JPS615016U - 高周波fet増幅器用バイアス回路 - Google Patents

高周波fet増幅器用バイアス回路

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JPS615016U
JPS615016U JP8900884U JP8900884U JPS615016U JP S615016 U JPS615016 U JP S615016U JP 8900884 U JP8900884 U JP 8900884U JP 8900884 U JP8900884 U JP 8900884U JP S615016 U JPS615016 U JP S615016U
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JP
Japan
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high frequency
bias circuit
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voltage input
fet
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JP8900884U
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史朗 森川
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】 第1図は本考案の一実施例を示す回路図、第2図〜第4
図はそれぞれ本考案の他の実施例を示す回路図、第5図
及び第6図はGaAaFETのバイアス供給方法を説明
する回路図、第7図は従来のCaAaFET増幅器用バ
イアス回路の回路図である。 1・・・ドレイン電圧入力端子,2・・・ゲート電圧入
力端子、3・・・ドレイン電極用端子、4・・・ゲート
電極用端子、5・・・高周波増幅用FET,6.1 4
・・・ツエナーダイオード、7・・・FET, f3・
・・定電圧回路、9・・・規準電圧端子、10・・・規
準電圧端子、11・・・フォトカプラ、12・・・トラ
ンジスタ、13・・・抵L15,17・・・コンデンサ
、16・・・ダイオード。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)ドレイン電圧入力端子にスイッチング素子を介し
    てドレインが接続された高周波造幅用FETと、このF
    ETのゲートに接続されたゲート電圧入力端子と、この
    ゲート電圧入力端子に発光側が接続され受光側が前記ス
    イッチング素子の制御部に接続されたフォトカプラとを
    具備することを特徴とする高周波FET増幅用バイアス
    回路。
  2. (2)前記フォトカプラの発光側がレベルシフト素子を
    介して前記ゲート電圧入力端子に接続されていることを
    特徴とする実用新案登録請求の咋囲第1項記載の高周波
    FET増幅器用バイアス回路。
JP8900884U 1984-06-15 1984-06-15 高周波fet増幅器用バイアス回路 Granted JPS615016U (ja)

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JP8900884U JPS615016U (ja) 1984-06-15 1984-06-15 高周波fet増幅器用バイアス回路

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JPS615016U true JPS615016U (ja) 1986-01-13
JPH0246092Y2 JPH0246092Y2 (ja) 1990-12-05

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