JPS6149465A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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Publication number
JPS6149465A
JPS6149465A JP59171888A JP17188884A JPS6149465A JP S6149465 A JPS6149465 A JP S6149465A JP 59171888 A JP59171888 A JP 59171888A JP 17188884 A JP17188884 A JP 17188884A JP S6149465 A JPS6149465 A JP S6149465A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type
state imaging
imaging device
light
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59171888A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiro Kuriyama
俊寛 栗山
Shigenori Matsumoto
松本　茂則
Yoshimitsu Hiroshima
広島　義光
Hiroyuki Mizuno
博之 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP59171888A priority Critical patent/JPS6149465A/ja
Publication of JPS6149465A publication Critical patent/JPS6149465A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は単板カラー固体カメラに用いることができる固
体撮像装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、固体撮像装置はＭＯＳ型、ＣＰＤ型あるいは、Ｃ
ＣＤ型などが商品化されている。
その内でＣＣＤ型はインターラインＣ０Ｄ（以下ＩＬ−
ＣＯＤと呼ぶ）型が主流と々っている。
この方式は、高感度であるという特徴を有しているが、
特性面では感度を低下させないでさらにスミアの低減を
図ることが要望されている。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来のＩＬ
−ＣＯＤについて説明する。
第１図は従来のＩ　Ｌ−ＣＯＤの１単位画素の断面模式
図を示すものである。第１図において、１は出発材料の
Ｎ型Ｓ基板である。２はＰ型ウェルで、能動領域となる
。３はチャンネルストッパーのＰ型頭域、４はＣＣＤの
Ｎ型埋め込み拡散層である。５はＣＯＤの転送電極とな
るポリシリコンゲートである。６は受光部となるＰＮ接
合のＮ型拡散層、７ばＣＣＤ上の光遮蔽用のアルミニウ
ム膜である。８は保護絶縁膜である。
以上のように構成されたＩＬ−ＣＯＤについて、以下そ
の動作を説明する。
まずＮ型Ｓ１基板１とＰ型ウェル２とは逆バイアスされ
ている。そしである電圧以上を加えると受光部のＮ型拡
散層６の下のＰ型ウェル２ｂは、ＣＣＤの下のＰ型ウェ
ル２ａに比べて濃度は薄く拡散長も短いので、完全空乏
化する。そのため入射光のうちでＰ型ウェル２のポテン
′シャルの山よシ深い所で発生した電荷は基板１へ吸収
される。
そのため、この様なＰ型ウェル構造でないものに比べる
とスミアの低減が図られている。しかしながら上記のよ
うな構造では、光電変換面のＮ型拡散層６と遮光のため
のアルミニウム膜７との間が最少でも１μｍ以上あるた
め斜め入射光などによるスミアが支配的となっている。
それを解決するには、アルミニウム膜による遮光を大き
くすればよいが、そうすると感度の低下をまねくという
欠点を有していた。
発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、感度低下を抑えてスミアの低
減を図ることのできる固体撮像装置を提供するものであ
る。
発明の構成 この目的を達成するために本発明の固体撮像装置は、ゲ
ート電極を高融点金属、あるいは高融点金属ポリサイド
およびシリサイドで形成したものであり、この構成によ
って、感度低下をまねくことなく、スミア低減が図れる
こととなる。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第２図は本発明の実施例におけるＩ　Ｌ−ＣＯＤの１単
位画素の断面模式図を示すものである。
第２図において２１はＮ型Ｓｉ基板、２２はＰ型ウェル
、２３はチャンネルストッパ領域、２４はＣＣＤのＮ型
埋め込み拡散層、２５は高融点金属によるゲート電極、
２６は受光部となるＰＮ接合の炉型拡散層、２７は保護
絶縁膜である。
以上のように構成された固体撮像装置について以下その
動作を説明する。まず基板深部でのスミア抑制動作は、
従来例と同一である。ところが、ＣＯＤのゲート電極２
５が光を透過しない高融点金属（たとえばＭｏ等）で形
成されているため、ゲート電極２５自体が光を遮蔽する
ので、従来例のようなアルミニウム膜による遮光を必要
としない。その結果受光部と遮光部との間がゲート酸化
膜厚分のみとなり従来の１μｍ以上からそのに以下の距
離となる。そのため、たとえば４５°で入射角が入射し
てくる光に対しては本発明と同等のスミア値にするため
には従来例の構造では遮光のためのアルミニウム膜を１
μｍ程度広げなければならない。その結果、感度および
開口率の低下をまねくことになる。また、本発明の構造
は受光部と遮光部をセルファラインで形成でき、なお、
ゲート材料にシート抵抗の低い高融点金属あるいはそれ
のシリサイドまたはポリサイドを使用するため、固体撮
像装置の小型化、高密度化にも十分対応できる。さらに
本発明の実施例（第２図）から明らかなように、従来例
と比較して平坦である。
そのため、オンチップフィルターの形成も非常に容易に
なる。
なお、一実施例ではＰウェル型ＩＬ−ＣＣＤ構造としだ
が、他のＩ　Ｌ−ＣＣＤ構造であってもよい。
発明の効果 以上のように本発明は、ゲート電極を高融点金属あるい
はそれのソリサイド等で形成することにより、感度の低
下を才ねかすにスミアの低減が図れるもので、その実用
的効果は犬なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第１図は固体撮像装置の従来例における１単位画素の断
面模式図、第２図は本発明の一実施例における固体撮像
装置の１単位画素の断面模式図である。 ２１・・・・・・Ｎ　ｆｊＪ　Ｓ　ｉ基板、２２・・・
・・・Ｐ型ウェル、２３・・・・・・チャンネノしスト
ッパー、２４・・・・・・ＣＣＤのＮ型埋め込み拡散層
、２５・・・・・・ゲート電極、２６・・・・・・Ｎ型
拡散層、２７・・・・・・保護絶縁膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ゲート電極が高融点金属あるいは高融点金属のポリサイ
    ドまたはそのシリサイドで形成されていることを特徴と
    する固体撮像装置。
JP59171888A 1984-08-17 1984-08-17 固体撮像装置 Pending JPS6149465A (ja)

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