JPS6146047A - ヒユ−ズ配線体の溶断方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野〕 本発明はヒユーズ配線体の溶断方法に関するもので、特
に半導体装置において使用されるものである。

〔発明の技術的背景〕

ＭＯＳメモリ等のＭＯＳ　　ＬＳＩにおいては、特に冗
長回路にレーザ光、電流等で溶断されるヒユーズ配線体
が使用される。第４図ないし第６図はこのようなヒユー
ズ配線体をレーザ光で溶断する様子を示す断面図である
。なお、以下の図面の説明において同一要素は同一符号
で示しである。

第４図において、半導体基板１の上に形成されたフィー
ルド酸化膜２の上に所定のパターン、太さ、断面積で形
成されたヒユーズ配線体３が設けられ、このヒユーズ配
線体３を被って透明な被覆膜４が全面に形成されている
。このヒユーズ配線体３の所定溶断部に対し、レーデ光
５が照射されると、第５図に示されるようにヒユーズ配
線体は溶融して溶融物７となって飛散するため溶断され
、またこのときの圧力により被覆膜４の一部は小片６と
なって飛散する。したがつ゛て、ヒユーズ配線体の溶断
後には第６図に示すような開口部８が溶断箇所に生ずる
ことになる。

〔背景技術の問題点〕

しかしながら、このような従来のヒユーズ配線体の溶断
方法では半導体装置に対して悲影Ｃを及ぼすことがある
。

すなわら、第６図に示したようにヒユーズ配線体の溶断
後に生じた間口部８から水分、ナトリウムイオン（Ｎａ
＋）等の不純物９が侵入し、アルミニウム配線の腐蝕を
（ｅいて信頼性を低下させる他、半導体装置の特性変動
を招くという問題がある。

このような水分等の侵入を防止するためヒユーズ溶Ｆｌ
ｉ後にヒユーズ配線体溶断部の上面に保護酸化膜１０を
形成する方法もあるが、工程が増加してコストアップを
招く上に、開口部８の周辺の被覆膜４上に飛散した小片
６を保護酸化膜１０で完全に被うことは困難で、クラッ
ク１１を発生しやす（被覆の効果を十分発揮することか
できない。

また、被覆膜４の一部が飛散した小片６は飛散時に被覆
膜４の表面に損傷を与え、＠脂封止の際にクランク、ピ
ンホール等を生じやすく、半導体装置の信頼性に悪影響
を与えるという問題もある。

〔発明の目的〕

本発明はこのような問題点を解決しようとしてなされた
もので、半導体装置の特性や信頼性に影響を与えること
のないヒユーズ配線体の溶断方法を提供することを目的
とする。

〔発明の概要〕

上記目的達成のため、本発明においては半導体基板上に
形成された絶縁膜上に形成され、透明な・被覆膜で上面
を被覆されたヒユーズ配線体の所定部に、前記ヒユーズ
配線体が溶融しかつ前記被覆膜が飛散しないエネルギー
を有するレーザ光を照射することを特徴としており、配
線体や被覆膜の飛散を招くことがなく、半導体ａｍの特
性や信頼性に悪影響を与えることのないものである。

〔発明の実施例〕

以下、添付図面の第１図ないし第３図を参照しながら本
発明の一実施例を詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の冗長回路
に設けられたヒユーズ溶断部の断面図であって、半導体
基板１上に熱酸化等により例えば１μ肌の厚さの絶縁Ｉ
Ｉ！２を形成し、その上に例えばＣＶＤ法で堆積した多
結晶シリコンにリンを拡散したものをバターニングする
ことにより厚さ０．４μｍ１幅２．０μ而のヒユーズ配
線体３を形成している。このヒユーズ配線体３および絶
縁膜２の上には例えばＣＶＤ法により約２．０μｍの被
覆酸化膜４を形成している。この被覆酸化膜４の上方か
らレーザ光５が照射される。

第２図は被覆酸化膜４の厚さくμｍ＞および照射するレ
ーザのエネルギー（μＪ）が変化したときのヒユーズ配
線体の溶断の状態、を示すグラフであって、レーザのエ
ネルギーを適当に選択することにより上部の被覆膜を飛
散させることなくヒユーズ配線体を溶断てさる範囲が存
在し、この範囲は被覆酸化膜の厚さが増加するにしたが
って広がる傾向が見られる。これは、被覆酸化膜の厚さ
が厚くなるにしたがって被覆酸化膜の強度が増加し、内
部圧力に対抗でき、容易に破壊しにくくなるためと考え
られる。

レーザとしてＹＡＧレーザを使用し、エネルギーを１．
０μＪとずれば、厚さ２．０μｍの透明な被覆酸化膜４
をレーザ光は透過し、不透明な多結晶シリコンのヒユー
ズ配線体３にレーザ光が吸収されて溶断が生ずるが、こ
のときの内部圧力に対して被覆酸化膜４は耐え得るため
飛散せず、第３図の断面図に示ずようにヒユーズ配線体
があった部分に空洞１２ができる。

以上の実施例において警よ被覆膜の厚さとレーザ光のエ
ネルギーを例示しているが、第２図に示される空洞ので
きる条件であればいかなる条件の組合せをも選択するこ
とがで之る。

また、被覆膜は実施例では酸化膜であったが、ＰＳＧ　
（リンシリケートガラス）　、ＢＳＧ　（ホウ素シリケ
ートガラス）等の保護膜を始めとするあらゆる透明で強
度のある膜を使用することができる。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によればレーザ光のエネルギーを
適当に選択することによってヒユーズ配綿体の上部に存
在丈る透明な被覆膜を飛散さゼることなくヒユー配線体
を溶断てきるので、溶断箇所から水分や不純物が侵入す
ることはなく、また飛散物も生じないため、半導体装首
の信頼性および特性に悪影響を与えることがない また、透明な被覆膜の厚さをヒユーズ配線体の厚さに対
して十分に大きくとった本発明の実施態様では、より確
実な溶断が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を示すヒユーズ溶断箇所の断面図
、第２図は被覆酸化膜とレーザエネルギーとをパラメー
タとした溶断の様子を示すグラフ、第３図は本発明を適
用して溶断を行った後の溶断箇所を示す断面図、第４図
ないし第６図は従来のヒユーズ溶断方法を示す断面図、
第７図はヒユーズ溶断後に保護膜を形成した状態を示す
断面図である。 １・・・基板、２・・・絶縁膜、３・・・ヒユーズ配線
体、４・・・被覆膜、５・・・レーザ光、６・・・小片
、７・・・溶融片、１２・・・空洞。 出願人代理人　　猪　　股　　　　　清第１図　　　　
　　　　　　　第２図 杖覆歓化鰻厚（μｍ） 第３因 １つ 第４図　　　　　　　第５図 １．６図　　　　　　第哩

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に形成された絶縁膜上に形成され、透
   明な被覆膜で上面を被覆されたヒューズ配線体の所定部
   に、前記ヒューズ配線体が溶融しかつ前記被覆膜が飛散
   しないエネルギーを有するレーザ光を照射することを特
   徴とするヒューズ配線体の溶断方法。 ２、被覆膜の厚さがヒューズ配線体の厚さに対して十分
   に厚いことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のヒ
   ューズ配線体の溶断方法。