JPS6150352A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6150352A JPS6150352A JP59171452A JP17145284A JPS6150352A JP S6150352 A JPS6150352 A JP S6150352A JP 59171452 A JP59171452 A JP 59171452A JP 17145284 A JP17145284 A JP 17145284A JP S6150352 A JPS6150352 A JP S6150352A
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- Japan
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- resin
- eprom
- semiconductor chip
- chip
- lid member
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/18—Circuits for erasing optically
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は中空プラスチック・タイプ・パッケージに搭
載された半導体装置に関する。
載された半導体装置に関する。
（従来の技術）
従来、一般的に知られたパッケージ方式である、中空プ
ラスチック・タイプ・パッケージはモールディングによ
って、半導体素子を搭載する中空部、いわゆるキャビテ
ィ部と外部導出用の金属細線接続部を中空にした樹脂封
止したパッケージである。
ラスチック・タイプ・パッケージはモールディングによ
って、半導体素子を搭載する中空部、いわゆるキャビテ
ィ部と外部導出用の金属細線接続部を中空にした樹脂封
止したパッケージである。
これらの従来の中空プラスチック・タイプ・パッケージ
を用いたＥＰＲＯＭ装置（紫外線消去形プログラマブル
リード・オンリ・メモリ）について第２図によって説明
する。この第２図において、中空プラスチック・タイプ
・パッケージに使用されているリードフレーム１は一般
的に知られた形状の金、銀などのスポットメッキが々さ
れていて、これらを用いて中空プラスチック・タイプ・
パッケージを製造する場合中空部２を形成する部分は、
モールディング金型によってリードフレーム１が金型に
よって圧縮保持されて、モールド樹脂が圧入されないの
で中空部２が形成される。
を用いたＥＰＲＯＭ装置（紫外線消去形プログラマブル
リード・オンリ・メモリ）について第２図によって説明
する。この第２図において、中空プラスチック・タイプ
・パッケージに使用されているリードフレーム１は一般
的に知られた形状の金、銀などのスポットメッキが々さ
れていて、これらを用いて中空プラスチック・タイプ・
パッケージを製造する場合中空部２を形成する部分は、
モールディング金型によってリードフレーム１が金型に
よって圧縮保持されて、モールド樹脂が圧入されないの
で中空部２が形成される。
このように、中空構造になった形状に圧縮成形された中
空プラスチック・タイプ・パッケージ３に半導体チップ
４を、 ｈｇペーストまたは樹脂ペーストによって載置
する。この中空グラスチック・タイプ・パッケージ３は
樹脂製であるので高温、たとえば共晶による半導体チッ
プの接着はできない０ 半導体チップ４の表面外部接続電極と外部導出リード５
とは金属細線６によって接続、導出されている。半導体
チップ４は外部から保護する蓋部材７によって密封保護
されテイル。
空プラスチック・タイプ・パッケージ３に半導体チップ
４を、 ｈｇペーストまたは樹脂ペーストによって載置
する。この中空グラスチック・タイプ・パッケージ３は
樹脂製であるので高温、たとえば共晶による半導体チッ
プの接着はできない０ 半導体チップ４の表面外部接続電極と外部導出リード５
とは金属細線６によって接続、導出されている。半導体
チップ４は外部から保護する蓋部材７によって密封保護
されテイル。
この蓋部材７はエポキシ樹脂で接着され、ＥＰＲＯＭチ
ップの紫外線消去用窓として用いらｎる。しかし、中空
プラスチック・タイプ・パッケージ３によって製造され
た蓋部材７の材質はアルミナ、または石英ガラスが主に
用いられるが、紫外線透過性であれば、樹脂などでもよ
い。
ップの紫外線消去用窓として用いらｎる。しかし、中空
プラスチック・タイプ・パッケージ３によって製造され
た蓋部材７の材質はアルミナ、または石英ガラスが主に
用いられるが、紫外線透過性であれば、樹脂などでもよ
い。
（発明が解決しようとする問題点）
ＥＰＲＯＭ半導体装置の信頼性試験を高温高湿で行うと
、外部導出リード５とパッケージ樹脂との界面８から水
分が中をｓ２に浸入する。浸入した水分とともに腐食性
（Ｎａ＋、ＫＯ＋、ｃｉ−）イオンも同時に浸入して来
るので、半導体チップ４の外部接続電極のアルミ配線を
腐食断線させてしまうという欠点があった。さらに、蓋
部材７の接着部より、腐食性イオンが侵入してくるとい
う問題もおる。
、外部導出リード５とパッケージ樹脂との界面８から水
分が中をｓ２に浸入する。浸入した水分とともに腐食性
（Ｎａ＋、ＫＯ＋、ｃｉ−）イオンも同時に浸入して来
るので、半導体チップ４の外部接続電極のアルミ配線を
腐食断線させてしまうという欠点があった。さらに、蓋
部材７の接着部より、腐食性イオンが侵入してくるとい
う問題もおる。
１ 一方、先行技術文献として、特願昭５８
−１８３０８６号明細書には、ＥＰＲＯＭをサーデイッ
グタイプよ抄、プラスチックモールド化する技術が開示
されている。すなわち、リードフレームの素子搭載部に
ＥＰＲＯＭチップを着設する工程とその後このＥＰＲＯ
Ｍチップとリードフレームの端子部とを金属細線で接続
する工程とを含むＥ Ｐ ＲＯＭ装置において、ＥＰＲ
ＯＭチップを収納できる大きさの開口部を有し、少なく
とも底部が紫外線を透過する材料で構成された有底筺体
の底部とＥＰＲＯＭチップが対向するように金属線Ｍを
接続し７’ＣＩＪ−ドフレームを開口部に載置し、その
後、有底筺体内に紫外線を透過する樹脂を注入し、その
後樹脂成形型内にリードフレームの端子部の一部が突出
し、この有底筺体の底部外側表面が内壁と密接するよう
に配置し、樹脂成形型内の残部に絶縁性樹脂を注入する
ようにしたものが開示されている。
−１８３０８６号明細書には、ＥＰＲＯＭをサーデイッ
グタイプよ抄、プラスチックモールド化する技術が開示
されている。すなわち、リードフレームの素子搭載部に
ＥＰＲＯＭチップを着設する工程とその後このＥＰＲＯ
Ｍチップとリードフレームの端子部とを金属細線で接続
する工程とを含むＥ Ｐ ＲＯＭ装置において、ＥＰＲ
ＯＭチップを収納できる大きさの開口部を有し、少なく
とも底部が紫外線を透過する材料で構成された有底筺体
の底部とＥＰＲＯＭチップが対向するように金属線Ｍを
接続し７’ＣＩＪ−ドフレームを開口部に載置し、その
後、有底筺体内に紫外線を透過する樹脂を注入し、その
後樹脂成形型内にリードフレームの端子部の一部が突出
し、この有底筺体の底部外側表面が内壁と密接するよう
に配置し、樹脂成形型内の残部に絶縁性樹脂を注入する
ようにしたものが開示されている。
ｔた、別の先行技術文献として、特願１ｉ１３５８−２
２４３９３号明細書には、絶縁性基板の主表面上に導電
性配線パターンを形成し、この絶縁性基板のチップ搭載
領域に紫外線照射面を上にしてＥＰＲＯＭチップを配置
し、このＥＰＲＯＭチップの電極と導電性配線パターン
とを金属細線で接続し、紫外線透過性のガラス質−１ｆ
ｃは合成樹脂のキャップでＥＰＲＯＭチップと金属細線
による配縁部を覆って密封し、このキャップを絶縁性基
板に固定したものが開示されている。
２４３９３号明細書には、絶縁性基板の主表面上に導電
性配線パターンを形成し、この絶縁性基板のチップ搭載
領域に紫外線照射面を上にしてＥＰＲＯＭチップを配置
し、このＥＰＲＯＭチップの電極と導電性配線パターン
とを金属細線で接続し、紫外線透過性のガラス質−１ｆ
ｃは合成樹脂のキャップでＥＰＲＯＭチップと金属細線
による配縁部を覆って密封し、このキャップを絶縁性基
板に固定したものが開示されている。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、上記各先行技術文献に開示された技術思想
とは異なり、中空プラスチック・タイプパッケージに搭
載されたＥＰＲＯＭ半導体チップの周囲およびその搭載
部に第１の樹脂を充填するとともに、紫外線透過性蓋部
材で密封したものである。
とは異なり、中空プラスチック・タイプパッケージに搭
載されたＥＰＲＯＭ半導体チップの周囲およびその搭載
部に第１の樹脂を充填するとともに、紫外線透過性蓋部
材で密封したものである。
（作用）
この発明によれば、以上のように半導体装置を構成した
ので、ＦＪＰＲＯＭ半導体テッグのリードと樹脂の界面
から浸入してくる水分と腐食性イオンなどによりＥＰＲ
ＯＭ半導体チップ表面配線金属の腐食断＃！を防止でき
るもので心る。
ので、ＦＪＰＲＯＭ半導体テッグのリードと樹脂の界面
から浸入してくる水分と腐食性イオンなどによりＥＰＲ
ＯＭ半導体チップ表面配線金属の腐食断＃！を防止でき
るもので心る。
（実施例）
以下、この発明の半導体装置の実施例について図面に基
づき説明する。第１図はその一実施例の断面図である。
づき説明する。第１図はその一実施例の断面図である。
この第１図において、この中空グラスチック・タイプ・
パッケージ１ｏを用いたＥＰ ＲＯＭ装置２０は、アイ
ランド２１にＡＩペーストによってＥＰＲＯＭ半導体チ
ッグ２チッ載置されており、とのＥＰＲＯＭ半導体チッ
プ２２０表面の外部接続アルミ電極は外部導出リード２
３の先端に金属線＃！２４によって接続導出されている
。
パッケージ１ｏを用いたＥＰ ＲＯＭ装置２０は、アイ
ランド２１にＡＩペーストによってＥＰＲＯＭ半導体チ
ッグ２チッ載置されており、とのＥＰＲＯＭ半導体チッ
プ２２０表面の外部接続アルミ電極は外部導出リード２
３の先端に金属線＃！２４によって接続導出されている
。
前記ＥＰＲＯＭ半導体テッグ２２の周辺に第１の樹脂と
してのシリコン樹脂２５を充填して、外部導邑リード２
３とシリコン樹脂２５の界面２６がら没入して来る水分
、腐食性イオンなどがらＥＰＲＯＭ半導体チップ２２０
表面の外部接続アルミ電極の腐食を防止する。
してのシリコン樹脂２５を充填して、外部導邑リード２
３とシリコン樹脂２５の界面２６がら没入して来る水分
、腐食性イオンなどがらＥＰＲＯＭ半導体チップ２２０
表面の外部接続アルミ電極の腐食を防止する。
第１の樹脂としてのシリコン樹脂２５は密着性、信頼性
の高い樹脂でめれば７リコ／樹脂に限定されない。
の高い樹脂でめれば７リコ／樹脂に限定されない。
上述のようにして、充填された７リコ／樹肛゛２５の上
にＥＰＲＯＭ半導体チッグ２チッ紫外窮透過性蓋部材２
７との空隙に、第２の樹脂としての紫外線透過性樹脂２
８を充填すると、さらに信頼性が高いＥＰＲＯＭ半導体
装置が得られる。
にＥＰＲＯＭ半導体チッグ２チッ紫外窮透過性蓋部材２
７との空隙に、第２の樹脂としての紫外線透過性樹脂２
８を充填すると、さらに信頼性が高いＥＰＲＯＭ半導体
装置が得られる。
また、前記紫外線透過性蓋部材２７Ｆｉ中空プラスチツ
ク・タイプ・パッケージ１０にエポキシ樹脂によって接
着固定されている。
ク・タイプ・パッケージ１０にエポキシ樹脂によって接
着固定されている。
この発明の半導体装置の実施例の製造方法は、中空プラ
スチック・タイプ・パッケージ１０のアイランド２１に
ＥＰＲＯＭ半導体チップ２２をＡｐペーストで載置して
、金属細線２４で外部導出リード２３の先端にＥＰＲＯ
Ｍ半導体チップ２２を接続する。
スチック・タイプ・パッケージ１０のアイランド２１に
ＥＰＲＯＭ半導体チップ２２をＡｐペーストで載置して
、金属細線２４で外部導出リード２３の先端にＥＰＲＯ
Ｍ半導体チップ２２を接続する。
その後、ＥＰＲＯＭ半導体チップ２２０表面にかぶさら
ない位いの充填量の第１の樹脂としてのシリコン樹脂２
５を充填する（例えば東し、ＪＣＲ６１１０（商品名）
）。
ない位いの充填量の第１の樹脂としてのシリコン樹脂２
５を充填する（例えば東し、ＪＣＲ６１１０（商品名）
）。
しかし、第１の樹脂として、紫外線透過性樹脂（ｆｃと
えば、東し、ＪＣＲ６１２２）を用い次項ｌ 合に
は、中空部またはＥＰＲＯＭ半導体チップ２２を全体に
包囲する充填量でもよいことは一般的に考えられる。
えば、東し、ＪＣＲ６１２２）を用い次項ｌ 合に
は、中空部またはＥＰＲＯＭ半導体チップ２２を全体に
包囲する充填量でもよいことは一般的に考えられる。
前記シリコン樹脂２５を充填後、ＥＰＲＯＭ半導体チッ
プ２２と紫外線透過性蓋部材２７の空隙に紫外線透過性
樹脂２４を充填し、その後紫外線透過性材料にて構成さ
れた紫外線透過性蓋部材２７をエポキシ樹脂接着剤によ
って接着して、半導体ＥＰＲＯＭ装置が製造される。
プ２２と紫外線透過性蓋部材２７の空隙に紫外線透過性
樹脂２４を充填し、その後紫外線透過性材料にて構成さ
れた紫外線透過性蓋部材２７をエポキシ樹脂接着剤によ
って接着して、半導体ＥＰＲＯＭ装置が製造される。
このようなエポキシ樹脂接着剤や、シリコン樹脂の硬化
は１５０〜２００℃で１時間から２時間で硬化するので
、中空プラスチック・タイプ・パッケージ構成エポキシ
樹脂を変質させることはない。
は１５０〜２００℃で１時間から２時間で硬化するので
、中空プラスチック・タイプ・パッケージ構成エポキシ
樹脂を変質させることはない。
なお、紫外線透過性樹脂２８の充填は、なくても信頼性
は向上するが充填した方がよい。この充填は、上部から
ボツテイングによって充填する。
は向上するが充填した方がよい。この充填は、上部から
ボツテイングによって充填する。
（発明の効果）
この発明は以上説明したように、中空グラスチック・タ
イプ・パッケージに搭載され７ＩＣＥＦＲＯＭ半導体チ
ップの周囲およびその搭載部に第１の樹脂を充填し、紫
外線透過性蓋部材で密封したので、外部からリードと樹
脂界面または樹脂面からの水分、腐食性イオンなどの浸
入に対して、極めて高い信頼性を得ることができる。
イプ・パッケージに搭載され７ＩＣＥＦＲＯＭ半導体チ
ップの周囲およびその搭載部に第１の樹脂を充填し、紫
外線透過性蓋部材で密封したので、外部からリードと樹
脂界面または樹脂面からの水分、腐食性イオンなどの浸
入に対して、極めて高い信頼性を得ることができる。
ま几、ＥＰＲＯＭ半導体チップ全体を第１の樹脂で包囲
しているので、機械的な衝撃に対しても強く、シかも、
紫外線透過性蓋部材の接着時に中空部がこれらの樹脂に
よって充填されているので、空隙域が小さくなり、蓋部
材の接着時にエポキシ樹脂接着剤の加熱（１００〜２０
０℃）によって、中空部の圧力が高圧化されることによ
って外部にエポキシ樹脂接着剤が吹き出してしまう蓋部
材の接着不良、すなわち、リークの発生も低減できる利
点がめる。
しているので、機械的な衝撃に対しても強く、シかも、
紫外線透過性蓋部材の接着時に中空部がこれらの樹脂に
よって充填されているので、空隙域が小さくなり、蓋部
材の接着時にエポキシ樹脂接着剤の加熱（１００〜２０
０℃）によって、中空部の圧力が高圧化されることによ
って外部にエポキシ樹脂接着剤が吹き出してしまう蓋部
材の接着不良、すなわち、リークの発生も低減できる利
点がめる。
第１図は従来の中空プラスチック・タイプ・ノ（ツケー
ジを用いｌＥＰＲＯＭ装置の断面図、第２図はこの発明
の半導体装置の一実施例の断面図である。 １０・・・中空グラスチック・タイプ・）くツケージ、
２０・・・ＥＰＲＯＭｆ！置、２１・・・アイランド、
２２・・・ＥＰＲＯＭ半導体チップ、２３・・・外部導
出リード、２４・・・金属細線、２５・・・シリコン樹
脂、２６・・・外部導出リードとシリコン樹脂の界面、
２７・・・紫外線透過性蓋部材、２８・・・紫外線透過
性樹脂。
ジを用いｌＥＰＲＯＭ装置の断面図、第２図はこの発明
の半導体装置の一実施例の断面図である。 １０・・・中空グラスチック・タイプ・）くツケージ、
２０・・・ＥＰＲＯＭｆ！置、２１・・・アイランド、
２２・・・ＥＰＲＯＭ半導体チップ、２３・・・外部導
出リード、２４・・・金属細線、２５・・・シリコン樹
脂、２６・・・外部導出リードとシリコン樹脂の界面、
２７・・・紫外線透過性蓋部材、２８・・・紫外線透過
性樹脂。
Claims (1)
- 中空プラスチック・タイプ・パッケージに搭載されたＥ
ＰＲＯＭ半導体チップと、このＥＰＲＯＭ半導体チップ
と外部導出リードとを接続する金属細線と、この金属細
線を含む上記ＥＰＲＯＭ半導体チップの周辺に充填され
た第１の樹脂と、上記ＥＰＲＯＭ半導体チップを密封す
る紫外線透過性蓋部材とよりなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171452A JPS6150352A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171452A JPS6150352A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150352A true JPS6150352A (ja) | 1986-03-12 |
Family
ID=15923362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171452A Pending JPS6150352A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6150352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046061A (ja) * | 2001-05-25 | 2003-02-14 | Ibiden Co Ltd | Ｉｃチップ実装用基板 |
| JP2024513524A (ja) * | 2021-04-12 | 2024-03-25 | ヒタチ・エナジー・リミテッド | 成形体を備えるパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールの製造方法 |
-
1984
- 1984-08-20 JP JP59171452A patent/JPS6150352A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046061A (ja) * | 2001-05-25 | 2003-02-14 | Ibiden Co Ltd | Ｉｃチップ実装用基板 |
| JP2024513524A (ja) * | 2021-04-12 | 2024-03-25 | ヒタチ・エナジー・リミテッド | 成形体を備えるパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールの製造方法 |
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