JPS6151836A - 絶縁型半導体装置の製造方法 - Google Patents
絶縁型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6151836A JPS6151836A JP59173619A JP17361984A JPS6151836A JP S6151836 A JPS6151836 A JP S6151836A JP 59173619 A JP59173619 A JP 59173619A JP 17361984 A JP17361984 A JP 17361984A JP S6151836 A JPS6151836 A JP S6151836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- heat sink
- semiconductor device
- mold
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は放熱板の裏面をも成形樹脂でお督った絶縁型半
導体装置の製法にかかるものである。
導体装置の製法にかかるものである。
（従来の技術）
従来、放熱板を含め全表面が１対脂でも・むわれた絶縁
型半導体装ＴｉＴの製造においては、樹脂の成形工程に
おいて成形樹脂がランナーから唯１つのゲート開口部を
通して成形金型内に注入されていた。
型半導体装ＴｉＴの製造においては、樹脂の成形工程に
おいて成形樹脂がランナーから唯１つのゲート開口部を
通して成形金型内に注入されていた。
本来、成形金型内において均一に充てんされることが必
要であるが、放熱板裏面部あるいは他の部分に未充てん
部が発生しやすく、金型設計及び成形樹脂の選択等がむ
つかしかった。
要であるが、放熱板裏面部あるいは他の部分に未充てん
部が発生しやすく、金型設計及び成形樹脂の選択等がむ
つかしかった。
第４図に従来の絶に＊型半導体装置の一例を示す。
従来、樹脂成形工程においては、金型内に半導体チップ
およびリード線２が取り付けられ金属細線による配線の
行なわれた放熱板１が取り付けられ流動状態にある樹脂
は金量に１カ所設けられたゲート開口部１０より注入さ
れ、金匿内で２手に分かれ、一方の明脂流れ４は放熱板
１の裏面方向へ、他方の樹脂流れ５は放熱板１の表面方
向へと分流し成形金型内に充てんされるが、この分流の
仕方はゲート開口部１０の位置の高さによって変化し、
ゲート開口部１０の高さが比較的低いときけ、裏面方向
への樹脂流れ４がゲート開口部１０の高さが比較的高い
ときには表面方向への樹脂流れがより多く流れる。この
時に両者のバランスが重要であり、バランスが悪く一方
への流れ方が不足するとその不足する側に未完てん又は
ボイドが発生する。
およびリード線２が取り付けられ金属細線による配線の
行なわれた放熱板１が取り付けられ流動状態にある樹脂
は金量に１カ所設けられたゲート開口部１０より注入さ
れ、金匿内で２手に分かれ、一方の明脂流れ４は放熱板
１の裏面方向へ、他方の樹脂流れ５は放熱板１の表面方
向へと分流し成形金型内に充てんされるが、この分流の
仕方はゲート開口部１０の位置の高さによって変化し、
ゲート開口部１０の高さが比較的低いときけ、裏面方向
への樹脂流れ４がゲート開口部１０の高さが比較的高い
ときには表面方向への樹脂流れがより多く流れる。この
時に両者のバランスが重要であり、バランスが悪く一方
への流れ方が不足するとその不足する側に未完てん又は
ボイドが発生する。
又、半導体装置の放熱性を改善するために放熱板１の裏
面の樹脂厚を薄くすると、放熱板１の裏面方向への樹脂
の流れ４に対する抵抗が増大し、裏面部での未完てんが
発生しやすい。このためゲート用開口部１０の位置を低
くしたり、注入圧力を増加させたりしなければならない
。しかしながらその場合には逆に放熱板１の表面方向の
樹脂流れ５に対する抵抗が増大するので表面での未完て
んの発生が起こりやすい。
面の樹脂厚を薄くすると、放熱板１の裏面方向への樹脂
の流れ４に対する抵抗が増大し、裏面部での未完てんが
発生しやすい。このためゲート用開口部１０の位置を低
くしたり、注入圧力を増加させたりしなければならない
。しかしながらその場合には逆に放熱板１の表面方向の
樹脂流れ５に対する抵抗が増大するので表面での未完て
んの発生が起こりやすい。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、成形金型内に樹脂を均一に充てんする
絶縁型半導体装置の製造方法を提供するものである。
絶縁型半導体装置の製造方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、成形金型にその内部に設置される放熱
板の上下両側に樹脂注入のためのゲート開口部を設け、
放熱板の上下両側から樹脂を注入する絶縁型半導体装置
の製造方法を得る。
板の上下両側に樹脂注入のためのゲート開口部を設け、
放熱板の上下両側から樹脂を注入する絶縁型半導体装置
の製造方法を得る。
（実施例）
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
第１図および第２図は、本発明の一実施例による樹脂注
入工程を示すもので、成形金型には樹脂注入のゲート開
口部が３つある。
入工程を示すもので、成形金型には樹脂注入のゲート開
口部が３つある。
ゲート開口部１１は放熱板１の上側、すなわち半導体装
置の表面近くにありゲート開口部１０゜１０′は放熱板
１の下側に２カ所、すなわち、半導体装置の裏面近くに
ある。ランナー１２から注入された樹脂は各々のゲート
開口部１０．１０’、１１を通って放熱板１の具と表に
流れ４．５が分かれて充てんされる。この時、ゲート１
０ 、１０’、 １１の位置を２種にしているので、各
ゲー）’１０．１０’。
置の表面近くにありゲート開口部１０゜１０′は放熱板
１の下側に２カ所、すなわち、半導体装置の裏面近くに
ある。ランナー１２から注入された樹脂は各々のゲート
開口部１０．１０’、１１を通って放熱板１の具と表に
流れ４．５が分かれて充てんされる。この時、ゲート１
０ 、１０’、 １１の位置を２種にしているので、各
ゲー）’１０．１０’。
１１での１４脂帳れ・４，５に対する抵抗が減小でき、
放熱板１の直面と放熱板表面の両方に対して樹脂の充て
ん性が改＠きれる。
放熱板１の直面と放熱板表面の両方に対して樹脂の充て
ん性が改＠きれる。
第３図は本発明の他の実施列である。樹脂を注入するゲ
ート開口部１０．１１は各々放熱板の上下で１つづつ設
けても同様の効果が期待される。
ート開口部１０．１１は各々放熱板の上下で１つづつ設
けても同様の効果が期待される。
この時、これらゲート開口部１０．１１を上げに重ねる
ことはむつかしいので、樹脂の流れの均一化という点で
は、第１，２図に示す如くゲート開口部を３つ設ける方
が望ましい。
ことはむつかしいので、樹脂の流れの均一化という点で
は、第１，２図に示す如くゲート開口部を３つ設ける方
が望ましい。
（発明の効果）
本発明によれば、樹脂の流れが均一化されるので、未完
てん部やボイドの発生が防止できる。
てん部やボイドの発生が防止できる。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図は樹脂注入工程の断面図、第２図はゲート開口部
を示すための図である。第３図は本発明の他の実施例を
示す図である。第４図は従来技術による樹脂注入工程を
示す断面図である。 １・−・・・・放熱板、２・・・・・・リード線、３・
・・・・・樹脂部、４・・・・・・放熱板裏面の樹脂の
流れ、５・・・・・・放熱板表面の樹脂の流れ、６・・
・・・・ネジ穴、 １０ 、１０’川・・・ゲート開
口部、１１・・・・・・ゲート開口部、１２・・自・・
茅３ｙｌ 事４ 図
第１図は樹脂注入工程の断面図、第２図はゲート開口部
を示すための図である。第３図は本発明の他の実施例を
示す図である。第４図は従来技術による樹脂注入工程を
示す断面図である。 １・−・・・・放熱板、２・・・・・・リード線、３・
・・・・・樹脂部、４・・・・・・放熱板裏面の樹脂の
流れ、５・・・・・・放熱板表面の樹脂の流れ、６・・
・・・・ネジ穴、 １０ 、１０’川・・・ゲート開
口部、１１・・・・・・ゲート開口部、１２・・自・・
茅３ｙｌ 事４ 図
Claims (1)
- 放熱板が成形用樹脂によっておおわれている絶縁型半導
体装置の製造方法において、樹脂成形金型の表面側と裏
面側とから樹脂を注入して樹脂封止することを特徴とす
る絶縁型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173619A JPS6151836A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 絶縁型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173619A JPS6151836A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 絶縁型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151836A true JPS6151836A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15963968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59173619A Pending JPS6151836A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 絶縁型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151836A (ja) |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP59173619A patent/JPS6151836A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5018003A (en) | Lead frame and semiconductor device | |
| US6262480B1 (en) | Package for electronic device having a fully insulated dissipator | |
| US4954307A (en) | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices | |
| US5133921A (en) | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices | |
| JP3572833B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| US5049055A (en) | Mold assembly | |
| KR200309906Y1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
| JPH0783036B2 (ja) | キヤリアテープ | |
| US6863516B2 (en) | Transfer molding and underfilling apparatus | |
| US5645864A (en) | Resin encapsulating molding die for manufacturing a semiconductor device | |
| JPH03205117A (ja) | マルチプランジャー成形金型 | |
| JP3411448B2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 | |
| US7393489B2 (en) | Mold die for molding chip array, molding equipment including the same, and method for molding chip array | |
| JP2002252313A (ja) | ヒートスプレッダ及び半導体装置 | |
| JPH066509Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| TWI667746B (zh) | 半導體封裝結構及其製造方法 | |
| CN100578765C (zh) | 集成电路封装构造 | |
| JPS5981125A (ja) | レジンモ−ルド型 | |
| JPH0289349A (ja) | Ｔａｂ用フィルムキャリアテープ | |
| JPS63169054A (ja) | 樹脂封止型半導体装置のリ−ドフレ−ム | |
| JPS63158844A (ja) | 樹脂パツケ−ジ型半導体装置のトランスフアモ−ルド法 | |
| JPH07171862A (ja) | モールド金型及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS5966128A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH05109963A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6233748B2 (ja) |