JPS6122652A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6122652A JPS6122652A JP59143122A JP14312284A JPS6122652A JP S6122652 A JPS6122652 A JP S6122652A JP 59143122 A JP59143122 A JP 59143122A JP 14312284 A JP14312284 A JP 14312284A JP S6122652 A JPS6122652 A JP S6122652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- wiring material
- wiring body
- film
- fuse wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
- H10W20/069—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by forming self-aligned vias or self-aligned contact plugs
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にレーザ光、電流等で溶
断されるヒユーズ配線体を備えたものに使用される。
断されるヒユーズ配線体を備えたものに使用される。
ＭＯＳメモリ等のＭＯ８ＬＳＩにおいては、特に冗長回
路にレーザ光、電流等で溶断されるヒユーズ配線体が用
いられる。以下、添伺図面の第５図乃至第１１図を参照
して従来技術を説明する。
路にレーザ光、電流等で溶断されるヒユーズ配線体が用
いられる。以下、添伺図面の第５図乃至第１１図を参照
して従来技術を説明する。
なお、以下の図面の説明において同一要素は同一符号で
示しである。
示しである。
第５図は従来装置に用いられるヒユーズ配線体の一例の
平面図である。ヒユーズ配線体は溶断部分で細くなって
おり、ここを加熱することにより溶断する。
平面図である。ヒユーズ配線体は溶断部分で細くなって
おり、ここを加熱することにより溶断する。
第６図は従来装置の一構成例の断面図であり、第５図の
■−■線で切断したものである。半導体基板１２土には
下地膜１３が形成され、その〜上には溶断部の断面積が
１．２μｍ２程度のヒユーズ配線体１１が設番プられて
いる。そしてその上には、ヒユーズ配線体１１と下地膜
１３のほぼ全面を覆うような保護膜１４が形成される。
■−■線で切断したものである。半導体基板１２土には
下地膜１３が形成され、その〜上には溶断部の断面積が
１．２μｍ２程度のヒユーズ配線体１１が設番プられて
いる。そしてその上には、ヒユーズ配線体１１と下地膜
１３のほぼ全面を覆うような保護膜１４が形成される。
なお、保護膜１４の厚さはヒユーズ配線体１１の溶断部
上で１μｍ２程度となるようにしである。このヒユーズ
配線体１１の溶断は上方からレーザ光１５を照射するこ
とにより行う。
上で１μｍ２程度となるようにしである。このヒユーズ
配線体１１の溶断は上方からレーザ光１５を照射するこ
とにより行う。
第７図は第６図に示す構成例のヒユーズ溶断の様“子を
説明するための断面図である。レーザ光１５によってヒ
ユーズ配線体１１が加熱され溶断される。このため溶断
部はヒユーズ１７の飛沫となって飛散し、溶断部上の保
護膜１４は破片１６となって飛散する。このようにして
ヒユーズ配線体１１を溶断することができる。
説明するための断面図である。レーザ光１５によってヒ
ユーズ配線体１１が加熱され溶断される。このため溶断
部はヒユーズ１７の飛沫となって飛散し、溶断部上の保
護膜１４は破片１６となって飛散する。このようにして
ヒユーズ配線体１１を溶断することができる。
ところが多層配線を施した半導体装置等において保護膜
が厚くなってくると、ヒユーズ配線体の溶断が適切に行
えないという不都合が生じる。
が厚くなってくると、ヒユーズ配線体の溶断が適切に行
えないという不都合が生じる。
第８図は保護膜の厚い従来装置の一構成例の断面図であ
る。保護膜１４の厚さはヒユーズ配線体１１の溶断部上
で２μｍ２以上になっている。このうな装置に上方から
レーザ光１５を照射すると、ヒユーズ配線体１１の溶断
部とその上の保護膜１４は飛散Ｊ−る。
る。保護膜１４の厚さはヒユーズ配線体１１の溶断部上
で２μｍ２以上になっている。このうな装置に上方から
レーザ光１５を照射すると、ヒユーズ配線体１１の溶断
部とその上の保護膜１４は飛散Ｊ−る。
第９図は第８図に示す構成例のヒユーズ溶断後の断面図
であり、第１０図は溶断部分の平面図である。レーザ光
１５の照射により出来たクレータ１８の側面にはヒユー
ズ１７が付着、残留し、このためにヒユーズ配線体１１
が電気的に接続されまＩｃ状態になってしまう。
であり、第１０図は溶断部分の平面図である。レーザ光
１５の照射により出来たクレータ１８の側面にはヒユー
ズ１７が付着、残留し、このためにヒユーズ配線体１１
が電気的に接続されまＩｃ状態になってしまう。
このヒユーズの溶断成功率は保護膜が厚くなればなるほ
ど低くなる。第１１図は切断成功率と保護膜厚の関係を
説明するグラフである。図示の如く、保護膜厚を１．２
μｍ２以上にすると成功率は急激に低下する。
ど低くなる。第１１図は切断成功率と保護膜厚の関係を
説明するグラフである。図示の如く、保護膜厚を１．２
μｍ２以上にすると成功率は急激に低下する。
この対策として、従来からエツチングによりヒユーズ溶
断部上の保護膜を薄くする方法があるが、これでは余分
なマスクエ稈とエツチング工程が必要になる。
断部上の保護膜を薄くする方法があるが、これでは余分
なマスクエ稈とエツチング工程が必要になる。
本発明は上記の従来技術の欠点を克服するためになされ
たもので、ヒユーズ配線体の溶断を高い成功率で行うこ
とのできる半導体装置を提供する、ことを目的とする。
たもので、ヒユーズ配線体の溶断を高い成功率で行うこ
とのできる半導体装置を提供する、ことを目的とする。
上記の目的を達成するため本発明は、ヒユーズ配線体の
溶断部の断面積を０．５μｍ２以下にした半導体装置を
提供するものである。
溶断部の断面積を０．５μｍ２以下にした半導体装置を
提供するものである。
以下、添付図面の第１図乃至第４図を参照して本発明の
一実施例を説明・する。
一実施例を説明・する。
第１図は同実施例のヒユーズ溶断部の断面図である。半
導体基板１２上に熱酸化によって０．５μＴｒｔや厚さ
の下地１１１１３を形成し、その上にヒユーズ配線体１
１を設ける。ヒユーズ配線体１１は例えばＣＶＤ法で堆
積した多結晶シリコンにリン（Ｐ）を拡散したもので、
溶断部の高さは０．３μだ１幅は１．５μｍ２で、その
断面積は０．４５μ況である。ヒユーズ配線体１１およ
び下地膜１３上にはＣＶＤ法によって２μｍ２の厚さで
酸化膜を形成する。
導体基板１２上に熱酸化によって０．５μＴｒｔや厚さ
の下地１１１１３を形成し、その上にヒユーズ配線体１
１を設ける。ヒユーズ配線体１１は例えばＣＶＤ法で堆
積した多結晶シリコンにリン（Ｐ）を拡散したもので、
溶断部の高さは０．３μだ１幅は１．５μｍ２で、その
断面積は０．４５μ況である。ヒユーズ配線体１１およ
び下地膜１３上にはＣＶＤ法によって２μｍ２の厚さで
酸化膜を形成する。
第２図は第１図に示す実施例のヒユーズ溶断後の断面図
であり、第３図は溶断部分の平面図である。溶融して飛
散するヒユーズの量が少ないためクレータ１８の、側面
にはあまりヒユーズが付着しない。このためヒユーズ配
線体１１がショートしてしまうことはほとんどなく、は
ぼ完全に切断することができる。
であり、第３図は溶断部分の平面図である。溶融して飛
散するヒユーズの量が少ないためクレータ１８の、側面
にはあまりヒユーズが付着しない。このためヒユーズ配
線体１１がショートしてしまうことはほとんどなく、は
ぼ完全に切断することができる。
第４図は切断成功率とヒユーズの断面積の関係を示すグ
ラフである。ヒユーズの断面積が０．５μｍ２以下では
、保ｖＩ！膜厚が１．２μｍ２以上であってもほぼ１０
０％の成功率で切顛することができる。
ラフである。ヒユーズの断面積が０．５μｍ２以下では
、保ｖＩ！膜厚が１．２μｍ２以上であってもほぼ１０
０％の成功率で切顛することができる。
なお、ヒユーズの切断は数ｌｌ１ｓｅｃ以下のパルス電
流を通じることによっても行うことができる。またヒユ
ーズとしてはリンを含む多結晶シリコンに限らない。
流を通じることによっても行うことができる。またヒユ
ーズとしてはリンを含む多結晶シリコンに限らない。
」上記の如く本発明では、ヒユーズ配線体の溶断部の断
面積を０．５μｍ２以下としたので、溶融されるヒユー
ズの量を少なく抑えてヒユーズ配線体の溶断を高い成功
率で行なうことのできる半導体装置を有ることができる
。
面積を０．５μｍ２以下としたので、溶融されるヒユー
ズの量を少なく抑えてヒユーズ配線体の溶断を高い成功
率で行なうことのできる半導体装置を有ることができる
。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図に
示す実施例のヒユーズ溶断後の断面図、第３図は第２図
の示す溶断部分の平面図、第４図は切断成功率とヒユー
ズの断面積の関係を示Ｊ゛グラフ、第５図は従来装置の
ヒユーズ配線体の一例の平面図、第６図は従来装置の一
構成例の断面図、第７図は第６図に示す構成例のヒユー
ズ溶断を説明する断面図、第８図は従来装置の他の構成
例の断面図、第９図は第８図に示す構成例のヒユーズ溶
断後の断面図、第１０図は第９図に示す溶断部分の平面
図、第１１図は切断成功率と保護膜厚の関係を説明する
グラフである。。 １１・・・ヒユーズ配線体、１２・・・半導体基板、１
３・・・下地膜、１４・・・保護膜、１５・・・レーザ
光。 出願人代理人 猪 股 清 閑１図 ツユ−λ゛の断面積（戸り 第１１因 イ２１２１１ 膜 厚 〔戸〕
示す実施例のヒユーズ溶断後の断面図、第３図は第２図
の示す溶断部分の平面図、第４図は切断成功率とヒユー
ズの断面積の関係を示Ｊ゛グラフ、第５図は従来装置の
ヒユーズ配線体の一例の平面図、第６図は従来装置の一
構成例の断面図、第７図は第６図に示す構成例のヒユー
ズ溶断を説明する断面図、第８図は従来装置の他の構成
例の断面図、第９図は第８図に示す構成例のヒユーズ溶
断後の断面図、第１０図は第９図に示す溶断部分の平面
図、第１１図は切断成功率と保護膜厚の関係を説明する
グラフである。。 １１・・・ヒユーズ配線体、１２・・・半導体基板、１
３・・・下地膜、１４・・・保護膜、１５・・・レーザ
光。 出願人代理人 猪 股 清 閑１図 ツユ−λ゛の断面積（戸り 第１１因 イ２１２１１ 膜 厚 〔戸〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板と、この半導体基板上に形成された下地
膜と、この下地膜上に形成された溶断部断面積が０．５
μｍ＾２以下のヒューズ配線体と、前記下地膜のほぼ全
面およびヒューズ配線体を被覆する保護膜とを備える半
導体装置。 ２、半導体基板と、この半導体基板上に形成された下地
膜と、この下地膜上に形成された溶断部断面積が０．５
μｍ＾２以下のヒューズ配線体と、前記下地膜のほぼ全
面およびヒューズ配線体を被覆しこのヒューズ配線体の
溶断部上の膜厚が１．２μｍ＾２以上の保護膜とを備え
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59143122A JPS6122652A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59143122A JPS6122652A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122652A true JPS6122652A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15331426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59143122A Pending JPS6122652A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070392A (en) * | 1988-03-18 | 1991-12-03 | Digital Equipment Corporation | Integrated circuit having laser-alterable metallization layer |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513135A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-30 | Hitachi Ltd | Measuring device for nitrogen content of waste water |
| JPS57104252A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Polycrystal silicon-fuse-memory and its manufacture |
| JPS58171834A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-08 | Hitachi Ltd | レ−ザによる配線接続方法 |
| JPS58219748A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP59143122A patent/JPS6122652A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513135A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-30 | Hitachi Ltd | Measuring device for nitrogen content of waste water |
| JPS57104252A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Polycrystal silicon-fuse-memory and its manufacture |
| JPS58171834A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-08 | Hitachi Ltd | レ−ザによる配線接続方法 |
| JPS58219748A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070392A (en) * | 1988-03-18 | 1991-12-03 | Digital Equipment Corporation | Integrated circuit having laser-alterable metallization layer |
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