JPS6149475A - 紫外線照射型半導体装置 - Google Patents
紫外線照射型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6149475A JPS6149475A JP59171868A JP17186884A JPS6149475A JP S6149475 A JPS6149475 A JP S6149475A JP 59171868 A JP59171868 A JP 59171868A JP 17186884 A JP17186884 A JP 17186884A JP S6149475 A JPS6149475 A JP S6149475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ultraviolet
- diffusion layers
- source
- drain diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/68—Floating-gate IGFETs
- H10D30/681—Floating-gate IGFETs having only two programming levels
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、紫外線消去型半導体装置（以下ＵＶ−ＥＰＲ
ＯＭと略す）に関するものである。
ＯＭと略す）に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、ＵＶ−ＥＰＲＯＭにおいては紫外線の照射総時間
については全く認知不可能であった。しかしこれらの量
はＵＶ−ＥＦＲＯＭの信頼性で非常に重要な位置を占め
ている。すなわち紫外線の照射総時間に関しては、長時
間紫外線を照射した場合、絶縁層内の電子が高いエネル
ギーを与えられ、これら電子による結晶欠陥が生成され
る可能性がある。
については全く認知不可能であった。しかしこれらの量
はＵＶ−ＥＦＲＯＭの信頼性で非常に重要な位置を占め
ている。すなわち紫外線の照射総時間に関しては、長時
間紫外線を照射した場合、絶縁層内の電子が高いエネル
ギーを与えられ、これら電子による結晶欠陥が生成され
る可能性がある。
一方、書き込み／消去総回数に関しては、メモリ・セル
・トランジスタのゲート酸化膜中に注入された電子がＳ
Ｉ Ｓ ｉ０２界面ヘトラップすることによるメモ
リ・セル・トランジスタのしきい値電圧変化の問題など
と係わりがある。
・トランジスタのゲート酸化膜中に注入された電子がＳ
Ｉ Ｓ ｉ０２界面ヘトラップすることによるメモ
リ・セル・トランジスタのしきい値電圧変化の問題など
と係わりがある。
発明の目的
本発明はＵＶ−ＥＰＲＯＭの紫外線の照射総時間、書き
込み／消去総回数をモニタすることが可能な紫外線照射
型半導体装置を提供するものである。
込み／消去総回数をモニタすることが可能な紫外線照射
型半導体装置を提供するものである。
発明の構成
半導体基板上にソース、ドレイン拡散層と、絶縁膜を介
して二層のゲート電極とを有し、且つ、前記ソース、ド
レイン拡散層の一方に接触した電極配線を、絶縁膜を介
して、前記二層のゲート電極および前記ソース、ドレイ
ン拡散層の他方の領域まで延長配設した紫外線照射型半
導体装置であシ、これにより、しきい値の変化から紫外
線照射量を判定することができる。
して二層のゲート電極とを有し、且つ、前記ソース、ド
レイン拡散層の一方に接触した電極配線を、絶縁膜を介
して、前記二層のゲート電極および前記ソース、ドレイ
ン拡散層の他方の領域まで延長配設した紫外線照射型半
導体装置であシ、これにより、しきい値の変化から紫外
線照射量を判定することができる。
実施例の説明
第１図ａ、ｂに本発明の紫外線照射型半導体装置の平面
図および断面図を示す。
図および断面図を示す。
最表部全面にアルミニウム層１を有し、その下方に、酸
化膜を介して、チャンネルホットエレクトロンを蓄積す
るための電気的なフローティングゲート電極２およびコ
ントロールゲート電極３ならびに、自己整合的に形成さ
れたソース、ドレイン拡散層４．６をそなえ、さらに、
アルミニウム層１は、コンタクト用アルミニウム層６に
よって、ドレイン拡散層５に接続している。なお、第１
図ａ、ｂで、７は絶縁膜、８は半導体基板である。
化膜を介して、チャンネルホットエレクトロンを蓄積す
るための電気的なフローティングゲート電極２およびコ
ントロールゲート電極３ならびに、自己整合的に形成さ
れたソース、ドレイン拡散層４．６をそなえ、さらに、
アルミニウム層１は、コンタクト用アルミニウム層６に
よって、ドレイン拡散層５に接続している。なお、第１
図ａ、ｂで、７は絶縁膜、８は半導体基板である。
第１図すに示すようにメモリ・セル・トランジスタはア
ルミニウム層１で被覆されているために、入射紫外線は
半導体基板８あるいはソース拡散層と ４とアルミニウム層１七の間を多重反射を繰シ返しなか
らフローティングゲートｔで到達するので、その光学的
距離は長くなる。照射時間に対するｖＴの測定結果を第
２図に示す。紫外線照射時間に対する書き込みによるし
きい値電圧ｖＴ値の減少は、第１図すのアルミニウム層
１の長さＬを大きくすると、アルミニウム層１の被膜が
ない場合に比べ合はメモリ・セル・トランジスタのしき
い値電圧（以下ｖＴと呼ぶ）は初期値（ｔ−ｏ）ｖＴｆ
からほとんど書込み前のしきい値ｖＴｉ１で下るのに対
し、アルミニウム層１の被覆がある場合にはｖＴｌとい
う、前記の書込み前のしきい値ｖＴｉよりも高い電圧を
示す。従ってアルミニウム層１による被覆がある場合、
さらに紫外線を時間２ｔ１だけ照射すると第２図に示す
ように、しきい値ｖＴはｖＴ２となる、同様にｎ回の照
射によシ時間ｎ−Ｔ１だけ紫外線を照射した場合、しき
い値■ＴはｖＴｎ となる。
ルミニウム層１で被覆されているために、入射紫外線は
半導体基板８あるいはソース拡散層と ４とアルミニウム層１七の間を多重反射を繰シ返しなか
らフローティングゲートｔで到達するので、その光学的
距離は長くなる。照射時間に対するｖＴの測定結果を第
２図に示す。紫外線照射時間に対する書き込みによるし
きい値電圧ｖＴ値の減少は、第１図すのアルミニウム層
１の長さＬを大きくすると、アルミニウム層１の被膜が
ない場合に比べ合はメモリ・セル・トランジスタのしき
い値電圧（以下ｖＴと呼ぶ）は初期値（ｔ−ｏ）ｖＴｆ
からほとんど書込み前のしきい値ｖＴｉ１で下るのに対
し、アルミニウム層１の被覆がある場合にはｖＴｌとい
う、前記の書込み前のしきい値ｖＴｉよりも高い電圧を
示す。従ってアルミニウム層１による被覆がある場合、
さらに紫外線を時間２ｔ１だけ照射すると第２図に示す
ように、しきい値ｖＴはｖＴ２となる、同様にｎ回の照
射によシ時間ｎ−Ｔ１だけ紫外線を照射した場合、しき
い値■ＴはｖＴｎ となる。
従って、第３図に示すように、アルミニウム層１の被覆
の長さＬを適当に選ぶことによシ、そのしきい値■Ｔの
変化から逆に、紫外線の照射総時間を知ることが可能と
なる。
の長さＬを適当に選ぶことによシ、そのしきい値■Ｔの
変化から逆に、紫外線の照射総時間を知ることが可能と
なる。
発明の効果
本発明の紫外線照射型半導体装置によると、使用中のＵ
Ｖ−ＥＰＲＯＭのそれまでの紫外線照射総時間、書き込
み／消去回数を知ることができ、したがって、本発明装
置は、ＵＶ−ＥＦＲＯＭの信頼性を評価する上で非常に
有用な紫外線照射モニターの機能を発揮するものである
。
Ｖ−ＥＰＲＯＭのそれまでの紫外線照射総時間、書き込
み／消去回数を知ることができ、したがって、本発明装
置は、ＵＶ−ＥＦＲＯＭの信頼性を評価する上で非常に
有用な紫外線照射モニターの機能を発揮するものである
。
第１図ａ、ｂは本発明の紫外線照射時間モニタの平面図
および断面図、第２図は紫外線照射時間に対するしきい
値電圧■Ｔの変化を示す図、第３図はしきい値電圧の変
化に対して紫外線累積照射時間を、ＡＬ被覆層の長さＬ
をパラメー・夕として表わした図である。 １・・・・・・ＡＬ被覆層、２・・・・・・フローティ
ングゲート、３・・・・・・コントロールゲート、４・
・川・トレイン拡散層、６・・・・・・ソース拡散層、
６・・・・・・コンタクト、７・・・・・・絶縁層、８
・・・・・・Ｓｉ 半導体基板。 第１図 第２図 第３図 ｙ、（ｓｌ １ ＝７７−
および断面図、第２図は紫外線照射時間に対するしきい
値電圧■Ｔの変化を示す図、第３図はしきい値電圧の変
化に対して紫外線累積照射時間を、ＡＬ被覆層の長さＬ
をパラメー・夕として表わした図である。 １・・・・・・ＡＬ被覆層、２・・・・・・フローティ
ングゲート、３・・・・・・コントロールゲート、４・
・川・トレイン拡散層、６・・・・・・ソース拡散層、
６・・・・・・コンタクト、７・・・・・・絶縁層、８
・・・・・・Ｓｉ 半導体基板。 第１図 第２図 第３図 ｙ、（ｓｌ １ ＝７７−
Claims (1)
- 半導体基板上にソース、ドレイン拡散層と、絶縁膜を介
して二層のゲート電極とを有し、且つ前記ソース、ドレ
イン拡散層の一方に接触した電極配線を絶縁膜を介して
、前記二層ゲート電極および前記ソース、ドレイン拡散
層の他方の領域まで延長配設したことを特徴とする紫外
線照射型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171868A JPS6149475A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 紫外線照射型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171868A JPS6149475A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 紫外線照射型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149475A true JPS6149475A (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=15931275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171868A Pending JPS6149475A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 紫外線照射型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6149475A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034786A (en) * | 1986-08-29 | 1991-07-23 | Waferscale Integration, Inc. | Opaque cover for preventing erasure of an EPROM |
| US5070378A (en) * | 1988-09-22 | 1991-12-03 | Nec Corporation | Eprom erasable by uv radiation having redundant circuit |
| JPH06158993A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Koichi Uemura | オープンシールド工法およびオープンシールド機 |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59171868A patent/JPS6149475A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034786A (en) * | 1986-08-29 | 1991-07-23 | Waferscale Integration, Inc. | Opaque cover for preventing erasure of an EPROM |
| US5070378A (en) * | 1988-09-22 | 1991-12-03 | Nec Corporation | Eprom erasable by uv radiation having redundant circuit |
| JPH06158993A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Koichi Uemura | オープンシールド工法およびオープンシールド機 |
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