JPS6146766B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6146766B2
JPS6146766B2 JP56212590A JP21259081A JPS6146766B2 JP S6146766 B2 JPS6146766 B2 JP S6146766B2 JP 56212590 A JP56212590 A JP 56212590A JP 21259081 A JP21259081 A JP 21259081A JP S6146766 B2 JPS6146766 B2 JP S6146766B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
emissivity
measured
tbb
surface element
Prior art date
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Expired
Application number
JP56212590A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58113823A (ja
Inventor
Takeyuki Saito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP56212590A priority Critical patent/JPS58113823A/ja
Publication of JPS58113823A publication Critical patent/JPS58113823A/ja
Publication of JPS6146766B2 publication Critical patent/JPS6146766B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/52Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using comparison with reference sources, e.g. disappearing-filament pyrometer
    • G01J5/53Reference sources, e.g. standard lamps; Black bodies
    • G01J5/532Reference sources, e.g. standard lamps; Black bodies using a reference heater of the emissive surface type, e.g. for selectively absorbing materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、物体の熱放射率を測定する方法に関
し、特に赤外放射温度計を用いて計測した物体各
部の温度から物体の熱放射率を測定する放射率測
定方法に関する。
一般に、広範囲な物体の各部の温度測定には、
物体の熱放射エネルギー(赤外線放射量)と該物
体の温度との関係を利用した赤外放射温度計が用
いられている。
周知のように、物体からはその温度の4乗に比
例したエネルギーが放射されている。物体の絶対
温度をT(K)とするとこの物体の放射エネルギ
ーR(T)は次式)であらわされる。
R(T)=σT4 …) ここで、σはステフアン−ボルツマン定数であ
る。
しかしながら、上式)が成立するのは物体が
黒体の場合であり、通常の物体については次式
)が成立する。
W(T)=eσT4 …) ここで、W(T)は物体の見かけの放射エネル
ギーであり、eは放射率(熱放射率)である。こ
の放射率eは物体の材質および物体の表面の状態
等の条件によつて定まる0<e<1なる定数であ
り、上記黒体の場合にはe=1であることから上
式)が成立する。
上記赤外放射温度計は、このような原理を用い
たものであり、その一例を第1図に示す。
同図において、光学的走査部1は、被測定体
Bmの表面を光学的に走査して該被測定体Bmの表
面各部から放射される赤外線を赤外線センサ2に
照射する。この光学的走査部1は後述する中央処
理装置(以下CPUという)3によつて制御され
る。
赤外線センサ2は、照射された赤外放のエネル
ギーを検出するものであり、その検出信号Se
は、アナログ−デジタル変換器4に加えられて対
応するデジタル信号である放射量データDeに変
換される。そしてこの放射量データDeは、入力
回路5およびバスライン6を介してCPU3に加
えられる。
読み出し専用メモリ(以下ROMという)7
は、CPU3による光学的走査部1の走査制御プ
ログラム、上記放射量データDeの入力タイミン
グプログラムおよび上式)に基づく温度データ
演算プログラムを記憶している。
CPU3は、該ROM7に記憶された走査制御プ
ログラムに従つて光学的走査部1の走査制御信号
Csを形成し、該走査制御信号Csをバスライン6
および出力回路8を介して光学的走査部1に出力
する。
第2図は、光学的走査部1の具体例を示すもの
である。同図において、被測定体Bmの測定面Sm
は、図示しないモータで回転される水平走査ミラ
ーM1によつてX方向に水平走査され、さらに、
図示しない揺動器で矢印F方向に揺動される垂直
走査ミラーM2によつてY方向に垂直走査され
る。したがつて、凹状ミラーM3によつて赤外線
センサ2に照射される赤外線は、水平走査線Lを
順次Y方向に移行して選択される測定面Sm上の
微小な面積部分(Y方向の幅は走査線L自身の幅
である)から放射されるものである。
上記放射量データDeの入力タイミングプログ
ラムは、上記水平走査線Lをさらに所定数に分割
した面素ごとの上記放射量データDeを得るため
のもので、CPU3は該入力タイミングプログラ
ムに従つて各面素に対応した放射量データDeを
入力する。そして、該放射量データDeを、対応
する面素の位置をあらわすアドレスによつて指定
されるRAM(ランダムアクセスメモリ)9の記
憶領域に記憶する。
また、CPU3は上記RAM9に記憶した放射量
データDeに基づいて上記温度データ演算プログ
ラムを実行し、その結果得られた上記測定面Sm
の各面素の温度データを当該面素に対応したアド
レスのRAM9の記憶領域に記憶する。
しかして、CPU3は、各面素ごとの温度デー
タをバスライン6および出力回路10を介して表
示部11に順次加え、測定面Smの表面温度およ
びその分布を表示部11で表示させる。
ところで、上述のように放射率eは物体表面の
状態で変化し、また、物体表面の状態は実際には
一様ではないため、上記測定面Smの各面素にお
ける放射率eは等しくない。したがつて、上記各
面素の温度を精度よく装定するには放射率eを各
面素ごとに測定する必要がある。
本発明の目的は、赤外線温度計を利用して上記
各面素についての放射率を測定することができる
放射率測定方法を提供することにある。
本発明によれば、被測定体の測定面の一部に偽
似的な黒体部分を設けるとともに該被測定体に近
接して既知の温度の熱放射体を設置し、上記測定
面の各部の温度を赤外線温度計によつて測定した
のち、該測定値の最小値を検出してこの最小値を
上記物体の温度とみなし、所定の演算を実行して
測定面の各部の放射率を算出するようにしてい
る。
以下、本発明を添附図面の実施例に基づいて詳
細に説明する。
表面温度T(K)の物体(以下これを物体Aと
いう)の近くに温度Ta(K)の他の物体(以下
これを物体Bという)がある場合、該物体Bから
の放射エネルギーR(Ta)は物体Aで反射さ
れ、その反射量R′(Ta)は次式)であらわさ
れる。
R′(Ta)=αR(Ta) …) ここで、αは物体Aの反射率である。この反射
率αは物体Aの材質および表面の状態等の条件に
よつて定まるものであり、放射率eと次式(iv)のよ
うな関係がある。
α+e=1 …) したがつて、このときの物体Aからの見かけの
放射エネルギーEは次式)のようになる。
E=eR(T)+αR(Ta) ∴E=eR(T)+(1−e)R(Ta) …) また、このときの物体Aの見かけの温度をTb
とすれば、見かけの放射エネルギーEは次式(vi)で
あらわされる。
E=σT …(vi) 前式)および上式)より上式)は次式
)のように書き換えることができる。
σTb4=eσT4+(1−e)σTa4 ∴Tb4=eT4+(1−e)T … さらに該式)を書き換えると放射率eは次式
)であらわされる。
e=T〓−T〓/T−Ta …) ここで、物体Aに表面を滑らかにして黒く塗つ
た偽似的な黒体部を形成すると、この黒体部の放
射率eはほとんど1とみなすことができる。した
がつて、この黒体部の見かけの温度Tbbは、上式
)にe=1を代入することにより、次式)で
あらわすことができる。
Tbb=T …) すなわち、黒体部の見かけの温度Tbbは物体A
の真の温度Tに等しい。
したがつて、黒体部を形成した物体Aの近くに
既知の温度Taの放射体(熱放射体)を設置して
物体Aの黒体部の見かけの温度Tbbを測定し、つ
いで、物体Aの他の部分の見かけの温度Tbを測
定することにより上式)でT=Tbbとおいた次
式)に基づいて当該部分における放射率eを算
出することができる。
e=T−Ta/Tbb−Ta…) 本発明は、該式)に基づいて被測定体Bmの
各部の放射率eを算出することにしている。
すなわち、まず、第3図に示したように、被測
定体Bmの表面の1部を滑らかに仕上げて黒く塗
り、黒体部Bbを形成する。そして、このように
黒体部Bbを形成した被測定体Bmで既知の高い温
度Taの熱放射体Brの放射エネルギーを反射さ
せ、該被測定体Bmの黒体部Bbを含む面の見かけ
の温度Tbを赤外放射温度計を用いて測定する。
この態様を第4図に示す。
同図に示した赤外放射温度計は第1図に示した
ものと同じであり、同一部には同一符号を付して
いる。
前述したと同様に、CPU3は光学的走査部1
を制御するとともに該走査に同期して放射量デー
タDeを各面素ごとに入力し、該放射量データDe
に基づいて各面素の見かけ上の温度Tbiを算出す
る。そして、該温度データTbiをそれに対応する
面素をあらわすアドレスで指定されるRAM9の
記憶領域に記憶させる。なお、上記添字iは、光
学的走査部1の走査開始点から終了点までの面素
に順次付した番号である。
ついで、CPU3は第5図に示したプログラム
に従つて各面素ごとの放射率eiを算出する。
すなわち、まず、黒体部Bbの温度Tbbを検出
する(処理110)。これは、上述)からわかるよ
うに、放射率eが1である黒体部Bbの温度Tbb
は、測定面Smにおいて最低温度となるため、各
画素の温度データTbiの最小値を検出し、これを
温度Tbbとする。
つぎに、各面素ごとの放射率eiを算出する
(処理120)。これは、次式)に基づいて算出
する。
i=Tb〓−T〓/Tbb−Ta …) このようにして算出された放射率eiをそれに
対応した面素をあらわすアドレスによつて指定さ
れるRAM9の記憶領域に記憶するとともに、表
示部11に出力して放射率eiを表示させる(表
示130)。なお、この場合のRAM9のアドレス
は、温度データDeを記憶したアドレスとは別個
のものである。
以上説明したように、本発明によれば、赤外放
射温度計を用いて各画素についての放射率ei
求めることができる。したがつて、赤外放射温度
計を用いた温度測定をより精密に行なうことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は赤外放射温度計の一例を示すブロツク
図、第2図は、第1図の光学的走査部の一例を示
す模式図、第3図は、本発明に係る放射率測定方
法が適用される被測定体を示す斜視図、第4図
は、本発明に係る放射率測定方法を実施するため
の装置の一例を示すブロツク図、第5図は、本発
明に係る放射率測定方法の一実施例を示すフロー
チヤートである。 1……光学的走査部、2……赤外線センサ、3
……中央処理装置、Bm……被測定体、Bb……黒
体部、Br……熱放射体、Sm……測定面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 測定面の一部に偽似的黒体部を形成した被測
    定体に温度Taの熱放射体を近接して設置し、前
    記測定面を光学的走査によりi個の画素に分割し
    て該各面素が放射する赤外線エネルギーからそれ
    らの面素の温度Tbiを検出するとともに、個々の
    面素の温度Tbiの最小値Tbbを検出し、 ei=Tb〓−Ta/Tbb−Ta なる演算に基づき前記各面素の放射率eiを算出
    することを特徴とした放射率測定方法。
JP56212590A 1981-12-28 1981-12-28 放射率測定方法 Granted JPS58113823A (ja)

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JP56212590A JPS58113823A (ja) 1981-12-28 1981-12-28 放射率測定方法

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JPS58113823A JPS58113823A (ja) 1983-07-06
JPS6146766B2 true JPS6146766B2 (ja) 1986-10-16

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0198289A (ja) * 1987-10-12 1989-04-17 Fujitsu Ltd 電源装置使用の電解コンデンサの接続方法
JPH01143164A (ja) * 1987-11-27 1989-06-05 Ibiden Co Ltd 表面実装用プリント配線板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI636251B (zh) * 2017-06-23 2018-09-21 中原大學 熱特性量測裝置

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