JPS6153663B2 - - Google Patents
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- JPS6153663B2 JPS6153663B2 JP53049427A JP4942778A JPS6153663B2 JP S6153663 B2 JPS6153663 B2 JP S6153663B2 JP 53049427 A JP53049427 A JP 53049427A JP 4942778 A JP4942778 A JP 4942778A JP S6153663 B2 JPS6153663 B2 JP S6153663B2
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- pulse
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- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、高電圧パルス印加法による架空配
電線路の接地事故点の探査に使用する高電圧パル
ス課電装置のパルス発生方法に関する。
電線路の接地事故点の探査に使用する高電圧パル
ス課電装置のパルス発生方法に関する。
従来高電圧パルス課電装置(以下、課電装置と
略称する)の高電圧パルスは一定の繰り返し周期
Tで発生させているが、電源電圧の変動、接地抵
抗の大小により、高電圧パルスの電圧値が変動
し、特にこの電圧値が低くなると、探査性能が低
下し、また、無駄な時間が生じ、探査の能率が悪
化するなどの欠点がある。
略称する)の高電圧パルスは一定の繰り返し周期
Tで発生させているが、電源電圧の変動、接地抵
抗の大小により、高電圧パルスの電圧値が変動
し、特にこの電圧値が低くなると、探査性能が低
下し、また、無駄な時間が生じ、探査の能率が悪
化するなどの欠点がある。
第1図は従来の課電装置を配電線路に接続した
状態を示す図であり、この第1図における1は課
電装置である。課電装置1は高圧電源10、電流
制限抵抗11、電源コンデンサ12、真空スイツ
チ13、線路アース用抵抗14、電流供給用コン
デンサ15で高電圧パルス発生回路を構成し、さ
らに、電源16、抵抗17、コンデンサ18、真
空スイツチ13のコイル13−4、サイリスタ1
9、サイリスタのトリガパルス発生部20で真空
スイツチ13の駆動回路を構成している。なお、
13−1は真空スイツチ13の常時開接点、13
−2は常時閉接点、13−3はコモン接点であ
る。
状態を示す図であり、この第1図における1は課
電装置である。課電装置1は高圧電源10、電流
制限抵抗11、電源コンデンサ12、真空スイツ
チ13、線路アース用抵抗14、電流供給用コン
デンサ15で高電圧パルス発生回路を構成し、さ
らに、電源16、抵抗17、コンデンサ18、真
空スイツチ13のコイル13−4、サイリスタ1
9、サイリスタのトリガパルス発生部20で真空
スイツチ13の駆動回路を構成している。なお、
13−1は真空スイツチ13の常時開接点、13
−2は常時閉接点、13−3はコモン接点であ
る。
また、2は配電線路、3は大地、4は事故点の
接地抵抗、5は配電線路の静電容量である。
接地抵抗、5は配電線路の静電容量である。
次に、第1図の従来の課電装置の動作について
第2図ないし第4図を参照して説明する。いま、
第2図b(A−B間電圧)に示すように、電源コ
ンデンサ12が高圧電源10の出力電圧VHまで
充電されているとき、トリガパルス発生部20か
ら第2図a(D−E間電圧)に示すごときトリガ
パルスVTでサイリスタ19がトリガされ、コン
デンサ18のエネルギで真空スイツチ13のコイ
ル13−4が駆動される。これにより、真空スイ
ツチ13のコモン接点13−3が作動して常時開
接点13−1が閉じ、配電線路2に第2図c(C
−B間電圧)に示すごとき高電圧パルスVPが印
加される。そして、コンデンサ18のエネルギが
消費されると、真空スイツチ13のコイル13−
4は消勢され、コモン接点13−3は常時閉接点
13−2へ復帰する。
第2図ないし第4図を参照して説明する。いま、
第2図b(A−B間電圧)に示すように、電源コ
ンデンサ12が高圧電源10の出力電圧VHまで
充電されているとき、トリガパルス発生部20か
ら第2図a(D−E間電圧)に示すごときトリガ
パルスVTでサイリスタ19がトリガされ、コン
デンサ18のエネルギで真空スイツチ13のコイ
ル13−4が駆動される。これにより、真空スイ
ツチ13のコモン接点13−3が作動して常時開
接点13−1が閉じ、配電線路2に第2図c(C
−B間電圧)に示すごとき高電圧パルスVPが印
加される。そして、コンデンサ18のエネルギが
消費されると、真空スイツチ13のコイル13−
4は消勢され、コモン接点13−3は常時閉接点
13−2へ復帰する。
このとき、高電圧パルスVPは線路アース用抵
抗14で接点Bへ接がれ、ほぼ矩形波になる。以
上の動作はトリガパルス発生部20からの一定周
期TのトリガパルスVTごとに繰り返し行なわれ
る。なお、トリガパルスVTは第2図aに示した
ように、D−E間の波形であるが、このトリガパ
ルスVTは一定周期の矩形波であつて、モノステ
ーブルマルチバイブレータ(図示せず)のような
パルス発振器で発生される。
抗14で接点Bへ接がれ、ほぼ矩形波になる。以
上の動作はトリガパルス発生部20からの一定周
期TのトリガパルスVTごとに繰り返し行なわれ
る。なお、トリガパルスVTは第2図aに示した
ように、D−E間の波形であるが、このトリガパ
ルスVTは一定周期の矩形波であつて、モノステ
ーブルマルチバイブレータ(図示せず)のような
パルス発振器で発生される。
また、第2図bに示すA−B間電圧の波形、す
なわち、電源コンデンサ12の両端の電圧vを示
し、高圧電源10の出力電圧VHまで充電された
後、真空スイツチ13の作動で急激に放電し、次
いで、再びVHで充電され、ほぼ鋸歯状波とな
る。
なわち、電源コンデンサ12の両端の電圧vを示
し、高圧電源10の出力電圧VHまで充電された
後、真空スイツチ13の作動で急激に放電し、次
いで、再びVHで充電され、ほぼ鋸歯状波とな
る。
さらに、第2図cに示すC−B間の電圧は高電
圧パルスVPであり、前述のように、ほぼ矩形波
となつて、配電線路2と大地3の間に印加され
る。
圧パルスVPであり、前述のように、ほぼ矩形波
となつて、配電線路2と大地3の間に印加され
る。
さて、上記高電圧パルスVPの周期Tが一定で
あるため、次のような不具合が生じ、欠点となつ
ている。第3図は事故点の接地抵抗4が極めて小
さい場合を示す。すなわち、接地抵抗4の値が極
めて小さいときには、真空スイツチ13の作動中
に電源コンデンサ12のエネルギが多量に放電さ
れ、したがつて、その両端の電圧v(第3図b)
が極めて低電圧になる。
あるため、次のような不具合が生じ、欠点となつ
ている。第3図は事故点の接地抵抗4が極めて小
さい場合を示す。すなわち、接地抵抗4の値が極
めて小さいときには、真空スイツチ13の作動中
に電源コンデンサ12のエネルギが多量に放電さ
れ、したがつて、その両端の電圧v(第3図b)
が極めて低電圧になる。
このため、次の充電の開始時の電圧が低いの
で、高圧電源10の出力電圧VHに達するまでに
多くの時間を要し、その途中でトリガパルスVT
が発生されると、電源コンデンサ12の両端の電
圧vの低いところで真空スイツチ13が作動し、
その結果、高電圧パルスVPの電圧も第3図cの
ように低くなる。このことは、配電線路2へ規定
の電圧より低い電圧パルスが印加されることにな
り、事故点探査の所要の性能が低下することにな
る。なお、第3図aは第2図aと同様にトリガパ
ルスVTを示すものである。
で、高圧電源10の出力電圧VHに達するまでに
多くの時間を要し、その途中でトリガパルスVT
が発生されると、電源コンデンサ12の両端の電
圧vの低いところで真空スイツチ13が作動し、
その結果、高電圧パルスVPの電圧も第3図cの
ように低くなる。このことは、配電線路2へ規定
の電圧より低い電圧パルスが印加されることにな
り、事故点探査の所要の性能が低下することにな
る。なお、第3図aは第2図aと同様にトリガパ
ルスVTを示すものである。
次に、接地抵抗4が極めて大きい場合について
述べると、この場合の各信号は第4図a〜第4図
cに示すごとくであり、この場合は前記と逆にな
り、接地抵抗4が高い抵抗値のため、真空スイツ
チ13が作動しているとき、電源コンデンサ12
のエネルギの消費が小さい。したがつて、その両
端の電圧vは第4図bに示すごとく、大きく低下
せず、次の充電時、高圧電源10の出力電圧VH
までに達する充電時間が早くなる。
述べると、この場合の各信号は第4図a〜第4図
cに示すごとくであり、この場合は前記と逆にな
り、接地抵抗4が高い抵抗値のため、真空スイツ
チ13が作動しているとき、電源コンデンサ12
のエネルギの消費が小さい。したがつて、その両
端の電圧vは第4図bに示すごとく、大きく低下
せず、次の充電時、高圧電源10の出力電圧VH
までに達する充電時間が早くなる。
このため、充電完了後、次のトリガパルスVT
(第4図a)が到来するまでの時間が無駄にな
る。一般に、トリガパルスVTの周期Tは可能な
かぎり、短い方が探査能率が向上するので、この
無駄な時間は極力少なくしなければならない。
(第4図a)が到来するまでの時間が無駄にな
る。一般に、トリガパルスVTの周期Tは可能な
かぎり、短い方が探査能率が向上するので、この
無駄な時間は極力少なくしなければならない。
上述のごとく、従来のパルス発生方法には欠点
があり、探査性能と探査能率の低下をきたしてい
る。
があり、探査性能と探査能率の低下をきたしてい
る。
この発明は、上記従来の欠点を除去するために
なされたもので、探査能率の向上、探査時間の短
縮化を可能とする高電圧パルス課電装置のパルス
発生方法を提供することを目的とする。
なされたもので、探査能率の向上、探査時間の短
縮化を可能とする高電圧パルス課電装置のパルス
発生方法を提供することを目的とする。
以下、この発明の高電圧パルス課電装置のパル
ス発生方法の実施例について図面に基づき説明す
る。第5図はその一実施例に適用される高電圧パ
ルス課電装置と配電線路とを接続した回路図であ
る。この第5図において、第1図と同一または相
当する部分には同一符号を付して、重複説明を避
け、第1図とは異なる部分を重点的に述べること
にする。
ス発生方法の実施例について図面に基づき説明す
る。第5図はその一実施例に適用される高電圧パ
ルス課電装置と配電線路とを接続した回路図であ
る。この第5図において、第1図と同一または相
当する部分には同一符号を付して、重複説明を避
け、第1図とは異なる部分を重点的に述べること
にする。
この第5図において、21,22は新たに追加
された抵抗であつて、電源コンデンサ12の両端
の電圧vを分割するものである。このため、抵抗
21,22は直列に接続され、その直列接続体は
電源コンデンサ12に並列に接続されている。
された抵抗であつて、電源コンデンサ12の両端
の電圧vを分割するものである。このため、抵抗
21,22は直列に接続され、その直列接続体は
電源コンデンサ12に並列に接続されている。
抵抗21と22との接続点は電圧検出器23の
非反転入力端に接続されている。電圧検出器23
は抵抗21,22で分割された電圧vdと可変量
圧源24による基準電圧eとを比較し、基準電圧
eより分割された電圧vdが高くなつたとき出力
を発生するものであり、たとえば、コンパレータ
などが使用される。
非反転入力端に接続されている。電圧検出器23
は抵抗21,22で分割された電圧vdと可変量
圧源24による基準電圧eとを比較し、基準電圧
eより分割された電圧vdが高くなつたとき出力
を発生するものであり、たとえば、コンパレータ
などが使用される。
また、25はタイミング回路である。このタイ
ミング回路25はサイリスタ19のトリガ信号
VTおよび制御電源(図示せず)が「切」から
「入」になつた信号により、T1,T2、2種類
の時限後信号を発生させるものである。このタイ
ミング回路25の出力端は論理積回路26の第2
の入力端および論理和回路27の第2の入力端に
接続されている。論理積回路26の第1の入力端
には上記電圧検出器23の出力端が接続されてい
る。
ミング回路25はサイリスタ19のトリガ信号
VTおよび制御電源(図示せず)が「切」から
「入」になつた信号により、T1,T2、2種類
の時限後信号を発生させるものである。このタイ
ミング回路25の出力端は論理積回路26の第2
の入力端および論理和回路27の第2の入力端に
接続されている。論理積回路26の第1の入力端
には上記電圧検出器23の出力端が接続されてい
る。
上記の説明からも明らかなように、論理積回路
26は電圧検出器23の出力とタイミング回路2
5のT2出力との論理積制御をするものである。
この論理積回路26の出力端は論理和回路27の
第1の入力端に接続されている。したがつて、論
理和回路27は論理積回路26の出力とタイミン
グ回路25のT1出力の論理和制御をするもので
ある。
26は電圧検出器23の出力とタイミング回路2
5のT2出力との論理積制御をするものである。
この論理積回路26の出力端は論理和回路27の
第1の入力端に接続されている。したがつて、論
理和回路27は論理積回路26の出力とタイミン
グ回路25のT1出力の論理和制御をするもので
ある。
論理和回路27の出力端は増幅器28の入力端
に接続されている。増幅器28の出力端はサイリ
スタ19のゲートに接続されているとともに、タ
イミング回路25に出力するようになつている。
その他の構成は第1図と全く同様である。
に接続されている。増幅器28の出力端はサイリ
スタ19のゲートに接続されているとともに、タ
イミング回路25に出力するようになつている。
その他の構成は第1図と全く同様である。
次に、この第5図の動作について第6図以降の
波形図を参照して説明する。まず、第6図の場合
から述べると、真空スイツチ13の作動後の電源
コンデンサ12の充電々圧v(第6図a)と抵抗
21と22とにより分割された電圧vdは第6図
aからも明らかなように相似である。
波形図を参照して説明する。まず、第6図の場合
から述べると、真空スイツチ13の作動後の電源
コンデンサ12の充電々圧v(第6図a)と抵抗
21と22とにより分割された電圧vdは第6図
aからも明らかなように相似である。
さて、この電源コンデンサ12の充電時におい
て、分割された電圧vdが基準電圧eより高くな
ると、電圧検出器23より出力が出て、論理積回
路26の第1の入力端に加えられる。の論理積回
路26の第2の入力端にはタイミング回路25か
らT2出力が導入されており、このT2出力と電圧
検出器23の出力との論理積をとり、その結果、
電圧検出器25の出力がこの論理積回路26より
出力され、論理和回路27を通して増幅器28に
加えられる。ここで増幅された後、サイリスタ1
9のゲートに加えるトリガパルスVT(第6図
b)を発生する。
て、分割された電圧vdが基準電圧eより高くな
ると、電圧検出器23より出力が出て、論理積回
路26の第1の入力端に加えられる。の論理積回
路26の第2の入力端にはタイミング回路25か
らT2出力が導入されており、このT2出力と電圧
検出器23の出力との論理積をとり、その結果、
電圧検出器25の出力がこの論理積回路26より
出力され、論理和回路27を通して増幅器28に
加えられる。ここで増幅された後、サイリスタ1
9のゲートに加えるトリガパルスVT(第6図
b)を発生する。
このパルスにより、サイリスタ19がトリガさ
れ、第2の真空スイツチ13のコイル13−4が
コンデンサ18の充電々荷により付勢され、真空
スイツチ13のコモン接点13−3が常時開接点
13−1に接触する。
れ、第2の真空スイツチ13のコイル13−4が
コンデンサ18の充電々荷により付勢され、真空
スイツチ13のコモン接点13−3が常時開接点
13−1に接触する。
したがつて、基準電圧eを定めておくと、常に
電源コンデンサ12の充電々圧vの一定の点Vc
で真空スイツチ13が作動し、その出力である高
電圧パルスVP(第6図b)の電圧も一定とな
る。
電源コンデンサ12の充電々圧vの一定の点Vc
で真空スイツチ13が作動し、その出力である高
電圧パルスVP(第6図b)の電圧も一定とな
る。
また、第7図は接地抵抗4が第6図の場合より
小さいときを示し、第3図と同様、充電開始時の
電圧が低電圧になる。しかし、充電々圧vが第7
図aに示すごときvcに達してから、真空スイツ
チ13が作動するので、高電圧パルスVP(第7
図b)はVcと等しくなる。なお、第7図cはサ
イリスタ19のゲート・カソード間に印加される
トリガパルスVTである。
小さいときを示し、第3図と同様、充電開始時の
電圧が低電圧になる。しかし、充電々圧vが第7
図aに示すごときvcに達してから、真空スイツ
チ13が作動するので、高電圧パルスVP(第7
図b)はVcと等しくなる。なお、第7図cはサ
イリスタ19のゲート・カソード間に印加される
トリガパルスVTである。
また、第8図の場合は、接地抵抗4が第6図の
場合より大きいときを示し、第4図と同様、充電
開始時の電圧が高く、したがつて、真空スイツチ
13の動作点の電圧Vcに達し、真空スイツチ1
3が作動するので、高電圧パルスVPはVcと等し
くなる。
場合より大きいときを示し、第4図と同様、充電
開始時の電圧が高く、したがつて、真空スイツチ
13の動作点の電圧Vcに達し、真空スイツチ1
3が作動するので、高電圧パルスVPはVcと等し
くなる。
このように、一種の自動制御となつて、事故点
の接地抵抗4の大小にかかわらず、高電圧パルス
VPが一定の電圧値となり、このことは接地抵抗
4の大小による探査性能の変化がないことを意味
する。しかし、接地抵抗4が極めて小さい(たと
えば0Ω)場合は第9図に示すように、真空スイ
ツチ13の作動後の充電開始時の電圧が0V程度
となる。したがつて、真空スイツチ13の作動点
の電圧まで充電するには多くの時間を要し、探査
能率が低下する。
の接地抵抗4の大小にかかわらず、高電圧パルス
VPが一定の電圧値となり、このことは接地抵抗
4の大小による探査性能の変化がないことを意味
する。しかし、接地抵抗4が極めて小さい(たと
えば0Ω)場合は第9図に示すように、真空スイ
ツチ13の作動後の充電開始時の電圧が0V程度
となる。したがつて、真空スイツチ13の作動点
の電圧まで充電するには多くの時間を要し、探査
能率が低下する。
また、接地抵抗4が極めて大きい場合は第10
図に示すように、真空スイツチ13の作動後、充
電開始時の電圧が非常に高く、真空スイツチ13
の作動点の電圧まで充電するのに短かい時間とな
り、真空スイツチ13の作動回数が多くなる。こ
の結果、真空スイツチ13の寿命が短かくなると
ともに、配電線路2に接続されている各種機器
(たとえば、高圧トランス、区分開閉器など)へ
の損傷の影響も多くなり、好ましくない。
図に示すように、真空スイツチ13の作動後、充
電開始時の電圧が非常に高く、真空スイツチ13
の作動点の電圧まで充電するのに短かい時間とな
り、真空スイツチ13の作動回数が多くなる。こ
の結果、真空スイツチ13の寿命が短かくなると
ともに、配電線路2に接続されている各種機器
(たとえば、高圧トランス、区分開閉器など)へ
の損傷の影響も多くなり、好ましくない。
このような場合には、第9図のようにタイミン
グ回路25のT1出力でトリガパルスを発生さ
せ、早目に真空スイツチ13を作動させる。この
ときの高電圧パルスVPはVCより若干低くなつ
て、探査性能も幾分低下するが、無駄時間がなく
なり、探査能率は非常に向上する。
グ回路25のT1出力でトリガパルスを発生さ
せ、早目に真空スイツチ13を作動させる。この
ときの高電圧パルスVPはVCより若干低くなつ
て、探査性能も幾分低下するが、無駄時間がなく
なり、探査能率は非常に向上する。
また、第10図のように、電圧検出器23の基
準電圧eより分割された電圧vdが高くなつて出
力を発生しても、タイミング回路25のT2出力
が出ない場合は、真空スイツチ13は作動せず、
T2出力が出たときに増幅器28によりトリガパ
ルスが発生し、真空スイツチ13が作動する。し
たがつて、真空スイツチ13は高頻度に作動する
ことなく、寿命も長くなるとともに、配電線路2
に接続されている高圧機器への影響もなくなる。
準電圧eより分割された電圧vdが高くなつて出
力を発生しても、タイミング回路25のT2出力
が出ない場合は、真空スイツチ13は作動せず、
T2出力が出たときに増幅器28によりトリガパ
ルスが発生し、真空スイツチ13が作動する。し
たがつて、真空スイツチ13は高頻度に作動する
ことなく、寿命も長くなるとともに、配電線路2
に接続されている高圧機器への影響もなくなる。
なお、高圧電源10の出力電圧VHは真空スイ
ツチ13の作動点の電圧VCより高くしておかね
ばならないことは抵抗とコンデンサによる一般の
時定数回路では明白である。
ツチ13の作動点の電圧VCより高くしておかね
ばならないことは抵抗とコンデンサによる一般の
時定数回路では明白である。
第11図および第12図はこの発明の他の実施
例を説明するための波形図である。このうち、第
11図は前述のように、トリガパルスVTが充電
電圧vと相似の分割された電圧vdが基準電圧e
より高くなつたとき発生され、ひいては高電圧パ
ルスVPが発生されるようなとき、基準電圧eを
可変電圧電源24によりe1,e2,e3(第1
1図a)へと可変すると、電圧検出器23による
トリガパルスVTの発生点も可変され、この結
果、真空スイツチ13の作動点の電圧VCも変わ
る。これにより、高電圧パルスVP(第11図
b)の電圧値を可変できるようにすることができ
る。
例を説明するための波形図である。このうち、第
11図は前述のように、トリガパルスVTが充電
電圧vと相似の分割された電圧vdが基準電圧e
より高くなつたとき発生され、ひいては高電圧パ
ルスVPが発生されるようなとき、基準電圧eを
可変電圧電源24によりe1,e2,e3(第1
1図a)へと可変すると、電圧検出器23による
トリガパルスVTの発生点も可変され、この結
果、真空スイツチ13の作動点の電圧VCも変わ
る。これにより、高電圧パルスVP(第11図
b)の電圧値を可変できるようにすることができ
る。
第12図の場合も前述のように、接地抵抗4が
極めて小さい場合の電源コンデンサ12の充電開
始時の電圧は低く、真空スイツチ13の作動する
電圧VCまで充電するには多くの時間がかゝる。
このときはタイミング回路25のT1出力により
トリガパルスが発生され、ひいては高電圧パルス
VPが発生される。
極めて小さい場合の電源コンデンサ12の充電開
始時の電圧は低く、真空スイツチ13の作動する
電圧VCまで充電するには多くの時間がかゝる。
このときはタイミング回路25のT1出力により
トリガパルスが発生され、ひいては高電圧パルス
VPが発生される。
このようなとき、タイミング回路25の内部の
時限変化部(図示せず)を変えて、その出力をT
1,T2,T3(第12図a)と可変すれば、ト
リガパルスの発生点も可変され、真空スイツチ1
3の作動点の電圧VCも変わる。これにより、高
電圧パルスVP(第12図b)の電圧値を可変で
きるようにすることができる。
時限変化部(図示せず)を変えて、その出力をT
1,T2,T3(第12図a)と可変すれば、ト
リガパルスの発生点も可変され、真空スイツチ1
3の作動点の電圧VCも変わる。これにより、高
電圧パルスVP(第12図b)の電圧値を可変で
きるようにすることができる。
以上詳述したように、この発明によれば、従来
の方法の欠点を解消することでき、したがつて、
探査能率の向上と探査時間の短縮が可能になり、
配電線路の事故点探査に極めて大きな利点をもた
らし、ひいては事故時の早期復旧による電力の安
定供給に寄与するものである。
の方法の欠点を解消することでき、したがつて、
探査能率の向上と探査時間の短縮が可能になり、
配電線路の事故点探査に極めて大きな利点をもた
らし、ひいては事故時の早期復旧による電力の安
定供給に寄与するものである。
第1図は従来の高電圧パルス課電装置と配電線
路との接続状態を示す図、第2図aないし第2図
cから第4図aないし第4図cはそれぞれ第1図
の動作波形図、第5図はこの発明の高電圧パルス
課電装置のパルス発生方法の一実施例に適用され
る高電圧パルス課電装置の回路図、第6図aない
し第6図cから第10図aないし第10図cはそ
れぞれこの発明の高電圧パルス課電装置のパルス
発生方法の一実施例を説明するための動作波形
図、第11図aと第11図bおよび第12図aと
第12図bはそれぞれこの発明の高電圧パルス課
電装置のパルス発生方法の他の実施例を説明する
ための動作波形図である。 1……課電装置、2……配電線路、3……大
地、4……接地抵抗、10……高圧電源、12…
…電源コンデンサ、13……真空スイツチ、14
……線路アース用抵抗、15……電流供給用コン
デンサ、16……電源、18……コンデンサ、9
……サイリスタ、21,22……抵抗、23……
電圧検出器、24……可変電圧電源、25……タ
イミング回路、26……論理積回路、27……論
理和回路、28……増幅器。なお、図中同一符号
は同一部分または相当部分を示す。
路との接続状態を示す図、第2図aないし第2図
cから第4図aないし第4図cはそれぞれ第1図
の動作波形図、第5図はこの発明の高電圧パルス
課電装置のパルス発生方法の一実施例に適用され
る高電圧パルス課電装置の回路図、第6図aない
し第6図cから第10図aないし第10図cはそ
れぞれこの発明の高電圧パルス課電装置のパルス
発生方法の一実施例を説明するための動作波形
図、第11図aと第11図bおよび第12図aと
第12図bはそれぞれこの発明の高電圧パルス課
電装置のパルス発生方法の他の実施例を説明する
ための動作波形図である。 1……課電装置、2……配電線路、3……大
地、4……接地抵抗、10……高圧電源、12…
…電源コンデンサ、13……真空スイツチ、14
……線路アース用抵抗、15……電流供給用コン
デンサ、16……電源、18……コンデンサ、9
……サイリスタ、21,22……抵抗、23……
電圧検出器、24……可変電圧電源、25……タ
イミング回路、26……論理積回路、27……論
理和回路、28……増幅器。なお、図中同一符号
は同一部分または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 高圧電源の電圧を電源コンデンサに印加して
エネルギを蓄積し、上記エネルギを真空スイツチ
を介して高電圧パルスとして配電線路へ印加する
とともに上記真空スイツチの出力側に電流供給用
コンデンサを備える高電圧パルス課電装置におい
て、上記電源コンデンサの両端の電圧を電圧検出
器により所定の基準電圧と比較し、上記両端電圧
が基準電圧以上になつたとき上記電圧検出器から
の出力により上記真空スイツチのコイルを駆動し
て上記真空スイツチの接点を電源コンデンサ側に
切り換えて上記配電線路に所定の高電圧パルスを
加えるとともにこの高電圧パルスを加える周期が
所定以上に変化した場合には定められた周期で上
記スイツチのコイルを駆動して上記真空スイツチ
の接点を切り換えて上記配電線路に高電圧パルス
を加えることを特徴とする高電圧パルス課電装置
のパルス発生方法。 2 電圧検出器の検出レベルを変化させて発生す
る高電圧パルスの電圧を可変させるとともにこの
高電圧パルスの発生周期を変化させて高電圧パル
スの電圧を可変させることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の高電圧パルス課電装置のパル
ス発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4942778A JPS54140931A (en) | 1978-04-26 | 1978-04-26 | Generation of pulse for high-voltage pulse applicator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4942778A JPS54140931A (en) | 1978-04-26 | 1978-04-26 | Generation of pulse for high-voltage pulse applicator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54140931A JPS54140931A (en) | 1979-11-01 |
| JPS6153663B2 true JPS6153663B2 (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=12830788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4942778A Granted JPS54140931A (en) | 1978-04-26 | 1978-04-26 | Generation of pulse for high-voltage pulse applicator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54140931A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11635466B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-04-25 | Lg Energy Solution, Ltd. | System and method for diagnosing relay fault |
-
1978
- 1978-04-26 JP JP4942778A patent/JPS54140931A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11635466B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-04-25 | Lg Energy Solution, Ltd. | System and method for diagnosing relay fault |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54140931A (en) | 1979-11-01 |
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