JPS6146970B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6146970B2 JPS6146970B2 JP53069476A JP6947678A JPS6146970B2 JP S6146970 B2 JPS6146970 B2 JP S6146970B2 JP 53069476 A JP53069476 A JP 53069476A JP 6947678 A JP6947678 A JP 6947678A JP S6146970 B2 JPS6146970 B2 JP S6146970B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafers
- semiconductor wafer
- metal film
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエハースの収納、保管パツケ
ージに関する。
ージに関する。
半導体ウエハーは不純物拡散、酸化、写真蝕
刻、洗浄、メタライズ等の製造プロセスを経て形
成される。その後ペレツタイズ工程を経てウエハ
ーから半導体素子が分離されて半導体装置に組立
てられる。一般に半導体装置の電気的特性、特に
電流増幅率、リーク電流、低周波雑音等は半導体
素子表面の各種の汚れ例えば水分、無機的な汚
れ、有機的な汚れ等により支配され悪影響を受け
ることが知られている。したがつて半導体ウエハ
ー製造から組立完了までの全製造工程に於いては
出来る限りこの汚れを持ち込まない配慮が必要で
ある。しかしながら従来、生産管理上メタライズ
工程まで完了したウエハーをペレツタイズ工程に
送る間にウエハーの状態で一亘収納、保管するこ
ことがしばしば行われている。例えばペレツタイ
ズ工程の製造工場が遠く離れている場合またはウ
エハー状態で販売出荷する場合にはウエハーをし
かるべき収納方法で収納し包装した後運搬する。
さらに同一工場内に於いても生産調整のためウエ
ハーの状態で収納、保管することが行われる。従
来、半導体ウエハーの収納、保管パツケージとし
て、内面をポリエチレンでコーテイングしたグラ
シン紙の袋にウエハーを収納するもの、プラスチ
ツクの箱にウエハーを複数枚整列させて入れ、箱
同志を重ね合せて、テープなどで密封するものな
どが用いられている。しかしながら、前者はウエ
ハー表面が袋の内面に接触して汚れるという欠点
があり、また後者は気密性が十分に保てないため
ウエハー表面が大気にさらされる状態になりウエ
ハー表面に各種の汚れが付着乃至吸着するという
欠点があつた。このため従来のこれらの収納、保
管パツケージは、保管中に表面が汚染されるの
で、半導体装置に組立後、品質、信頼性に悪影響
を及ぼすことが多く、特に収納、保管期間が長く
なる程その影響が著しかつた。
刻、洗浄、メタライズ等の製造プロセスを経て形
成される。その後ペレツタイズ工程を経てウエハ
ーから半導体素子が分離されて半導体装置に組立
てられる。一般に半導体装置の電気的特性、特に
電流増幅率、リーク電流、低周波雑音等は半導体
素子表面の各種の汚れ例えば水分、無機的な汚
れ、有機的な汚れ等により支配され悪影響を受け
ることが知られている。したがつて半導体ウエハ
ー製造から組立完了までの全製造工程に於いては
出来る限りこの汚れを持ち込まない配慮が必要で
ある。しかしながら従来、生産管理上メタライズ
工程まで完了したウエハーをペレツタイズ工程に
送る間にウエハーの状態で一亘収納、保管するこ
ことがしばしば行われている。例えばペレツタイ
ズ工程の製造工場が遠く離れている場合またはウ
エハー状態で販売出荷する場合にはウエハーをし
かるべき収納方法で収納し包装した後運搬する。
さらに同一工場内に於いても生産調整のためウエ
ハーの状態で収納、保管することが行われる。従
来、半導体ウエハーの収納、保管パツケージとし
て、内面をポリエチレンでコーテイングしたグラ
シン紙の袋にウエハーを収納するもの、プラスチ
ツクの箱にウエハーを複数枚整列させて入れ、箱
同志を重ね合せて、テープなどで密封するものな
どが用いられている。しかしながら、前者はウエ
ハー表面が袋の内面に接触して汚れるという欠点
があり、また後者は気密性が十分に保てないため
ウエハー表面が大気にさらされる状態になりウエ
ハー表面に各種の汚れが付着乃至吸着するという
欠点があつた。このため従来のこれらの収納、保
管パツケージは、保管中に表面が汚染されるの
で、半導体装置に組立後、品質、信頼性に悪影響
を及ぼすことが多く、特に収納、保管期間が長く
なる程その影響が著しかつた。
本発明の目的は、ウエハーをその清浄度を保つ
た状態で収納、保管でき、さらに運搬に便利で簡
便なウエハーの収納用パツケージを提供するもの
である。
た状態で収納、保管でき、さらに運搬に便利で簡
便なウエハーの収納用パツケージを提供するもの
である。
本発明は、複数のウエハースをまずアルミニウ
ム箔の上に表面を上にして設置しその上部からほ
ぼウエハーの体積を同程度のくぼみを有する硬質
性プラスチツクフイルム例えば塩化ビニルフイル
ムをかぶせ、ウエハーの設置されていない余白の
部分のアルミニウム箔表面と該塩化ビニルフイル
ムの平担部を不活性ガス雰囲気内例えば窒素雰囲
気内で熱圧着し、気密封着することを特徴とす
る。この際硬質性プラスチツクフイルム内壁とウ
エハー面が接触しないように該プラスチツクフイ
ルムのくぼみの側面はテーパーをつけておくこと
が重要である。即ちたとえ収納されたウエハーが
運搬中振動にあつたり又は取扱中表面が下方に向
く状態になつてもこのくぼみ側面のテーパーがウ
エハーを固定させる役割をもち、ウエハー表面は
常に空間に位置する状態を保つ。
ム箔の上に表面を上にして設置しその上部からほ
ぼウエハーの体積を同程度のくぼみを有する硬質
性プラスチツクフイルム例えば塩化ビニルフイル
ムをかぶせ、ウエハーの設置されていない余白の
部分のアルミニウム箔表面と該塩化ビニルフイル
ムの平担部を不活性ガス雰囲気内例えば窒素雰囲
気内で熱圧着し、気密封着することを特徴とす
る。この際硬質性プラスチツクフイルム内壁とウ
エハー面が接触しないように該プラスチツクフイ
ルムのくぼみの側面はテーパーをつけておくこと
が重要である。即ちたとえ収納されたウエハーが
運搬中振動にあつたり又は取扱中表面が下方に向
く状態になつてもこのくぼみ側面のテーパーがウ
エハーを固定させる役割をもち、ウエハー表面は
常に空間に位置する状態を保つ。
このようにして収納されたウエハーは、そのま
ま一搬の封筒のようなものに入れしかるべき場所
に移送してもウエハースの清浄度は収納前と比べ
全く変化せず良好な状態を保つていることが確認
された。さらにこのままの状態で特に清浄度に気
をくばらない場所例えば事務所等に長期間保管し
ても同様に良好な状態が保てることが確認され
た。さらにウエハー裏面側にアルミ箔が当接して
いる状態はMOSタイプを有する半導体ウエハー
のようにプラスチツク内で帯電しやすいウエハー
の保管には帯電防止に最適である。このよう本発
明のウエハー収納、保管パツケージはウエハー表
面が不活性ガス内の気密空間中に位置し、外気か
らの汚染を全く遮断し、さらに取扱い、運搬、保
管に簡便なようにパツクの容積を極端に小さくで
きるという特徴がある。
ま一搬の封筒のようなものに入れしかるべき場所
に移送してもウエハースの清浄度は収納前と比べ
全く変化せず良好な状態を保つていることが確認
された。さらにこのままの状態で特に清浄度に気
をくばらない場所例えば事務所等に長期間保管し
ても同様に良好な状態が保てることが確認され
た。さらにウエハー裏面側にアルミ箔が当接して
いる状態はMOSタイプを有する半導体ウエハー
のようにプラスチツク内で帯電しやすいウエハー
の保管には帯電防止に最適である。このよう本発
明のウエハー収納、保管パツケージはウエハー表
面が不活性ガス内の気密空間中に位置し、外気か
らの汚染を全く遮断し、さらに取扱い、運搬、保
管に簡便なようにパツクの容積を極端に小さくで
きるという特徴がある。
次に本発明をその好ましい実施例に基づき図面
を参照して説明する。第１図は拡散、メタライズ
等のウエハー製造工程を一通り完了し、ペレツタ
イズ工程に入る前のウエハーを通常の洗浄工程例
えば有機溶剤等で洗浄した後の清浄なウエハー１
をその表面を上にして略0.1mm厚のあらかじめ洗
浄したアルミニウム箔２の上に設置した状態を示
す。尚このアルミニウム箔２の表面のウエハー設
置個所以外の部分には後の熱圧着に便ならしむる
ようにポリエチレンコーテイグ３が設けられてい
る。次に第２図に示すような硬質塩化ビニルフイ
ルム４を別に準備する。この塩化ビニルフイルム
４は第１図の状態のウエハー１の上に気密にかぶ
せるカバーの役割をするもので、厚さは略１mmで
ウエハーの周辺の肩部に当接しウエハーが振動し
たり、ウエハー表面が逆さになつた時にウエハー
表面が該カバー４の内壁に接触しないようにテー
パー５をつけた形状に加工されている。次に第１
図の状態のウエハーは窒素雰囲気中例えば窒素が
充満しているボツクスの中で第２図に示す形状の
塩化ビニルフイルム４によりカバーされ、熱圧着
装置により該塩化ビニルフイルム４の平担部とポ
リエチレンがコーテイングされたアルミニウム箔
が熱圧着される。かくして第３図に示される如く
ウエハー１はアルミニウム箔２と塩化ビニルフイ
ルム４により気密封着される。この封着部６は熱
圧着により大気より完全に遮断される。しかもウ
エハー１の表面はウエハーの収納される高さ略３
mmの空間部７にあつて常に窒素ガスにさらされ清
浄な状態を保つている。さらに外部からの振動に
隙しても塩化ビニルフイルム４のテーパー部５が
ストツパーの役割をなす。かかるウエハーの収納
パツケージはもちろん同時に複数枚を同様の方法
で実施することが可能でありこれを自動化して行
えることは云うまでもない。
を参照して説明する。第１図は拡散、メタライズ
等のウエハー製造工程を一通り完了し、ペレツタ
イズ工程に入る前のウエハーを通常の洗浄工程例
えば有機溶剤等で洗浄した後の清浄なウエハー１
をその表面を上にして略0.1mm厚のあらかじめ洗
浄したアルミニウム箔２の上に設置した状態を示
す。尚このアルミニウム箔２の表面のウエハー設
置個所以外の部分には後の熱圧着に便ならしむる
ようにポリエチレンコーテイグ３が設けられてい
る。次に第２図に示すような硬質塩化ビニルフイ
ルム４を別に準備する。この塩化ビニルフイルム
４は第１図の状態のウエハー１の上に気密にかぶ
せるカバーの役割をするもので、厚さは略１mmで
ウエハーの周辺の肩部に当接しウエハーが振動し
たり、ウエハー表面が逆さになつた時にウエハー
表面が該カバー４の内壁に接触しないようにテー
パー５をつけた形状に加工されている。次に第１
図の状態のウエハーは窒素雰囲気中例えば窒素が
充満しているボツクスの中で第２図に示す形状の
塩化ビニルフイルム４によりカバーされ、熱圧着
装置により該塩化ビニルフイルム４の平担部とポ
リエチレンがコーテイングされたアルミニウム箔
が熱圧着される。かくして第３図に示される如く
ウエハー１はアルミニウム箔２と塩化ビニルフイ
ルム４により気密封着される。この封着部６は熱
圧着により大気より完全に遮断される。しかもウ
エハー１の表面はウエハーの収納される高さ略３
mmの空間部７にあつて常に窒素ガスにさらされ清
浄な状態を保つている。さらに外部からの振動に
隙しても塩化ビニルフイルム４のテーパー部５が
ストツパーの役割をなす。かかるウエハーの収納
パツケージはもちろん同時に複数枚を同様の方法
で実施することが可能でありこれを自動化して行
えることは云うまでもない。
第４図は複数枚のウエハーを収納した一つの例
を示す。このような状態でそのまま他所に移送し
たり、長期間保管しておくことが出来る。例えば
このままの状態で一般の大気に２年間放置した結
果ではウエハーの表面状態は全く初期と同様であ
り、さらに半導体装置に組立た後の電気的諸特性
に対しても該保管により劣化が現われることは全
くなかつた。
を示す。このような状態でそのまま他所に移送し
たり、長期間保管しておくことが出来る。例えば
このままの状態で一般の大気に２年間放置した結
果ではウエハーの表面状態は全く初期と同様であ
り、さらに半導体装置に組立た後の電気的諸特性
に対しても該保管により劣化が現われることは全
くなかつた。
以上述べた如く本発明のウエハーの収納パツケ
ージは極く簡便な方法で実施することが出来、収
納ケースの形状も非常に薄形で、取扱い、保管、
移送に便利であり、さらにウエハーの品質、信頼
性に全く悪影響を与えることのない特徴を有す
る。なお本発明は前記の実施例に掲げた具体的な
材質、形状等に限定されるものではない。
ージは極く簡便な方法で実施することが出来、収
納ケースの形状も非常に薄形で、取扱い、保管、
移送に便利であり、さらにウエハーの品質、信頼
性に全く悪影響を与えることのない特徴を有す
る。なお本発明は前記の実施例に掲げた具体的な
材質、形状等に限定されるものではない。
第１図は本発明において、アルミニウム箔上に
半導体ウエハーを配置した状態の断面図、第２図
はプラスチツクカバーの断面図、第３図は本発明
の収納パツケージの断面図、第４図は複数枚収納
パツケージの断面図である。 １……半導体ウエハー、２……アルミニウム
箔、３……ポリエチレンコーテイング、４……塩
化ビニルフイルム、５……塩化ビニルフイルムの
テーパー部、６……封着部、７……ウエハー収納
内空間部、不活性ガス充満部。
半導体ウエハーを配置した状態の断面図、第２図
はプラスチツクカバーの断面図、第３図は本発明
の収納パツケージの断面図、第４図は複数枚収納
パツケージの断面図である。 １……半導体ウエハー、２……アルミニウム
箔、３……ポリエチレンコーテイング、４……塩
化ビニルフイルム、５……塩化ビニルフイルムの
テーパー部、６……封着部、７……ウエハー収納
内空間部、不活性ガス充満部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 多数の半導体ウエハーが載置されるメタルフ
イルムと、前記メタルフイルムに封着された硬質
プラスチツク製カバーであつて各半導体ウエハー
の肩部に当接して各半導体ウエハーを固定させる
が各半導体ウエハー表面には接触しない形状を有
する硬質プラスチツク製カバーとを備え、前記メ
タルフイルムと前記カバーとでできる空間に不活
性ガスを充填して各半導体ウエハーを密封するよ
うにした半導体ウエハーの収納パツケージ。 ２ 前記メタルフイルムには部分的にプラスチツ
クフイルムがコーテイングされており、前記密封
は前記メタルフイルム上のプラスチツクコーテイ
ング部とプラスチツク製カバーの平担部との熱圧
着による封着によつてなされていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体ウエハー
の収納パツケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6947678A JPS54159864A (en) | 1978-06-08 | 1978-06-08 | Storing package of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6947678A JPS54159864A (en) | 1978-06-08 | 1978-06-08 | Storing package of semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54159864A JPS54159864A (en) | 1979-12-18 |
| JPS6146970B2 true JPS6146970B2 (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=13403768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6947678A Granted JPS54159864A (en) | 1978-06-08 | 1978-06-08 | Storing package of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54159864A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989000334A1 (fr) * | 1987-07-08 | 1989-01-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Conservation de substrats semi-conducteurs |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611149U (ja) * | 1984-06-09 | 1986-01-07 | 株式会社 堀場製作所 | 自動車排ガス分析装置用フイルタ−エレメントパツク |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5318473Y2 (ja) * | 1972-06-23 | 1978-05-17 | ||
| JPS5017330U (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-25 | ||
| JPS5443461A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Packing method of semiconductor wafer |
-
1978
- 1978-06-08 JP JP6947678A patent/JPS54159864A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989000334A1 (fr) * | 1987-07-08 | 1989-01-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Conservation de substrats semi-conducteurs |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54159864A (en) | 1979-12-18 |
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