JPS6152979B2

JPS6152979B2 -

Info

Publication number: JPS6152979B2
Application number: JP4211578A
Authority: JP
Inventors: Yukio Kenbo; Tomohiro Kuji; Hiroshi Makihira
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1978-04-12
Filing date: 1978-04-12
Publication date: 1986-11-15
Also published as: JPS54134982A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は半導体ウエハ上のストリート位置を検
出する半導体ウエハ上のストリート位置検出装置
に関するものである。

第１図は検出対象例としての半導体ウエハ１を
示す。図に示すようにウエハ１上に形成された複
数のチツプ２は、ストリート３により区分されて
おり、半導体生産工程ではこのストリートにスク
ライバやダイサ等により切断線が入れられ、ウエ
ハは碁盤目のように切断され、一つ一つのチツプ
になる。各チツプ２の上には、第１図の部分４の
拡大図である第２図に示すように周辺部のボンデ
イングパツド５と称する外部との接続端子や複雑
な回路パターン６が形成される。このような半導
体ウエハの位置を検出し、位置合せする必要性
は、ブローバと称する各チツプの電気的特性検査
機でウエハをテストする時、ダイサと称するスト
リートに切断線を入れる機械装置又はスクライバ
と称する同様の装置でウエハをセツトする場合、
プリンタと称するウエハ上に回路パターンを焼付
ける機械にウエハをプリセツトする場合などにお
いて生ずる。ところでこの半導体ウエハ１上のス
トリート３を検出する装置について第３図乃至第
８図にもとづいて具体的に説明する。

ウエハ１上の検出エリア７は対物レンズ８、シ
リンドリカルレンズ２５からなる光学系を介し一
定方向に光束が圧縮された状態で一次元撮像素子
（ラインスキヤナ）２６に結像され、一次元撮像
素子２６で充電変換された像信号は位置検出回路
２７により、チツプ２の位置が計算され、この検
出値にもとづいてモータ制御回路１２、モータ駆
動機構１３を介してテーブル１４を移動させるこ
とによりウエハ１上のチツプ２の位置決めがなさ
れる。照明には、一次元撮像素子２６と直角方向
からの斜め照明である粗検出用照明２８と一次元
撮像素子２６と平行な左右両方向からの斜め照明
である１対の精検出用照明２９があり、先ず粗検
出用照明２８を用いて、位置検出回路２７により
粗検出を行なつた後に、精検出用照明２９に切換
えて、粗検出値と、像信号とから、精検出を行な
い位置決めを行なう。

第４図は、斜め照明によるパターンの反射の様
子をウエハ１の一部分の断面図により説明してい
る。左斜め上方からの照明光３０は、ウエハ１上
の平坦な部分３１では正反射されて、対物レンズ
８に入射しないが、ボンデイングパツド部５、ス
トリートの右エツヂ部３２及び回路パターンの段
差３３では乱反射を起こし、対物レンズ８に入射
する。又、右斜め上方からの照明光３４も同様に
ストリートの左エツヂ３５、ボンデイングパツド
５、回路パターンの段差３３で乱反射をして、対
物レンズ８に入射する。但し第７図の様に照明方
向と平行な段差３６は乱反射が少なく、照明光は
対物レンズ８にほとんど入射しない。従つて、斜
め照明によりウエハ１上の平坦部と照明方向に平
行な段差以外のパターン、配線パターン及びボン
デイングパツドが明るい像として結像することに
なる。

次に第６図及び第７図を用いて粗検出用照明２
８と精検出用照明２９によるチツプ２の位置検出
について説明する。チツプ２の位置は、Ｘ，Ｙ方
向２軸検出したいわけであるが、ここでは簡単の
ため、１軸のみ、すなわち第２図において横方向
の位置検出についてのみ説明する。この場合、ス
トリート３のうち縦のラインを検出すればよい。
第６図ａは、第３図の検出エリア７の一部であ
る。粗検出用照明２８によつてパターンは図のよ
うにボンデイングパツド５と照明に直角な横方向
回路パターン３７及びストリートのエツヂ３８の
みが光つて検出され、残りの部分は暗いので検出
されない。この像をシリンドリカルレンズ２５で
縦方向に圧縮すると一次元撮像素子（ラインスキ
ヤナ）１０上には、第８図ｂに示すところの像が
結像される結果、横方向のボンデイングパツド４
０とストリートのエツヂ３８は、横方向の回路パ
ターン３７とともに圧縮平均化されてやや明るく
なるが像としては検出されなくなる。又、縦方向
のボンデイングパツド列４１は明るい像４２とし
て結像し、縦方向のボンデイングパツド列４１の
間には、乱反射の要素が全くないために、最も暗
い像４３として結像する。したがつて、第６図ｂ
に示す一次元パターンが結像された一次元撮像素
子２６からは、第６図ｃに示すような像信号を得
ることができる。第６図ｃでは、横方向は像の位
置に対応し、縦方向は、明るさのレベルに対応し
上が明るいことを示している。この像信号には縦
方向の位置情報しか含まれていないことは明白で
ある。この像信号において、最も低いレベルV₀
が縦方向のストリート３を含む、縦方向ボンデイ
ングパツド列４１の間を示している。そこで、
V₀に適当な値DV₁を加えたV₁のレベルで信号を切
ると、縦方向ボンデイングパツド列４１の内側の
位置に対応したX₁，X₂が検出される。このX₁，
X₂の中間をXC₁としてストリート粗検出位置とす
る。すなわち、粗検出照明２８による信号処理で
は、複雑なパターン認識を用いることなく、単に
像信号の最低レベルV₀を検出することにより、
後は簡単な処理で、ストリート３の粗中心XC₁が
求まる。但し、この照明では精密な位置検出は不
可能であるので、次に精検出用照明２９による検
出を行なう。

第７図ａは、精検出用照明２９によるパターン
の様子を示しており、図の如くボンデイングパツ
ド５、照明に直角な縦回路パターン４４および同
じく直角なストリート３のエツヂ４５のみが明る
く検出され、他の部分は暗いので検出されない。
この像をシリンドリカルレンズ２５で図の縦方向
３９に圧縮集光し、一次元撮像素子２６上に結像
したのが第７図ｂである。図では、横方向ボンデ
イングパツド列４０と縦方向回路パターン４４は
圧縮平均化されるが、粗検出と違い、集光された
一次元像に縦方向の像成分４６が残る。又、縦方
向ボンデイングパツド列４１及び、縦方向ストリ
ートのエツヂ４５は、明るく集光４７されてお
り、縦方向ストリート３は、最も暗像４８とな
る。但し、粗検出と異なり他にも暗い像４９があ
る。この一次元集光像の像信号が第７図ｃであ
る。上下が明るさレベルを示し、上が明るい。
又、横方向が像位置に対応している。この信号で
は、信号波形が複雑でありストリート３に対応す
る信号位置を検出するのは困難である。しかし、
粗検出で求めたストリートの粗中心XC₁をはさむ
明るいピークX₅，X₆の間のみに着目して信号処
理すれば、以下の手順で容易に求めることができ
る。

まず、X₅，X₆間の最低レベルV₂に適当な値
DV₂を加えた明るさのレベルV₃で映像信号のX₅，
X₆間を切れば、ストリートのエツヂ４５に対応
した信号位置X₃，X₄が求められる。このX₃，X₄
の中心をストリート中心XC₂とすればよい。この
ようにして、縦方向のストリート中心すなわち、
チツプの横方向位置が検出される。

本方式では、ボンデイングパツド５がストリー
ト３に対して非対称であつても、又、対象とする
品種が多種であつても、容易、確実にストリート
３が求まり、チツプ２の位置がわかる。

第８図に位置検出回路２７の一実施例を示す。
メイン回路７９は、位置検出回路２７をコントロ
ールしている他、検出光切換回路５０、モータ制
御回路１３を動かしている。まず、粗検出光にて
入力する。一次元撮像素子で入力された映像信号
は一次元撮像素子用ドライブ回路５１、アンプ５
２、Ａ／Ｄコンバータ５３を通り映像用メモリ５
４へ多値階調で記憶される。映像メモリ５４内の
信号はアドレスカウンタ５５に上り順次呼び出さ
れ、最低値検出回路５６で最低値V₀を検出さ
れ、レジスタ５７にストアされる。閾値演算回路
５８では、このレジスタ５７の内容と、閾値設定
用レジスタ５９の内容を加算して閾値レジスタ６
０へストアする。次に閾値レジスタ６０とアドレ
スカウンタにより呼び出されたメモリ５４の内容
とを、２値化回路６１で比較し、ハイ、ロウに２
値化して後、微分回路６２を通す。この内容とア
ドレスカウンタ５５から遅延回路６３を通して来
た内容を比較して、エツヂアドレスを決定し、レ
ジスタ６４にストアする。次に両エツヂより、そ
の中央値アドレスを演算回路６５で計算し、レジ
スタ６６にストアする。ここまでストリートの粗
検出位置が求まつたことになる。

次に精検出を同じループで行なうのであるが、
この場合、走査範囲を狭く限定するための粗検出
位置とメモリ５４内容から、範囲設定アドレス
X₅，X₆を検出回路にて検出し、それぞれスター
トアドレスレジスタ６７、エンドアドレスレジス
タ６８にストアする。粗検出時には、あらかじめ
セツトされてあるスタートアドレス６９、エンド
アドレス７０を両レジスタ６７，６８にストアす
る。

走査コントロールは以下の様に行なう。

この両レジスタの差を演算回路７１にて演算
し、走査数レジスタ７２にストアしておく。セツ
ト命令７３によりアドレスカウンタ５５とスター
トアドレス用カウンタ７４がスタートし、スター
トアドレス用カウンタ７４がスタートアドレスレ
ジスタ６７の内容までくると、走査数カウンタ７
５をスタートさせ、走査数レジスタ７２の内容だ
けカウントするとコントロール信号７６を出し
て、走査を止める。以上の如く、狭い範囲内で走
査を行ない粗検出と同様にすれば、精検出がなさ
れ、中央値レジスタ６６の内容は、モータ制御回
路１２へ渡される。

本回路では閾値設定用レジスタ５９へ、粗検出
用閾値差７７と、精検出用閾値差７８を別々にス
トアできるようにしてある。又、エラーチエツク
等論理的判断機能はメイン回路７９内に含んでい
る。

以上詳細な説明をしたが、照明方法に関して
は、粗検出においては、縦方向エツヂが検出され
ないような暗視野照明であれば良く、一対の両側
からはさむ照明でなくとも、１方向からの照明で
良い。

また、精検出では、ダイシングエリアのエツヂ
が検出されれば良く、明視野照明でも暗視野照明
でも良い。

以上のように従来の半導体ウエハ上のストリー
ト位置検出装置は、シリンドリカルレンズ２５に
よつて所定の領域から得られる反射光像を光学的
に圧縮してホトダイオードアレイ１０で検出する
ものであるため、非常に高価になると共に圧縮さ
れる領域が限定されて狭く、高信頼度をもつて位
置検出することが困難である欠点を有する。

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点をな
くし、半導体ウエハ上のストリート位置を自動的
に検出する装置を小型でシンプルにして安価にす
ると共に広い領域に亘つて反射光像を総計して信
頼度で半導体ウエハ上のストリートの位置を検出
できるようにした半導体ウエハ上のストリート位
置検出装置を提供するにある。

即ち本発明は、位置を検出するストリートの長
手方向の斜め上方から半導体ウエハ上にほぼ平行
光を照射する第１の照射手段と、半導体ウエハ上
に上記ストリートの長手方向に直角な方向の斜め
上方からほぼ平行光を照射する第２の照射手段
と、上記第１の照射手段と第２の照射手段とによ
る少なくとも２種類の照明を切換える照明切換装
置と、上記ストリートの長手方向に向けたスリツ
トを通して上記半導体ウエハからの乱反射光の光
量を検出する光電変換素子と、上記半導体ウエハ
を搭載する台を上記ストリートの長手方向に直角
な方向に移動させて上記ストリートに対して上記
反射光像を走査する装置と、上記台の移動位置を
検出する台移動位置検出装置と、上記第１の照射
手段によつて光を照射して上記台を移動させて上
記光電変換素子から得られる映像信号が、最も低
いレベルより僅か高く設定された第１の基準レベ
ルに到達したとき、上記台移動位置検出装置によ
り検出される２点X₁，X₂からそれらの中間点で
ある上記ストリートの粗位置を検出する粗位置検
出手段と、上記照射切換装置によつて上記第１の
照射手段から上記第２の照射手段に切換えて第２
の照射手段によつて光を照射して上記台を移動さ
せて上記光電変換素子から得られる映像信号につ
いて、上記粗位置検出手段により検出されたスト
リートの粗位置をはさんで、設定された第２の基
準レベルに最初に到達したときの上記台移動位置
検出装置により検出される２点X₃，X₄からそれ
らの中間点である上記ストリートの中心精密位置
を検出する精密検出手段とを備え付け、半導体ウ
エハ上のストリート位置を自動的に検出するの
に、走査をウエハテーブルの移動を利用して、ス
リツト走査する方式を用いて光学系の歪、照明む
らの影響を避け品質のよい像検出と安くシンプル
な構成を実現し、映像処理として複雑な電気的処
理を行なわず、単に照明方法を変化させることに
より粗検出から精検出を可能にして、容易で安価
な位置検出装置を実現し、更に暗視野照明と、長
いスリツトにより反射光像の総計量を拡大して検
出の信頼性を高めた装置である。

以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。

第９図は本発明の半導体ウエハ上のストリート
位置検出装置の一実施例を示した概略構成図であ
る。即ち本装置は左右一対の検出系１００，１０
１により半導体ウエハ１上のチツプ２間のストリ
ート３を検出し、３の検出結果にもとづいてウエ
ハ１のＹ方向とθ方向を光学系の基準位置８１に
位置決めするパターン検出位置決めするものであ
る。次にＹ、及びθ方向についてアライメントさ
れたウエハ１を90゜回転して、Ｘ方向についても
上記と同じようにアライメントされる。

具体的にはウエハ１上の検出視野８２は対物レ
ンズ８によりＸ軸方向に細長いスリツト８３を形
成したスリツト板８４の位置に拡大結像され、Ｘ
方向に開いたスリツト８３を透過した光量８５は
ホトダイオード８６により電気信号に変換され、
位置検出回路１０２に入力する。検出はＹテーブ
ル１４をＹ駆動機構１３で移動させながら行な
う。Ｙテーブル１４の変位量はリニアエンコーダ
８７により検出され、位置検出回路１０２に入力
する。位置検出回路１０２ではリニアエンコーダ
８７からの変位量８８とホトダイオード８６から
の信号８９とを対応させて、検出視野８２上のパ
ターンに対応した像信号９０を得ることができ
る。この信号９０を演算処理し、Ｙ方向の位置検
出が行なえる。照明手段は位置検出方向と直角な
Ｘ方向の斜め上方から半導体ウエハ１上を矩形状
に照射する一対の粗検出用照明２８と、Ｙ方向斜
め上方から半導体ウエハ１上を矩形状に照射する
一対の精検出用照明２９とから構成され、以下の
ように使いわけられる。即ち先ず、粗検出用照明
２８を用いてウエハ１を動かしながら、位置検出
回路１０２によりストリート３の粗検出を行な
い、次に精検出用照明２９に切換えて、粗検出値
と像信号９０から位置検出回路１０２によりスト
リート３位置の精検出を行なう。以上の検出を左
右１対の検出系１００，１０１で行ない、基準位
置８１に対する精検出値Y₁，Y₂を求め、以下(1)
式及び(2)式に示す計算を行なう。

Ｙ＝Ｙ_１＋Ｙ_２／２ ……(1) θ＝Ｙ_１−Ｙ_２／ｌ ……(2) 上記(1)式にもとづいて、モータ制御回路１０
３，Ｙ駆動駆構１３を介し、Ｙテーブル１４を動
かし(2)式にもとづいてモータ制御回路１０３θ駆
動機構９１を介してθテーブル９２を動かして、
半導体ウエハ１を位置決めする。

次に検出については従来の如く第４図に示すよ
うに行なわれる。即ち第４図は、斜め照明による
半導体ウエハ上のパターンの反射の様子を示す一
部断面図である。左斜め上方からの照明光３０
は、ウエハ１上の平坦な部分３１では正反射され
て、対物レンズ８に入射しないが、ボンデイング
パツド部５、ストリートの右エツヂ部３２及び回
路パターンの段差３３等では乱反射を起こし、対
物レンズ８に入射する。又、右斜め上方からの照
明光３４も同様にストリートの左エツヂ３５、ボ
ンデイングパツド５、回路パターンの段差３３で
乱反射をして、対物レンズ８に入射する。但し第
５図の様に照明方向と平行な段差３６は対物レン
ズ８の方向への乱反射が少なく、照明光３０は対
物レンズ８にほとんど入射しない。従つて、斜め
照明によりウエハ１上の平坦部と照明方向に平行
な段差以外のパターン、配線パターン及びボンデ
イングパツドが明るい像として結像することにな
る。

次に、第１０図及び第１１図を用いて粗検出用
照明２８と精検出用照明２９によるストリート３
の位置検出について詳しく説明する。第１０図ａ
は、第１図の一部４である。粗検出用照明２８に
よつてパターンは図のようにボンデイングパツド
５等配線パターンと、照明に直角なＹ方向回路パ
ターン５１及びストリートのエツヂ５２のみが光
つて検出され、残りのパターンは暗いので検出さ
れない。この像に対しスリツト２９が相対的に動
くと、位置検出回路１０２では変位量９５とスリ
ツト透過光量８５より第１０図ｂに示す像信号９
６が得られる。Ｙ方向のボンデイングパツド４０
とストリートのエツヂ３８は、Ｙ方向の回路パタ
ーン３７とともにスリツト８３により平均化され
るので、やや明るくはあるが像としては検出され
なくなる。又、Ｘ方向のボンデイングパツド列４
１はスリツト８３により総計される明るい像９７
として検出され、ストリート３の存在するＸ方向
のボンデイングパツド列４１の間には、乱反射の
要素が全くなく、スリツト８３を透過する光量が
ないので、最も暗い像９８として検出される。以
上のようにして得られた、第１０図ｂの像信号９
６には、Ｘ方向の位置情報は、スリツト８３によ
り平均化されるため含まれておらず、Ｙ方向の位
置情報のみが含まれている。特にストリート３の
如く、長いラインの情報が、短かいラインの情報
に対しＳ／Ｎよく含まれている。この像信号９６
から、位置検出回路１０２は以下のようにして粗
中心を検出する。像信号において、最も低いレベ
ルV₀がＸ方向のストリート３を含むＸ方向ボン
デイングパツド列４１の間を示しているので、
V₀に適当な値DV₁を加えたV₁のレベルで信号を切
ると、Ｘ方向ボンデイングパツド列４１の内側の
平均位置に対応したX₁，X₂が検出される。この
X₁，X₂の中間をXC₁としてストリート３の粗検出
位置とする。すなわち、粗検出照明２８による信
号処理では、複雑高価なパターン認識を用いるこ
となく、単に像信号の最低レベルV₀を検出する
ことにより、簡単な処理で、ストリートの粗中心
XC₁が求まる。但し、この粗検出用照明では詳し
い位置検出はできないので、次に精検出用照明２
９による検出を行なう。

第１１図ａは、精検出用照明２９によるパター
ンの様子を示しており、図の如くボンデイングパ
ツド５等回路パターン、照明に直角なＸ方向回路
パターン４４および同じくＸ方向のストリートの
エツヂ４５のみが明るく検出され、他の部分は暗
いので検出されない。この像に対しスリツト８３
が相対的に動くと、位置検出回路１０２では変位
量９５とスリツト透過光量８５より第９図ｂに示
す像信号９９が得られる。図ではＹ方向ボンデイ
ングパツド列４０とＸ方向回路パターン４４はス
リツト８３により平均化されるが、粗検出と違い
Ｘ方向回路パターン４４は像のライン長が長いの
で像として検出される。又、Ｘ方向ボンデイング
パツド列４１及びＸ方向ストリートのエツヂ４５
は、スリツト８３で明るく集光され、Ｘ方向スト
リートは暗い像１０５となる。但し、粗検出と異
なり他にも暗い像１０６が出来る。この像信号９
９が第１１図ｂである。図の横方向がパターン位
置に対応し、縦方向が明るさに対応しており、右
方向が明るいことを示す。この信号９９では、信
号波形が複雑でありストリート３に対応する信号
位置を簡単に検出するのは困難である。しかし、
粗検出で求めたストリートの粗中心XC₁をはさむ
明るいピークX₅，X₆の間のみに着目して信号処
理すれば、以下の手順で容易にストリートの正確
な中心を求めることができる。

まず、X₅，X₆間の最低レベルV₂に適当な値
DV₂を加えた明るさのレベルV₃で像信号のX₅，
X₆間を切れば、ストリートのエツヂ４５に対応
した信号位置X₃，X₄が求められる。このX₃，X₄
の中心をストリート中心XC₂とすればよい。この
ようにして、Ｘ方向のストリート中心が求められ
た。

本方式では、ボンデイングパツド５がストリー
ト３に対して非対称であつても、又、対象とする
品種が多種であつても、容易、確実にストリート
が求まる。又スリツトの長さを半導体ウエハ１上
換算でチツプの長さより長くしてあるのでストリ
ートのエツヂをＳ／Ｎ良く検知することができ
る。

以上詳細な説明をしたが、照明方法に関して
は、粗検出では、縦方向エツヂが検出されないよ
うな暗視野照明であれば良く、一対の両側からは
さむ照明でなくとも、１方向からの照明で良い。

また、精検出では、ストリートのエツヂが検出
されれば良く、明視野照明でも暗視野照明でも良
い。

入力はホトダイオードに限らず、光量に比例し
た出力を持つたものならばホトマルチプライヤー
等の光電変換素子なら良い。

位置決めは精検出の前に粗検出値にもとづい
て、粗位置決めを行なうことにより、前述の実施
例に比べテーブル走査距離が少なく、従つて検出
時間を短かくできる。又、θ方向が修正されるの
で、光学系基準位置がＸ方向と合致している場
合、精検出時にスリツト方向とパターン方向が一
致し、分解能の高い像信号を得ることができる。

以上説明したように本発明によれば、検出感度
をよくして高精度に半導体ウエハ上のストリート
を検出することができると共に、検出系を簡素化
してストリート位置検出装置を安価にすることが
できる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は検出対象例としての半導体ウエハを示
す図、第２図は詳しいパターンを説明するための
第１図の部分拡大図、第３図は従来の半導体ウエ
ハ上のストリート位置検出装置の一例を示す概念
図、第４図は斜め照明光のパターンによる反射の
様子を示した図、第５図は斜め照明光に平行なパ
ターンによる反射の様子を示した図、第６図ａは
粗検出照明によるパターンの見え方を示した図、
ｂはその像のシリンドリカルレンズによる圧縮集
光像を示した図、ｃはその圧縮集光像の像信号波
形図、第７図ａは粗検出照明によるパターンの見
え方を示した図、ｂはその像のシリンドリカルレ
ンズによる圧縮集光像を示した図、ｃはその圧縮
集光像の像信号波形図、第８図は第３図に示した
位置検出回路を具体的に示した図、第９図は本発
明の半導体ウエハ上のストリート位置検出装置の
一実施例を示す概略構成図、第１０図ａは第９図
に示す装置粗検出用照明によるパターンの見え
方、及びスリツトの位置関係を示した図、ｂはそ
の像のスリツト走査によつて得られる像信号波形
を示した図、第１１図ａは第９図に示す装置の精
検出用照明によるパターンの見え方、及びスリツ
トの位置関係を示した図、ｂはその像のスリツト
走査によつて得られる像信号波形を示した図であ
る。符号の説明、１…ウエハ、２…チツプ、３…ス
トリート、８…対物レンズ、１３…Ｙ駆動機構、
１４…Ｙテーブル、２８…粗検出用照明、２９…
精検出用照明、８３…スリツト、８４…スリツト
板、８６…ホトダイオード。

Claims

【特許請求の範囲】

１位置を検出するストリートの長手方向の斜め
上方から半導体ウエハ上にほぼ平行光を照射する
第１の照射手段と、半導体ウエハ上に上記ストリ
ートの長手方向に直角な方向の斜め上方からほぼ
平行光を照射する第２の照射手段と、上記第１の
照射手段と第２の照射手段とによる少なくとも２
種類の照明を切換える照明切換装置と、上記スト
リートの長手方向に向けたスリツトを通して上記
半導体ウエハからの乱反射光の光量を検出する光
電変換素子と、上記半導体ウエハを搭載する台を
上記ストリートの長手方向に直角な方向に移動さ
せて上記ストリートに対して上記反射光像を走査
する装置と、上記台の移動位置を検出する台移動
位置検出装置と、上記第１の照射手段によつて光
を照射して上記台を移動させて上記光電変換素子
から得られる映像信号が、最も低いレベルより僅
か高く設定された第１の基準レベルに到達したと
き、上記台移動位置検出装置により検出される２
点X₁，X₂からそれらの中間点である上記ストリ
ートの粗位置を検出する粗位置検出手段と、上記
照射切換装置によつて上記第１の照射手段から上
記第２の照射手段に切換えて第２の照射手段によ
つて光を照射して上記台を移動させて上記光電変
換素子から得られる映像信号について、上記粗位
置検出手段により検出されたストリートの粗位置
をはさんで、設定された第２の基準レベルに最初
に到達したときの上記台移動位置検出装置により
検出される２点X₃，X₄からそれらの中間点であ
る上記ストリートの中心精密位置を検出する精密
検出手段とを備え付けたことを特徴とする半導体
ウエハ上のストリート位置検出装置。