JPS6152984B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6152984B2 JPS6152984B2 JP52093782A JP9378277A JPS6152984B2 JP S6152984 B2 JPS6152984 B2 JP S6152984B2 JP 52093782 A JP52093782 A JP 52093782A JP 9378277 A JP9378277 A JP 9378277A JP S6152984 B2 JPS6152984 B2 JP S6152984B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal
- forming
- tungsten film
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属パターン形成方法に関し、特に多
層の金属パターンの形成方法に関する。
層の金属パターンの形成方法に関する。
従来、金属パターン形成の有効な一方法として
メツキ法が知られている。メツキ法では任意の膜
厚が簡単に得られることや被メツキ基板の段部で
の被覆性が良いことなどの特徴を有しており、半
導体装置などでも広く用いられている。
メツキ法が知られている。メツキ法では任意の膜
厚が簡単に得られることや被メツキ基板の段部で
の被覆性が良いことなどの特徴を有しており、半
導体装置などでも広く用いられている。
従来より一般に採用されているメツキ法を説明
すると、先ず基板表面に一様連続的に被着された
鍍金性物質表面に選択的に難鍍金性物質例えばア
ルミナ等の酸化物を形成し、しかる後メツキ処理
を施すと鍍金性物質の露出面にのみ金属メツキ層
が形成される。次に、難鍍金性物質及びその下の
鍍金性物質を除去すれば不連続的金属パターンが
形成できる。しかし、このとき用いられる鍍金性
物質は一般には白金やタングステン等の難加工性
物質であるためその選択的除去は容易でない。ま
た、この物質の蝕刻処理中にメツキ金属も同時に
蝕刻されるなどの困難が伴なう。その結果所望の
不連続的金属パターンは得難い欠点がある。
すると、先ず基板表面に一様連続的に被着された
鍍金性物質表面に選択的に難鍍金性物質例えばア
ルミナ等の酸化物を形成し、しかる後メツキ処理
を施すと鍍金性物質の露出面にのみ金属メツキ層
が形成される。次に、難鍍金性物質及びその下の
鍍金性物質を除去すれば不連続的金属パターンが
形成できる。しかし、このとき用いられる鍍金性
物質は一般には白金やタングステン等の難加工性
物質であるためその選択的除去は容易でない。ま
た、この物質の蝕刻処理中にメツキ金属も同時に
蝕刻されるなどの困難が伴なう。その結果所望の
不連続的金属パターンは得難い欠点がある。
メツキ法に関しては次のような別の方法があ
る。先ず基板表面にホトレジストでパターンを形
成した後、該ホトレジストパターンを含む基板表
面に鍍金性物質を被着させる。次に、ホトレジス
トを剥離して該ホトレジスト上の鍍金性物質を除
去して鍍金性物質の不連続パターンを得る。次
に、基板表面全体に導電性物質を被着させた後、
ホトレジストをマスクとして導電性物質を選択除
去する。このときには前記鍍金性物質の大部分が
露出し、しかも鍍金性物質と導電性物質とで連続
体を形成するような選択除去が行なわれる。しか
る後メツキ処理を施せば鍍金性物質の露出面に金
属がメツキされる。次にホトレジスト及び導電性
物質を除去すれば良い。この方法では難加工性の
鍍金性物質はリフト・オフ法を用いて比較的簡単
に所望の不連続パターンが得られるが、この不連
続パターンの大部分を露出させ、かつ導電性物質
によつて連結体とする作業は煩雑であり、微細な
パターンも得難い欠点がある。
る。先ず基板表面にホトレジストでパターンを形
成した後、該ホトレジストパターンを含む基板表
面に鍍金性物質を被着させる。次に、ホトレジス
トを剥離して該ホトレジスト上の鍍金性物質を除
去して鍍金性物質の不連続パターンを得る。次
に、基板表面全体に導電性物質を被着させた後、
ホトレジストをマスクとして導電性物質を選択除
去する。このときには前記鍍金性物質の大部分が
露出し、しかも鍍金性物質と導電性物質とで連続
体を形成するような選択除去が行なわれる。しか
る後メツキ処理を施せば鍍金性物質の露出面に金
属がメツキされる。次にホトレジスト及び導電性
物質を除去すれば良い。この方法では難加工性の
鍍金性物質はリフト・オフ法を用いて比較的簡単
に所望の不連続パターンが得られるが、この不連
続パターンの大部分を露出させ、かつ導電性物質
によつて連結体とする作業は煩雑であり、微細な
パターンも得難い欠点がある。
本発明は上記欠点を除き、微細でしかも高信頼
性の不連続的金属パターンを容易に実現する方法
を提供するものである。
性の不連続的金属パターンを容易に実現する方法
を提供するものである。
本発明は、半導体基板上に金属膜と該金属膜表
面の金属酸化膜を形成する工程と、これら両膜の
うち、後に配線路となる領域を選択的に除去する
工程と、前記半導体基板に一部被着し、かつ除去
された部分に露出せる前記金属膜に被着せる第１
のタングステン膜を形成する工程と、前記金属膜
を電流路として前記第１のタングステン膜上に第
１の金層をメツキにより形成する工程と、前記金
属膜上の前記金属酸化膜の上に突出せる前記第１
の金層の露出面に第２のタングステン膜を形成す
る工程と、前記金属膜および前記金属酸化膜を除
去する工程と、全体をシリコン酸化膜により被覆
し、該シリコン酸化膜に前記第２のタングステン
膜に達する開孔を形成する工程と、前記シリコン
酸化膜上に被着し前記開孔を通して前記第２のタ
ングステン膜に接続せる第３のタングステン膜を
選択的に形成する工程と、前記第３のタングステ
ン膜上に第２の金層を形成する工程とを有し、前
記第１のタングステン膜、前記第２のタングステ
ン膜および前記第１の金層を前記半導体基板に接
続せる第１の配線路とし、前記第３のタングステ
ン膜および前記第２の金層を前記第１の配線路に
接続する第２の配線路としたことを特徴とする金
属パターンの製造方法である。
面の金属酸化膜を形成する工程と、これら両膜の
うち、後に配線路となる領域を選択的に除去する
工程と、前記半導体基板に一部被着し、かつ除去
された部分に露出せる前記金属膜に被着せる第１
のタングステン膜を形成する工程と、前記金属膜
を電流路として前記第１のタングステン膜上に第
１の金層をメツキにより形成する工程と、前記金
属膜上の前記金属酸化膜の上に突出せる前記第１
の金層の露出面に第２のタングステン膜を形成す
る工程と、前記金属膜および前記金属酸化膜を除
去する工程と、全体をシリコン酸化膜により被覆
し、該シリコン酸化膜に前記第２のタングステン
膜に達する開孔を形成する工程と、前記シリコン
酸化膜上に被着し前記開孔を通して前記第２のタ
ングステン膜に接続せる第３のタングステン膜を
選択的に形成する工程と、前記第３のタングステ
ン膜上に第２の金層を形成する工程とを有し、前
記第１のタングステン膜、前記第２のタングステ
ン膜および前記第１の金層を前記半導体基板に接
続せる第１の配線路とし、前記第３のタングステ
ン膜および前記第２の金層を前記第１の配線路に
接続する第２の配線路としたことを特徴とする金
属パターンの製造方法である。
本発明を半導体装置の配線路に適用した実施例
を用いて説明する。
を用いて説明する。
説明を簡単にするため、現在最も一般的に使用
されている材料、即ち半導体としてシリコン、導
電性の金属膜としてアルミニウムを用いた場合に
ついて説明する。
されている材料、即ち半導体としてシリコン、導
電性の金属膜としてアルミニウムを用いた場合に
ついて説明する。
第１図は本発明の実施例の製造工程断面図であ
る。先ず、シリコン基板１１表面に設けた所望の
開孔を有するシリコン酸化膜１２の表面にアルミ
ニウム１３を被着させた後陽極酸化処理を施し前
記アルミニウム１３の表面に難鍍金性物質として
アルミナ１４を形成する（第１図ａ）。
る。先ず、シリコン基板１１表面に設けた所望の
開孔を有するシリコン酸化膜１２の表面にアルミ
ニウム１３を被着させた後陽極酸化処理を施し前
記アルミニウム１３の表面に難鍍金性物質として
アルミナ１４を形成する（第１図ａ）。
次に、ホトレジスト法により配線路部と逆パタ
ーンのホトレジストパターン１５を設け前記アル
ミニウム１３及びアルミナ１４を蝕刻する（第１
図ｂ）。
ーンのホトレジストパターン１５を設け前記アル
ミニウム１３及びアルミナ１４を蝕刻する（第１
図ｂ）。
次に、ホトレジストパターン１５を含む半導体
基板１１表面にタングステンを被着させた後、ホ
トレジストを剥離するとホトレジストパターン１
５と逆パターン即ち配線路部分にタングステン膜
１６が形成される。このときタングステン膜１６
はアルミニウム１３の側面に付着するため自己整
合的に両者は連続体を形成する。一方、ホトレジ
スト１５とアルミナ１４、及びアルミナ１４とア
ルミニウム１３とでそれぞれ梁が形成され、その
部分でのタングステン膜が薄くなるため、タング
ステン膜のリフト・オフが安定確実に行なえる
（第１図ｃ）。
基板１１表面にタングステンを被着させた後、ホ
トレジストを剥離するとホトレジストパターン１
５と逆パターン即ち配線路部分にタングステン膜
１６が形成される。このときタングステン膜１６
はアルミニウム１３の側面に付着するため自己整
合的に両者は連続体を形成する。一方、ホトレジ
スト１５とアルミナ１４、及びアルミナ１４とア
ルミニウム１３とでそれぞれ梁が形成され、その
部分でのタングステン膜が薄くなるため、タング
ステン膜のリフト・オフが安定確実に行なえる
（第１図ｃ）。
次に、この半導体基板に金メツキ処理を施すと
鍍金性物質１６の表面にのみ金層１７が成長する
（第１図ｄ）。
鍍金性物質１６の表面にのみ金層１７が成長する
（第１図ｄ）。
次に、基板表面にタングステン２８を被着さ
せ、しかる後アルミニウム１３及びアルミナ１４
を蝕刻して、配線路の表面にタングステン膜２８
を形成する（第１図ｅ）。
せ、しかる後アルミニウム１３及びアルミナ１４
を蝕刻して、配線路の表面にタングステン膜２８
を形成する（第１図ｅ）。
アルミニウム１３及びアルミナ１４の蝕刻には
一般にリン酸が用いられ、この蝕刻液に対しては
タングステン及び金はともに蝕刻されず配線路は
安定して得られる。アルミニウム１３の膜厚はメ
ツキ時に通電し得る程度有れば良く0.4μｍ程度
が好ましく、アルミナ１４の形成には２％蓚酸水
溶液中5Vで５分間陽極酸化するのが実用上好適
である。
一般にリン酸が用いられ、この蝕刻液に対しては
タングステン及び金はともに蝕刻されず配線路は
安定して得られる。アルミニウム１３の膜厚はメ
ツキ時に通電し得る程度有れば良く0.4μｍ程度
が好ましく、アルミナ１４の形成には２％蓚酸水
溶液中5Vで５分間陽極酸化するのが実用上好適
である。
また、タングステン膜１６は基板材料のシリコ
ンと配線材料の金との合金反応を阻止することを
目的としその膜厚は実用上0.2μｍ程度が好適で
ある。
ンと配線材料の金との合金反応を阻止することを
目的としその膜厚は実用上0.2μｍ程度が好適で
ある。
次に、この配線路を含む基板表面に電気絶縁
物、例えば気相成長シリコン酸化膜２９を被着さ
せた後、該シリコン酸化膜２９に所望の開孔３０
を設ける。このときのタングステン膜２８は、下
の配線路とシリコン酸化膜２９との密着強度の改
善を目的とし、その膜厚は500Åあれば良い（第
１図ｆ）。
物、例えば気相成長シリコン酸化膜２９を被着さ
せた後、該シリコン酸化膜２９に所望の開孔３０
を設ける。このときのタングステン膜２８は、下
の配線路とシリコン酸化膜２９との密着強度の改
善を目的とし、その膜厚は500Åあれば良い（第
１図ｆ）。
しかる後、タングステン膜３１、金層３２、か
らなる第２層目の配線路を形成するのであるが、
その製造方法は、第１図ａ〜ｅに示した配線路の
製造方法と同一の手法をくり返せば良い。これに
より第２層配線路を形成する（第１図ｇ）。
らなる第２層目の配線路を形成するのであるが、
その製造方法は、第１図ａ〜ｅに示した配線路の
製造方法と同一の手法をくり返せば良い。これに
より第２層配線路を形成する（第１図ｇ）。
第１図は本発明の実施例の製造工程断面図であ
る。 １１…シリコン基板、１２…シリコン酸化膜、
１３…アルミニウム、１４…アルミナ、１５…ホ
トレジスト、１６…タングステン膜、１７…金、
２８…タングステン膜、２９…シリコン酸化膜、
３０…開口、３１…タングステン膜、３２…金。
る。 １１…シリコン基板、１２…シリコン酸化膜、
１３…アルミニウム、１４…アルミナ、１５…ホ
トレジスト、１６…タングステン膜、１７…金、
２８…タングステン膜、２９…シリコン酸化膜、
３０…開口、３１…タングステン膜、３２…金。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に金属膜と該金属膜表面の金属
酸化膜を形成する工程と、これら両膜のうち、後
に配線路となる領域を選択的に除去する工程と、
前記半導体基板に一部被着し、かつ除去された部
分に露出せる前記金属膜に被着せる第１のタング
ステン膜を形成する工程と、前記金属膜を電流路
として前記第１のタングステン膜上に第１の金層
をメツキにより形成する工程と、前記金属膜上の
前記金属酸化膜の上に突出せる前記第１の金層の
露出面に第２のタングステン膜を形成する工程
と、前記金属膜および前記金属酸化膜を除去する
工程と、全体をシリコン酸化膜により被覆し、該
シリコンン酸化膜に前記第２のタングステン膜に
達する開孔を形成する工程と、前記シリコン酸化
膜上に被着し前記開孔を通して前記第２のタング
ステン膜に接続せる第３のタングステン膜を選択
的に形成する工程と、前記第３のタングステン膜
上に第２の金層を形成する工程とを有し、前記第
１のタングステン膜、前記第２のタングステン膜
および前記第１の金層を前記半導体基板に接続せ
る第１の配線路とし、前記第３のタングステン膜
および前記第２の金層を前記第１の配線路に接続
する第２の配線路としたことを特徴とする金属パ
ターンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9378277A JPS5427771A (en) | 1977-08-04 | 1977-08-04 | Production of metal patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9378277A JPS5427771A (en) | 1977-08-04 | 1977-08-04 | Production of metal patterns |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5427771A JPS5427771A (en) | 1979-03-02 |
| JPS6152984B2 true JPS6152984B2 (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=14091975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9378277A Granted JPS5427771A (en) | 1977-08-04 | 1977-08-04 | Production of metal patterns |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5427771A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191085A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-24 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | Ordinary paper transfer type pressure sensitive copying paper |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611888A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 冷媒圧縮機 |
-
1977
- 1977-08-04 JP JP9378277A patent/JPS5427771A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5427771A (en) | 1979-03-02 |
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