JPS6315460A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS6315460A JPS6315460A JP61160079A JP16007986A JPS6315460A JP S6315460 A JPS6315460 A JP S6315460A JP 61160079 A JP61160079 A JP 61160079A JP 16007986 A JP16007986 A JP 16007986A JP S6315460 A JPS6315460 A JP S6315460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal transmission
- light
- electrode
- amount
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関し、特に微細加工による高密
度型固体撮像素子に関するものである。
度型固体撮像素子に関するものである。
近年、固体撮像素子は、ビデオカメラ、計測。
ファクシミリ等各方面に利用がひろまっている。
半導体技術の進歩による微細パターン化によシ、画素の
高密度化が進んでいる。
高密度化が進んでいる。
従来技術の固体撮像素子の画素の断面図を第３図に示す
。半導体基板１上に逆導電型のウェル層２を形成し、ウ
ェル層２内に光電変換領域３および信号伝達領域４を設
は酸化膜５を介して多結晶シリコン電極６および光遮へ
い用電極７が設けられている。
。半導体基板１上に逆導電型のウェル層２を形成し、ウ
ェル層２内に光電変換領域３および信号伝達領域４を設
は酸化膜５を介して多結晶シリコン電極６および光遮へ
い用電極７が設けられている。
上述した従来の固体撮像素子においては、光遮へい用電
極１とウェル層２の表面との間に多結晶シリコン電極６
と２層の酸化膜が介在する為に、通常０．５μｍ〜１．
０μｍ程度の距離が生じる。従って第３図に示す斜めか
らの光８が入射すると信号伝達領域４に光が直接入射さ
れ、偽信号の一つであるスミア成分となる。本スミア成
分は、固体撮像素子が高密度になれば多くなる。
極１とウェル層２の表面との間に多結晶シリコン電極６
と２層の酸化膜が介在する為に、通常０．５μｍ〜１．
０μｍ程度の距離が生じる。従って第３図に示す斜めか
らの光８が入射すると信号伝達領域４に光が直接入射さ
れ、偽信号の一つであるスミア成分となる。本スミア成
分は、固体撮像素子が高密度になれば多くなる。
即ち高密度になシ、単位画素である光電変換領域３の面
積が小さくな９、光電変換領域３と信号伝達領域４の分
離領域が短くなればなる程、光電変換される信号に対応
する光の量に対して信号伝達領域４に漏れ込む光の量の
比、即ちスミア量は非常に大きくなり画質を著しく損う
。
積が小さくな９、光電変換領域３と信号伝達領域４の分
離領域が短くなればなる程、光電変換される信号に対応
する光の量に対して信号伝達領域４に漏れ込む光の量の
比、即ちスミア量は非常に大きくなり画質を著しく損う
。
本発明の目的は高密度型の固体撮像素子において、平面
寸法が小さくなった時にスミア量を抑えるのに垂直方向
即ち半導体表面と光透へい電極間の距離を著しく小さく
した固体撮像素子を提供することにある。
寸法が小さくなった時にスミア量を抑えるのに垂直方向
即ち半導体表面と光透へい電極間の距離を著しく小さく
した固体撮像素子を提供することにある。
本発明は信号伝達領域上に設ける電極に光透へい機能を
有する材料を用いており、信号伝達領域表面と光透へい
電極間の距離を１層のゲート酸化膜厚だけとすることに
より、従来の０．５μｍ〜１．０μｍから０．１μｍ以
下にでき、スミア量は大幅に軽減される。
有する材料を用いており、信号伝達領域表面と光透へい
電極間の距離を１層のゲート酸化膜厚だけとすることに
より、従来の０．５μｍ〜１．０μｍから０．１μｍ以
下にでき、スミア量は大幅に軽減される。
父上配電極材料は高融点金属（例えばモリブデン）又は
高融点金属と多結晶シリコンを直接重ね合せた二層構造
等を利用でき、遮光効果を持つ厚さのアルミニウムも利
用できる。
高融点金属と多結晶シリコンを直接重ね合せた二層構造
等を利用でき、遮光効果を持つ厚さのアルミニウムも利
用できる。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の画素の断面図である。−導
電型の半導体基板１上に他の導電型のウェル層２を設け
、このウェル層２内に光電変換領域３および信号伝達特
性４を形成し、その上に酸化膜５を介して信号電運用の
電極９をモリブデン等の高融点金属で設けている。
電型の半導体基板１上に他の導電型のウェル層２を設け
、このウェル層２内に光電変換領域３および信号伝達特
性４を形成し、その上に酸化膜５を介して信号電運用の
電極９をモリブデン等の高融点金属で設けている。
この時、高融点金属の電極９は光を辿断するので光透へ
い用電極としての機能をもたせることができ、従来の固
体撮像素子のように光透へい用電極を必要としない。
い用電極としての機能をもたせることができ、従来の固
体撮像素子のように光透へい用電極を必要としない。
又第１図の実施例と第３図の従来例とを比較してわかる
ように、本発明においては才子表面が従来技術に比べ平
坦にな９、入射光に対し散乱光が著しく減シ光学特性の
よい固体撮像素子が得らｎる。
ように、本発明においては才子表面が従来技術に比べ平
坦にな９、入射光に対し散乱光が著しく減シ光学特性の
よい固体撮像素子が得らｎる。
〔実施例２〕
第２図は本発明の他の実施例の画素の断面図である。
第１図と同一番号は同じものを示す。第１の実施例にお
いては信号伝達用の電極９にモリブデン等の高融点金属
を用いたがこの他の本実施例では、前記電極を多結晶シ
リコン６と高融点金属９の二層構造にしたものである。
いては信号伝達用の電極９にモリブデン等の高融点金属
を用いたがこの他の本実施例では、前記電極を多結晶シ
リコン６と高融点金属９の二層構造にしたものである。
本構造をとることにより酸化膜５との界面が多結晶シリ
コン６であるため、従来技術と同様に安定した信号伝達
特性を得ることが可能となる。
コン６であるため、従来技術と同様に安定した信号伝達
特性を得ることが可能となる。
以上説明したように本発明は信号伝達用の電極に光透へ
い機能をもたせることＫよう、信号伝達領域に直接重す
る斜め入射光８の量を極めて少くできスミア量を最少に
できる。
い機能をもたせることＫよう、信号伝達領域に直接重す
る斜め入射光８の量を極めて少くできスミア量を最少に
できる。
又本発明を用いれば、電極抵抗が従来の多結晶シリコン
電極に比べて、１桁以上も小さくなり高密度化時の微細
加工に供う信号伝達の遅れも少くなる。又光透へい電極
の開孔面積で固体撮像素子の感度が決められるのである
が、従来素子に比べてパターニングを平坦部で行うこと
ができ、精度のよい均風な感度をもつ団体撮像素子を得
ることもできる。
電極に比べて、１桁以上も小さくなり高密度化時の微細
加工に供う信号伝達の遅れも少くなる。又光透へい電極
の開孔面積で固体撮像素子の感度が決められるのである
が、従来素子に比べてパターニングを平坦部で行うこと
ができ、精度のよい均風な感度をもつ団体撮像素子を得
ることもできる。
以上本発明は高密度型団体撮像素子において、スミア抑
圧、均一感度化、および信号伝達特性の遅延防止とを可
能とする。また、信号伝達領域上の電極は高融点金属や
多結晶シリコンと高融点金属の２層構造に限らず、遮へ
い効果を持つに十分な厚さの金属であれば利用できるも
のである。
圧、均一感度化、および信号伝達特性の遅延防止とを可
能とする。また、信号伝達領域上の電極は高融点金属や
多結晶シリコンと高融点金属の２層構造に限らず、遮へ
い効果を持つに十分な厚さの金属であれば利用できるも
のである。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は本発
明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来技術の例を
示す断面図である。
明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来技術の例を
示す断面図である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と、該半導体基板上に設けられ
た前記半導体基板と反対導電型の半導体層と、該半導体
層内に設けた光電変換領域および信号伝達領域と、前記
信号伝達領域上に形成され光遮へい機能を有する金属か
らなる信号伝達用電極とを有することを特徴とする固体
撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160079A JPS6315460A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160079A JPS6315460A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315460A true JPS6315460A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15707416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61160079A Pending JPS6315460A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315460A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165908A (en) * | 1997-03-03 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Single-layer-electrode type charge coupled device having double conductive layers for charge transfer electrodes |
| JP2005123538A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-12 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59159564A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-10 | Sony Corp | 固体光−電気変換装置 |
| JPS6149465A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-11 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP61160079A patent/JPS6315460A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59159564A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-10 | Sony Corp | 固体光−電気変換装置 |
| JPS6149465A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-11 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165908A (en) * | 1997-03-03 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Single-layer-electrode type charge coupled device having double conductive layers for charge transfer electrodes |
| JP2005123538A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-12 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
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