JPS614979A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
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- JPS614979A JPS614979A JP59125232A JP12523284A JPS614979A JP S614979 A JPS614979 A JP S614979A JP 59125232 A JP59125232 A JP 59125232A JP 12523284 A JP12523284 A JP 12523284A JP S614979 A JPS614979 A JP S614979A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、MOSFET(絶縁ゲート形電界効果トラ
ンジスタ)で構成された半導体集積回路W置に関するも
0で・例えば・ゲートア′イ等のようなディジタル情報
処理回路を構成するCMO8(相補型MO3)集積回路
装置に利用して有効な技術に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] This invention relates to a semiconductor integrated circuit composed of MOSFETs (insulated gate field effect transistors), and is used for digital information processing such as gate arrays, etc. The present invention relates to a technique effective for use in a CMO8 (complementary MO3) integrated circuit device that constitutes a circuit.
ディジタル情報処理回路は、情報の論理を採るゲート回
路と、その出力信号を所定のクロック信号に従って保持
するフリップフロップ回路との組み合わせにより複雑な
情報処理のためのシーケンス動作が行われる。このよう
なディジタル情報処理回路の機能試験(動作診断)を行
う方法として、第1図に示すように、各フリップフロッ
プ回路に点線で囲まれたような診断用回路を設け、複数
のフリップフロップ回路間でシフトレジスタを構成し、
各フリップフロップ回路の保持情報をシリアルに取り出
すことによって、上記ゲート回路における論理演算結果
を調べることが考えられている。A digital information processing circuit performs a sequence operation for complex information processing by combining a gate circuit that takes information logic and a flip-flop circuit that holds its output signal in accordance with a predetermined clock signal. As shown in Figure 1, as a method for performing functional tests (operation diagnosis) on digital information processing circuits, each flip-flop circuit is provided with a diagnostic circuit as surrounded by a dotted line, and a plurality of flip-flop circuits are Configure a shift register between
It has been considered to examine the logical operation results in the gate circuits by serially taking out the information held in each flip-flop circuit.
しかしながら、このような診lfT機能を付加すると、
同図に示すように、素子数が膨大になってしまうという
欠点がある。また、シフトレジスタを構成するために、
上記診断用回路には、2相のクロック信号φsaとφS
bとが必要になるものである(フリップフロップ回路の
ゲート回路の診断を可能とする技術については、例えば
特願昭58−72884号参照)。However, when such diagnostic lfT functions are added,
As shown in the figure, there is a drawback that the number of elements becomes enormous. Also, to configure the shift register,
The above diagnostic circuit includes two-phase clock signals φsa and φS.
(For a technique that enables diagnosis of the gate circuit of a flip-flop circuit, see, for example, Japanese Patent Application No. 72884/1984).
この発明の目的は、簡単な回路構成によって診断機能を
持ったフリップフロップ回路を含む半導体集積回路装置
を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device including a flip-flop circuit having a diagnostic function with a simple circuit configuration.
この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of this invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、ディジタル情報処理回路に含まれる各フリッ
プフロップ回路に対して、このフリップフロップ回路に
おける′情報保持回路の入力端子に所定のタイミング信
号によって制御される第1導電型の伝送ゲートMO3F
ETと、上記情報保持回路の出力端子に上記タイミング
信号を受けて上記情報保持回路の出力端子の信号をラッ
チ回路に伝送する第2導電型の伝送ゲートMO3FET
とからなる診断用回路を設けて、複数のフリップフロッ
プ回路間で上記診断用回路とフリップフロップ回路にお
ける情報保持回路とを縦列形態にしてシフトレジスタを
構成するものである−
〔実施例〕
第2図には、この発明に係る診断機能付きフリップフロ
ップ回路の一実施例の回路図が示されている。同図の各
回路素子は、公知のCMOS集積回路の製造技術によっ
て、特に制限されないが、単結晶シリコンのような半導
体基板上において形成される。That is, for each flip-flop circuit included in the digital information processing circuit, a transmission gate MO3F of the first conductivity type controlled by a predetermined timing signal is connected to the input terminal of the information holding circuit in this flip-flop circuit.
ET, and a second conductivity type transmission gate MO3FET that receives the timing signal at the output terminal of the information retention circuit and transmits the signal at the output terminal of the information retention circuit to the latch circuit.
A shift register is constructed by providing a diagnostic circuit consisting of a plurality of flip-flop circuits, and arranging the diagnostic circuit and an information holding circuit in the flip-flop circuit in series between a plurality of flip-flop circuits. The figure shows a circuit diagram of an embodiment of a flip-flop circuit with a diagnostic function according to the present invention. Each circuit element in the figure is formed on a semiconductor substrate such as, but not limited to, single crystal silicon using known CMOS integrated circuit manufacturing techniques.
同図には、情報処理回路における1つのフリップフロッ
プ回路とその診断用回路が代表として示されている。こ
の実施例のプリップフロップ回路は、CMOSインバー
タ回路IV21と、(+i%還用のインバータ回路IV
22との入力端子と出力端子とが互いに交差結線されて
構成されたラッチ回路により情報保持部が形成される。In the figure, one flip-flop circuit and its diagnostic circuit in the information processing circuit are shown as a representative. The flip-flop circuit of this embodiment includes a CMOS inverter circuit IV21 and an inverter circuit IV21 for (+i% return).
An information holding section is formed by a latch circuit in which input terminals and output terminals of 22 are cross-connected to each other.
このラッチ回路におけるインバータ回路IV21の出力
端子から反転出力信号Qが送出され、この反転信号Qを
受けるインバータ回路IV23によって、非反転出力信
号Qが形成される。An inverted output signal Q is sent from the output terminal of an inverter circuit IV21 in this latch circuit, and a non-inverted output signal Q is formed by an inverter circuit IV23 that receives this inverted signal Q.
上記フリップフロップ回路における入力回路部は、特に
制限されないが、回路の簡素化を図るため、データ入力
信号りと上記ラッチ回路(情報保持部)の入力端子との
間に設けられたPチャンネル型の伝送ゲートMO5FE
TQ20と、クロック信号GKとリセット信号Rとを受
け、その出力信号によって上記伝送ゲートMO3FET
Q20を制御するナンド(NAND)ゲート回路Gと、
上記ラッチ回路の入力端子と回路の接地電位点との間に
設けられたNチャンネルMO3FETQ21と、上記リ
セット信号Rを受けて上記MO5FETQ21を制御す
るインバータ回路lV2Oとにより構成される。このよ
うなナントゲート回路Gとインバータ回路lV2Oは、
他のフリップフロップ回路に対して供用するものであっ
てもよい。The input circuit section in the flip-flop circuit is not particularly limited, but in order to simplify the circuit, a P-channel type input circuit section is provided between the data input signal and the input terminal of the latch circuit (information holding section). Transmission gate MO5FE
TQ20, clock signal GK and reset signal R are received, and the above transmission gate MO3FET is
a NAND gate circuit G that controls Q20;
It is composed of an N-channel MO3FETQ21 provided between the input terminal of the latch circuit and the ground potential point of the circuit, and an inverter circuit lV2O that receives the reset signal R and controls the MO5FETQ21. Such a Nant gate circuit G and inverter circuit lV2O are
It may also be used for other flip-flop circuits.
すなわち、上記ナントゲート回路Gの出力信号とインバ
ータ回路rV20の出力信号は、他のフリップフロップ
回路における入力回路の対応する各MOSFETのゲー
トにそれぞれ共通に供給するものであってもよい。That is, the output signal of the Nant gate circuit G and the output signal of the inverter circuit rV20 may be commonly supplied to the gates of the corresponding MOSFETs of the input circuits in other flip-flop circuits.
このようなフリップフロップ回路の記憶情報のシリアル
読み出しを行うために、同図に点線で囲まれた部分に示
された回路のような診断用回路が設けられる。すなわち
、入力端子Dsと上記フリップフロップ回路の情報保持
部を構成するラッチ回路の入力端子との間には、診断用
のクロック信号φSを受けるPチャンネル型の伝送ゲー
トMOSFETQ23が設けられる。また、上記フリッ
プフロップ回路を構成する情報保持部と同様なインバー
タ回路IV25と帰還用のインバータ回路IV24から
なる別のラッチ回路が設けられ、このラッチ回路と上記
情報保持部の出力端子(反転出力信号Q)との間に上記
クロック信号φSを受けるNチャンネル型の伝送ゲート
MO’5FETQ22が設けられる。In order to serially read out the information stored in the flip-flop circuit, a diagnostic circuit such as the circuit shown in the dotted line in the figure is provided. That is, a P-channel type transmission gate MOSFET Q23 receiving a diagnostic clock signal φS is provided between the input terminal Ds and the input terminal of the latch circuit constituting the information holding section of the flip-flop circuit. Further, another latch circuit is provided, which includes an inverter circuit IV25 similar to the information holding section constituting the flip-flop circuit and an inverter circuit IV24 for feedback, and this latch circuit and the output terminal (inverted output signal An N-channel type transmission gate MO'5FETQ22 receiving the clock signal φS is provided between the MO'5FETQ22 and Q).
上記同様な情報保持部と入力回路とからなるフリップフ
ロップ回路に対しても、上記同様な診断用回路がそれぞ
れ設けられる。そして、これらの診断用回路を介して各
フリップフロップ回路が縦列形態に接続される。すなわ
ち、例えば、図示の診断用回路の入力端子Dsには、半
導体集積回路装置の外部端子に接続され、その出力端子
QSが次段のフリップフロップ回路における診断用回路
の入力端子Dsに接続される。以下同様にして複数のフ
リップフロップ回路間で縦列形態にされ、最終段のフリ
ップフロップ回路における診断用回路の出力端子Qsは
、半導体集積回路装置の外部端子に接続される。これに
よって、シフトレジスタが構成され、各フリップフロッ
プ回路における記憶情報が上記外部端子からシリアルに
送出されるものとなる。A diagnostic circuit similar to that described above is also provided for each flip-flop circuit comprising an information holding section and an input circuit similar to that described above. The flip-flop circuits are connected in cascade via these diagnostic circuits. That is, for example, the input terminal Ds of the illustrated diagnostic circuit is connected to an external terminal of the semiconductor integrated circuit device, and the output terminal QS is connected to the input terminal Ds of the diagnostic circuit in the next-stage flip-flop circuit. . Thereafter, a plurality of flip-flop circuits are arranged in series in the same manner, and the output terminal Qs of the diagnostic circuit in the final stage flip-flop circuit is connected to an external terminal of the semiconductor integrated circuit device. This constitutes a shift register, and the information stored in each flip-flop circuit is serially sent out from the external terminal.
第3図には、上記実施例回路の動作の一例を説明するた
めのタイミング図が示されている。FIG. 3 shows a timing diagram for explaining an example of the operation of the above embodiment circuit.
同図において、点線の左側のタイミング図は、通常のフ
リップフロップ回路の動作の一例が示されている。すな
わち、通常の動作モードでは、診断用のクロック信号φ
Sがハイレベルにされているで、診断用回路におけるP
チャンネル型の伝送ゲートMO3FETQ23はオフ状
態に、Nチャンネル型伝送ゲートMO3FETQ22は
オン状態になっている。In the figure, the timing diagram on the left side of the dotted line shows an example of the operation of a normal flip-flop circuit. That is, in normal operation mode, the diagnostic clock signal φ
With S set to high level, P in the diagnostic circuit
The channel type transmission gate MO3FETQ23 is in an off state, and the N channel type transmission gate MO3FETQ22 is in an on state.
一方、フリップフロップ回路は、リセット状態でない場
合には、リセット信号Rがハイレベル(論理″1″)に
されているので、ナントゲート回路Gが開いた状態にさ
れ、クロック信号CKを上記Pチャンネル型の伝送ゲー
トMO3FETQ20に伝えている。また、上記リセッ
ト信号Rのハイレベルによってインバータ回路lV2O
の出力信号がロウレベルになり、リセット用のM OS
FETQ21はオフ状態されている。On the other hand, when the flip-flop circuit is not in the reset state, the reset signal R is at a high level (logic "1"), so the Nant gate circuit G is kept open, and the clock signal CK is sent to the P channel. It is transmitted to the type transmission gate MO3FETQ20. Furthermore, due to the high level of the reset signal R, the inverter circuit lV2O
The output signal of becomes low level, and the reset MOS
FETQ21 is turned off.
したがって、最初のクロック信号CKが到来する前にデ
ータ入力端子りがハイレベルにされると、上記クロック
信号GKのハイレベルによってナントゲート回路Gを通
したクロック信号がロウレベルになってPチャンネル型
の伝送ゲートMO8FETQ23がオフ状態にされるの
で、上記データ信号りのハイレベルが情報保持部に取り
込まれる。Therefore, if the data input terminal is set to high level before the first clock signal CK arrives, the clock signal passed through the Nant gate circuit G becomes low level due to the high level of the clock signal GK, and the P-channel type Since the transmission gate MO8FETQ23 is turned off, the high level of the data signal is taken into the information holding section.
これによって、非反転出力信号Qがハイレベルに、反転
出力信号Qがロウレベルに変化する。As a result, the non-inverted output signal Q changes to high level and the inverted output signal Q changes to low level.
次に、リセット信号Rをロウレベルにすると、アンドゲ
ート回路Gが閉じて、その出力がクロック信号GKに無
関係にハイレベルにされるので、上記Pチャンネル型の
伝送′ゲートMO3FETQ20がオフ状態にされる。Next, when the reset signal R is set to a low level, the AND gate circuit G is closed and its output is set to a high level regardless of the clock signal GK, so that the P-channel type transmission gate MO3FET Q20 is turned off. .
また、上記リセット信号Rのロウレベルによって、イン
バータ回路lV2Oの出力信号がハイレベルにされるの
で、MO3FETQ21がオン状態になって、上記情報
保持部の入力端子にロウレベルを供給する。これにより
、上記非反転出力信号Qがロウレベルに、反転出力信号
Qがハイレベルにリセットされる。Furthermore, the low level of the reset signal R causes the output signal of the inverter circuit 1V2O to go high, so the MO3FETQ21 turns on and supplies a low level to the input terminal of the information holding section. As a result, the non-inverted output signal Q is reset to low level and the inverted output signal Q is reset to high level.
このリセット信号Rがハイレベルにもどると、クロック
信号CKに従ったデータ入力信号りの取り込みが行われ
る。例えば、上記データ入力信号りがハイレベルのまま
ならば、リセット信号百がハイレベルにされた後の最初
のクロック信号CKによって、非反転出力信号Qがハイ
レベルに、反転出力信号Qがロウレベルにされる。When the reset signal R returns to high level, data input signals are taken in according to the clock signal CK. For example, if the data input signal 1 remains at a high level, the first clock signal CK after the reset signal 100 is set to a high level causes the non-inverted output signal Q to go high and the inverted output signal Q to a low level. be done.
なお、上記診断用のNチャンネル型の伝送ゲートMO3
FETQ22はオン状態にされているので、上記反転出
力信号Qの変化に従って、診断用回路のラッチ回路の出
力信号Qsが変化する。ただし、次段に接続された診断
用回路の入力部を構成するPチャンネル型の伝送ゲート
MOSFET(Q23に相当する)がオフ状態になって
いるので、縦列形態に接続されたフリップフロップ回路
間で記憶情報のシフト動作が行われてしまうことはない
。In addition, the N-channel type transmission gate MO3 for the above diagnosis
Since the FET Q22 is turned on, the output signal Qs of the latch circuit of the diagnostic circuit changes in accordance with the change in the inverted output signal Q. However, since the P-channel transmission gate MOSFET (corresponding to Q23) that constitutes the input section of the diagnostic circuit connected to the next stage is in the off state, A shift operation of stored information is never performed.
次に機能試験(動作診断時)には、上記クロック信号C
Kをロウレベルに固定して、情報処理シーケンスを停止
させる。このようにすると、上記ナントゲート回路Gの
出力信号がハイレベルになるので、Pチャンネル型の伝
送ゲートMO3FETQ20がオフ状態にされる。Next, in the function test (during operation diagnosis), the clock signal C
K is fixed at a low level and the information processing sequence is stopped. In this way, the output signal of the Nant gate circuit G becomes high level, so that the P-channel type transmission gate MO3FETQ20 is turned off.
そして、診断用のシフトクロック信号φSがハイレベル
の時に、そのフリップフロップ回路における記憶情il
? (同図では反転信号同のロウレベル)が既にラッチ
回路に取り込まれ、出力信号Qsがハイレベルになって
いる。次に、上記クロック信号φSをロウレベルにする
とPチャンネル型の伝送ゲー1−M0 S F、ETQ
23がオン状態になっているので、前段のフリップフ
ロップ回路における保持情報がロウレベルなら、このロ
ウレベルがフリップフロップ回路の情報保持部に取り込
まれる。このロウレベルは、上記クロック信号φSがハ
イレベルに変化すると、出力端子Qsから次段に送出さ
れる。以下同様な動作の繰り返しによって、各フリップ
フロップ回路の記憶情報がシリアルに転送されて、外部
端子から送出されるものとなる。When the diagnostic shift clock signal φS is at a high level, the memory information in the flip-flop circuit is
? (In the figure, the same low level as the inverted signal) has already been taken into the latch circuit, and the output signal Qs has become high level. Next, when the clock signal φS is set to low level, the P-channel type transmission gate 1-M0 SF, ETQ
23 is in an on state, so if the information held in the previous stage flip-flop circuit is at a low level, this low level is taken into the information holding section of the flip-flop circuit. This low level is sent from the output terminal Qs to the next stage when the clock signal φS changes to high level. By repeating similar operations, the information stored in each flip-flop circuit is serially transferred and sent out from the external terminal.
なお、上記シフト動作によって、記憶情報が破壊されて
L7まうので、引続き情報処理シーケンスを進ませる場
合には、外部端子から取り出した記憶情報が初段とされ
たフリップフロップ回路における診断用の入力端子Ds
に供給すること、又はこの端子Dsから期待値をシリア
ルに供給すること等により、もとの記憶情報を回復する
ことができる。これにより、停止させられた情報処理ス
テップから引続き動作を開始させることができる。Note that the above shift operation destroys the stored information and moves to L7, so if the information processing sequence is to continue, the stored information taken out from the external terminal is transferred to the diagnostic input terminal Ds in the first-stage flip-flop circuit.
The original stored information can be recovered by supplying the expected value to the terminal Ds or serially supplying the expected value from this terminal Ds. Thereby, the operation can be continued from the stopped information processing step.
(1)情報処理回路に含まれるフリップフロップ回路を
縦列形態に接続するための診断用回路として、Pチャン
ネルMO3FETとNチャンネル間O8FETとで構成
された伝送ゲートMO8FETを用いることによって、
1つのシフトクロックによりシフト動作を行わせること
ができる。これによって、素子数の低減と信号数の削減
とを図ることができるという効果が得られる。(1) By using a transmission gate MO8FET composed of a P-channel MO3FET and an N-channel inter-O8FET as a diagnostic circuit for connecting flip-flop circuits included in an information processing circuit in a cascade configuration,
A shift operation can be performed using one shift clock. This provides the effect of reducing the number of elements and the number of signals.
(2)フリップフロップ回路を構成する入力回路として
、1つの伝送ゲートMO3FETと、クロック信号とリ
セット信号とを受けて上記伝送ゲートMOSFETを制
御する論理積回路を用いることによって、フリップフロ
ップ回路自体の簡素化を図ることができるという効果が
得られる。(2) By using one transmission gate MO3FET and an AND circuit that receives a clock signal and a reset signal to control the transmission gate MOSFET as an input circuit constituting the flip-flop circuit, the flip-flop circuit itself can be simplified. This has the effect of making it possible to improve the
(3)上記ill及び(2)との効果が相俟って大幅な
素子数の削減を達成することができるという効果が得ら
れる。(3) The effects of ill and (2) above can be combined to achieve the effect that a significant reduction in the number of elements can be achieved.
(4)上記(11ないしく3)による素子数の削減に伴
い、その配線も削減することができるという効果が得ら
れる。(4) Along with the reduction in the number of elements according to (11 to 3) above, the effect that the wiring thereof can also be reduced can be obtained.
(5)、上記(11〜(4)により、多数のフリップフ
ロップ回路を含むディジタル半導体集積回路装置におい
ては、高集積度を達成することができるという効果が得
られる。(5) With the above (11 to (4)), it is possible to achieve the effect that a high degree of integration can be achieved in a digital semiconductor integrated circuit device including a large number of flip-flop circuits.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、フリップフロ
ップ回路は、第1図に示したようなセット/リセット機
能の双方を備えたもの等その用途に応じて種々の実施形
態を採ることができるものである。また、上記Pチャン
ネルMO8FETとNチャンネ/L/MO3FETとは
、逆に構成するものであってもよい。この場合、そのク
ロック信号をレベルを逆にすれば、同様な動作を行うも
のとなる。また、診断用回路におけるラッチ回路は、単
なるインバータ回路であってもよい。診断用回路は、シ
フトクロック信号φSに従ったシフト動作を行うもので
あるので、インバータ回路における入力容量への電荷の
蓄積動作を利用しても、必要な情報保持動作を実現でき
るからである。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, the flip-flop circuit can take various embodiments depending on its usage, such as one having both set/reset functions as shown in FIG. Furthermore, the P-channel MO8FET and the N-channel/L/MO3FET may be configured in reverse. In this case, if the level of the clock signal is reversed, the same operation will be performed. Further, the latch circuit in the diagnostic circuit may be a simple inverter circuit. Since the diagnostic circuit performs a shift operation according to the shift clock signal φS, the necessary information retention operation can be achieved even by utilizing the operation of accumulating charges in the input capacitor in the inverter circuit.
この発明は、例えばゲートアレイ等で構成され、中小型
コンピュータ等のような各種情報処理動作を行うディジ
タル半導体集積回路装置に広く利用できるものである。The present invention can be widely used in digital semiconductor integrated circuit devices that are configured with, for example, gate arrays and perform various information processing operations such as small and medium-sized computers.
第1図は、この発明に先立って考えられいてる診断機能
付きフリップフロップ回路の一例を示す回路図、
第2図は、この発明に係る診断機能付きフリップフロッ
プ回路の一実施例を示す回路図、第3図は、その動作の
一例を示すタイミング図である。
IVI〜IV25・・CMOSインバータ回路、G・・
ナントゲート回路FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a flip-flop circuit with a diagnostic function that was considered prior to the present invention; FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a flip-flop circuit with a diagnostic function according to the present invention; FIG. 3 is a timing diagram showing an example of the operation. IVI~IV25...CMOS inverter circuit, G...
nant gate circuit
Claims (1)
プ回路に対して、このフリップフロップ回路における情
報保持回路の入力端子に設けられ、所定のタイミング信
号によって制御される第1導電型の伝送ゲートMOSF
ETと、上記情報保持回路の出力端子に設けられ、上記
タイミング信号を受けて上記情報保持回路の出力端子の
信号を伝送する第2導電型の伝送ゲートMOSFET及
びこの伝送ゲートMOSFETを通した信号を保持する
ラッチ回路とからなる診断用回路を設け、複数のフリッ
プフロップ回路間で上記診断用回路とフリップフロップ
回路における情報保持回路とによりシフトレジスタを構
成するものとしたことを特徴とする半導体集積回路装置
。 2、上記ディジタル情報処理回路は、CMOS回路によ
り構成されるものであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の半導体集積回路装置。 3、上記フリップフロップ回路の入力部は、入力信号を
情報保持部に伝える第1導電型の伝送ゲートMOSFE
Tと、クロック信号とリセット信号を受けて、その出力
信号を上記伝送ゲートMOSFETのゲートに伝える論
理ゲート回路と、上記情報保持回路の入力端子と電源電
圧又は回路の接地電位点との間に設けられ、上記リセッ
ト信号の反転信号に受けて動作するMOSFETとから
なり、上記情報保持部は、出力用CMOSインバータと
、帰還用CMOSインバータからなるラッチ回路とによ
り構成されるものであることを特徴とする特許請求の範
囲第1又は第2項記載の半導体集積回路装置。[Claims] 1. For a flip-flop circuit included in a digital information processing circuit, a first conductivity type that is provided at an input terminal of an information holding circuit in this flip-flop circuit and controlled by a predetermined timing signal. Transmission gate MOSF
ET, a second conductivity type transmission gate MOSFET provided at the output terminal of the information holding circuit and transmitting the signal of the output terminal of the information holding circuit in response to the timing signal, and a signal passing through the transmission gate MOSFET. A semiconductor integrated circuit characterized in that a diagnostic circuit including a holding latch circuit is provided, and a shift register is configured between a plurality of flip-flop circuits by the diagnostic circuit and an information holding circuit in the flip-flop circuit. Device. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the digital information processing circuit is constituted by a CMOS circuit. 3. The input section of the flip-flop circuit is a first conductivity type transmission gate MOSFE that transmits the input signal to the information holding section.
T, a logic gate circuit that receives a clock signal and a reset signal and transmits the output signal to the gate of the transmission gate MOSFET, and is provided between the input terminal of the information holding circuit and the power supply voltage or the ground potential point of the circuit. and a MOSFET that operates in response to an inverted signal of the reset signal, and the information holding section is comprised of a latch circuit consisting of an output CMOS inverter and a feedback CMOS inverter. A semiconductor integrated circuit device according to claim 1 or 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125232A JPS614979A (en) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125232A JPS614979A (en) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614979A true JPS614979A (en) | 1986-01-10 |
Family
ID=14905081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125232A Pending JPS614979A (en) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614979A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0192675A (en) * | 1987-10-02 | 1989-04-11 | Sony Corp | Integrated circuit |
| JPH03100346A (en) * | 1989-09-11 | 1991-04-25 | Honda Motor Co Ltd | Air-fuel ratio control method for internal combustion engine |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP59125232A patent/JPS614979A/en active Pending
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