性の異る添加物の多重ドーピングに
より特定の温度特性を達成しようとする考えが示
唆されることはなかつた。 この発明による多重ドーピングは多くの表示原
理に対して有利である。即ち多くの相転移効果例
えば可逆相転移、ヒステリシスを伴う相転移(二
安定効果)、メモリ性能を持つ相転位においてタ
ーンオン又はターンオフしきい値電圧に問題とな
る余地のない温度特性を与えることができる。 ツウイステツドネマチツク効果に基くデイスプ
レイの場合容易に温度に無関係な一定のヘリツク
ス・ピツチを設定することができる。温度に無関
係なしきい値電圧も実現可能であり、静止状態の
ヘリツクスピツチが短い程その実現が容易であ
る。 電界による変形に基くダイナミツク型のデイス
プレイにおいても温度に無関係なしきい値電圧を
考えることができる。最後に螺旋構造においての
波長選択性の反射を利用する泡領域表示装置を温
度に対して安定化することも可能であると考えら
れる。 図面についてこの発明を更に詳細に説明する。 第1図に示した液晶セルは前面支持板1、背面
支持板2、これらの支持板を連結する枠3および
両支持板と枠3によつてかこまれた室を満たす液
晶層4から構成されている。支持板の向い合つた
内面にはそれぞれ導電層と液晶分子を配列させる
配向層8と9が設けられている。前面の導電層は
セグメント電極6となり、背面の導電層は連続し
た背面電極7となつている。この表示セルは相転
移効果に基くもので充分高い電圧を印加すること
により静止状態において誘起されたコレステリツ
ク配向がホメオトロピロク−ネマチツク配向に移
る。印加電圧を下げて行くとこの相は最初の中そ
のまま保持され、第二しきい値以下に下るとねじ
られた出発状態に戻る。 この実施例の液晶層は商品名S1132で呼ばれて
いるメルク社のネマチツク基礎材料に二種類のチ
ラル化合物が添加されたものである。添加材は共
にメルク社のもので商品名CB15およびZLI811で
呼ばれている。基礎材料S1132は三種類のフエニ
ルシクロヘキサンの混合物である。両添加材の化
学構造式は第表に示されている。両添加材の添
加重量比はCB15が1275重量%、ZLI811が10.63重
量%である。第2図の曲線11で示すようにター
ンオフしきい値電圧は約−3℃から+40℃の間で
実質上一定であるがメルク社の商品名E8で呼ば
れているネマチツク基礎材料に上記のCB15を
6.83重量%、ZLI811を6.33重量%加えたものは曲
線12で示すように10℃から40℃までの狭い温度
範囲でターンオンしきい値電圧がほぼ一定であ
る。 第3図には種々のドープ物質を同じネマチツク
基礎材料(メルク社の“nematische Phase
4”)に溶解したもののヘリツクスピツチの相対
値(30℃の値に対する比)を温度の関数として示
す。このネマチツク基礎材料は二種類のアゾキシ
化合物
【式】と
【式】の共融混合
物である。
これらの物質に対するベキ級数の係数は第表
にまとめてある。第表には使用されたチラル化
合物の化学構造式と添加重量比が挙げてある。
にまとめてある。第表には使用されたチラル化
合物の化学構造式と添加重量比が挙げてある。
【表】
【表】
【表】
測定値曲線と表の値から個々の場合にどのドー
プ物質が有利であるかを判定することができる。
その際各ドープ物質のねじり性能は基礎材料の特
性にも関係することを注意しなければならない。
一般にヘリカルツウイスチングパワーの強い方が
低い濃度ですみ、結果としてのねじりが近似式(1)
によつて最も良く記述することができるため有利
である。 第4図は同じく30℃の値に対する比として
“nematische Phase 4”と添加物CB15および
ZLI811の混合物のヘリツクスピツチの大きさを
示す。ここでは両チラル化合物の濃度比(=
ZLI811の濃度/(ZLI811の濃度+CB15の濃
度))がパラメータにとつてある。測定値曲線か
ら混合物の僅かの変化により既にヘリツクスピツ
チの温度特性が大きく影響を受けることが分る。
=0.29(ZLI811とCB15の濃度ははそれぞれ
0.379重量%と0.908重量%)のときピツチは68μ
mで−10℃から+60℃の範囲で±3%まで一定で
ある。ZLI811の割合を=0.34となるまで高める
ピツチは温度が高くなるにつれて小さくなる。
ZLI811の濃度を高くして=0.36にすると極端に
急峻な極点をするヘリツクス構造となり更に濃度
を僅かに高くして=0.37とするとピツチは温度
上昇に伴つて急激に増大する。 この発明は上記の実施例に限定されない。例え
ば所望の温度特性を達成するため二種類だけでは
なくそれ以上の右回転または左回転の添加材また
はその両方を加えることができる。又液晶セルを
電圧以外の物理量で制御してもよい。例えば磁界
が考えられる。一般的に言つてこの発明は液晶デ
イスプレイの温度に関係する特性値をヘリツクス
パラメータの温度特性を変えることによつて適当
な温度特性とする場合に有利である。例えばIC
として構成された制御ユニツトの温度ドリフトを
液晶と適当な多重ドーピングにより阻止すること
ができる。
プ物質が有利であるかを判定することができる。
その際各ドープ物質のねじり性能は基礎材料の特
性にも関係することを注意しなければならない。
一般にヘリカルツウイスチングパワーの強い方が
低い濃度ですみ、結果としてのねじりが近似式(1)
によつて最も良く記述することができるため有利
である。 第4図は同じく30℃の値に対する比として
“nematische Phase 4”と添加物CB15および
ZLI811の混合物のヘリツクスピツチの大きさを
示す。ここでは両チラル化合物の濃度比(=
ZLI811の濃度/(ZLI811の濃度+CB15の濃
度))がパラメータにとつてある。測定値曲線か
ら混合物の僅かの変化により既にヘリツクスピツ
チの温度特性が大きく影響を受けることが分る。
=0.29(ZLI811とCB15の濃度ははそれぞれ
0.379重量%と0.908重量%)のときピツチは68μ
mで−10℃から+60℃の範囲で±3%まで一定で
ある。ZLI811の割合を=0.34となるまで高める
ピツチは温度が高くなるにつれて小さくなる。
ZLI811の濃度を高くして=0.36にすると極端に
急峻な極点をするヘリツクス構造となり更に濃度
を僅かに高くして=0.37とするとピツチは温度
上昇に伴つて急激に増大する。 この発明は上記の実施例に限定されない。例え
ば所望の温度特性を達成するため二種類だけでは
なくそれ以上の右回転または左回転の添加材また
はその両方を加えることができる。又液晶セルを
電圧以外の物理量で制御してもよい。例えば磁界
が考えられる。一般的に言つてこの発明は液晶デ
イスプレイの温度に関係する特性値をヘリツクス
パラメータの温度特性を変えることによつて適当
な温度特性とする場合に有利である。例えばIC
として構成された制御ユニツトの温度ドリフトを
液晶と適当な多重ドーピングにより阻止すること
ができる。
第1図はこの発明の対象となる液晶セルの断面
を示し、第2図はこの発明による液晶セルのター
ンオンしきい値電圧の温度特性、第3図と第4図
は種々の混合液晶材料のヘリツクスピツチの温度
特性曲線を示す。第1図において1と2は支持
板、3は支持板連結枠、4は液晶層、6と7は電
極、8と9は液晶分子配向層である。
を示し、第2図はこの発明による液晶セルのター
ンオンしきい値電圧の温度特性、第3図と第4図
は種々の混合液晶材料のヘリツクスピツチの温度
特性曲線を示す。第1図において1と2は支持
板、3は支持板連結枠、4は液晶層、6と7は電
極、8と9は液晶分子配向層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 二つの支持板の間に挟まれ二つの異なる光学
的状態間に切換可能な液晶層を備え、この液晶層
はネマチツク基礎材料と少くとも二つのチラル添
加物とを含み、このチラル添加物はともに液晶層
内でその両光学的状態の一つにおいて、ねじりに
よつて特徴づけられたコレステリツク相を誘起す
るような液晶セルにおいて、一方のチラル添加物
はネマチツク基礎材料中に右回りのねじれを発生
させるものであり、他方のチラル添加物はネマチ
ツク基礎材料中に左回りのねじれを発生させるも
のであり、ヘリツクスパラメータの温度関数を制
御して液晶セルの特性の温度化を設定し得るよう
にしたことを特徴とする液晶セル。 2 誘起されたコレステリツク相のねじりが一定
の温度範囲内で少くとも近似的に温度に無関係な
ピツチを持つようなチラル添加物が選ばれている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液
晶セル。 3 誘起されたコレステリツク相のねじりが特定
の温度(To)を通過するときその回転方向と変
え、この温度において無限大のピツチを持つよう
なチラル添加物が選ばれていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の液晶セル。 4 誘起されたコレステリツク相のねじりが一定
の温度範囲内で温度の上昇と共に一種類のチラル
添加物だけが加えられているときよりも急速に増
大するピツチを持つようなチラル添加物が選ばれ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の液晶セル。 5 誘起されたコレステリツク相のねじりが一定
の温度範囲内で温度の上昇と共に一種類のチラル
添加物だけが加えられているときよりも急速に減
小するピツチを持つようなチラル添加物が選ばれ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の液晶セル。 6 ターンオンしきい値電圧またはターンオフし
きい値電圧またはその双方が一定の温度範囲内で
少くとも近似的に温度に無関係となるようなチラ
ル添加物が選ばれてくることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の液晶セル。 7 ターンオンしきい値電圧またはターンオフし
きい値電圧またはその双方が一定の温度範囲内で
少くとも近似的に温度に対して直線的に変化する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液
晶セル。 8 二つの支持板の間に挟まれ二つの異なる光学
的状態間に切換可能な液晶層を備え、この液晶層
はネマチツク基礎材料と少くとも二つのチラル添
加物とを含み、一方のチラル添加物はネマチツク
基礎材料中に右回りのねじれを持つコレステリツ
ク相を誘起し、他方のチラル添加物はネマチツク
基礎材料中に左回りのねじれを持つコレステリツ
ク相を誘起する液晶セルを、誘起されたコレステ
リツク相とネマチツク相との間で切り換えること
を特徴とする液晶セルの駆動方法。 9 液晶層が二つの直線偏向子の間に置かれ、誘
起されたコレステリツク相のねじり軸が板面に垂
直であり、そのピツチpと液晶層の厚さdとの間
にはnを自然数としてp=d/(1/4+n/2)
の関係があり、ネマチツク相は板面に垂直な優先
方向を持つことを特徴とする特許請求の範囲第8
項記載の方法。 10 二つの支持板の間に挟まれ二つの異なる光
学的状態間に切換可能な液晶層を備え、この液晶
層はネマチツク基礎材料と少くとも二つのチラル
添加物とを含み、一方のチラル添加物はネマチツ
ク基礎材料中に右回りのねじれを持つコレステリ
ツク相を誘起し、他方のチラル添加物はネマチツ
ク基礎材料中に左回りのねじれを持つコレステリ
ツク相を誘起する液晶セルを、誘起されたコレス
テリツク相と一つのダイナミツク制御相との間で
切り換えることを特徴とする液晶セルの駆動方
法。 11 二つの支持板の間に挟まれ二つの異なる光
学的状態間に切換可能な液晶層を備え、この液晶
層はネマチツク基礎材料と少くとも二つのチラル
添加物とを含み、一方のチラル添加物はネマチツ
ク基礎材料中に右回りのねじれを持つコレステリ
ツク相を誘起し、他方のチラル添加物はネマチツ
ク基礎材料中に左回りのねじれを持つコレステリ
ツク相を誘起する液晶セルの誘起されたコレステ
リツク相を弾性的に変形させることを特徴とする
液晶セルの駆動方法。 12 二つの支持板の間に挟まれ二つの異なる光
学的状態間に切換可能な液晶層を備え、この液晶
層はネマチツク基礎材料と少なくとも二つのチラ
ル添加物とを含み、一方のチラル添加物はネマチ
ツク基礎材料中に右回りのねじれを持つコレステ
リツク相を誘起し、他方のチラル添加物はネマチ
ツク基礎材料中に左回りのねじれを持つコレステ
リツク相を誘起する液晶セルを、誘起されたコレ
ステリツク相と印加物理量の減少または停止の際
も保存される一つの相との間で切り換えることを
特徴とする液晶セルの駆動方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2827471A DE2827471C2 (de) | 1978-06-22 | 1978-06-22 | Flüssigkristallzelle mit einer induzierten cholesterischen Phase |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5538869A JPS5538869A (en) | 1980-03-18 |
| JPS6146030B2 true JPS6146030B2 (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=6042496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7899679A Granted JPS5538869A (en) | 1978-06-22 | 1979-06-22 | Liquid crystal cell and driving same |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4264148A (ja) |
| JP (1) | JPS5538869A (ja) |
| DE (1) | DE2827471C2 (ja) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2462755A1 (fr) * | 1979-07-27 | 1981-02-13 | Thomson Csf | Dispositif de visualisation a cristal liquide, et terminal telephonique comportant un tel dispositif |
| US4296631A (en) * | 1979-09-21 | 1981-10-27 | Becton, Dickinson And Company | Liquid crystal compositions and devices |
| JPS5782818A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-24 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display body |
| JPS57204516A (en) * | 1981-06-11 | 1982-12-15 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display body |
| JPS5829877A (ja) * | 1981-08-13 | 1983-02-22 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体 |
| JPS58111883A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-04 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体 |
| JPS59126492A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-21 | Fujitsu Ltd | 液晶組成物 |
| IT1172826B (it) * | 1983-04-20 | 1987-06-18 | Consiglio Nazionale Ricerche | Dispositivo a cristalli liquidi per la rotazione continua della polarizzazione selettiva di luce monocromatica |
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| JPS6054341A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-28 | Chisso Corp | 液晶性炭酸エステル類 |
| DE3333677A1 (de) * | 1983-09-17 | 1985-04-04 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fluessigkristall-phase |
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| US4622635A (en) * | 1984-02-13 | 1986-11-11 | Automated Controls Inc. | Portable display and control terminal for wells |
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| JPH0717904B2 (ja) * | 1985-01-29 | 1995-03-01 | 旭硝子株式会社 | 強誘電性液晶組成物 |
| US5076962A (en) * | 1985-03-12 | 1991-12-31 | Chisso Corporation | Ferroelectric chiral smectic liquid crystal composition |
| JPS61249019A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
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| EP0217239B1 (de) * | 1985-09-30 | 1990-10-24 | Hoechst Aktiengesellschaft | Chirale Phenolester mesogener Carbonsäuren und ihre Verwendung als Dotierstoff in Flüssigkristal-Phasen |
| DE3534777A1 (de) * | 1985-09-30 | 1987-04-02 | Hoechst Ag | Fluessigkristall-phase mit eine temperaturkompensation bewirkenden dotierstoffen |
| DE3604899A1 (de) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Hoechst Ag | Chirale umsetzungsprodukte aus mesogenen molekuelbausteinen und bifunktionell reaktionsfaehigen butantetraolderivaten und ihre verwendung als dotierstoff in fluessigkristall-phasen |
| DE3604898A1 (de) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Hoechst Ag | Chirale umsetzungsprodukte aus mesogenen molekuelbausteinen und bifunktionell reaktionsfaehigen weinsaeurederivaten und ihre verwendung als dotierstoff in fluessigkristall-phasen |
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1978
- 1978-06-22 DE DE2827471A patent/DE2827471C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-06-15 US US06/048,795 patent/US4264148A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-06-22 JP JP7899679A patent/JPS5538869A/ja active Granted
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