JPS6233748B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6233748B2 JPS6233748B2 JP58089103A JP8910383A JPS6233748B2 JP S6233748 B2 JPS6233748 B2 JP S6233748B2 JP 58089103 A JP58089103 A JP 58089103A JP 8910383 A JP8910383 A JP 8910383A JP S6233748 B2 JPS6233748 B2 JP S6233748B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- lead frame
- space
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の封止において用いるリー
ドフレームに関する。
ドフレームに関する。
周知のように、半導体装置、半導体集積回路装
置の製造において、半導体素子、ワイヤ、リード
内端部等の主要部をレジンでモールドする工程が
ある。
置の製造において、半導体素子、ワイヤ、リード
内端部等の主要部をレジンでモールドする工程が
ある。
ところで、このモールドをトランスフアモール
ドで行なう際、第１図で示すように、レジンはリ
ードフレーム１を挾持するモールド上型２および
モールド下型３からなるモールド空間４内に向か
つてモールド下型３の上部に設けられた注入口
（ゲート）５から勢いよく流入する。しかし、注
入口５は一般にモールド上型２またはモールド下
型３の表面部分に設けられる。したがつて、注入
口５はリードフレーム１の一面に位置することに
なり、流入するレジンは注入口５に最も近いリー
ド６に対して斜方向に衝突する。この結果、リー
ド６の一面（図では上面）側に流れのかげがで
き、レジンモールド後この位置に気胞（ボイド）
７が発生する。この気胞７は水分の浸入の原因と
もなり半導体装置の耐湿性の低下を来し好ましく
ない。
ドで行なう際、第１図で示すように、レジンはリ
ードフレーム１を挾持するモールド上型２および
モールド下型３からなるモールド空間４内に向か
つてモールド下型３の上部に設けられた注入口
（ゲート）５から勢いよく流入する。しかし、注
入口５は一般にモールド上型２またはモールド下
型３の表面部分に設けられる。したがつて、注入
口５はリードフレーム１の一面に位置することに
なり、流入するレジンは注入口５に最も近いリー
ド６に対して斜方向に衝突する。この結果、リー
ド６の一面（図では上面）側に流れのかげがで
き、レジンモールド後この位置に気胞（ボイド）
７が発生する。この気胞７は水分の浸入の原因と
もなり半導体装置の耐湿性の低下を来し好ましく
ない。
したがつて、本発明の目的は耐湿性の優れた半
導体装置を形成できるようにしたリードフレーム
を提供することにある。
導体装置を形成できるようにしたリードフレーム
を提供することにある。
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
第２図は本発明の半導体装置の封止に用いるリ
ードフレーム８とモールド型９との関係を示す。
このリードフレーム８は２本の平行な外枠１０
と、この外枠１０に直交しかつ両端をそれぞれの
外枠１０に繋がる平行な２本の内枠１１と、一方
の内枠１１から延び内枠１１と外枠１０とからな
る枠の中心に位置する矩形のタブ１２を支持する
屈曲したタブリード１３と、このタブ１２に向か
つてそれぞれ両側の内枠１１から延びる複数のリ
ード１４と、それぞれのリード１４および外枠１
０とを直線的に繋ぐタイバー１５とからなつてい
る。また、このリードフレーム８の一方の外枠１
０の内周縁であつて、タイバー１５とタイバー１
５との間の部分にはレジン注入空間１６となるよ
うに切欠部が外枠１０の外周縁近くまで形成され
ている。
ードフレーム８とモールド型９との関係を示す。
このリードフレーム８は２本の平行な外枠１０
と、この外枠１０に直交しかつ両端をそれぞれの
外枠１０に繋がる平行な２本の内枠１１と、一方
の内枠１１から延び内枠１１と外枠１０とからな
る枠の中心に位置する矩形のタブ１２を支持する
屈曲したタブリード１３と、このタブ１２に向か
つてそれぞれ両側の内枠１１から延びる複数のリ
ード１４と、それぞれのリード１４および外枠１
０とを直線的に繋ぐタイバー１５とからなつてい
る。また、このリードフレーム８の一方の外枠１
０の内周縁であつて、タイバー１５とタイバー１
５との間の部分にはレジン注入空間１６となるよ
うに切欠部が外枠１０の外周縁近くまで形成され
ている。
このような形状のリードフレーム８のタブ１２
上に半導体素子１７を取り付けるとともに、この
半導体素子１７の電極とリード１４の内端とをワ
イヤ１８で接続する。つぎに、このリードフレー
ム８を第２図に鎖線で示すようなモールド型９に
装着する。このとき、第３図で示すように、リー
ドフレーム８はモールド型９の上型１９と下型２
０との間に挾持される。そして、上型１９と下型
２０とによつて形成されるモールド空間２１は第
２図で示すように、平行な２本の外枠１０および
平行な２列のタイバー１５とからなる矩形枠より
もわずかに小さく形成されるようになつている。
上に半導体素子１７を取り付けるとともに、この
半導体素子１７の電極とリード１４の内端とをワ
イヤ１８で接続する。つぎに、このリードフレー
ム８を第２図に鎖線で示すようなモールド型９に
装着する。このとき、第３図で示すように、リー
ドフレーム８はモールド型９の上型１９と下型２
０との間に挾持される。そして、上型１９と下型
２０とによつて形成されるモールド空間２１は第
２図で示すように、平行な２本の外枠１０および
平行な２列のタイバー１５とからなる矩形枠より
もわずかに小さく形成されるようになつている。
一方、前記下型２０の中央上面には溶融状態の
レジンが流れるランナー溝２２が設けられてい
る。そして、このランナー溝２２はリードフレー
ム８のレジン注入空間１６の設けられた外枠１０
の外縁部と重なるようになつている。この結果、
ランナー溝２２とリードフレーム８のレジン注入
空間１６とは連通するようになる。また、第３図
で示すように、外枠１０のレジン注入空間１６の
両側壁と上型１９の下面および下型の上面とによ
つてレジン注入口（ゲート）２３が形成される。
ところで、このゲート２３はリードフレーム８の
板を部分的に切欠いて形成され、その流出方向は
リード１４の側面に当たるようになつている。ま
た、上型１９の下面には溝が設けられ、下型２０
と合せられるとモールド空間２１内の空気抜孔２
４を形作るようになつている。また、下型２０に
は上下動するノツクアウトピン２５が配置され、
上昇してモールド空間２１内からモールド製品を
押し出すようになつている。
レジンが流れるランナー溝２２が設けられてい
る。そして、このランナー溝２２はリードフレー
ム８のレジン注入空間１６の設けられた外枠１０
の外縁部と重なるようになつている。この結果、
ランナー溝２２とリードフレーム８のレジン注入
空間１６とは連通するようになる。また、第３図
で示すように、外枠１０のレジン注入空間１６の
両側壁と上型１９の下面および下型の上面とによ
つてレジン注入口（ゲート）２３が形成される。
ところで、このゲート２３はリードフレーム８の
板を部分的に切欠いて形成され、その流出方向は
リード１４の側面に当たるようになつている。ま
た、上型１９の下面には溝が設けられ、下型２０
と合せられるとモールド空間２１内の空気抜孔２
４を形作るようになつている。また、下型２０に
は上下動するノツクアウトピン２５が配置され、
上昇してモールド空間２１内からモールド製品を
押し出すようになつている。
つぎに、本発明のリードフレームを用いて半導
体装置を封止する方法について説明する。まず、
第２図および第３図で示すようにペレツトボンデ
イングおよびワイヤボンデイングされたリードフ
レーム８をモールド型９に取り付ける。その後、
ランナー溝２２に溶融したレジン２６を圧入する
と、レジン注入口２３を通つてモールド空間２１
内にレジン２６が勢いよく流入する。この際、前
記ゲート２３から流入するレジン２６は第３図の
矢印２７，２８で示すように、リード１４の上面
および下面に接触しながら流れる。また、リード
１４の板厚は0.25mmと薄いことから、流れのかげ
となるところ、すなわち渦を巻くところもない。
このため、従来のようにモールドされたレジン内
に気胞が発生することはほとんどなくなる。
体装置を封止する方法について説明する。まず、
第２図および第３図で示すようにペレツトボンデ
イングおよびワイヤボンデイングされたリードフ
レーム８をモールド型９に取り付ける。その後、
ランナー溝２２に溶融したレジン２６を圧入する
と、レジン注入口２３を通つてモールド空間２１
内にレジン２６が勢いよく流入する。この際、前
記ゲート２３から流入するレジン２６は第３図の
矢印２７，２８で示すように、リード１４の上面
および下面に接触しながら流れる。また、リード
１４の板厚は0.25mmと薄いことから、流れのかげ
となるところ、すなわち渦を巻くところもない。
このため、従来のようにモールドされたレジン内
に気胞が発生することはほとんどなくなる。
また、レジン２６がモールド空間２１内を突き
進むにしたがつて、モールド空間２１内の空気は
反対側の空気抜孔２４から抜けでる。この場合、
レジンはリードフレームの側面から注入されてい
るため、リード１４の上側にレジンが注入されて
いくスピードと、その下側にレジンが注入されて
いくスピードとをほぼ等しくできる。したがつて
上記上側に注入されるレジンと上記下側に注入さ
れるレジンとがほぼ同時に空気抜孔２４に達する
ことになる。したがつてモールド空間２１内部に
空気が残つている状態で上記空気抜孔２４がレジ
ンによつてふさがれてしまうことがない。したが
つて、空気抜を十分行うことができる。このた
め、ボイドのないモールド部を形成することがで
きる。
進むにしたがつて、モールド空間２１内の空気は
反対側の空気抜孔２４から抜けでる。この場合、
レジンはリードフレームの側面から注入されてい
るため、リード１４の上側にレジンが注入されて
いくスピードと、その下側にレジンが注入されて
いくスピードとをほぼ等しくできる。したがつて
上記上側に注入されるレジンと上記下側に注入さ
れるレジンとがほぼ同時に空気抜孔２４に達する
ことになる。したがつてモールド空間２１内部に
空気が残つている状態で上記空気抜孔２４がレジ
ンによつてふさがれてしまうことがない。したが
つて、空気抜を十分行うことができる。このた
め、ボイドのないモールド部を形成することがで
きる。
その後、レジン２６が凝固した後、上型１９を
取り外すとともにノツクアウトピン２５を上昇さ
せて、モールド製品を取り出す。
取り外すとともにノツクアウトピン２５を上昇さ
せて、モールド製品を取り出す。
このような実施例によれば、モールド内部に気
胞が生じないので、耐湿性の優れた半導体装置を
得ることができる。
胞が生じないので、耐湿性の優れた半導体装置を
得ることができる。
また、この実施例ではモールド型のランナー溝
から支流を設け、それぞれのモールド空間に連通
するようにしなくとも、単にランナー溝の一部と
リードフレーム８のレンジ注入空間１６が部分的
に重なり合うようにすればよい。したがつて、モ
ールド型の単純化、統一化が図れることから製造
価格が安価となる実益がある。
から支流を設け、それぞれのモールド空間に連通
するようにしなくとも、単にランナー溝の一部と
リードフレーム８のレンジ注入空間１６が部分的
に重なり合うようにすればよい。したがつて、モ
ールド型の単純化、統一化が図れることから製造
価格が安価となる実益がある。
また、リードフレームの外枠に設けたレジン注
入空間１６がゲートの一部を分担しかつそれは常
に新しいのを使うこととなるから、摩耗によつて
ゲートの大きさが大きく変化することはない。
入空間１６がゲートの一部を分担しかつそれは常
に新しいのを使うこととなるから、摩耗によつて
ゲートの大きさが大きく変化することはない。
さらに、リードフレームのレジン注入空間の幅
を選択形成することによつて、所望の注入条件を
得ることができる。例えば、レジン注入空間１６
の幅を内枠１１まで広げることもできる。したが
つて、モールド型の統一化汎用性の増大を図るこ
とができる。
を選択形成することによつて、所望の注入条件を
得ることができる。例えば、レジン注入空間１６
の幅を内枠１１まで広げることもできる。したが
つて、モールド型の統一化汎用性の増大を図るこ
とができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。
以上のように、本発明のリードフレームによれ
ば封止時、モールド内部に気胞が発生することを
防止できるので、耐湿性の優れた半導体装置を得
ることができる。
ば封止時、モールド内部に気胞が発生することを
防止できるので、耐湿性の優れた半導体装置を得
ることができる。
また、本発明によれば、モールド型を安価に製
造することができるとともに、汎用性を増大する
ことができるなどの効果を奏する。
造することができるとともに、汎用性を増大する
ことができるなどの効果を奏する。
第１図は従来の半導体装置の封止状態を示す一
部断面図、第２図は半導体装置の封止に用いる本
発明に係るリードフレームとモールド型との関係
を示す一部平面図、第３図は第２図―線に沿
う断面図である。 １…リードフレーム、２…モールド上型、３…
モールド下型、４…モールド空間、５…注入口
（ゲート）、６…リード、７…気胞（ボイド）、８
…リードフレーム、９…モールド型、１０…外
枠、１１…内枠、１２…タブ、１３…タブリー
ド、１４…リード、１５…ダイバー、１６…レジ
ン注入空間、１７…半導体素子、１８…ワイヤ、
１９…上型、２０…下型、２１…モールド空間、
２２…ランナー溝、２３…レジン注入口（ゲー
ト）、２４…空気抜孔、２５…ノツクアウトピ
ン、２６…レジン、２７，２８…矢印。
部断面図、第２図は半導体装置の封止に用いる本
発明に係るリードフレームとモールド型との関係
を示す一部平面図、第３図は第２図―線に沿
う断面図である。 １…リードフレーム、２…モールド上型、３…
モールド下型、４…モールド空間、５…注入口
（ゲート）、６…リード、７…気胞（ボイド）、８
…リードフレーム、９…モールド型、１０…外
枠、１１…内枠、１２…タブ、１３…タブリー
ド、１４…リード、１５…ダイバー、１６…レジ
ン注入空間、１７…半導体素子、１８…ワイヤ、
１９…上型、２０…下型、２１…モールド空間、
２２…ランナー溝、２３…レジン注入口（ゲー
ト）、２４…空気抜孔、２５…ノツクアウトピ
ン、２６…レジン、２７，２８…矢印。
Claims (1)
- １ レジンの流通空間部とモールド空間を形成す
るモールド上型とモールド下型に挾持されるリー
ドフレームにおいて、前記レジンの流通空間部と
前記モールド空間を連通させるようにリードフレ
ームの外枠の内縁側にレジン注入用切込空間部を
形成してなることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089103A JPS5910251A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089103A JPS5910251A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | リ−ドフレ−ム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50090286A Division JPS59969B2 (ja) | 1975-07-25 | 1975-07-25 | 半導体装置の封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910251A JPS5910251A (ja) | 1984-01-19 |
| JPS6233748B2 true JPS6233748B2 (ja) | 1987-07-22 |
Family
ID=13961547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089103A Granted JPS5910251A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910251A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02135765A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置用リードフレーム |
| US5275546A (en) * | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Fierkens Richard H J | Plastic encapsulation apparatus for an integrated circuit lead frame and method therefor |
| JP6539942B2 (ja) * | 2014-01-09 | 2019-07-10 | 株式会社カネカ | 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、光半導体パッケージ並びに光半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643854B2 (ja) * | 1973-07-17 | 1981-10-15 |
-
1983
- 1983-05-23 JP JP58089103A patent/JPS5910251A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5910251A (ja) | 1984-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4301464A (en) | Lead frame and semiconductor device employing the same with improved arrangement of supporting leads for securing the semiconductor supporting member | |
| US6291273B1 (en) | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof | |
| US6734571B2 (en) | Semiconductor assembly encapsulation mold | |
| US6278175B1 (en) | Leadframe alteration to direct compound flow into package | |
| US5623163A (en) | Leadframe for semiconductor devices | |
| KR20030052502A (ko) | 리드프레임 스트립 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 | |
| JPS6249742B2 (ja) | ||
| JPS6233748B2 (ja) | ||
| JPS59969B2 (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JP2525555Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム組立体 | |
| WO1986002200A1 (en) | Lead frame having improved arrangement of supporting leads and semiconductor device employing the same | |
| JP2855787B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置製造用金型並びにそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS5843900B2 (ja) | 封止装置 | |
| KR100473338B1 (ko) | 반도체패키지용 리드프레임 및 그 봉지 방법 | |
| JP4086534B2 (ja) | メモリーカードとその成形方法 | |
| JPS6144430Y2 (ja) | ||
| KR100653041B1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
| KR100983304B1 (ko) | 리이드 프레임 및, 그것을 적용하여 제조된 반도체 팩키지및, 반도체 팩키지의 제조 방법 | |
| JPS638130Y2 (ja) | ||
| KR0163872B1 (ko) | 본딩 와이어 불량 방지용 블로킹 리드를 갖는 패킹 구조 | |
| JPS6197955A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| KR0122888Y1 (ko) | 반도체 팩키지 성형용 몰드 | |
| KR930007177Y1 (ko) | 댐바가 없는 리드 프레임 | |
| KR200289924Y1 (ko) | 리드프레임 | |
| JPH039538A (ja) | 半導体装置用樹脂封止金型 |