JPS6148768A - コンタクト抵抗の測定方法 - Google Patents

コンタクト抵抗の測定方法

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Publication number
JPS6148768A
JPS6148768A JP17188284A JP17188284A JPS6148768A JP S6148768 A JPS6148768 A JP S6148768A JP 17188284 A JP17188284 A JP 17188284A JP 17188284 A JP17188284 A JP 17188284A JP S6148768 A JPS6148768 A JP S6148768A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistors
contact
lengths
contact resistance
resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17188284A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Takiguchi
滝口 雅夫
Koichi Kanezaki
金崎 孝一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP17188284A priority Critical patent/JPS6148768A/ja
Publication of JPS6148768A publication Critical patent/JPS6148768A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体基板上に形成された抵抗体のコンタク
ト抵抗の測定方法に関する。
従来例の構成とその問題点 第1図は半導体基板上に作シ込まれた抵抗体の簡単な平
面図を示す。図中、1は抵抗体、2,3はコンタクト窓
部、4は配線部を示す。第1図において、抵抗体の幅を
W、抵抗体1の中に形成された窓部2,3の間隔?2.
抵抗抵抗のシート抵抗をρとし、コンタクト窓部2,3
と配線部4との接触面に生じるコンタクト抵抗をRHと
すると、抵抗体1の測定抵抗値Rは次式で表わされる。
R= 2RH+ @ρ  ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・(1)通常、コンタクト抵
抗RHはWρ で表わされる抵抗体の抵抗値に比べて充
分小さいものであるので、マスク設計を行う場合、コン
タクト抵抗RH全無祝することが多い。しかし、抵抗体
そのものが有する抵抗値が小さい場合や、抵抗の相対比
精度が問題になる場合には、コンタクト抵抗HHH1無
視できなくなる。すなわち、回路設計の精度を高めよう
とするならば、コンタクト抵抗RH2あらかじめ考慮し
なければならないことになり、コンタクト抵抗を何んら
かの方法て算出する必要があり、特に実体に即したコン
タクト抵抗の算出方法が望まれていた。
発明の目的 本発明は、上記に鑑みてなされたものであり実体に即し
たコンタクト抵抗をきわめて容易に算出できる測定方法
を提供するものである。
発明の構成 本発明は要約するに、半導体基板上に、形状およびコン
タクト窓部がほぼ等しく、かつその長さが異なる抵抗体
を複数個形成し、かつ前記複数個の抵抗体とは異なる大
きさのコンタクト窓を有し、かつその長さが異なる複数
個の抵抗体の組を複数組形成した後、前記同一サイズの
コンタクト窓を有する抵抗体の組において、抵抗体の測
定抵抗値をその長さに応じて表示し、この表示点を結ぶ
表示線により、抵抗体の長さが零の時の抵抗値を外挿し
、前記外挿点をコンタクト抵抗値として算出し、かつ前
記外挿et前記コンタクト窓のサイズの異なる抵抗体の
各組において行い、コンタクト抵抗値をコンタクト窓部
のサイズに応じて検出するコンタクト抵抗測定方法であ
り、これによれば、コンタクト抵抗を極めて容易に測定
することができ、かつコンタクト窓のサイズが異なった
場合のコンタクト抵抗も極めて容易に推定できる。
実施例の説明 第2図は本発明の一実施例にかかる半導体基板上に形成
されたコンタクト窓部のサイズが異なる3組の抵抗体で
あり、第2図A、B、Cはそれぞれの抵抗体の幅がWl
、W2.W、コンタクト窓部の幅がWc01.WcO2
,WcO3の場合である。第1図と同一機能を有する個
所には、同一番号を付した。次に本発明に基づいて説明
する。同一の半導体基板上の阻めて近い位置にしかも同
一方向に抵抗体の幅が3組で、抵抗体の長さが異なる抵
抗体RA11RA2IRA3IRB11RB2IRB3
IRC1,RC2IRc3 を形成した後これらの抵抗
値を測定する。
次に、抵抗体の長さIl、1.g。、23.と抵抗体の
幅、すなわちコンタクト窓部の幅に対応した測定値との
関係全第3図に示すようなグラフで表わす。そして、コ
ンタクト窓部のサイズ毎に、抵抗体の長さが零の時の抵
抗体の抵抗値全外挿すると、この点が、任意のコンタク
ト窓部のサイズにおけるコンタクト抵抗値となり、第3
図においては、それぞれ全Rw1.Rw2.RVV3と
する。次にコンタクト窓部の幅WcOと前記コンタクト
抵抗RW1+ RVl、!。
RW3 の関係全第4図に示すようなグラフで表わf、
flLtば・Wc04(wCOlく”CO4くWcO2
) のコンタクト抵抗を求めたい場合、第4図を用いれ
ば、極めて簡単に推定することが可能となり、精度の高
い回路設計を行う場合、充分貴重な資料となる。すなわ
ち、本発明によれば、極めて簡単に任意のコンタクト窓
部の幅に対するコンタクト抵抗を直接的あるいは間接的
に求めることができる。
発明の効果 以上、実施fllに説明したように、本発明のコンタク
ト抵抗の測定方法は、きわめて容易にしかも気体に即し
たコンタクト抵抗を算出できるので、その利用価値は大
きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体基板上に作り込まれた抵抗体の平面図、
第2図は本発明の一実施例にかがる半導体基板上に復故
イ固形成された抵抗体の平面図、第3図、第4図は第2
図の複数個形成された抵抗体からコンタクト抵抗全算出
するグラフを示す。 1・・・・・・抵抗体、2,3・・・山コンタクト窓部
、4・・・・・・配線部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名第1
図 第3図 第4図 つ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に、形状およびコンタクト窓がほぼ等しく
    、かつその長さが異なる抵抗体を複数個形成し、かつ前
    記複数個の抵抗体とは異なる大きさのコンタクト窓を有
    し、かつその長さが異なる複数個の抵抗体の組を複数組
    形成した後、前記同一サイズのコンタクト窓を有する抵
    抗体の組において、抵抗体の測定抵抗値をその長さに応
    じて表示し、この表示点を結ぶ表示線により、抵抗体の
    長さが零の時の抵抗値を外挿し、前記外挿点を、コンタ
    クト抵抗値として算出し、かつ前記外挿法を前記コンタ
    クト窓のサイズの異なる抵抗体の各組において行い、コ
    ンタクト抵抗値をコンタクト窓のサイズに応じて検出す
    ることを特徴とするコンタクト抵抗の測定方法。
JP17188284A 1984-08-17 1984-08-17 コンタクト抵抗の測定方法 Pending JPS6148768A (ja)

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JPS6148768A true JPS6148768A (ja) 1986-03-10

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5486767A (en) * 1994-03-03 1996-01-23 General Electric Company Method and system for detecting defects in pipes or other structures
US6908777B2 (en) * 1997-03-26 2005-06-21 Oki Electric Industry Co., Ltd. Compound semiconductor device and method for controlling characteristics of the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5486767A (en) * 1994-03-03 1996-01-23 General Electric Company Method and system for detecting defects in pipes or other structures
US6908777B2 (en) * 1997-03-26 2005-06-21 Oki Electric Industry Co., Ltd. Compound semiconductor device and method for controlling characteristics of the same

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