JPS6146079A - 光センサ−の製造法 - Google Patents
光センサ−の製造法Info
- Publication number
- JPS6146079A JPS6146079A JP59166443A JP16644384A JPS6146079A JP S6146079 A JPS6146079 A JP S6146079A JP 59166443 A JP59166443 A JP 59166443A JP 16644384 A JP16644384 A JP 16644384A JP S6146079 A JPS6146079 A JP S6146079A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive
- aromatic diamine
- photosensitive polyamide
- photoelectric conversion
- polyamide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の技術分野〕
この発明は、ファクシミリ信号読み取り部などに使用さ
れる光センサーであり、そして光電変換材料であるアモ
ルファスシリコン基盤上に導電性配線パターンが形成さ
れていて、光が照射されると微少の電流を流すことがで
きる光センサーの光受動面を、感光性ポリアミド層の光
硬化膜で被覆 。
れる光センサーであり、そして光電変換材料であるアモ
ルファスシリコン基盤上に導電性配線パターンが形成さ
れていて、光が照射されると微少の電流を流すことがで
きる光センサーの光受動面を、感光性ポリアミド層の光
硬化膜で被覆 。
して保護する光センサーの製造法に係る。
従来、光センサーの基盤となる光電変換材料として、硫
化カドニウム(CdS ”)系や、カドニウム−セレン
(CdSe)系が使用されているが、Mt近、良好な光
電変換性を安定砦て示すアモルファスシリコンが、安定
した性能の光電変換材料として、有望視されている。
化カドニウム(CdS ”)系や、カドニウム−セレン
(CdSe)系が使用されているが、Mt近、良好な光
電変換性を安定砦て示すアモルファスシリコンが、安定
した性能の光電変換材料として、有望視されている。
光電変換材料の長期間の光電効率を維持するためには、
防湿などのために保護膜が必要であるが、CdS J?
3CdSe系などでは、約り00℃/11r以上の高温
処理が可能なために、ポリイミドフェスを使用して高温
での乾燥およびポストベイクなどを行う必要があるポリ
イミド被膜を施こすことができるが、このポリイミド被
膜はやや淡黄色に着色しており必ずしも光透過性のよい
ものではなく、また、アモルファスシリコンは、高温に
さらされると、光電変換性能などが著しく劣化するため
に、被膜工程全体において約150°C以下で保護膜を
形成する必要があり、前記のポリイミド組成物(ワニス
)から高温処理によって形成され、光透過性(透明性)
においてやや劣るポリイミドの被覆が適当ではないので
あった。
防湿などのために保護膜が必要であるが、CdS J?
3CdSe系などでは、約り00℃/11r以上の高温
処理が可能なために、ポリイミドフェスを使用して高温
での乾燥およびポストベイクなどを行う必要があるポリ
イミド被膜を施こすことができるが、このポリイミド被
膜はやや淡黄色に着色しており必ずしも光透過性のよい
ものではなく、また、アモルファスシリコンは、高温に
さらされると、光電変換性能などが著しく劣化するため
に、被膜工程全体において約150°C以下で保護膜を
形成する必要があり、前記のポリイミド組成物(ワニス
)から高温処理によって形成され、光透過性(透明性)
においてやや劣るポリイミドの被覆が適当ではないので
あった。
したがって、アモルファスシリコン系では低温で保護被
膜を形成できる被覆方法、およびその方法に使用する被
覆材料であって、しかも画像形成可能であり、光透過性
のよい素材が求められており、そのような適当な素材は
未だに見出されていなかったのである。
膜を形成できる被覆方法、およびその方法に使用する被
覆材料であって、しかも画像形成可能であり、光透過性
のよい素材が求められており、そのような適当な素材は
未だに見出されていなかったのである。
また、一般に光センサーの保護膜としては、特にアモル
ファスシリコン系では、耐湿性がよいことや、光センサ
ーに温度が加えれることもあるので、長期間の使用に耐
える耐熱性膜である必要であり、例えば、約60℃で1
0年間以上の耐久性または、165℃で1000時間以
上の耐久性が求められており、そのような性能も併せて
有する保護膜は知られていなかったのである。
ファスシリコン系では、耐湿性がよいことや、光センサ
ーに温度が加えれることもあるので、長期間の使用に耐
える耐熱性膜である必要であり、例えば、約60℃で1
0年間以上の耐久性または、165℃で1000時間以
上の耐久性が求められており、そのような性能も併せて
有する保護膜は知られていなかったのである。
この発明者らは、アモルファスシリコン系からなる光電
変換材料からなる光センサーの保護膜の形成の際に、高
温になることがない被覆方法について、鋭意研究した結
果、ジカルボン酸成分と、感光基を有する芳香族ジアミ
ン化合物を少なくとも30モル%含有する芳香族ジアミ
ン成分との重合物からなる有機溶媒可溶性である感光性
ポリアミドが、有機極性溶媒中に、熔解している樹脂液
組成物を使用して、光センサーの光受動面にその感光性
ポリアミド層を低温で形成し、その感光性ポリアミド層
を低温で光硬化することによって、優れた保護膜を形成
することができることを見いだし、この発明を完成した
。
変換材料からなる光センサーの保護膜の形成の際に、高
温になることがない被覆方法について、鋭意研究した結
果、ジカルボン酸成分と、感光基を有する芳香族ジアミ
ン化合物を少なくとも30モル%含有する芳香族ジアミ
ン成分との重合物からなる有機溶媒可溶性である感光性
ポリアミドが、有機極性溶媒中に、熔解している樹脂液
組成物を使用して、光センサーの光受動面にその感光性
ポリアミド層を低温で形成し、その感光性ポリアミド層
を低温で光硬化することによって、優れた保護膜を形成
することができることを見いだし、この発明を完成した
。
すなわち、この発明は、アモルファスシリコン基盤上に
導電性配線パターンが形成されている光受動面を有する
光電変換素子の光受動面に、ジカルボン酸成分と、感光
基を有する芳香族ジアミン化合物を少なくとも30モル
%含有する芳香族ジアミン成分との重合物からなる有機
溶媒可溶性である感光性ポリアミドが、有機極性溶媒中
に、熔解している樹脂液組成物を、塗布し、その塗布層
を約150℃以下の温度で乾燥して、前記有機極性溶媒
を除去し、感光性ポリアミド層を形成し、 次いで、光電変換素子上の感光性ポリアミド層に、約1
50℃以下の温度で活性エネルギー線を照射して、硬化
膜を形成して、前記光受動面を被覆することを特徴とす
る光センサーの製造法に関するものである。
導電性配線パターンが形成されている光受動面を有する
光電変換素子の光受動面に、ジカルボン酸成分と、感光
基を有する芳香族ジアミン化合物を少なくとも30モル
%含有する芳香族ジアミン成分との重合物からなる有機
溶媒可溶性である感光性ポリアミドが、有機極性溶媒中
に、熔解している樹脂液組成物を、塗布し、その塗布層
を約150℃以下の温度で乾燥して、前記有機極性溶媒
を除去し、感光性ポリアミド層を形成し、 次いで、光電変換素子上の感光性ポリアミド層に、約1
50℃以下の温度で活性エネルギー線を照射して、硬化
膜を形成して、前記光受動面を被覆することを特徴とす
る光センサーの製造法に関するものである。
この発明の製造法は、アモルファスシリコン系の光セン
サーの光受動面を、全被覆工程において比較的低温下(
アモルファスシリコンが熱的に劣化しない低温下)に、
感光性樹脂の溶液組成物(樹脂液組成物または樹脂液)
の塗布および乾燥、ならびに感光性樹脂膜の光硬化する
ことによって、被a IIIを形成することができるの
で、光センサーの光変換材料であるアモルファスシリコ
ン層を熱的に劣化させ、その結果、光変換性能(光電性
能)を低下させることが実質的にない、優れた方法であ
る。
サーの光受動面を、全被覆工程において比較的低温下(
アモルファスシリコンが熱的に劣化しない低温下)に、
感光性樹脂の溶液組成物(樹脂液組成物または樹脂液)
の塗布および乾燥、ならびに感光性樹脂膜の光硬化する
ことによって、被a IIIを形成することができるの
で、光センサーの光変換材料であるアモルファスシリコ
ン層を熱的に劣化させ、その結果、光変換性能(光電性
能)を低下させることが実質的にない、優れた方法であ
る。
また、この発明の製造法で得られた光センサーは、その
光受動面が、耐熱性、耐久性、耐候性、防湿性、電気絶
縁性、機械的強度などにおいて、優れた保護性能を有す
る被覆膜(ポリアミドの光硬化H’A)で被覆されてい
るので、その光センサーの光変換性能が長期間維持され
るのである。
光受動面が、耐熱性、耐久性、耐候性、防湿性、電気絶
縁性、機械的強度などにおいて、優れた保護性能を有す
る被覆膜(ポリアミドの光硬化H’A)で被覆されてい
るので、その光センサーの光変換性能が長期間維持され
るのである。
さらに、この発明の製造法で得られた光センサーの被覆
層は、極めて透明性の優れたポリアミドの光硬化膜から
なっているので、特定の明るさの時に流れる電流の量(
明電流)と特定の暗さの時に流れる電流の量(暗逝流2
との比が、約70以上と充分に高く、光センサーとして
好適な光電感度で作用するのである。
層は、極めて透明性の優れたポリアミドの光硬化膜から
なっているので、特定の明るさの時に流れる電流の量(
明電流)と特定の暗さの時に流れる電流の量(暗逝流2
との比が、約70以上と充分に高く、光センサーとして
好適な光電感度で作用するのである。
この発明において、樹脂液組成物に使用される有機極性
溶媒に可溶性である感光性ポリアミドはジカルボン酸成
分と、感光基を有する芳香族ジアミン化合物を少なくと
も30モル%、好ましくは40%以上含有する芳香族ジ
アミン成分との重合物からなる有機溶媒可溶性である感
光性ポリアミドである。
溶媒に可溶性である感光性ポリアミドはジカルボン酸成
分と、感光基を有する芳香族ジアミン化合物を少なくと
も30モル%、好ましくは40%以上含有する芳香族ジ
アミン成分との重合物からなる有機溶媒可溶性である感
光性ポリアミドである。
その感光性ポリアミドは、例えば、
芳香族ジカルボン酸類を、全ジカルボン酸成分に対して
少なくとも30モル%、好まし、くは50モル%以上、
さらに好ましくは70モル%以上、含有するジカルボン
酸成分と、 感光基を有する芳香族ジアミン化合物を少なくとも30
モル%、好ましくは40モル%以上、さらに好ましくは
50モル%以上、含有する芳香族ジアミン成分とを、 有機極性溶媒中などで重合して得られるホモ重合体また
は共重合体からなる、有機溶媒可溶性の芳香族系ポリア
ミドが好ましい。
少なくとも30モル%、好まし、くは50モル%以上、
さらに好ましくは70モル%以上、含有するジカルボン
酸成分と、 感光基を有する芳香族ジアミン化合物を少なくとも30
モル%、好ましくは40モル%以上、さらに好ましくは
50モル%以上、含有する芳香族ジアミン成分とを、 有機極性溶媒中などで重合して得られるホモ重合体また
は共重合体からなる、有機溶媒可溶性の芳香族系ポリア
ミドが好ましい。
前記のジカルボン酸成分は、芳香族ジカルボン酸類のほ
かに、その芳香族ジカルボン酸以外のジカルボン酸類、
例えば、脂環族または脂肪族ジカルボン酸類が使用され
ていてもよい。
かに、その芳香族ジカルボン酸以外のジカルボン酸類、
例えば、脂環族または脂肪族ジカルボン酸類が使用され
ていてもよい。
前記の芳香族ジカルボン酸類としては、芳香族ジアミン
成分との重合反応によって、ポリアミドを製造すること
ができれば、どのような公知の芳香族ジカルボン酸、ま
たはその酸誘導体であってもよく、特に芳香族ジカルボ
ン酸、あるいはその酸のハロゲン化物などを好適に挙げ
ることができる。
成分との重合反応によって、ポリアミドを製造すること
ができれば、どのような公知の芳香族ジカルボン酸、ま
たはその酸誘導体であってもよく、特に芳香族ジカルボ
ン酸、あるいはその酸のハロゲン化物などを好適に挙げ
ることができる。
前記の芳香族ジカルボン酸類としては、例えば、テレフ
タル酸、イソフタル酸、4.4“−ジカルボキシ−ビフ
ェニル、4.4”−ジカルボキシ−ジフェニルメタン、
4.4’−ジカルボキシ−ジフェニルエーテルなどの芳
香族ジカルボン酸と、それらの酸のハロゲン化物を好適
に挙げることができる。
タル酸、イソフタル酸、4.4“−ジカルボキシ−ビフ
ェニル、4.4”−ジカルボキシ−ジフェニルメタン、
4.4’−ジカルボキシ−ジフェニルエーテルなどの芳
香族ジカルボン酸と、それらの酸のハロゲン化物を好適
に挙げることができる。
これらの芳香族ジカルボン酸類の中でも、前記の各芳香
族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物、特に酸塩化物が最適
である。
族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物、特に酸塩化物が最適
である。
また、前記の脂環族または脂肪族ジカルボン酸類として
は、芳香族ジアミン成分との重合反応によってポリアミ
ドを形成することができれば、どのような公知の脂環族
または脂肪族ジカルボン酸、またはその酸誘導体であっ
てもよく、特に脂環族または脂肪族ジカルボン酸、ある
いはその酸ハロゲン化物などを好適に挙げることができ
る。
は、芳香族ジアミン成分との重合反応によってポリアミ
ドを形成することができれば、どのような公知の脂環族
または脂肪族ジカルボン酸、またはその酸誘導体であっ
てもよく、特に脂環族または脂肪族ジカルボン酸、ある
いはその酸ハロゲン化物などを好適に挙げることができ
る。
前記の脂環族または脂肪族ジカルボン酸類としては、例
えば、1,4−ジカルボキシ−シクロヘキサン、1,2
−ジカルボキシ−シクロペンクン%115−ジカルボキ
シ−シクロオクタンなどの脂環族ジカルボン酸化合物、
または、 一般式HOOC(Ch2icOOH(ただし、nは2〜
8の整数である)で示される脂肪族ジカルボン酸、ある
いはそれらの酸ハロゲン化物(特に酸塩化物)などを好
適に挙げることができる。
えば、1,4−ジカルボキシ−シクロヘキサン、1,2
−ジカルボキシ−シクロペンクン%115−ジカルボキ
シ−シクロオクタンなどの脂環族ジカルボン酸化合物、
または、 一般式HOOC(Ch2icOOH(ただし、nは2〜
8の整数である)で示される脂肪族ジカルボン酸、ある
いはそれらの酸ハロゲン化物(特に酸塩化物)などを好
適に挙げることができる。
前記の一般式で示される脂肪族ジカルボン酸化合物とし
ては、例えば、コハク酸、プロパンジカルボン酸、アジ
ピン酸、アゼライン酸、セバシン酸などを挙げることが
できる。
ては、例えば、コハク酸、プロパンジカルボン酸、アジ
ピン酸、アゼライン酸、セバシン酸などを挙げることが
できる。
この発明において、前記の芳香族ジアミン成分は、感光
基を有する芳香族ジアミン化合物単独、または感光基を
有する芳香族ジアミンと他の芳香族ジアミン化合物との
モル比が、3ニア以上、好ましくは4:6以上である芳
香族ジアミン化合物の混合物からなる芳香族ジアミン成
分であることが好ましい。
基を有する芳香族ジアミン化合物単独、または感光基を
有する芳香族ジアミンと他の芳香族ジアミン化合物との
モル比が、3ニア以上、好ましくは4:6以上である芳
香族ジアミン化合物の混合物からなる芳香族ジアミン成
分であることが好ましい。
前記の芳香族ジアミン成分において、感光基を有する芳
香族ジアミンの含有割合があまりに少なくなり過ぎると
、そのようなモノマーから得られたポリアミドが光硬化
性において充分でなくなるので適当ではない。
香族ジアミンの含有割合があまりに少なくなり過ぎると
、そのようなモノマーから得られたポリアミドが光硬化
性において充分でなくなるので適当ではない。
また、この発明では、芳香族ジアミン成分として、前記
の感光基を有する芳香族ジアミン化合物の他に、感光基
を有さない他の芳香族ジアミン化合物が配合されている
七ツマ−から得られるポリアミドは、その光硬化物(膜
)の耐熱性が安定化しまたは向上するので好ましく、さ
らに、感光基を有さない他の芳香族ジアミン化合物とし
て、ケトン基を有する芳香族ジアミン化合物が配合され
ている七ツマ−から得られたポリアミドは、光硬化膜を
形成する際の光に対する感度が向上するので好ましい。
の感光基を有する芳香族ジアミン化合物の他に、感光基
を有さない他の芳香族ジアミン化合物が配合されている
七ツマ−から得られるポリアミドは、その光硬化物(膜
)の耐熱性が安定化しまたは向上するので好ましく、さ
らに、感光基を有さない他の芳香族ジアミン化合物とし
て、ケトン基を有する芳香族ジアミン化合物が配合され
ている七ツマ−から得られたポリアミドは、光硬化膜を
形成する際の光に対する感度が向上するので好ましい。
なお、この発明では、芳香族ジアミン化合物以外のジア
ミン化合物、例えば、脂肪族ジアミンなどが使用されて
いると、そのような七ツマー組成から、この発明の目的
ポリアミドが得られなかったり、あるいは重合でポリマ
ーが得られたとしても、そのポリアミドが耐熱性の劣る
ものであったり、有機溶媒に不溶性でゲル化しやすかっ
たりするので好ましくなく、したがって、実質的に脂肪
族ジアミン化合物が、芳香族ジアミン成分中に配合゛さ
れていないモノマーから得られたポリアミドであること
が最適である。
ミン化合物、例えば、脂肪族ジアミンなどが使用されて
いると、そのような七ツマー組成から、この発明の目的
ポリアミドが得られなかったり、あるいは重合でポリマ
ーが得られたとしても、そのポリアミドが耐熱性の劣る
ものであったり、有機溶媒に不溶性でゲル化しやすかっ
たりするので好ましくなく、したがって、実質的に脂肪
族ジアミン化合物が、芳香族ジアミン成分中に配合゛さ
れていないモノマーから得られたポリアミドであること
が最適である。
前記の感光基を有する芳香族ジアミン化合物としては、
光などの照射によって架橋することができる感光基、例
えば、エチレン基、アクリロイル基などの炭素−炭素不
飽和基を有する芳香族ジアミン化合物などであればよく
、具体的には、3.5−ジアミノ安息香酸エチルアクリ
ル酸エステル、2.4−ジアミノ安息香酸エチルアクリ
ル酸エステル、3,5−ジアミノ安息香酸エチルメタク
リル酸エステル、2,4−ジアミノ安息香酸エチルメタ
クリル酸エステル、3.5−ジアミノ安息香酸グリシジ
ルアクリレートエステル、2.4−ジアミノ安息香酸グ
リシジルアクリレートエステル、3.5−ジアミノ安息
香酸グリシジルメタアクリレートエステル、2.4−ジ
アミノ安息香酸グリシジルメタアクリレートエステル、
3.5−ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル、2.4−ジ
アミノ安息香酸ケイ皮エステルなどの安息香酸エステル
類、3.5−ジアミノベンジルアクリレート、3.5−
ジアミノベンジルメタクリレートなどのベンジルアクリ
レート類、4−アクリルアミド−3,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、2−アクリルアミド−3,4”−ジ
アミノジフェニルエーテル、4−シンナムアミド−3,
4°−ジアミノジフェニルエーテル、3,4”−ジアク
リルアミド−3′、4−ジアミノジフェニルエーテル、
3,4°−シンナムアミド−3”、4−ジアミノジフェ
ニルエーテル、4−メチル−2°−カルボキシエチルメ
タクリル酸エステル−3,4°−ジアミノジフェニルエ
ーテル〔rカルボキシエチルメタクリル酸エステルjは
、CH2=C(CH3)Coo ・、CH2cH2・0
OC−を示す。〕などのジフェニルエーテル類、および
4.4’−ジアミノカルコン、313゛−ジアミノカル
コン、3.4’ −ジアミノカルコン、3”、4−ジア
ミノカルコン、4”−メチル−3″、4−ジアミノカル
コン、4゛−メトキシ−3′、4−ジアミノカルコン、
3゛−メチル−3,5−ジアミノカルコンなどのカルコ
ン類を挙げることができる。
光などの照射によって架橋することができる感光基、例
えば、エチレン基、アクリロイル基などの炭素−炭素不
飽和基を有する芳香族ジアミン化合物などであればよく
、具体的には、3.5−ジアミノ安息香酸エチルアクリ
ル酸エステル、2.4−ジアミノ安息香酸エチルアクリ
ル酸エステル、3,5−ジアミノ安息香酸エチルメタク
リル酸エステル、2,4−ジアミノ安息香酸エチルメタ
クリル酸エステル、3.5−ジアミノ安息香酸グリシジ
ルアクリレートエステル、2.4−ジアミノ安息香酸グ
リシジルアクリレートエステル、3.5−ジアミノ安息
香酸グリシジルメタアクリレートエステル、2.4−ジ
アミノ安息香酸グリシジルメタアクリレートエステル、
3.5−ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル、2.4−ジ
アミノ安息香酸ケイ皮エステルなどの安息香酸エステル
類、3.5−ジアミノベンジルアクリレート、3.5−
ジアミノベンジルメタクリレートなどのベンジルアクリ
レート類、4−アクリルアミド−3,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、2−アクリルアミド−3,4”−ジ
アミノジフェニルエーテル、4−シンナムアミド−3,
4°−ジアミノジフェニルエーテル、3,4”−ジアク
リルアミド−3′、4−ジアミノジフェニルエーテル、
3,4°−シンナムアミド−3”、4−ジアミノジフェ
ニルエーテル、4−メチル−2°−カルボキシエチルメ
タクリル酸エステル−3,4°−ジアミノジフェニルエ
ーテル〔rカルボキシエチルメタクリル酸エステルjは
、CH2=C(CH3)Coo ・、CH2cH2・0
OC−を示す。〕などのジフェニルエーテル類、および
4.4’−ジアミノカルコン、313゛−ジアミノカル
コン、3.4’ −ジアミノカルコン、3”、4−ジア
ミノカルコン、4”−メチル−3″、4−ジアミノカル
コン、4゛−メトキシ−3′、4−ジアミノカルコン、
3゛−メチル−3,5−ジアミノカルコンなどのカルコ
ン類を挙げることができる。
また、芳香族ジアミン成分として使用される感光基を有
さない他の芳香族ジアミン化合物としては、例えば、パ
ラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、2.
4−ジアミノトルエン、4゜4′−ジアミノジフェニル
エーテル、4.4”−ジアミノジフェニルメタン、0−
トルイジン、1.4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン、2.2−ビス(4−アミンフェノキシフェニル
)プロパン、o−トルイジンスルホンなどを挙げること
ができる。
さない他の芳香族ジアミン化合物としては、例えば、パ
ラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、2.
4−ジアミノトルエン、4゜4′−ジアミノジフェニル
エーテル、4.4”−ジアミノジフェニルメタン、0−
トルイジン、1.4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン、2.2−ビス(4−アミンフェノキシフェニル
)プロパン、o−トルイジンスルホンなどを挙げること
ができる。
さらに、芳香族ジアミン成分として使用される感光基を
有さない他の芳香族ジアミン化合物は、前述の他の芳香
族ジアミン化合物に加えて、あるいは代わりに、ケトン
基を有する増感性能を有する芳香族ジアミン化合物が配
合されていてもよく、そのようなケトン基を有する芳香
族ジアミン化合物としては、例えば、9.9−ビス(4
−アミノフェニル)−10−アンスロン、l、5−ジア
ミノアントラキノン、1.4−ジアミノアントラキノン
、3.3′−ジアミノベンゾフェノン、4’ −N、
N−ジメチルアミノ−3,5−ジアミノベンゾフェノン
、1−ジメチルアミノ−4−(3,5−ジアミノベンゾ
イル)ナフタレンなどを挙げることができる。
有さない他の芳香族ジアミン化合物は、前述の他の芳香
族ジアミン化合物に加えて、あるいは代わりに、ケトン
基を有する増感性能を有する芳香族ジアミン化合物が配
合されていてもよく、そのようなケトン基を有する芳香
族ジアミン化合物としては、例えば、9.9−ビス(4
−アミノフェニル)−10−アンスロン、l、5−ジア
ミノアントラキノン、1.4−ジアミノアントラキノン
、3.3′−ジアミノベンゾフェノン、4’ −N、
N−ジメチルアミノ−3,5−ジアミノベンゾフェノン
、1−ジメチルアミノ−4−(3,5−ジアミノベンゾ
イル)ナフタレンなどを挙げることができる。
なお、前述の感光基を有する芳香族ジアミンにおいて、
ジアミノジフェニルエーテル類、ジアミノ安息香酸エス
テル類、及びジアミノベンジルアクリレート類は、新規
化合物であり、その合成法としては、例えば、次に示す
ような方法を挙げることができる。
ジアミノジフェニルエーテル類、ジアミノ安息香酸エス
テル類、及びジアミノベンジルアクリレート類は、新規
化合物であり、その合成法としては、例えば、次に示す
ような方法を挙げることができる。
(1) ジアミノジフェニルエーテル類の合成法(モ
ノ又はジ)アセチルアミド−ジニトロフェニルエーテル
を加水分解して得られる(モノ又はジ)アミノ−ジニト
ロフェニルエーテルと、アクリル酸クロリドなどとを反
応させ、次いで反応物を還元することによって、目的と
する芳香族ジアミン化合物を合成する方法を挙げること
ができる。
ノ又はジ)アセチルアミド−ジニトロフェニルエーテル
を加水分解して得られる(モノ又はジ)アミノ−ジニト
ロフェニルエーテルと、アクリル酸クロリドなどとを反
応させ、次いで反応物を還元することによって、目的と
する芳香族ジアミン化合物を合成する方法を挙げること
ができる。
(2) ジアミノ安息香酸エステル類の合成法ジニト
ロ安息香酸クロリドと、ヒドロキシエチルメタクリレー
トなどとを反応させ、次いで反応物を還元することによ
って、目的とする芳香族ジアミン化合物を合成する方法
を挙げることができる。
ロ安息香酸クロリドと、ヒドロキシエチルメタクリレー
トなどとを反応させ、次いで反応物を還元することによ
って、目的とする芳香族ジアミン化合物を合成する方法
を挙げることができる。
(3) ジアミノベンジルアクリレート類の合成法ジ
ニトロベンジルアルコールと、アクリル酸クロリドなど
とを反応させ、次いで反応物を還元することによって、
目的とする芳香族ジアミン化合物を合成する方法を挙げ
ることができる。
ニトロベンジルアルコールと、アクリル酸クロリドなど
とを反応させ、次いで反応物を還元することによって、
目的とする芳香族ジアミン化合物を合成する方法を挙げ
ることができる。
この発明において使用される感光性ポリアミドは、前述
のジカルボン酸成分と、感光基ををする芳香族ジアミン
化合物を含有する芳香族ジアミン成分とを、大略等モル
使用して、公知の重合方法と同様の重合条件(例えば、
有機極性溶媒中、約100°C以下、特に好ましくは0
〜80℃、さらに好ましくは5〜60℃の重合温度、約
0.1〜48時間の重合時間など)で、重合して得られ
る高分子量の重合体からなる重合体であり、有機溶媒に
対して可溶性である感光性ポリアミドである。
のジカルボン酸成分と、感光基ををする芳香族ジアミン
化合物を含有する芳香族ジアミン成分とを、大略等モル
使用して、公知の重合方法と同様の重合条件(例えば、
有機極性溶媒中、約100°C以下、特に好ましくは0
〜80℃、さらに好ましくは5〜60℃の重合温度、約
0.1〜48時間の重合時間など)で、重合して得られ
る高分子量の重合体からなる重合体であり、有機溶媒に
対して可溶性である感光性ポリアミドである。
前記の感光性ポリアミドは、ポリアミドの濃度が、0−
5 g/ L OOml (N−メチル−2−ピロリド
ン、NMP)である希薄溶液を使用して、30℃の温度
で測定し、算出された対数粘度が、0゜1〜2.0、特
に0.2〜1.5程度の範囲内にあるものが好ましい。
5 g/ L OOml (N−メチル−2−ピロリド
ン、NMP)である希薄溶液を使用して、30℃の温度
で測定し、算出された対数粘度が、0゜1〜2.0、特
に0.2〜1.5程度の範囲内にあるものが好ましい。
なお、この発明においては、感光性ポリアミドとして、
前述のジカルボン酸成分と、感光基を有する芳香族ジア
ミン化合物を含有する芳香族ジアミン成分とを重合して
得られる感光性ポリアミドを、例えば、(メタ)アクリ
ル酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、酢酸クロリド、アラ
アジドクロリドなどの化合物と反応させて、ポリマーの
アミド結合の水素原子基を前記化合物の残基のような有
機基で置換した感光性ポリアミド変性物であってもよい
。
前述のジカルボン酸成分と、感光基を有する芳香族ジア
ミン化合物を含有する芳香族ジアミン成分とを重合して
得られる感光性ポリアミドを、例えば、(メタ)アクリ
ル酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、酢酸クロリド、アラ
アジドクロリドなどの化合物と反応させて、ポリマーの
アミド結合の水素原子基を前記化合物の残基のような有
機基で置換した感光性ポリアミド変性物であってもよい
。
この発明において樹脂液組成物に使用される有機極性溶
媒としては、前記感光性ポリアミドの製造に使用された
重合溶媒と同様の有機極性溶媒を使用することができ、
例えば、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメ
チルスルホキシド、ヘキサメチレンホスホルアミド、ジ
グライムなどを挙げることができる。
媒としては、前記感光性ポリアミドの製造に使用された
重合溶媒と同様の有機極性溶媒を使用することができ、
例えば、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメ
チルスルホキシド、ヘキサメチレンホスホルアミド、ジ
グライムなどを挙げることができる。
この発明では、前記の有機極性溶媒の使用量は、感光性
ポリアミド100重量部に対して、100〜2000重
量部、好ましくは150〜1500i量部、さらに好ま
しくは200〜1000重量部であることが好ましく、
溶媒の使用量が少なくなり過ぎると、樹脂液組成物の回
転粘度が上昇し、感光性ポリアミド膜の製膜が不均一な
厚さになったり、製膜自体が困難になるので好ましくな
く、また溶媒の使用量が多くなり過ぎると、前記の製膜
の際に溶媒の蒸発除去に長い時間を要するので好ましく
ない。
ポリアミド100重量部に対して、100〜2000重
量部、好ましくは150〜1500i量部、さらに好ま
しくは200〜1000重量部であることが好ましく、
溶媒の使用量が少なくなり過ぎると、樹脂液組成物の回
転粘度が上昇し、感光性ポリアミド膜の製膜が不均一な
厚さになったり、製膜自体が困難になるので好ましくな
く、また溶媒の使用量が多くなり過ぎると、前記の製膜
の際に溶媒の蒸発除去に長い時間を要するので好ましく
ない。
この発明においては、前記の樹脂液組成物に、光重合性
単量体が適当な量だけ配合されていてもよく、光重合性
単量体としては、例えば、ヒドロキシ基などを有するモ
ノ (メタ)アクリレート系化合物、ポリ(メタ)アク
リレート系化合物、およびその他として、N−ビニル−
2−ピロリドン、分子内にリン酸またはウレタン樹脂の
残基を含有する(メタ)アクリル酸エステル化合物など
を挙げることができる。
単量体が適当な量だけ配合されていてもよく、光重合性
単量体としては、例えば、ヒドロキシ基などを有するモ
ノ (メタ)アクリレート系化合物、ポリ(メタ)アク
リレート系化合物、およびその他として、N−ビニル−
2−ピロリドン、分子内にリン酸またはウレタン樹脂の
残基を含有する(メタ)アクリル酸エステル化合物など
を挙げることができる。
この発明では、前記の光重合性単量体の使用量は、感光
性ポリアミド100重量皿に対して、0゜5〜150重
量部、特に1〜120重量部程度の範囲内であることが
好ましい。
性ポリアミド100重量皿に対して、0゜5〜150重
量部、特に1〜120重量部程度の範囲内であることが
好ましい。
また、前記樹脂液組成物には、適当な光重合開始剤を配
合することが好ましく、その光重合開始剤としては、例
えば、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチ
ルエーテル、ペンゾインエチルエーテル、ベンゾインイ
ソプロピルエーテル、2−ターシャリ−ブチルアントラ
キノン、1,2−ベンゾ−9,10−アントラキノン、
4,4°−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、ア
セトフェノン、ベンゾフェノン、チオキサントン、メチ
ルチオキサントン、クロルチオキサントン、1.5−ア
セナフテン、ペンジルケクール、アントラニル酸ジメチ
ルアミノベンゾエートなどを挙げることができる。
合することが好ましく、その光重合開始剤としては、例
えば、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチ
ルエーテル、ペンゾインエチルエーテル、ベンゾインイ
ソプロピルエーテル、2−ターシャリ−ブチルアントラ
キノン、1,2−ベンゾ−9,10−アントラキノン、
4,4°−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、ア
セトフェノン、ベンゾフェノン、チオキサントン、メチ
ルチオキサントン、クロルチオキサントン、1.5−ア
セナフテン、ペンジルケクール、アントラニル酸ジメチ
ルアミノベンゾエートなどを挙げることができる。
さらに、前記の樹脂液組成物には、必要に応じて増感剤
、熱重合防止剤、充填剤などを配合することもでき、増
感剤としては、N、N−ジメチルアントラニル酸メチル
、オルソ−又はパラ−N。
、熱重合防止剤、充填剤などを配合することもでき、増
感剤としては、N、N−ジメチルアントラニル酸メチル
、オルソ−又はパラ−N。
N−ジメチル安息香酸エチルなどを少量使用することが
できる。
できる。
この発明においては、樹脂液組成物の回転粘度は、常温
(約25℃)で、約50〜100000センチポアズ、
特に好ましくは100〜50000センチポアズ程度で
あることが好ましい。
(約25℃)で、約50〜100000センチポアズ、
特に好ましくは100〜50000センチポアズ程度で
あることが好ましい。
この発明の製造法では、まず、アモルファスシリコン基
盤上に導電性配線パターンが形成されている光受動面を
有する光電変換素子の光受動面上に、前記感光性ポリア
ミドが有機極性溶媒中に熔解している樹脂液組成物を、
例えば、カーテンコート、ロールコート(回転塗布tJ
31) 、シルクスクリーン、デツプコート、ドクター
ナイフ法などの方法で塗布し、薄い樹脂液組成物の塗布
層を形成し、その塗布層の施された光センサーを熱風下
、またはドラフト付きの加熱炉内に置いて、約150℃
以下の温度、好ましくは120℃以下の温度および常圧
または減圧下に、0.1〜50時間、特に0.3〜25
時間で、前記有機極性溶媒などの揮発成分を前記塗布膜
から徐々に蒸発させる乾燥によって除去し、厚さが約0
.01〜100μm、特に0.05〜50μmである固
化された感光性ポリアミド膜層を形成するのである。
盤上に導電性配線パターンが形成されている光受動面を
有する光電変換素子の光受動面上に、前記感光性ポリア
ミドが有機極性溶媒中に熔解している樹脂液組成物を、
例えば、カーテンコート、ロールコート(回転塗布tJ
31) 、シルクスクリーン、デツプコート、ドクター
ナイフ法などの方法で塗布し、薄い樹脂液組成物の塗布
層を形成し、その塗布層の施された光センサーを熱風下
、またはドラフト付きの加熱炉内に置いて、約150℃
以下の温度、好ましくは120℃以下の温度および常圧
または減圧下に、0.1〜50時間、特に0.3〜25
時間で、前記有機極性溶媒などの揮発成分を前記塗布膜
から徐々に蒸発させる乾燥によって除去し、厚さが約0
.01〜100μm、特に0.05〜50μmである固
化された感光性ポリアミド膜層を形成するのである。
この発明の製造法では、次いで、前述の光電変換素子の
光受動面上に形成されている感光性ポリアミド膜層の上
方から、スルーホールなどのために未硬化部分が必用な
場合にはネガ型またはポジ型のフォトマスクを配置し、
そのフォトマスクを通してか、あるいはまったく前記の
フォトマスクを使用せず直接に、高圧水銀灯、キセノン
ランプ、メタルハライドランプなどからの紫外線、可視
光線、あるいは電子線、X線などの活性エネルギー線を
、約150℃以下の温度、好ましくは100℃以下の温
度、さらに好ましくは50℃以下の温度で、短時間、照
射して、前記の感光性ポリアミド膜層を光硬化させ、ポ
リアミドの光硬化膜からなる被覆保護膜を形成するので
ある。 ゛なお、この発明では、必要であれば、前記
のようにして得られた光センサーの被覆層(ポリアミド
の光硬化膜層)を、約80〜150℃の温度、特に約8
5〜140℃の温度で、約0.1〜5時間、特に0.2
〜2時間、後加熱してもよい。
光受動面上に形成されている感光性ポリアミド膜層の上
方から、スルーホールなどのために未硬化部分が必用な
場合にはネガ型またはポジ型のフォトマスクを配置し、
そのフォトマスクを通してか、あるいはまったく前記の
フォトマスクを使用せず直接に、高圧水銀灯、キセノン
ランプ、メタルハライドランプなどからの紫外線、可視
光線、あるいは電子線、X線などの活性エネルギー線を
、約150℃以下の温度、好ましくは100℃以下の温
度、さらに好ましくは50℃以下の温度で、短時間、照
射して、前記の感光性ポリアミド膜層を光硬化させ、ポ
リアミドの光硬化膜からなる被覆保護膜を形成するので
ある。 ゛なお、この発明では、必要であれば、前記
のようにして得られた光センサーの被覆層(ポリアミド
の光硬化膜層)を、約80〜150℃の温度、特に約8
5〜140℃の温度で、約0.1〜5時間、特に0.2
〜2時間、後加熱してもよい。
そして、前述の光硬化において、未露光で未光硬化部分
が必要である場合には、その未硬化部分を、前述の重合
用または樹脂液組成物用に使用した有機極性溶媒を主成
分とする現像液で洗い流して除去することにより、スル
ーホールなど形成されたポリアミドの光硬化膜からなる
被覆保護層を形成するのである。
が必要である場合には、その未硬化部分を、前述の重合
用または樹脂液組成物用に使用した有機極性溶媒を主成
分とする現像液で洗い流して除去することにより、スル
ーホールなど形成されたポリアミドの光硬化膜からなる
被覆保護層を形成するのである。
この発明の製造法によって得られる光センサーは、前述
のように、この発明の製造法が、前記の光電変換素子の
光受動面上に保護膜を形成する際に、アモルファスシリ
コンに対して悪影響を与える熱履歴を与えない方法であ
るので、アモルファスシリコン自体の極めて優れた光電
変換性能を維持し保持しているのである。
のように、この発明の製造法が、前記の光電変換素子の
光受動面上に保護膜を形成する際に、アモルファスシリ
コンに対して悪影響を与える熱履歴を与えない方法であ
るので、アモルファスシリコン自体の極めて優れた光電
変換性能を維持し保持しているのである。
また、この発明の製造法においては、その光電変換素子
の光受動面を被覆保護するために使用される感光性ポリ
アミドが、有機溶媒への溶解性に優れており、しかも感
光性も優れているポリアミドであり、安定な液状の樹脂
液組成物を調製することができ、したがって、この感光
性ポリアミドを主成分とするこの発明の樹脂液組成物は
、極めて感光性ポリアミド膜の製膜が容易であり、しか
もその感光性ポリアミド膜層の光硬化も短時間で容易に
行うことができ作業性が優れている。
の光受動面を被覆保護するために使用される感光性ポリ
アミドが、有機溶媒への溶解性に優れており、しかも感
光性も優れているポリアミドであり、安定な液状の樹脂
液組成物を調製することができ、したがって、この感光
性ポリアミドを主成分とするこの発明の樹脂液組成物は
、極めて感光性ポリアミド膜の製膜が容易であり、しか
もその感光性ポリアミド膜層の光硬化も短時間で容易に
行うことができ作業性が優れている。
また、この発明の製造法で得られた光センサーは、その
光電変換素子の表面を被覆しているところの前記の感光
性ポリアミド膜を光硬化した光硬化膜が、寸法安定性、
耐熱性、電気的及び機械的特性において優れたものであ
り、それらの性質によって、優れた保護性能、防湿性能
を示し、光センサーの長期間の耐久性を与えることがで
きるのである。
光電変換素子の表面を被覆しているところの前記の感光
性ポリアミド膜を光硬化した光硬化膜が、寸法安定性、
耐熱性、電気的及び機械的特性において優れたものであ
り、それらの性質によって、優れた保護性能、防湿性能
を示し、光センサーの長期間の耐久性を与えることがで
きるのである。
さらに、この発明の製造法で得られた光センサーは、そ
の光電変換素子の表面を被覆しているポリアミドの光硬
化膜層が、極めて透明性に優れており、明電流と暗電流
との比で示される光電感度が約70以上、特に80以上
であり、光センサーとして充分実用的な高さにある。
の光電変換素子の表面を被覆しているポリアミドの光硬
化膜層が、極めて透明性に優れており、明電流と暗電流
との比で示される光電感度が約70以上、特に80以上
であり、光センサーとして充分実用的な高さにある。
以下に、この発明に使用する感光性ポリアミドの製造例
、およびこの発明の樹脂液組成物の実施例、及びそれら
の種々の物性試験及びその結果を示す。
、およびこの発明の樹脂液組成物の実施例、及びそれら
の種々の物性試験及びその結果を示す。
製造例1
三つロフラスコ中に、感光基を有する芳香族ジアミン成
分として2 (3’、5″−ジアミノベンゾイルオキシ
)エチルアクリレート31.714gと、N−メチル−
2−ピロリドン(NMP)240mlとを添加して溶解
し、その溶液を約2℃に冷却し、攪拌しながら、ジカル
ボン酸成分としてテレフタル酸ジクロリド24.364
g加えて、芳香族ジアミン成分とジカルボン酸成分とを
反応させたところ、発熱があり、約32℃まで昇温し、
さらに氷水中にフラスコを入れて反応液を冷却しながら
、約30分間、反応液の攪拌を続けた後、メタノール6
1と水61の混合溶液中に流し込み、生成したポリマー
を析出させ、そのポリマーを濾過によって回収し、乾燥
して、41.5gの白色のポリマーの粉末を得た。
分として2 (3’、5″−ジアミノベンゾイルオキシ
)エチルアクリレート31.714gと、N−メチル−
2−ピロリドン(NMP)240mlとを添加して溶解
し、その溶液を約2℃に冷却し、攪拌しながら、ジカル
ボン酸成分としてテレフタル酸ジクロリド24.364
g加えて、芳香族ジアミン成分とジカルボン酸成分とを
反応させたところ、発熱があり、約32℃まで昇温し、
さらに氷水中にフラスコを入れて反応液を冷却しながら
、約30分間、反応液の攪拌を続けた後、メタノール6
1と水61の混合溶液中に流し込み、生成したポリマー
を析出させ、そのポリマーを濾過によって回収し、乾燥
して、41.5gの白色のポリマーの粉末を得た。
そのポリマーは、対数粘度が1.63である感光性ポリ
アミドであった。
アミドであった。
製造例2
三つロフラスコ中に、感光基を有する芳香族ジアミン成
分として2(3′、5°−ジアミノベンゾイルオキシ)
エチルアクリレート31.714gと、N−メチル−2
−ピロリドン(NMP)240m1lとを添加して溶解
し、その溶液を約3℃に冷却し、攪拌しながら、ジカル
ボン酸成分としてテレフタル酸ジクロリド24.364
g加えて、芳香族ジアミン成分とジカルボン酸成分とを
反応させたところ、発熱があり、約34℃まで昇温し、
さらに氷水中にフラスコを入れて反応液を冷却しながら
、約30分間、反応液の攪拌を続けた後、室温で約1時
間攪拌し、さらにNMPを300 m l加えて、反応
液を希釈し、さらにその反応液中に、メタクリル酸クロ
リド25.8 gが溶解しているNMP溶液3 Q m
12を約30分間で滴下して加え、反応させた。
分として2(3′、5°−ジアミノベンゾイルオキシ)
エチルアクリレート31.714gと、N−メチル−2
−ピロリドン(NMP)240m1lとを添加して溶解
し、その溶液を約3℃に冷却し、攪拌しながら、ジカル
ボン酸成分としてテレフタル酸ジクロリド24.364
g加えて、芳香族ジアミン成分とジカルボン酸成分とを
反応させたところ、発熱があり、約34℃まで昇温し、
さらに氷水中にフラスコを入れて反応液を冷却しながら
、約30分間、反応液の攪拌を続けた後、室温で約1時
間攪拌し、さらにNMPを300 m l加えて、反応
液を希釈し、さらにその反応液中に、メタクリル酸クロ
リド25.8 gが溶解しているNMP溶液3 Q m
12を約30分間で滴下して加え、反応させた。
その反応液を、メタノール6j2と水6!の混合溶液中
に流し込み、生成したポリマーを析出させ、そのポリマ
ーを濾過によって回収し、乾燥して、45、0 gの白
色のポリマーの粉末を得た。
に流し込み、生成したポリマーを析出させ、そのポリマ
ーを濾過によって回収し、乾燥して、45、0 gの白
色のポリマーの粉末を得た。
そのポリマーば、対数粘度が1.60である感光性ポリ
アミド変性物であった。
アミド変性物であった。
製造例3
ジカルボン酸成分としてアジピン酸ジクロリド10、9
8 gと、テレフタル酸ジクロリド12.18gとの混
合物を使用した他は、製造例1と同様に反応させ、回収
して、対数粘度が0.43である感光性ポリアミドの共
重合体を31.2gを得た。
8 gと、テレフタル酸ジクロリド12.18gとの混
合物を使用した他は、製造例1と同様に反応させ、回収
して、対数粘度が0.43である感光性ポリアミドの共
重合体を31.2gを得た。
実施例1
製造1で得られた感光性ポリアミド30gをN−メチル
−2−ピロリドン(NMP)210ml!に溶解し、熱
重合防止剤としてメチルエーテルハイドロキノン0.1
5 gと光重合開始剤としてミヒラーズケトン0.06
gを加えて、均一に溶解させ、さらにフィルターで濾
過して微細なゴミなどを除去して、樹脂液組成物を調製
した。
−2−ピロリドン(NMP)210ml!に溶解し、熱
重合防止剤としてメチルエーテルハイドロキノン0.1
5 gと光重合開始剤としてミヒラーズケトン0.06
gを加えて、均一に溶解させ、さらにフィルターで濾
過して微細なゴミなどを除去して、樹脂液組成物を調製
した。
アモルファスシリコンの表面にアルミニウムを蒸着し、
そのアルミニウム層の一部を、櫛状のパターンになるよ
うにエツチングして得られた横型の光変換素子の元受動
曲の上に、製造例1で得られた感光性ポリアミドが含有
されているN−メチル−2−ピロリドン溶液からなる樹
脂液組成物(回転粘度;35ボイス)を、回転塗布機で
塗布し、75°Cで30分間乾燥して、溶媒を蒸発して
除去し、約5μmの固化した感光性ポリイミドB51N
を形成した。
そのアルミニウム層の一部を、櫛状のパターンになるよ
うにエツチングして得られた横型の光変換素子の元受動
曲の上に、製造例1で得られた感光性ポリアミドが含有
されているN−メチル−2−ピロリドン溶液からなる樹
脂液組成物(回転粘度;35ボイス)を、回転塗布機で
塗布し、75°Cで30分間乾燥して、溶媒を蒸発して
除去し、約5μmの固化した感光性ポリイミドB51N
を形成した。
その感光性ポリアミド膜層の施された光変換素子は、そ
の感光性ポリアミド膜層をマスクパターンで覆い、その
マスクパターンを通して、超高圧水銀灯で、IJ/CI
+1の光の強さで露光し、光硬化して、未露光の部分を
NMPを用いて現像し、その後150℃で約30分間、
後加熱して、光硬化膜層で被覆された光センサーを製造
した。
の感光性ポリアミド膜層をマスクパターンで覆い、その
マスクパターンを通して、超高圧水銀灯で、IJ/CI
+1の光の強さで露光し、光硬化して、未露光の部分を
NMPを用いて現像し、その後150℃で約30分間、
後加熱して、光硬化膜層で被覆された光センサーを製造
した。
前述のようにして得られた光センサーについて、256
nmの波長の光を10秒間、照射した時の明電流と、前
記の光の照射を止めた後の暗電流とを測定し、それらの
比を算出したところ、約80と高く、充分に高い光電感
度を有することがわかった。
nmの波長の光を10秒間、照射した時の明電流と、前
記の光の照射を止めた後の暗電流とを測定し、それらの
比を算出したところ、約80と高く、充分に高い光電感
度を有することがわかった。
実施例2〜3
感光性ポリアミドとして、製造例2または製造例3で得
られた感光性ポリアミドを使用したほかは、実施例1と
同様にして樹脂液組成物を調製し、ついで光センサーを
製造した。
られた感光性ポリアミドを使用したほかは、実施例1と
同様にして樹脂液組成物を調製し、ついで光センサーを
製造した。
その結果得られた光センサーは、その光電感度が、明電
流と暗電流との比で示して、約100以上であり、極め
て良好な光電感度を有していた。
流と暗電流との比で示して、約100以上であり、極め
て良好な光電感度を有していた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アモルファスシリコン基盤上に導電性配線パターンが形
成されている光受動面を有する光電変換素子の光受動面
に、 ジカルボン酸成分と、感光基を有する芳香族ジアミン化
合物を少なくとも30モル%含有する芳香族ジアミン成
分との重合物からなる有機溶媒可溶性である感光性ポリ
アミドが、有機極性溶媒中に、溶解している樹脂液組成
物を、塗布し、その塗布層を約150℃以下の温度で乾
燥して、前記有機極性溶媒を除去し、感光性ポリアミド
層を形成し、 次いで、光電変換素子上の感光性ポリアミド層に、約1
50℃以下の温度で活性エネルギー線を照射して、硬化
膜を形成して、前記光受動面を被覆することを特徴とす
る光センサーの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166443A JPS6146079A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光センサ−の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166443A JPS6146079A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光センサ−の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6146079A true JPS6146079A (ja) | 1986-03-06 |
Family
ID=15831495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59166443A Pending JPS6146079A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光センサ−の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6146079A (ja) |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59166443A patent/JPS6146079A/ja active Pending
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