JPS6054341A - 液晶性炭酸エステル類 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規力・液晶性物質及び該液晶性物質を含有す
る液晶組成物に関１−１更に詳しくは光学活性基を有す
るカイラル液晶性物質及びそれらを含有するカイラル液
晶組成物に関する。

現在、液晶表示装置としてはＴ　Ｎ　（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｌｃ）型表示方式が最も広く用いられている
が、応答速贋の点に於て発光型表示素子（エレクトロル
ミネッセンス、プラズマディスプレイ尋）と比較して劣
っており、この点に於ける改善を士釉々試みられている
にも拘らず、大巾な改善の可能性はあまり残っていない
様である。そのためＴＮ型表示索子に代わる別の原理に
よる液晶表示装置が抽々賊みられているが、その一つに
強誘電性液晶ケ利用する表示方式がある（Ｎ、　Ａ、　
Ｃｔａｒｋら＋　Ａｆ）Ｐｔｆｅｄ　ｐｈｙｓ、　１ｅ
ｔｔ、　、　８６゜８９９（１９８０））。この方式は
強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ相（以下ＳＣ＊
相と略称する）或はカイラルスメクチックＨ相（以下Ｓ
Ｈ＊相と略称する）を利用するもので、それが室温付近
にあるものが望ましい。本発明者らは、この表示方式に
利用されるに適した液晶物質の開発を主たる目的として
、光学活性基を含む液晶物質を種々探索して本究明に到
達した。

即ち本発明は一般式 （１） （但し上式に於てＲは炭素数１〜１８の直釦又は分枝ア
ルキル基を示し、ｔは０又は１＋ｍはｔ−ｏのときは１
．ｔｌｌＩ＋１のときは１又は２であル、Ｘはｍ！１の
ときはＣＯＯ又は−０−であｊ）ｍｘ２のときは単結合
である。又、＊は光学活性炭素を示す） て表わされる炭酸エステル類及びそれを含有する液晶組
成物である。

（１）式でｔ−１の化合物は強誘電性を利用する液晶表
示方式に適したＳＣ＊相を広い温度範囲で示す。又、他
のＳＣ＊相、　ＳＨ＊相を呈する化合物及Ｕコレステリ
ック相を呈する化合物等との相溶性にすぐれているので
それ等と混合して、そのＳＣ＊相を呈する温度範囲を拡
大するために使用できる。

又（１）式で１−００化合物はスメクチック液晶になら
ないものが多いが、いわゆるカイラル液晶性ｌｌ＆ｌ５
Ｉｉとして、カイラルスメクチック液晶組成物を構成す
る成分として有用なものである。

表１に本発明の（１）式の化合物の主要なものの相転移
点を示す。

　５− 上表に於いてＣは結晶相を、８Ａはスメクチック人相を
、■は等方性液体相、Ｃｈはコレステリック相を夫々表
わし各相の欄の・及び右側の数字はその相から右側の相
への相転移温度を示し、−はその相を示さないことを示
す。又、（）はモノトロピック転移温屁であることを示
す。

（１）式の化合物を使用してカイラルスメクチック液晶
組成物を構成する場合、（１）式の複数の化合物のみよ
如構成することも可能であり、又（１）式の化合物と他
のスメクチック液晶と混合してＳＣ＊相を呈する液晶組
成物を製造することも可能である。ＳＣ＊相の光スイツ
チング効果を表示素子として応用する場合ＴＮ表示方式
にくらべて８つのすぐれた特徴がある。第１の特徴は非
常に高速で応答し、その応答時間は通常のＴＮ表示方式
の素子と比較すると、応答速度は１／１０Ｇ以下である
。第２の特徴はメモリー効果があることであル、上記の
高速応答性とあいまって、時分割駆動が容易である。第
８の特徴は７− ＴＮ表示方式で濃淡の階調をとるには、印加電圧を調節
して行なうが、しきい値電圧の温度依存性や応答速度の
電圧依存性などの難問がある。

しかしＳＣ＊相の光スイツチング効果を応用する場合に
は極性の反転時間を調節することにより、容易に階調を
得ることができ、グラフィック表示に非常に適している
。

表示方法としては、２つの方式が考えられ、１つの方法
は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲスト・ホスト型である。ＳＣ＊
相は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転するこ
とにより、らせん軸を回転軸として分子が反転する。Ｓ
Ｃ＊相を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行に
ならぶよル向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶
分子のダイレクタ−と一方の偏光面を平行になるように
配置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧
を印加して、極性を反転することにより、明視野および
暗視野（偏光子の対向角度によ）決まる）が得られる。

　８− 一方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の
極性を反転′することにより明視野及び着色視野（−元
板の配置によシ決まる）を得ることができる。

一般にスメクチック状態で液晶分子をガラス壁面に半行
に配向させることは難かしく、数十キロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆっくりと冷却する（１°
Ｃ〜２°Ｏ／ｈｒ）ことにより、液晶分子を配向させて
いるが、コレステリック相を有する液晶物質では磁場の
代わりに５０Ｖ−１００Ｖの直流電圧を印加しなから１
　’Ｃ／　ｍｉｎの冷却速度で冷却することにより、容
易に均一に配向したモノドメイン状態を得ることができ
る。

（１）式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を籾起する能力を有する。

捩れ九構造を有するネマチック液晶、即ちカイラルネマ
チック成品はＴ　Ｎ型表示素子のいわゆるリバース−ド
メイン（ｒｅｖｅｒｓｅ　ｄｏｍａｉｎ　、　しま模様
）を生成することがないので（１）式の化合物はリバー
ス・ドメイン生成の防止剤として使用できる。

尚（Ｉ）式の光学活性体に対応するラセミ体は、後記す
る光学活性体の製法に於いて原料と１．てＳ←）−２−
メチル−１−ブタノールの代シにラセミ体の２−メチル
−１−ブタノールを使用することによって、同様に製造
され（１）とｉ”＝ｉ”ｚ同じ相転移点を示す。ラセミ
体はＳＣ＊相の代りにＳＣ相を示し、光学活性体（１）
に添加してカイラルスメクチックのピッチの調整に使用
できる。

本発明の（１）式の化合物は次の様な工程により製造す
ることができる。

ＨＯ−＠−ＣＨＯ（璽ン ＲＯＣＯＯ舎ＣＨＯ（至） ＲＯＣＯＯ−＠−ＣＯＯＨ（ｌす ■ 即ち、既知物質である４−ヒドロキシベンズアルデヒド
（履）をピリジン存在下でクロルギ酸アルキルと反応し
て化合物＠）を得る。化合物（ＩＩ）を酢酸ＩＨ媒中、
無水クロム酸等の酸化剤ケ作用して化合物（ＩＶ）を得
る。化合物ＧＶ）に塩化チオニルと反応して化合物α）
とし、（Ｖ）をピリジン存在下で、Ｍ軽重的化合物に対
応する（ＶＤ式の光学活性基を有するフェノール類ど反
応して目的の（ｉ）式の化合物を得る。（ＶＤ式の化合
物のＩＩｊＡ造法については実ｈｉｔｉ例甲で述べる。

１１− 以下実施例により本発明の液晶性化合物及び液晶組成物
につき更に詳細に説明する。

実施例１ （４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸−４’−
（Ｓ−２−メチルブチルオキシ）フェニルエステル（（
Ｉ）式に於いてＲ”　Ｃ＋＋Ｈｔｏ　−Ｌ寥０゜ｍ＝１
．Ｘ＝−０−のもの）の製造〕 Ａ）４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸クロリ
ドの製造。

４−ヒドロキシペンズアルデヒ）”　１６１／（０，１
８１モル）を乾燥ピリジン１００ｇ／に溶解したものに
、クロルギ酸ノニル２４．７Ｆ（０，１１９モル）を加
え反応した。よく攪拌し一夜放置後、トルエン１００ｍ
１．水１００ｇｔを加え６Ｎ−塩酸次いで２Ｎ−苛性ソ
ーダ溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。トル
エンを留去し残ｖｉｎｔｉｓｓ、２ｙの４−ノニルオキ
シカルボニルオキジアルデヒドを得た。この４−ノニル
オキシカルボニルオキシアルデヒド２０．５Ｆ４０．０
７０モル）を酢酸６（１＊ｌＫ溶解−ν− 液を系の温度が８０°０以下を保つ様にしながら滴丁し
た。滴Ｆ終了後、水浴、ヒで内温４０°Ｃを４時間保っ
たのち冷却した。水８０　（１ｍｌを加え析出した結晶
を戸遇し結晶を水洗［７た。結晶をエタノールより再結
晶して４−ノニルオキシカルボニルオキ７安息香酸７ｇ
を傅た。このものの融点は１１８．８〜１２０．４°Ｃ
であった。

この４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸７Ｉｌ
（０，０２８モル）に塩化チオニル６ｇ（０，０５ｉ１
モル）紫加え１時間加熱相流したのら過剰の地イヒヅオ
ニルを留去して４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息
香（ｇｒ、５ｙを得た。

Ｂ）ハイドロキノンモノ（Ｓ−２−、メチルブチル）エ
ーテルの合成 まｊＪ光学活性な１）−）ルエンスルホン酸−２−メチ
ルブチルエステル２通常の方法、即ちＰ−トルエンスル
ホン酸クロＱ　ト、！：　Ｓ　（−）−２−メチル−１
−ゲタノールとをピリジン中で反応させることにより合
成する。

次にハイドロキノン２４８ｇ（２，２６２モル）と苛性
カリ８８ｇ（１，５７１モル）を水８０ｇｊ？と２ｇの
エタノールに溶解させ、そこへ上記のＰ−トルエンスル
ホン酸クロＩＪ）”−２−メチルブチルエステル８６６
１１．５１０モル）を加えて２時間、次いで還流下に７
時間加熱攪拌する。エタノール１．７７’を留去したの
ち水１．９１及び６Ｎ−塩酸を加えて酸性にすると褐色
油状物が分離する。

この褐色油状物を１５０ｍ１のへブタンで抽出し、ヘプ
タン層を水５００ｍ＋／で８回洗浄したのち溶媒を留去
し、残留物を減圧蒸留して沸点１１５〜１８５　Ｃ／　
２．５　＋ｍＨｇの留分１’１６ｆｆ＠た。

これを８００　＃／のへブタンに溶解させＩＮ−苛性ソ
ーダ水溶液１１で攪拌抽出し、抽田液をヘプタン１００
ｇ／で洗浄してのちアルカリ性水層に６Ｎ−塩酸を加え
て酸性にする。分離した油状物を水洗したのち、油状物
を減圧蒸留し沸点１０７〜ｔｔｉ℃／　２　ｍｗＨｇの
留分１４０ｇを得た。こｔｌをヘキサン２００ｇ／に溶
解してから０°Ｃに保って結晶を析出させ１２９ｆのハ
イドロキノンモノ（Ｓ−２−メチルブチル）エーテル（
融点４１〜４２°Ｃ）を得た。

Ｃ）エステル化 Ｂ）で合成したハイドロキノンモノ（Ｓ−２−メチルブ
チル）エーテル１．４ｆ（０，００８モル）をピリジン
５　ｓ／に溶解し、Ａ）で合成された４−ノニルオキシ
カルボニルオキシ安息香酸クロリド２．２１　（０，０
０７モル）を加え反応した。よく攪拌し一夜放置後、ト
ルエン５０ｇ＋／。

水５０ｓＩ／を加え攪拌抽出したのち分液漏斗に移し有
機層を６Ｎ−塩酸、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水浩液で洗
浄し、更に洗液が中性になるまで水洗【、た。トルエン
を留去し残留物をメタノールから再結晶（０°Ｃ以下で
再結晶し戸取）して目的の４−ノニルオキシカルボニル
オキシ安息香酸−４’−（Ｓ−２−メチルブチルオキシ
）フェニルエステル１ｆを得た。この化合物はｉ晶相は
示さず、融点は６６．７°Ｃでめった。又この１５− ものの元素分析値は次の如く、計算値とよく一致した。

実測値　計算値（ＣｕＨｂｓＯａとして）Ｃ７１，４％
　７１．４６％ Ｈ８，１％　８．１４％ 実施例２〜５ 実施例１のＡ）のクロルギ酸ノニルの代）に各種のクロ
ルギ酸アルキルを用い、他は実施例１に準じて操作を行
い、他の（１）式でｔｘＯ，ｍ−ｉ、ｘ−−ｏ−の化合
物を得ることができる。

それらの融点を実施例１の結果と共に表１の実施例２〜
５に表す。

実施例６ （４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香［−４’−
（Ｓ　−２−メチルブチルオキシカルボニル）フェニル
エステル（（■）式に於いてＲ−ＣｇＬ＊　＋Ｌ　−０
＋　ｍ　＝　ｉ　＋　Ｘ　−ｃｏｏのもの）の製造）Ａ
）　４−ヒドロキシ安息香酸（Ｓ−２−メチルブチル）
エステルの合成。

４−ヒドロキシ安息香酸２０９ｆ（１，５１８−市− モル）と８（−）−２−メチル−１−ブタノール２００
ｆ（２，２６９モル）、ベンゼン５００　ｗｔを攪拌し
たところへ濃硫酸１０ｇ／を注意深く加え、次いで還流
下に１７時間加熱攪拌する（脱水１ｉ　８０　ｍｌ　）
。冷却し水１００＋ｗｔとトルエン６００　ｍｌを加え
て攪拌抽出してから分液漏斗に移し、その有機＃を５％
の炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、次いで飽和食塩水で
洗浄してから無水硫酸ナトリウム１００Ｎを入れ乾燥し
たのち濾過し、溶媒を減圧下で留去し、更に過剰の８　
（−）　−２−メチル−１−ブタノールも留去すると４
−ヒドロキシ安息香酸（Ｓ−２−メチルブチル）エステ
ル８１６Ｎが得られた。

Ｂ）エステル化 Ａ）で得られた４−ヒドロキシ安息香酸（Ｓ−２−メチ
ルブチル）エステル１．７　ｆ　（０，００８モル）を
ピリジン５　ｍｌに溶解し４−ノニルオキシカルボニル
オキシ安息香酸クロリド２．２ｆ（０，００７モル）を
加え反応した。よく攪拌し、−夜放置抜トルエン５０　
Ｍ／　＠水５０ｍ１を加えて攪拌抽出したのち分液漏斗
に移し、有機層を６Ｎ−塩酸次いで２Ｎ−苛性ソーダ溶
液で洗浄し、更に洗液が中性になるまで水洗した。トル
エンを留去し残留物をメタノールから再結晶、濾過して
目的の４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸−４
’−（Ｓ−２−メチルブチルオキシカルボニル）フェニ
ルエステル０．９ｆｌ＄た。このものはモノトロピック
のスメクチックＡ液晶−ｔ’そのＣ−Ｉ点は４８．０’
Ｃ，Ｉ　ｅＳ　Ａ点は４１．６℃であった。又、この化
合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致した。

実測値　計算値（ＣｚｅＨｚｓＯｙとして）０　６９．
８％　６９．８５％ ■　７．２％　７．６８％ 実施例７〜９ 実施例６と同様にして、他のアルキル基を有する（夏）
式でｔ−ａ　Ｏ、ｍ＝　１　、ｘ−ｃｏｏの化合物の合
成を行うことができる。それらの融点を実施例６の結果
と共に表１の実施例７〜９に示す。

実施例１０ （１）−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸−４−
（Ｓ−８−メチルペンチル）−４′−ビフェニリルエス
テル（（Ｉ）式に於いてＲ＝　Ｃ９Ｈ１，。

ノー１．ｍ”２．Ｘｓ−単結合のもの）の製造〕Ａ）４
−（Ｓ−８−メチルペンチル）−４′−ヒト四キシビフ
ェニルのけ成 （第１段階） 三１”１フラスコに乾燥窒素算囲気下、削り状マグネシ
ウム１２．４ｆ（０，５１０モル）と乾燥エーテル５０
ｍ１ｋ人ね、攪拌したところへ（ト）臭化−２−メチル
ブチル（Ｓ←）−２−メチル−１−ブタノールより夷化
燐により製造）を乾燥エーテル１ｅに溶解した溶液を、
系の温度が２５°Ｃり下になる様に保ちながら滴下［、
た。

滴１：終了後、室温で８０分を保ったのち市販品の４−
オクチルオキシ−４′−シアノビフエニル１２９Ｆ（０
，４２０モル）を乾燥エーテル１１に溶解した＃ｖ階を
系の温ｔｆが１０°Ｃ以下になる様に保ちながら滴下し
た。滴下終了後、４時間加熱億流してから６　（１（１
ｔｔｔｌの水の中に反応液を１９− 注ぎ込み更に稀硫酸（濃硫酸４０ｍ１と水８ｏ。

ｗｌ　）を加えた。トルエン５００　ｍｌを加え攪拌抽
出し、トルエン層を水洗し洗液が中性になるまで洗浄し
た。溶媒を留去し残留物を減圧蒸留し沸点２４５〜２５
５°Ｃ／　４　ｍｒｘＨｇの留分を集め更に、アセトン
Ｂｏｗｌから再結晶して４−オクチルオキシ−４’−（
Ｓ−８−メチルペンタノイル）ビフェニル２４．６Ｆを
得た。このものもスメクチック液晶相を示し、そのＣ−
８Ａ点は７０．４″Ｏ，５Ａ−Ｉ点Ｕ９８．８”Ｃ，Ｉ
　−）ＳＣ＊点は６８．８℃であった。

（第２段階） ５００　ｍｌｌ三ツフラスコ上記で得られた４−オクチ
ルオキシ−４’−（Ｓ　−８−メチルペンタノイル）ビ
フェニル２４．６１　（０，０６５モル）と８０％ヒド
ラジンヒトラード５０露１．ジエチレングリコール８５
ｇ／を入れ、加熱攪拌し、１２０℃で１時間を保ったの
ち冷却し、５０’（Ｅに保ちながら、そこへ水酸化カリ
ウム８．８ｇ（０，１５７モル）を水５　ｍｌに溶解し
た溶液を−−加　− 挙に加えた。系の温度が２００℃になる様に水等＊Ｖ４
ｉ去し、２００°（］で４４時間反したのち冷却した。

次いで水２００譚ｌとトルエン５０譚ｔｆ：加え分液―
斗に移し有機ｊ−を水洗し洗液が中性になるまで洗浄し
た。溶媒を留去し減圧蒸留して沸点２１０〜２１８°Ｃ
／　ａ　ＩＪＨｇの留分を集めエチルアルコール２０　
ｗｔｌ　ト酢Ｍエテル５ｓ＋１（７）混合解媒から＃ｌ
）結晶Ｌ７て４−オクチルオキシー４’−Ｃ８−８−メ
チルペンチル）ビフェニル１８．５Ｎを得た。このもの
もスメクチック液晶でそのＣ−８１点け４８．０°Ｃ，
Ｓｔ−８Ｈ＊点５７．９”Ｏ，ＳＨ＊−８Ｃ＊点６２．
５°０．ＳＣ＊−Ｉ点６５．１°Ｃであった。（ここで
Ｓｔは累性が不ψＪなスメクチック相である）。

〔第８段ｌ５ｈ） ５００　ｍｌｌ三ツフラスコ上記で得られた４−オクチ
ルオキ７−４’−（Ｓ−８−メチルペンタン）ビフェニ
ル１８．５ｆ（０，０８７モル）と酢酸１２０ｍ１．４
７％臭化水素酸１５諺ｌ金入れ、攪拌しながら４０時間
還流した。冷却し水１５０Ｉｌｌｌとトルエン５０ｇ／
を加え分液漏斗に移して水洗し、洗液が中性になるまで
洗浄した。溶媒を留去しヘプタンから再結晶して４−（
Ｓ−８−メチルペンチル’）　−４’−ヒドロキシビフ
ェニル６．５１を得た。融点は１２０．７〜１２２．６
°ｃ０Ｂ）エステル化 Ａ）で得られた４−（８−８−メチルペンチル）−４′
−ヒドロキシビフェニル２．０１　（０，００８モル）
をピリジン５　ｙｘｌに溶解したものに実施例１（ＩＤ
Ａ）で合成しｆｃ４−ノニルオキシカルボニルオキシ安
息香酸クロリド２．２１１（０，００７モル）を加え反
応した。よく攪拌し一夜放置後、トルエン１０１１／％
水１０ｇ／を加え分液漏斗に移し有機層を６Ｎ−塩酸次
いで２Ｎ−苛性ソーダ溶液で洗浄し更に洗液が中性にな
るまで水洗した。トルエンを留去し、残留物をメタノー
ルかう再結晶して目的のＰ−ノニルオキシカルボニルオ
キシ安息香酸−４−（Ｓ−８−メチルペンチル）　−４
’−ビフェニリルエステル１．ｏｙをｎた。このものは
スメクチック及びコレステリック液晶で、・そのｃ−ｓ
ｃ＊点は７５．０°ｃ、ｓｃ＊−Ｃｈ点は１０５．８°
Ｃ，Ｃｈ−Ｉ点は１４Ｂ、４°Ｃであった。又、この化
合物の元素分析値は次の如＜ｉｔ算値とよく一致【−だ
。

実測値　８１鉢値（Ｃ５ａＨｎＯ６とじて）Ｃ７７，１
％　’ＩＴ、１’１％ ＩＩ　８．１％　８．１４％ 実施例１１−１４ 実施例１０と同様にして、他のアルキル基を有する（１
）式でｔｗｌ＋ｍ−２＋Ｘ−単結合の化合物の合成を行
うことができる。それらの相転移点を実施例１０の結果
と共に表１の実施例１１〜１４に示す。

５）！、Ｍｉ例１５ （Ｐ−ノニルオキ７カルポニルオキシ安息香酸−４−（
Ｓ−２−メチルブチルオキシ）−４′−ビフェニリルエ
ステル（（１）式に於いてＲ＝　ＣＩＩＨＩＩＩ　＋ｔ
ｍｌ、ｍｍ１．．Ｘ−−ｏ−のもの）の製造）Ａ）４−
（Ｓ−２−メチルブチルオキシ）−４′−ヒドロキシビ
フェニルノ合成 −斜　− ５００９（Ｃ４，４’−ジヒドロキシビフェニル。

７．５１のエタノール、８０２ｆの水酸化カリウムの混
合物を還流下に加熱攪拌し、ｆ＋）Ａ化−２−メチルブ
チル（Ｓ（−）−２−メチル−１−ブタノールより臭化
燐によシ製造）５８０１を簡下し４時間反応した。エタ
ノールを留去し２１の水を加えて濾過し不溶物を集めた
。この不溶物にトルエンを加えトルエンに可溶物を除去
した。

この可溶物はエタノールで再結晶して融点８０、５　＠
０のリンペン状結晶となった。（これは４．４１−ジ（
Ｓ−２−メチルブチルオキシ）ビフェニルであることが
確認された。）不溶部分を８Ｎ＝塩酸と加熱攪拌しての
ち冷し固形物を集めこれをトルエン、次いでエタノール
より再結晶して融点１　Ｂ　７．５°Ｃの４−（Ｓ−２
−メチルブチルオキシ）　−４’−ヒドロキシビフェニ
ル１２５ＩＩを得た。

Ｂ）エステル化 上記で得られた４−（Ｓ−２−メチルブチルオキシ）−
４’−ヒドロキシビフェニル２ｆをピー　消　− リジン５　ｍｌに溶解したものに、４−ノニルオキシカ
ルボニルオキシ安息香酸り四リド２．２ｆｔ−加え反応
した。よく攪拌し一夜放置後、トルエン５（１＋／、水
５０ｓ／を加え攪拌抽出したのち分液漏斗に移し、その
有機層を６Ｎ−塩酸１次いで２Ｎ−苛性ソーダ溶液で洗
浄し、更に洗浄液が中性になるまで水洗した。トルエン
を留去し残留物をメタノールから再結晶して目的のＰ−
ノニルオキシカルボニルオキシ安り香酸−４−（Ｓ−２
−メチルブチルオギシ）　−４’−ビフェニリルエステ
ル１．１ｇを得た。このもののＣ−８Ｃ＊点は７１．８
°ｃ、ｓｃ”−ｃｈ点は１０６．５℃。

ｃｈ−ｒ点ｉＪ、　１５７．７°Ｃであった。又、この
化合物の元素分析値は次の如く組算値とよく一致した。

実測値　削１４−値（Ｃ１４Ｈ４２０６として）Ｃ７４
，６％　７４．６９％ Ｈ７，７％　７．７５％ 実施例１６．１７ 実施例１５と同様にして、他のアルキル基を有する中成
でｔｗｌ、ｍｍｌ、Ｘ悶−０−の化合物の合成を行うこ
とができた。それらの相転移点を実施例１５の結果と共
に表１の実施例１６．１７に示す。

実施例１８ ＣＰ−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸−４−（
Ｓ−２−メチルブチルオキシカルボニル）　−４’−ビ
フェニリルエステルｌ）弐に於いてＲ”　ＣＱＨ１９＊
　ｔ−１＋　ｍ　−１＋　Ｘ　−Ｃ００Ｏもの）の製造
〕 Ａ）　４−ヒドロキシ−４′−ビフェニルカルボン酸（
Ｓ−２−メチルブチル）エステルの合成。

４−ヒドロキシ−４′−ビフェニルカルボン酸２０１と
Ｓ←）−２−メチル−１−ブタノール８（１，ベンゼン
５０ｍ１を攪拌したところへ濃硫酸２　ｍｌを加え、次
いで還流下に１７時間加熱攪拌する。冷却し水５０ｇ／
、）ルエン１００ｇ／を加え攪拌抽出する。有機層を５
％炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、次いで飽和食塩水で
洗浄してから溶媒を留去し、残留物をベンゼンとへブタ
ンの混合溶媒から再結晶して４−ヒドロキシ−４′−ビ
フェニルカルボン＊（８−２−メチルブチル）エステル
７ｇを得た。融点は１１４．２〜１１５．６°Ｃｕ １１）エステル化 上記で得うｔまた４−ヒドロキシ−４１−ビフェニルカ
ルボンＭＣ８−２−メチルブチル）エステル２．８ｆを
ピリジン５　ｍｌに溶解したものに、４−ノニルオキシ
カルボニル安息香酸クロリド２．２１を加え反応した。

よく攪拌し一夜放置後、トルエン５０　ｍｌ　＋水５０
ｗ１ｆ加え、攪拌抽出したのち分液漏斗に移し有機層を
６Ｎ−塩酸、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で洗浄し更
に洗液が中性になるまで水洗した。トルエンを留去し残
留物をメタノールから再結晶して目的のｐ−ノニルオキ
シカルボニルオキシ安息香＃ｌ−４−（Ｓ−２−メチル
ブチルオキシカルボニル）−４′−ビフェニリルエステ
ル０．８ｇを得た。このもののｃ　−ｓｃ＊点は８６．
０°ｃ、ｓｃ＊−ｃｈ点は２７− ｉｔｉ、ｏｏＯ，Ｃｈ−Ｉ点は１５５．８°Ｃであった
。

又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一
致した。

実測値　計算値（０３ＳＨ４２０７として）０　７８．
１％　７８．１４％ Ｈ７，８％　７．８７％ 実施例１９〜２２ 実施例１８と同様にして他のアルキル基を有する（１）
式でｔ−ｉ　＋　ｍ　”　１　＋　Ｘ　＝　ＣＯＯの化
合物の合成を行うことができる。それらの相転移点を実
施例１８と共に表１の実施例１９〜２２に示す。

実施例２８（使用例１） ４−エチル−４′−シアノビフェニル　２０重量％４−
ペンチル−４′−シアノビフェニル　４０］１［ｉ％４
−オクチルオキシ−４′−シアノビフェニル２６重蓋％ ４−ペンチルー４′−シアノターフェニル　１５］ｉＪ
ｉ％からなるネマチック液晶組成物を、ポリビニルアル
コール（ＰＶＡ）を塗布し、その表面をラー　あ− ピングして平行配向処理を施した透明電極からなるセル
（電極間隔１０μｍ）に注入してＴＮ型表示セルとし、
これを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバースドメイ
ンを生じているのが観察された。

上記ネマチック液晶組成物に本願実施例５の（１）式で
Ｚ　−０＋　Ｘ　厘−０−ｔ　ｍ　−１でＲ−Ｃ，Ｈ，
。

なる化合物を１重量％添加したものを使用して同様にＴ
Ｎセルとして観察したところリバースドメインは解消さ
れ、均一なネマチック相が観察された。

実施例２４（使用例２） （夏）式に於いてｔ−１，Ｘ−単結合、ｍｍ２でＲ＝　
ＣａＨｔ＋　（実施例１２）、ＩＲ■ＣｙＨ＋ｓ　（実
施例１　Ｂ　）　＋　Ｒ−Ｃ５Ｈｔｙ　（実施例１４）
なる化合物各々８０ｆｆｉ＆１ｔ％及びＡｍ　ｌ　、　
Ｘ−Ｃｏｏ、　ｍｍｌでＲ■Ｃ，Ｈ，、（実施例２０　
）　、　Ｒ−Ｃ５Ｈ１ｙ（実施ｆｔ１２２）なる化合物
各々５重量％からなる混合物は８７°Ｃ゛までＳＣ＊相
を、それ以上の温度でｃｂ相を厚し１４５”Ｃ′″ｃＳ
人相を経由することなく直接等方性液体となる。

この混合物を、ＰＶＡを塗布し、表面をラビングして平
行配向処理を施した透明電極を備えたセルに注入し、５
０Ｖの直流電圧を印加しながら等方性液体領域よりＳＣ
＊相になるまで徐冷したところ均一なモノドメインセル
が得られた。

この液晶セルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子
の間にはさみ１５Ｖの低周波数（０，５Ｈ２）の交流を
印加したところ、明瞭なスイッチング動作が観察され、
非常にコントラストも良く、応答速度が速い（２ｍｓｅ
ｃ）液晶表示素子が得られた。

尚、この液晶組成物の自発分極の値Ｐ８は２、９　ｎＣ
／ｄであった。

実施例２５（使用例８） （Ｉ）式に於いてｔ−１＋　Ｘ　−−０＋　ｍ　−１で
Ｒ”　ＣｙＨｔｓ　（実施例１６　）　、　Ｒ−Ｃ３Ｈ
１７（実施例１７　）　、　Ｒ＝ＣｓＨ１ｅ（実施例１
５）なる化合物各々８０．２０．２０重量％及びｔ−Ｏ
，Ｘ−ＣＯＯ，ｍ＝１でＲ−Ｃ，ＩＩ、　（実施例７）
、Ｒ−ＣａＨｘ＊　（実施例６）なる化合物各々１６重
量％から々る混合物は８２°ＣまでＳＣ＊相を示し、そ
れ以上の温度でｃｈ相を示し１２５°ＣでＳＡ相を経由
することなく直接等方性液体となる。

この混合物ＶＣアントラキノン系色素のＤ−１６（ＢＤ
Ｉ１社製品）を８１蓋％添加していわゆるゲスト・ホス
ト型にしたものを実施例２４と同様なセルに注入し％　
１枚の偏光子を偏光面が分子軸に１転ＩＭになるように
配置し、０．５＋１ｚ、１５Ｖの低周波数の交流を印加
したところ、明瞭なスイッチング動作が観察され、非常
にコントラストが良く、応答速度が逮’／ｋ　（２ｍ５
ｅｃ　）カラー液晶表示素子が得られた。

尚、この液晶組成物の自発分極の値Ｐ８は８．８ｎＣ／
ｄであった。

以上

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 （但し上式に於てＲは炭素数１〜１８の直鎖又は分校ア
   ルキル基を示し、ｔは０又はｌ。 ｍは１−０のときは１．ｔ−１のときは１又は２であシ
   、ＸｉｔｍｍｌのときはＣＯＯ又は−〇−でありｍｓ＋
   ２のときは単結合である。又、本社光学活性炭素を示す
   ） で表わされる炭酸エステル類。
2. （２）一般式 （但し上式に於てＲは炭素数１−１８の直鎖又は分校ア
   ルキル基を示し、ｔは０又は１゜ｍは１−０のときは１
   ．ｊ−１のときは１又は２であシ、Ｘ　＃ｉｍ■１のと
   きはＣ００又は−０−で’４１）ｍ−２のときは単結合
   である。 又、＊は光学活性炭素を示す） で表わされる炭酸エステル類を少くとも１ｍ含有するこ
   とを特徴とするカイラルスメクチック液晶組成物。
3. （３）複数の（１）式の化合物からなる特許請求の範囲
   ＃Ｉ２項記載の液晶組成物。
4. （４）一般式 （但し上式に於てＲは炭素数１〜１８の直鎖又は分校ア
   ルキル基を示し、ｔは０又はｌ。 ｍは１−０のときは１．ｔ−１のときはｌ又は２であシ
   、Ｘはｍ＝１のときはＣＯＯ又は−〇−であｊ）ｍｍ２
   のときは単結合である。 又、＊は光学活性炭素を示す） で表わされる炭酸エステル類を少くとも１種含有する、
   カイラルスメクチックＣ相（ＳＣ＊相）を呈する液晶組
   成物を使用して構成された光スイツチング水子。