JPS614977A - 半導体素子の特性測定装置 - Google Patents
半導体素子の特性測定装置Info
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- JPS614977A JPS614977A JP12610584A JP12610584A JPS614977A JP S614977 A JPS614977 A JP S614977A JP 12610584 A JP12610584 A JP 12610584A JP 12610584 A JP12610584 A JP 12610584A JP S614977 A JPS614977 A JP S614977A
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- Japan
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- semiconductor element
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Links
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 16
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 11
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 1
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子の特性装置に関し、特にその電力利
得測定装置に関する。
得測定装置に関する。
（従来技術）
例えば、トランジスタの印加電力とその出力電力の関係
においては、印加電力の増加に対応して、出力電力が一
定の増幅率で増加する直線増幅領域と、印加電力の増加
に対応して、出力電力の増幅率がしだいに下がりながら
増加する非直線増幅領域がある。
においては、印加電力の増加に対応して、出力電力が一
定の増幅率で増加する直線増幅領域と、印加電力の増加
に対応して、出力電力の増幅率がしだいに下がりながら
増加する非直線増幅領域がある。
例えば上記で示した直線増幅領域において、一定利得を
示さないトランジスタを用いた多段増幅器を構成した場
合、増幅器性能を著しく損なう原因となる為、直線領域
におけるわずかなトランジスタの利得の変化について正
確に測定する装置が必要となる。
示さないトランジスタを用いた多段増幅器を構成した場
合、増幅器性能を著しく損なう原因となる為、直線領域
におけるわずかなトランジスタの利得の変化について正
確に測定する装置が必要となる。
直線領域における利得変化の測定方法として従来は出力
信号レベル及び周波数の安定した信号発生器を用い、ト
ランジスタが充分に直線増幅領域で動作するレベルまで
、大刀信号を下げ、大刀信号をしだいに増加させて非直
線増幅領域に至るまで測定を進め、その直線領域の利得
変化、つまり傾きの変化を測定する方法が一般に考えら
れる。
信号レベル及び周波数の安定した信号発生器を用い、ト
ランジスタが充分に直線増幅領域で動作するレベルまで
、大刀信号を下げ、大刀信号をしだいに増加させて非直
線増幅領域に至るまで測定を進め、その直線領域の利得
変化、つまり傾きの変化を測定する方法が一般に考えら
れる。
第３図は、従来のトランジスタ人力拳出力信号特性測定
装置のシステムブロック図を示すもので、信号発生装置
１から方向性結合器２を介して被測定トランジスタ３へ
入力信号が印加され、電力計４で入力信号レベルを測定
するとともに、被測定トランジスタ３からの出力電力は
電力計５で測定される。
装置のシステムブロック図を示すもので、信号発生装置
１から方向性結合器２を介して被測定トランジスタ３へ
入力信号が印加され、電力計４で入力信号レベルを測定
するとともに、被測定トランジスタ３からの出力電力は
電力計５で測定される。
（発明が解決しようとする問題点）
この場合、直線動作領域の利得変化を求める場合、直接
求められない為、直線利得を正確に求めわずかな利得変
化を検出する際、繰シ返し測定を行う必要があると共に
、電力利得の変換を測定毎に行なわなければならないな
ど、長い測定時間を必要とすること、又、利得のわずか
な変化を見い出す為の測定精度を有しない欠点がある。
求められない為、直線利得を正確に求めわずかな利得変
化を検出する際、繰シ返し測定を行う必要があると共に
、電力利得の変換を測定毎に行なわなければならないな
ど、長い測定時間を必要とすること、又、利得のわずか
な変化を見い出す為の測定精度を有しない欠点がある。
本発明の目的は、直線動作領域における利得変化点を正
確に求めることを可能にした測定装置を提供することに
ある。
確に求めることを可能にした測定装置を提供することに
ある。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明によれば、被測定半導体素子へ印加する高周波信
号に低周波数低信号レベルの信号を付加した信号を用い
、被測定半導体素子への印加電力を検出する第１の検出
部と、被測定半導体素子からの出力電力を検出する第２
の検出部と、第１及び第２の検出部の検出値に基いて所
定の処理を行う制御部を含み、制御部にお２いて、第１
及び第２の検出部からの信号レベル差を求め、被測定半
導体素子の増幅特性における、電力利得一定領域におけ
る不具合部を検出する半導体素子の特性測定装置を得る
。
号に低周波数低信号レベルの信号を付加した信号を用い
、被測定半導体素子への印加電力を検出する第１の検出
部と、被測定半導体素子からの出力電力を検出する第２
の検出部と、第１及び第２の検出部の検出値に基いて所
定の処理を行う制御部を含み、制御部にお２いて、第１
及び第２の検出部からの信号レベル差を求め、被測定半
導体素子の増幅特性における、電力利得一定領域におけ
る不具合部を検出する半導体素子の特性測定装置を得る
。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例による特性測定装置のブロッ
ク図で、信号発生器ｌの出方信号に振幅変調を施し、方
向性結合器２を介して、被測定トランジスタ３へ印加さ
れる。被測定トランジスタ３への印加電力は、電力計４
で正確に測定され、又、被測定トランジスタ３の出力電
力は電力計５で正確に測定される。電力計４及び電力計
５の各測定値は、制御部６へ入力され、その差を測定す
る。
ク図で、信号発生器ｌの出方信号に振幅変調を施し、方
向性結合器２を介して、被測定トランジスタ３へ印加さ
れる。被測定トランジスタ３への印加電力は、電力計４
で正確に測定され、又、被測定トランジスタ３の出力電
力は電力計５で正確に測定される。電力計４及び電力計
５の各測定値は、制御部６へ入力され、その差を測定す
る。
本測定装置では被測定トランジスタの入力・出力電力特
性の直線増幅領域の非直線部を求める為、規定の高周波
信号に低周波・低レベルの信号を付加し、被測定トラン
ジスタの入力信号の変化に対する出力信号の変化を測定
する。つまり利得の増減に伴い、出力信号の変化は、明
確に増加及び減少状態を示す。以下第２図にトランジス
タの入力・出力電力特性を示し説明を進める。
性の直線増幅領域の非直線部を求める為、規定の高周波
信号に低周波・低レベルの信号を付加し、被測定トラン
ジスタの入力信号の変化に対する出力信号の変化を測定
する。つまり利得の増減に伴い、出力信号の変化は、明
確に増加及び減少状態を示す。以下第２図にトランジス
タの入力・出力電力特性を示し説明を進める。
正常なトランジスタの入力・出力電力特性は、特性１０
を示すが、入出力特性に利得変化を有するトランジスタ
は特性１１に示す様な直線増幅領域において利得の変化
部が生じる。つまシ、制御部６の出力信号と、各特性線
図について示すと、正常なトランジスタについては、制
御部６の出力信号は直線増幅領域では傾き零の直線とな
シ、非直線増幅領域（飽和領域）内において電力利得が
しだいに下がるに従い、前記出力信号レベルも下がって
くる特性１２となる。
を示すが、入出力特性に利得変化を有するトランジスタ
は特性１１に示す様な直線増幅領域において利得の変化
部が生じる。つまシ、制御部６の出力信号と、各特性線
図について示すと、正常なトランジスタについては、制
御部６の出力信号は直線増幅領域では傾き零の直線とな
シ、非直線増幅領域（飽和領域）内において電力利得が
しだいに下がるに従い、前記出力信号レベルも下がって
くる特性１２となる。
しかし、直線増加領域において一定の電力利得を有しな
いトランジスタの制御部６の出方信号は、電力利得一定
領域の傾き零の直線に対し、利得変化が生じた場合、前
記直線の上・下に変化を有する特性線図１３の様な信号
となる。
いトランジスタの制御部６の出方信号は、電力利得一定
領域の傾き零の直線に対し、利得変化が生じた場合、前
記直線の上・下に変化を有する特性線図１３の様な信号
となる。
（発明の効果）
このように、トランジスタの入力信号の一定な変化に対
し、出力信号がわずかであるが急峻な変化を示す場合、
従来の測定では、利得変化部の検出が困難であったが１
本測定装置を用いることＫよシ、利得変化部の存在を明
確に検出することが可能である。又、電力用トランジス
タの測定においては、測定時間が長°くなることにより
、トランジスタの熱的変動が大きくなシ、信号の微少変
化及び再現性を測定する場合、正確性が欠如する為、極
力測定時間の減少を計る必要かあ＃）、その面からも本
測定装置は作業時間の減少と合わせ、トランジスタの正
確な特性を測定する為に極めて有効である。
し、出力信号がわずかであるが急峻な変化を示す場合、
従来の測定では、利得変化部の検出が困難であったが１
本測定装置を用いることＫよシ、利得変化部の存在を明
確に検出することが可能である。又、電力用トランジス
タの測定においては、測定時間が長°くなることにより
、トランジスタの熱的変動が大きくなシ、信号の微少変
化及び再現性を測定する場合、正確性が欠如する為、極
力測定時間の減少を計る必要かあ＃）、その面からも本
測定装置は作業時間の減少と合わせ、トランジスタの正
確な特性を測定する為に極めて有効である。
第１図は、本発明の一実施例による入力書出力特性測定
装置のシステムブロック図、第２図（ａ）。 （ｂ）は本実施例による入力・出力電力特性図および入
力・利得特性図である。 第３図は従来の入力・出力特性測定装置のシステムブロ
ック図でめる。 １・・・・・・信号発生器、２・・・・・・方向性結合
器、３・・・・・・被測定半導体素子、４，５・・・・
・・電力計、６・・・・・・制御部、１０・・・・・・
正常なトランジスタの入力・出力電力特性図、１１・・
・・・・直線増幅領域に利得変化を有するトランジスタ
の入力・出力電力特性図、１２・・・・・・特性図１０
に対する制御部６の出力信号、１３・・・・・・特性図
ｔｉに対する制御部６の出力信号。 竿 ／ 圏 芋 ２ 図
装置のシステムブロック図、第２図（ａ）。 （ｂ）は本実施例による入力・出力電力特性図および入
力・利得特性図である。 第３図は従来の入力・出力特性測定装置のシステムブロ
ック図でめる。 １・・・・・・信号発生器、２・・・・・・方向性結合
器、３・・・・・・被測定半導体素子、４，５・・・・
・・電力計、６・・・・・・制御部、１０・・・・・・
正常なトランジスタの入力・出力電力特性図、１１・・
・・・・直線増幅領域に利得変化を有するトランジスタ
の入力・出力電力特性図、１２・・・・・・特性図１０
に対する制御部６の出力信号、１３・・・・・・特性図
ｔｉに対する制御部６の出力信号。 竿 ／ 圏 芋 ２ 図
Claims (1)
- 被測定半導体素子へ印加する高周波信号に低周波数低信
号レベルの信号を付加した信号を用い、被測定半導体素
子への印加電力を検出する第１の検出部と、前記被測定
半導体素子からの出力電力を検出する第２の検出部と、
前記第１及び第２の検出部の検出値に基づいて所定の処
理を行う制御部とを含み、前記制御部において、前記第
１及び第２の検出部からの信号レベル差を求め、前記被
測定半導体素子の増幅特性における、電力利得一定領域
における不具合部を検出することを特徴とする半導体素
子の特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12610584A JPS614977A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体素子の特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12610584A JPS614977A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体素子の特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614977A true JPS614977A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14926739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12610584A Pending JPS614977A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体素子の特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614977A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417637A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-20 | Masahiko Hoshino | Fiber treatment instrument |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379468A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Nec Corp | Measurement method for element characteristics |
| JPS58179364A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-20 | Nec Corp | 半導体素子の特性測定装置 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12610584A patent/JPS614977A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379468A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Nec Corp | Measurement method for element characteristics |
| JPS58179364A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-20 | Nec Corp | 半導体素子の特性測定装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417637A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-20 | Masahiko Hoshino | Fiber treatment instrument |
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