JPS615403A - 磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記憶装置Info
- Publication number
- JPS615403A JPS615403A JP1852385A JP1852385A JPS615403A JP S615403 A JPS615403 A JP S615403A JP 1852385 A JP1852385 A JP 1852385A JP 1852385 A JP1852385 A JP 1852385A JP S615403 A JPS615403 A JP S615403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal voltage
- signal
- false
- magnetic head
- recording density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメッキ、蒸着、スパッタリング、エツチングな
どの薄膜集積技術を応用したＷＩＭＢ！気ヘッドを実装
する磁気記憶装置に関する。
どの薄膜集積技術を応用したＷＩＭＢ！気ヘッドを実装
する磁気記憶装置に関する。
薄膜磁気ヘッドの代表的構造例を第１図に示す。Ｎｉ
Ｚｎ系高密度フェライトなどの磁性基板１の上に、金
、銀１． ＃ １１アルミニウムなど高導電率金属から
成る導体２が形成されており、その上にシリコン醸化物
などから成る絶縁層３を介してパーマロイなどから成る
上部磁性体４が形成される。この薄膜磁気ヘッドのＡ−
Ａ′方向からみた断面図を第２図に示す。上部磁性体４
の厚みｔは通常ギャップ長！の５倍以下に選。
Ｚｎ系高密度フェライトなどの磁性基板１の上に、金
、銀１． ＃ １１アルミニウムなど高導電率金属から
成る導体２が形成されており、その上にシリコン醸化物
などから成る絶縁層３を介してパーマロイなどから成る
上部磁性体４が形成される。この薄膜磁気ヘッドのＡ−
Ａ′方向からみた断面図を第２図に示す。上部磁性体４
の厚みｔは通常ギャップ長！の５倍以下に選。
ばれる。このような微小コア厚を有する磁気へ。
ラドは、ギャップ長に比べて２桁〜３桁以上も。
大きなコア厚をもつフェライトコアのリング形。
磁気ヘッドに比べて磁界分布がギャップ付近の微小領域
に限定されるので極めて急峻な磁界分。
に限定されるので極めて急峻な磁界分。
布を有し、従来め７エライトヨアリング形磁気ヘツドに
比べて分解能或いは高記録密度特性が。
比べて分解能或いは高記録密度特性が。
大いに改善される。しかし、このような薄Ｍ磁。
気ヘッドの磁界分布はギヤツブ部付近だけでな１．。
く、磁性体端部付近にも、ギャップ部と反対極性で表わ
れるので、記録時、および相反定理から、再生時にＷ！
似信号と呼ばれる不正信号を発生する。この様子を弧立
波形七して第３図に示す。６は正規の信号電圧であり、
７は磁性体端部５のために表われる擬似信号電圧である
。擬似信号電圧の表われる位置は第２図で媒体と磁気ヘ
ッドの相対速度をＶとすると、 ｔｇ二（ｌ＋ｙ／２）／ｐの位置に発生する。擬似信号
電圧を■ダ、正規の信号電圧をＶＪとするとＶ９／ＶＳ
は通常３〜２０％に達する。実際に使用する磁束変化速
度をｆＦＲＰＳ（１秒あたりの磁束変化数−Ｆｌｕｘ
Ｒｔｖｅｓａｌｚ Ｐｅｒ ５ｅｃｏｎｄ ）とすると
、この場合の再生波形は第３図の孤立波形をＴ−１の周
期で重畳したことに相当する。このような再生波形に擬
似信号が存在すると、信号のピーク位置を移動させて位
相推移エラーをひき起したり、信号のわき出しエラーを
ひき起したりして、高記録密度特性を損なうことがわか
った。
れるので、記録時、および相反定理から、再生時にＷ！
似信号と呼ばれる不正信号を発生する。この様子を弧立
波形七して第３図に示す。６は正規の信号電圧であり、
７は磁性体端部５のために表われる擬似信号電圧である
。擬似信号電圧の表われる位置は第２図で媒体と磁気ヘ
ッドの相対速度をＶとすると、 ｔｇ二（ｌ＋ｙ／２）／ｐの位置に発生する。擬似信号
電圧を■ダ、正規の信号電圧をＶＪとするとＶ９／ＶＳ
は通常３〜２０％に達する。実際に使用する磁束変化速
度をｆＦＲＰＳ（１秒あたりの磁束変化数−Ｆｌｕｘ
Ｒｔｖｅｓａｌｚ Ｐｅｒ ５ｅｃｏｎｄ ）とすると
、この場合の再生波形は第３図の孤立波形をＴ−１の周
期で重畳したことに相当する。このような再生波形に擬
似信号が存在すると、信号のピーク位置を移動させて位
相推移エラーをひき起したり、信号のわき出しエラーを
ひき起したりして、高記録密度特性を損なうことがわか
った。
本発明はこのような擬似信号電圧の影響を低減し、微小
コア厚による急峻な信号により高分解能が得られるとい
う利点を生かして高記録密度特性の優れた薄膜磁気ヘッ
ドを実現する磁気記憶装置を提案するものである。
コア厚による急峻な信号により高分解能が得られるとい
う利点を生かして高記録密度特性の優れた薄膜磁気ヘッ
ドを実現する磁気記憶装置を提案するものである。
本発明の実施例をブロック図の形で第４図に示す。第４
図の各ブロック出力（Ｂ、Ｃ，Ｄ部、）における波形を
原信号と比較して第５図に示１゜遅延回路で第３図で定
義したｔダだけずらした状態が第５図（α）図である。
図の各ブロック出力（Ｂ、Ｃ，Ｄ部、）における波形を
原信号と比較して第５図に示１゜遅延回路で第３図で定
義したｔダだけずらした状態が第５図（α）図である。
これを減衰回路を通してＶｊｉ／’ＳＯ倍すると、（ｈ
）図に示すように、信号電圧が擬似信号電圧と同じ大き
さになり、逆極性となる。これを原信号波形と加算する
と、（Ｃ）図の如き擬似信号の除去された高密度記録特
性の優れた急峻な再生波形が得られる尚遅延信号を減衰
回路に通す際、信号電圧だけでなく擬似信号電圧も含ま
れるが、極めて微小な値になるため、補償出力に殆ど影
響を与えない。尚下部磁性体が第２図の如き磁性基板で
なく、上部磁性体と同様に微小厚さのパーマロイなどの
薄膜から成る場合は、下部磁性体端部の影響も現われで
、再生波形は、信号電圧の後部だけでなく、前部にも現
われる。この様子を第６図に示す。第４図と同様にして
この場合の擬似信号筒ヅ 圧の影響を低減する補償回路のプロｌクダイヤダラムを
考えると例えば第７図に示す如くなる。
）図に示すように、信号電圧が擬似信号電圧と同じ大き
さになり、逆極性となる。これを原信号波形と加算する
と、（Ｃ）図の如き擬似信号の除去された高密度記録特
性の優れた急峻な再生波形が得られる尚遅延信号を減衰
回路に通す際、信号電圧だけでなく擬似信号電圧も含ま
れるが、極めて微小な値になるため、補償出力に殆ど影
響を与えない。尚下部磁性体が第２図の如き磁性基板で
なく、上部磁性体と同様に微小厚さのパーマロイなどの
薄膜から成る場合は、下部磁性体端部の影響も現われで
、再生波形は、信号電圧の後部だけでなく、前部にも現
われる。この様子を第６図に示す。第４図と同様にして
この場合の擬似信号筒ヅ 圧の影響を低減する補償回路のプロｌクダイヤダラムを
考えると例えば第７図に示す如くなる。
このブロックダイヤグラムの動作は第５図と同様に各部
の波形を追跡すれば容易に理解でき、最終的に第５図（
Ｃ）の如き波形を得ることができ １する。
の波形を追跡すれば容易に理解でき、最終的に第５図（
Ｃ）の如き波形を得ることができ １する。
尚第２図において、媒体と磁気ヘッドの相対速度の方向
が図示例と逆の場合は第７図のｔｇ遅延回路、■！１１
／ｖ♂減衰回路、加算回路までと同様な構成により、第
５図（Ｃ）と同様の補償出力を得ることができる。
が図示例と逆の場合は第７図のｔｇ遅延回路、■！１１
／ｖ♂減衰回路、加算回路までと同様な構成により、第
５図（Ｃ）と同様の補償出力を得ることができる。
尚、これらの例において、減衰回路の前又は後に減衰回
路と直列に波形整形回路を挿入し、信号波形と擬似信号
波形の周波数成分比まで合わせれば更に完全な補償出力
を得ることが可能になる。本発明の提案する構成により
、薄膜磁気ヘッドを高分解能で高記録密度で動作させる
ことが可能になり、従来のフェライトコアのリング形磁
気ヘッドに比べて極めて優れた特性を与えることが可能
になる。
路と直列に波形整形回路を挿入し、信号波形と擬似信号
波形の周波数成分比まで合わせれば更に完全な補償出力
を得ることが可能になる。本発明の提案する構成により
、薄膜磁気ヘッドを高分解能で高記録密度で動作させる
ことが可能になり、従来のフェライトコアのリング形磁
気ヘッドに比べて極めて優れた特性を与えることが可能
になる。
第１図、第２図は薄膜磁気ヘッドの代表的構造例の説明
図、第３図は第２図の磁気ヘッドの再生波形図、第４図
は第３図の再生波形から擬似信号をとり除く補償回路を
示す本発明の一実施例のブロック図、第５図は第４図の
動作の説明図、第６図、第７図は第２図と異る薄膜磁気
ヘッドにおける本発明の詳細な説明図で、第６図は波形
図、第７図はブロック図である０１・・・磁性基板 ・２・・・導体 ３・・・絶縁層 ４・・・上部磁性体 ５・・・磁性体端部 ６・・・再生信号電圧 ７・・・擬似信号電圧 代理人弁理士 小 川 勝 男 図面の浄書（内容に変更なし） 草２ 圃 第３図 と−ｍ− 第牛回 ８７図 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和 ６０ 年特許願第 １８５２５号発明ノ名称
磁気記憶装置 補正をする者 １・ｅトとの関係 特許出願人 名 称 ！５１０１林式会社 日 立 製 作 所代
理 人 補正の対象 願書、明細書および図面補ＪＩ ｏ 内
容 願書および願書に最初に添付した明細書および図
面の浄書−別紙のとおり（内容に変更なし）
図、第３図は第２図の磁気ヘッドの再生波形図、第４図
は第３図の再生波形から擬似信号をとり除く補償回路を
示す本発明の一実施例のブロック図、第５図は第４図の
動作の説明図、第６図、第７図は第２図と異る薄膜磁気
ヘッドにおける本発明の詳細な説明図で、第６図は波形
図、第７図はブロック図である０１・・・磁性基板 ・２・・・導体 ３・・・絶縁層 ４・・・上部磁性体 ５・・・磁性体端部 ６・・・再生信号電圧 ７・・・擬似信号電圧 代理人弁理士 小 川 勝 男 図面の浄書（内容に変更なし） 草２ 圃 第３図 と−ｍ− 第牛回 ８７図 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和 ６０ 年特許願第 １８５２５号発明ノ名称
磁気記憶装置 補正をする者 １・ｅトとの関係 特許出願人 名 称 ！５１０１林式会社 日 立 製 作 所代
理 人 補正の対象 願書、明細書および図面補ＪＩ ｏ 内
容 願書および願書に最初に添付した明細書および図
面の浄書−別紙のとおり（内容に変更なし）
Claims (1)
- 薄膜磁気ヘッドを実装する磁気記憶装置において、磁気
ヘッドの再生信号を遅延や減衰、加算などの方法で処理
し、正規の信号出力以外の有限磁性厚み効果にもとづく
不正信号の影響を軽減することを特徴とする磁気記憶装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1852385A JPS615403A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1852385A JPS615403A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 磁気記憶装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10895475A Division JPS5233507A (en) | 1975-09-10 | 1975-09-10 | Magnetic memory |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615403A true JPS615403A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=11973986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1852385A Pending JPS615403A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615403A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025203A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｍｉｇヘッド波形再生装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49102316A (ja) * | 1973-01-31 | 1974-09-27 |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP1852385A patent/JPS615403A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49102316A (ja) * | 1973-01-31 | 1974-09-27 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025203A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｍｉｇヘッド波形再生装置 |
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