JPS6155148A - 電子部品封止用組成物およびその利用 - Google Patents
電子部品封止用組成物およびその利用Info
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- JPS6155148A JPS6155148A JP17801784A JP17801784A JPS6155148A JP S6155148 A JPS6155148 A JP S6155148A JP 17801784 A JP17801784 A JP 17801784A JP 17801784 A JP17801784 A JP 17801784A JP S6155148 A JPS6155148 A JP S6155148A
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- JP
- Japan
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- phenylene sulfide
- block copolymer
- weight
- composition
- resin component
- Prior art date
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
本発明は、電子部品の封止用組成物およびその利用に関
するものである。さらに具体的には、本発明は、樹脂成
分に主要な特色を有する電子部品封止用組成物およびそ
の利用に関するものである。
するものである。さらに具体的には、本発明は、樹脂成
分に主要な特色を有する電子部品封止用組成物およびそ
の利用に関するものである。
11c、)ランジスタ、ダイオード、コンデンサー等の
電子部品は、外部雰囲気による特性変化の防止、変形防
止、電気絶縁性の維持などの目的で合成樹脂、セラミッ
クスなどによる封止が行なわれている。
電子部品は、外部雰囲気による特性変化の防止、変形防
止、電気絶縁性の維持などの目的で合成樹脂、セラミッ
クスなどによる封止が行なわれている。
樹脂封止としては、従来、熱硬化性樹脂、特にエホキシ
樹脂、シリ;−ン樹脂など、が用いられているが、熱硬
化に長時間が必要なために成形時間が長くなる、さらに
長時間のボストキエアーを要する、成形ショツト数が増
加するに従って金型よごれが蓄積される、樹脂が保存中
に変質し易い、不要成形部分の再利用ができないなどの
欠点があった。
樹脂、シリ;−ン樹脂など、が用いられているが、熱硬
化に長時間が必要なために成形時間が長くなる、さらに
長時間のボストキエアーを要する、成形ショツト数が増
加するに従って金型よごれが蓄積される、樹脂が保存中
に変質し易い、不要成形部分の再利用ができないなどの
欠点があった。
先行技術
このような欠点な解決する方法として、熱可盟性mR&
(1) ホ!7− p−フェニレンスルフィトラ用いる
方法が発表されている(特公昭56−2790号、特開
昭53−22363号、特開昭56−81957号、特
開昭59−20910号、特開昭59−20911号各
公報など)。
(1) ホ!7− p−フェニレンスルフィトラ用いる
方法が発表されている(特公昭56−2790号、特開
昭53−22363号、特開昭56−81957号、特
開昭59−20910号、特開昭59−20911号各
公報など)。
しかし、ポリ−p−フェニレンスルフィドの場合は通常
溶融成形法によって封止を行なうが、その場合に溶融状
態から凝固状態へ変る際に粗大球晶を生成しながら急激
に結晶化が進行するために、樹脂層、特に球晶部周辺、
で大きな成形収縮が起り、樹脂層にクラックを生成した
り、ボンディングワイヤーを切断・変形させたり、+7
−ドフレーム若しくはボンディングワイヤーと樹脂層と
の接着面に間隙を生じたりし易い。そのために、得られ
た電子部品は、特に高温高湿度雰囲気でリードフレーム
もしくはボンディングワイヤーの界面から水分が侵入し
て、電子部品の品質を劣化させ易いという問題があった
。この問題の解決のために、無機充填材の添加や、各種
助剤の添加などの試みもなされているが、基本樹脂の性
質を変えないことには本質的な解決とはならなかった。
溶融成形法によって封止を行なうが、その場合に溶融状
態から凝固状態へ変る際に粗大球晶を生成しながら急激
に結晶化が進行するために、樹脂層、特に球晶部周辺、
で大きな成形収縮が起り、樹脂層にクラックを生成した
り、ボンディングワイヤーを切断・変形させたり、+7
−ドフレーム若しくはボンディングワイヤーと樹脂層と
の接着面に間隙を生じたりし易い。そのために、得られ
た電子部品は、特に高温高湿度雰囲気でリードフレーム
もしくはボンディングワイヤーの界面から水分が侵入し
て、電子部品の品質を劣化させ易いという問題があった
。この問題の解決のために、無機充填材の添加や、各種
助剤の添加などの試みもなされているが、基本樹脂の性
質を変えないことには本質的な解決とはならなかった。
発明のa要
要旨
本発明は、主樹脂成分として、フェニレンスルフィドブ
ロックコポリマーを用いることによってこれらの問題を
解決して、耐湿性にすぐれた電子部品封止用組成物を提
供するものである。
ロックコポリマーを用いることによってこれらの問題を
解決して、耐湿性にすぐれた電子部品封止用組成物を提
供するものである。
従って、本発明による電子部品封止用組成物は、合成樹
脂成分1001を置部と無機質充填材20〜300重量
部とからなり、合成樹脂成分が下記のフェニレンスルフ
ィドブロックコポリマーから主としてなるものであるこ
と、を特徴とするものである。
脂成分1001を置部と無機質充填材20〜300重量
部とからなり、合成樹脂成分が下記のフェニレンスルフ
ィドブロックコポリマーから主としてなるものであるこ
と、を特徴とするものである。
記
ると共に、そのモル分藁が0.50〜0.95の範囲に
あり、溶融粘度が10〜1500ポイズ(310℃、せ
A、R速度200 (e)−’ )であるフェニレンス
ルフィドブロックコポリマー。
あり、溶融粘度が10〜1500ポイズ(310℃、せ
A、R速度200 (e)−’ )であるフェニレンス
ルフィドブロックコポリマー。
また、本発明による電子部品の封止方法は、合成樹脂成
分100重量部と無機質充填材20〜300重量部とか
らなり、合成樹脂成分が下記の7エニレンスルフイドブ
ロツクコボリマーから主としてなるものであるところの
組成物を封止用組成物として射出成型法によって電子部
品を封止すること、を特徴とするものである。
分100重量部と無機質充填材20〜300重量部とか
らなり、合成樹脂成分が下記の7エニレンスルフイドブ
ロツクコボリマーから主としてなるものであるところの
組成物を封止用組成物として射出成型法によって電子部
品を封止すること、を特徴とするものである。
繰り返し単位÷S÷と繰返し単位e8jると共に、その
モル分率が0.50〜0.95の範囲にあり、溶融粘度
が10〜1500ボイズ〔310℃、せん断p度200
($)−” )であるフェニレンスルフィドブロック
コポリマー。
モル分率が0.50〜0.95の範囲にあり、溶融粘度
が10〜1500ボイズ〔310℃、せん断p度200
($)−” )であるフェニレンスルフィドブロック
コポリマー。
効果
本発明で基材樹脂として使用するフェニレンスルフィド
ブロックコポリマーは、フェニレンスルフィドホモポリ
マーの結晶性ポリマーとしての属性を実質的に享受しな
がら、該ポリマーに認められた前記の問題点が解決され
ていて、電子部品の封止が良好に行なわれる。
ブロックコポリマーは、フェニレンスルフィドホモポリ
マーの結晶性ポリマーとしての属性を実質的に享受しな
がら、該ポリマーに認められた前記の問題点が解決され
ていて、電子部品の封止が良好に行なわれる。
本発明の組成物の一成分である合成樹脂成分は、フェニ
レンスルフィドブロックポリマーから主としてなるもの
である。
レンスルフィドブロックポリマーから主としてなるもの
である。
フェニレンスルフィドブロックコホIJ マー トして
は、繰り返し単位双D−B→と繰り返し単位−が用いら
れる。パフ−s+のブロックの存在は、コポリマーの結
晶性およびそれに基づく耐熱性を確保するものである。
は、繰り返し単位双D−B→と繰り返し単位−が用いら
れる。パフ−s+のブロックの存在は、コポリマーの結
晶性およびそれに基づく耐熱性を確保するものである。
また、繰返し単位fQ−8−5−の存在はコポリマーの
溶融粘度を低下させることにより射出成形性を大幅に向
上させ、また粗大球晶の生成を防止することによりクラ
ック生成を防止し、ボンディングワイヤーの切断もしく
は変形を防止し、リードフレームもしくはボンディング
ワイヤーとの密着性を向上させることにより、特に封止
電子部品の高温耐湿性を大幅に改善することができる。
溶融粘度を低下させることにより射出成形性を大幅に向
上させ、また粗大球晶の生成を防止することによりクラ
ック生成を防止し、ボンディングワイヤーの切断もしく
は変形を防止し、リードフレームもしくはボンディング
ワイヤーとの密着性を向上させることにより、特に封止
電子部品の高温耐湿性を大幅に改善することができる。
この繰返し単位f()−sfの導入にヨリ、アーフェニ
レンスルフィドホモボリマーの欠点が解決される。
レンスルフィドホモボリマーの欠点が解決される。
この繰返し単位fo−87には、少量の他の÷Ar−8
千がランダム状に含まれていても差支えない。 ここに
ムrは芳香族化合物残基な意味するものとする。このよ
うな÷ムr−8+とじては、下記のような基の一種もし
くは二種以上が好ましく用いられる。
千がランダム状に含まれていても差支えない。 ここに
ムrは芳香族化合物残基な意味するものとする。このよ
うな÷ムr−8+とじては、下記のような基の一種もし
くは二種以上が好ましく用いられる。
ぺyO(Σ日÷、ベンQ−B÷、
本発明のブロックコポリマーの÷o−6÷ブロックの平
均重合度は20〜2000個の範囲であり、好ましくは
40〜1000個のものが用いられる。平均重合度が2
0個未満ではポリマーの結晶性が不充分となり、耐熱性
の不充分な成形品を与えるおそれがあり、また2000
個超過では分子量が大きすぎて性質がp−フェニレンス
ルフィドホモポリマーに近くなって、クラックを含むボ
ンディングワイヤーの切断した成形品や高温耐湿性の劣
った成形物を与えるおそれがあるので、いずれも好まし
くない。
均重合度は20〜2000個の範囲であり、好ましくは
40〜1000個のものが用いられる。平均重合度が2
0個未満ではポリマーの結晶性が不充分となり、耐熱性
の不充分な成形品を与えるおそれがあり、また2000
個超過では分子量が大きすぎて性質がp−フェニレンス
ルフィドホモポリマーに近くなって、クラックを含むボ
ンディングワイヤーの切断した成形品や高温耐湿性の劣
った成形物を与えるおそれがあるので、いずれも好まし
くない。
÷O−s÷ブロックに所属する÷5s÷繰返し単位の基
本モル分率は、 0.50〜0.95の範囲、特に好ま
しくは0.60〜0.90の範囲、が用いられる。基本
モル分率が0.5未満では樹脂の結晶性が不足して耐熱
性の不充分な成形品を与えるおそれがあり、また0、9
5超過では性質がp−フェニレンスルフィドホモポリマ
ーに近くなって、高温耐湿性の劣った成形物を与えるお
それがあるので、いずれも好ましくない。なお、モル分
率はIFT・1只分析などによって容易に確認すること
ができる。
本モル分率は、 0.50〜0.95の範囲、特に好ま
しくは0.60〜0.90の範囲、が用いられる。基本
モル分率が0.5未満では樹脂の結晶性が不足して耐熱
性の不充分な成形品を与えるおそれがあり、また0、9
5超過では性質がp−フェニレンスルフィドホモポリマ
ーに近くなって、高温耐湿性の劣った成形物を与えるお
それがあるので、いずれも好ましくない。なお、モル分
率はIFT・1只分析などによって容易に確認すること
ができる。
また、 乃−s+ブロックの平均シーフェンスの長さは
蛍光X線法により測定できる。
蛍光X線法により測定できる。
このような化学構造をもったフェニレンスルフィドブロ
ックコポリマーは、通常 To (ガラス転移点) −
20〜80℃、Tm(結晶融点) −250〜285℃
、熱処理物(延伸配向しないもの)の結晶化指数01−
s5〜45の性状を有している。ちなみにp−フェニ
レンスルフィドホモポリマー&t TO−85〜95℃
、Tm −280〜295℃、C11=35〜50の範
囲にあり、特にTQが高い。一方、÷SS年単位?Sテ
単位の?ンダムコポリマーは、非晶質(即ちOl;O)
でTmを有しない。なお、ここで、結晶化指数 01と
は、X’a回折パターンから20−17−23°での結
晶性散乱強度Acと非晶性散乱強度ムaとを分離し、0
1=(ムc/(Ac+Aa) :) x 1000式よ
り計算した値である( J、ムI)1)1.POly、
Sai、毅、2545 (1976)参照)。また、本
発明の01の値は、ポリマーをTmより約30℃高い温
度でホットプレスし、水で急冷して0.1〜0.2mm
厚さのフィルムラ調製し、このフィルムを1より20℃
低い温度で20分間熱処理し、結晶化させた熱処理物に
ついての値である。
ックコポリマーは、通常 To (ガラス転移点) −
20〜80℃、Tm(結晶融点) −250〜285℃
、熱処理物(延伸配向しないもの)の結晶化指数01−
s5〜45の性状を有している。ちなみにp−フェニ
レンスルフィドホモポリマー&t TO−85〜95℃
、Tm −280〜295℃、C11=35〜50の範
囲にあり、特にTQが高い。一方、÷SS年単位?Sテ
単位の?ンダムコポリマーは、非晶質(即ちOl;O)
でTmを有しない。なお、ここで、結晶化指数 01と
は、X’a回折パターンから20−17−23°での結
晶性散乱強度Acと非晶性散乱強度ムaとを分離し、0
1=(ムc/(Ac+Aa) :) x 1000式よ
り計算した値である( J、ムI)1)1.POly、
Sai、毅、2545 (1976)参照)。また、本
発明の01の値は、ポリマーをTmより約30℃高い温
度でホットプレスし、水で急冷して0.1〜0.2mm
厚さのフィルムラ調製し、このフィルムを1より20℃
低い温度で20分間熱処理し、結晶化させた熱処理物に
ついての値である。
本発明のフェニレンスルフィドブロックコポリマーの分
子量は、その指標としての溶融粘度が10〜1500ボ
イズ(310℃/剪断速度−200(社) )の範囲が
適当であり、特に30〜800ボイズの範囲が好ましい
。10ボイズ未満では、分子量が小さ過ぎて強度的に不
充分な成形品を与えるおそれがあり、また 1500ボ
イズ超過では1、溶融粘度が高すぎて、射出成形時にボ
ンディングワイヤーを切断したり、充填不良を起したり
するおそれがあるので、いずれも好ましくない。
子量は、その指標としての溶融粘度が10〜1500ボ
イズ(310℃/剪断速度−200(社) )の範囲が
適当であり、特に30〜800ボイズの範囲が好ましい
。10ボイズ未満では、分子量が小さ過ぎて強度的に不
充分な成形品を与えるおそれがあり、また 1500ボ
イズ超過では1、溶融粘度が高すぎて、射出成形時にボ
ンディングワイヤーを切断したり、充填不良を起したり
するおそれがあるので、いずれも好ましくない。
以上のような性状を有するフェニレンスルフィドブロッ
クコポリマーは、例えば非プロトン性有機溶剤でアルカ
リ硫化物とジハロ芳香族化合物とを脱ハロゲン/硫化反
応による重縮合によってつくることができる(特願昭5
9−134833号明細書参照)。
クコポリマーは、例えば非プロトン性有機溶剤でアルカ
リ硫化物とジハロ芳香族化合物とを脱ハロゲン/硫化反
応による重縮合によってつくることができる(特願昭5
9−134833号明細書参照)。
本発明の封止用組成物の樹脂成分としては、主成分ノフ
ェニレンスルフィドブロックコホリマーのほかに、その
特長を失なわせない範囲で少量の他の熱可塑性樹脂(ポ
リ−m−フェニレンスルフィド、ポリ−ツーフェニレン
スルフィド、m−フェニレンスルフィド−p−7エニレ
ンスルフイドランダムコボリマー、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテル
フルフォン、ポリアミドなど)あるいは熱硬化性樹脂(
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂など)を
混合して使用することも可能である。
ェニレンスルフィドブロックコホリマーのほかに、その
特長を失なわせない範囲で少量の他の熱可塑性樹脂(ポ
リ−m−フェニレンスルフィド、ポリ−ツーフェニレン
スルフィド、m−フェニレンスルフィド−p−7エニレ
ンスルフイドランダムコボリマー、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテル
フルフォン、ポリアミドなど)あるいは熱硬化性樹脂(
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂など)を
混合して使用することも可能である。
樹脂成分の内、主成分のフェニレンスルフィドブロック
;ポリマーは少(とも全樹脂の60重重量以上であるこ
とが望ましく、また樹脂成分の少量成分としてはポリ−
m−フェニレンスルフィドモジ(ハボIJ −p−フェ
ニレンスルフィドが望ましい。
;ポリマーは少(とも全樹脂の60重重量以上であるこ
とが望ましく、また樹脂成分の少量成分としてはポリ−
m−フェニレンスルフィドモジ(ハボIJ −p−フェ
ニレンスルフィドが望ましい。
充填材
本発明の封止用組成物において無機質充填材としては、
繊維状充填材もしくは非繊維状充填材またはこれらの両
方を使用することができる。
繊維状充填材もしくは非繊維状充填材またはこれらの両
方を使用することができる。
非繊維状充填材としては、石英粉末、ガラス粉末、ガラ
スピーズ、アルミナ粉末、Tie、粉末、酸化鉄粉末、
タルク、クレイ、マイカなどが使用できる。粒径は0.
5mm以下が好ましい。0.5mm超過ではボンディン
グワイヤーを切断するおそれがあるので好ましくない。
スピーズ、アルミナ粉末、Tie、粉末、酸化鉄粉末、
タルク、クレイ、マイカなどが使用できる。粒径は0.
5mm以下が好ましい。0.5mm超過ではボンディン
グワイヤーを切断するおそれがあるので好ましくない。
繊維状充填材としては、ガラス繊維、シリカ繊維、ワラ
ストナイト、チタン酸カリウム繊維、加工鉱物繊維、セ
ラミック繊維などが使用でき、繊維長がQ、5mm以下
でアスペクト比で10以上のものが好ましい。0 、5
mm超過ではボンディングワイヤーを切断するおそれ
があり、またアスペクト比10未満では補強効果が不充
分となるおそれがあって、いずれも好ましくない。
ストナイト、チタン酸カリウム繊維、加工鉱物繊維、セ
ラミック繊維などが使用でき、繊維長がQ、5mm以下
でアスペクト比で10以上のものが好ましい。0 、5
mm超過ではボンディングワイヤーを切断するおそれ
があり、またアスペクト比10未満では補強効果が不充
分となるおそれがあって、いずれも好ましくない。
本発明の封止用組成物に無機質充填材を混入する場合は
、その混入量は20〜300重量係が好重量く、特に5
0〜200重量係が好重量い。300重量重量過では組
成物の溶融粘度が高くなって、ボンディングワイヤーの
切断を生じるおそれがあるので好ましくない。また、2
0qb未満では熱膨張係数が大ぎくなって、やはりボン
ディングワイヤーを切断するおそれがあるので好ましく
ない。
、その混入量は20〜300重量係が好重量く、特に5
0〜200重量係が好重量い。300重量重量過では組
成物の溶融粘度が高くなって、ボンディングワイヤーの
切断を生じるおそれがあるので好ましくない。また、2
0qb未満では熱膨張係数が大ぎくなって、やはりボン
ディングワイヤーを切断するおそれがあるので好ましく
ない。
本発明の封止用組成物に無機質充填材を混入する場合に
、その無機質充填材と樹脂との密着性を改善するためや
、無機質充填材の吸湿性を低減するために、無機質充填
材を、シランカップリング剤、チタネートカップリング
剤などの表面処理剤で疎水化処理したものを用いたり、
あるいはこれらの試薬を封止用組成物に添加して用いる
こともできる。さらにまた、封止用組成物の防湿性をよ
り高めるために、変性シリコーンオイル、弗素系オイル
、パラフィンなどの撥水剤を組成物に添加して用いるこ
ともできる。その他、本発明の目的を逸脱しない範囲に
おいて、滑剤、着色剤、離型剤、熱安定剤、硬化剤など
の助剤を本発明の封止用組成物に添加して用いることは
さしつかえない。
、その無機質充填材と樹脂との密着性を改善するためや
、無機質充填材の吸湿性を低減するために、無機質充填
材を、シランカップリング剤、チタネートカップリング
剤などの表面処理剤で疎水化処理したものを用いたり、
あるいはこれらの試薬を封止用組成物に添加して用いる
こともできる。さらにまた、封止用組成物の防湿性をよ
り高めるために、変性シリコーンオイル、弗素系オイル
、パラフィンなどの撥水剤を組成物に添加して用いるこ
ともできる。その他、本発明の目的を逸脱しない範囲に
おいて、滑剤、着色剤、離型剤、熱安定剤、硬化剤など
の助剤を本発明の封止用組成物に添加して用いることは
さしつかえない。
電子部品の封止
合成樹脂成分、無機質充填材および必要に応じてその他
の助剤が混合された後、この組成物を用いて電子部品の
封止が行なわれる。
の助剤が混合された後、この組成物を用いて電子部品の
封止が行なわれる。
封止方法は、一般に知られた方法、例えば射出成形もし
くはトランスファー成形を用いたモールド法によって行
なうことができる。すなわち、通常の射出成形機もしく
はトランスファー成形機を用い、成形圧力10〜200
J / Qm”、シリンダ一温度280〜370’C
,金型温度80〜220℃、の範囲で行なうのが好まし
い。
くはトランスファー成形を用いたモールド法によって行
なうことができる。すなわち、通常の射出成形機もしく
はトランスファー成形機を用い、成形圧力10〜200
J / Qm”、シリンダ一温度280〜370’C
,金型温度80〜220℃、の範囲で行なうのが好まし
い。
樹脂成分が結晶化特性において改善されているブロック
コポリマーであるという本発明の特色を最も良く生かし
た封止方法は、封止を樹脂組成物の射出成形による方法
である。
コポリマーであるという本発明の特色を最も良く生かし
た封止方法は、封止を樹脂組成物の射出成形による方法
である。
実 験 例
合成実施例
(1) 20リットル耐圧重合缶にNMP (N−メ
チルピロリドン) 11.0 kgおよびNa2S、
5H2020−0%ルを仕込み、約200℃まで加熱昇
温して、その間に水分および若干のNMPを溜めさせた
(重合缶内の残存水分量は26モルであった)。それか
ら、 NMP3−OkgK’p −ジクロルベンゼン2
0.1モルヲ溶解した溶液をチャージして、215℃で
3時間加熱した。ついで、水54モルを加えて255℃
で0.5時間加熱して、反応混合液aを得た。これを缶
から取出して、保存した。このa液を少量サンプリング
して、生成p−フェニレンスルフィドプレポリマーの平
均重合度を蛍光X線法により測定した。重合度−190
であった。
チルピロリドン) 11.0 kgおよびNa2S、
5H2020−0%ルを仕込み、約200℃まで加熱昇
温して、その間に水分および若干のNMPを溜めさせた
(重合缶内の残存水分量は26モルであった)。それか
ら、 NMP3−OkgK’p −ジクロルベンゼン2
0.1モルヲ溶解した溶液をチャージして、215℃で
3時間加熱した。ついで、水54モルを加えて255℃
で0.5時間加熱して、反応混合液aを得た。これを缶
から取出して、保存した。このa液を少量サンプリング
して、生成p−フェニレンスルフィドプレポリマーの平
均重合度を蛍光X線法により測定した。重合度−190
であった。
201Jットル耐圧重合缶にNMP 2.2 kgおよ
びNa、S、5H204−0モ)1−を仕込み、約20
0”Cまで加熱昇温して、その間に水分および若干のN
MPを溜めさせた(重合缶内の残存水分量は5.5モル
であっり)。ソコヘ、 NMP O* 6 kgにm−
ジクロルベンゼン4.0モルを溶かした溶液をチャージ
して混合した。この混合液に、既に保存しである反応混
合液aの全量の80%および水21.0モルを加えて混
合し、255℃で2時間加熱して反応させた。反応後、
反応液をNMPで約2倍に稀釈し、r過して固体分をP
別し、熱水で4回洗浄し、80℃で減圧乾燥して、ボリ
マーム(p−フェニレンスルフィドFT −IRで組成
を分析したところ、 告S−)成分溶融粘度η”〔31
0℃、剪断速度−200の「1〕は690ボイズであっ
た。また、TO−73℃、Tm −278℃、260
en分間熱処理物のC1値は33であった。
びNa、S、5H204−0モ)1−を仕込み、約20
0”Cまで加熱昇温して、その間に水分および若干のN
MPを溜めさせた(重合缶内の残存水分量は5.5モル
であっり)。ソコヘ、 NMP O* 6 kgにm−
ジクロルベンゼン4.0モルを溶かした溶液をチャージ
して混合した。この混合液に、既に保存しである反応混
合液aの全量の80%および水21.0モルを加えて混
合し、255℃で2時間加熱して反応させた。反応後、
反応液をNMPで約2倍に稀釈し、r過して固体分をP
別し、熱水で4回洗浄し、80℃で減圧乾燥して、ボリ
マーム(p−フェニレンスルフィドFT −IRで組成
を分析したところ、 告S−)成分溶融粘度η”〔31
0℃、剪断速度−200の「1〕は690ボイズであっ
た。また、TO−73℃、Tm −278℃、260
en分間熱処理物のC1値は33であった。
なお、TO,Tmは差動走査型熱量計により測定した。
(2) (1)と同様の方法で、反応混合液111を
作って、保存した。この111液中の生成p−フェニレ
ンスルフィドプレポリマーの平均重合度は170であっ
た。
作って、保存した。この111液中の生成p−フェニレ
ンスルフィドプレポリマーの平均重合度は170であっ
た。
10リットル耐圧重合缶にNMP 2.2 kgおよび
Na2S、5H204,0モルを仕込み、約200℃ま
で加熱昇温して、その間に水分および若千ONMPな溜
めさせた(重合缶内の残存水分量は5.2モルであった
)。そこへNMI’0.7kgおよびm−ジクロルベン
ゼン4.1モルを溶かした溶液をチャージして混合した
。ついで、215℃で3時間加熱反応させて、反応混合
液″o2を作った。b2液の少量をサンプリングして、
生成m−フェニレンスルフィドプレポリマーの重合度を
蛍光X線で測定した。重合度は20であった。
Na2S、5H204,0モルを仕込み、約200℃ま
で加熱昇温して、その間に水分および若千ONMPな溜
めさせた(重合缶内の残存水分量は5.2モルであった
)。そこへNMI’0.7kgおよびm−ジクロルベン
ゼン4.1モルを溶かした溶液をチャージして混合した
。ついで、215℃で3時間加熱反応させて、反応混合
液″o2を作った。b2液の少量をサンプリングして、
生成m−フェニレンスルフィドプレポリマーの重合度を
蛍光X線で測定した。重合度は20であった。
20リットル耐圧重合缶にbl液の全量の80%および
b2液の全量ならびに水20モルを加えて、255℃で
4時間加熱反応させた。反応後、(1)と同様の方法テ
ホリマーB(p−)ユニレンスルフィドブロックコボリ
マー−@)−8+ブロック平均重合度180)を得た。
b2液の全量ならびに水20モルを加えて、255℃で
4時間加熱反応させた。反応後、(1)と同様の方法テ
ホリマーB(p−)ユニレンスルフィドブロックコボリ
マー−@)−8+ブロック平均重合度180)を得た。
このポリマーBの組成は、ルチであった。また、Δη”
−580ボイズ、70177℃、Tm −280℃、0
l−35であった。
−580ボイズ、70177℃、Tm −280℃、0
l−35であった。
(3) 20リットル耐圧重合缶にN)JP 11.
0 kgおよびNa213−5H!010.0 %ルを
仕込み、約200℃まで加熱昇温して、その間((水分
および若千のNMPを溜出させた(重合缶内の残存水分
量は13モルであった)。ソコへkJMP 3.01c
g、 m−ジクロルベンゼン10.0モルおヨヒ1 +
3 s 5−トリクロルベンゼン0.10モルを加え
て210℃で10時間反応させ、それから水を47モル
加えて260℃で12時間加熱して反応させた。反応終
了後、(1)と同様の方法でポリマー0(m−フェニレ
ンスルフィドホモポリマー)を得た。η“は約20ポイ
ズであった。
0 kgおよびNa213−5H!010.0 %ルを
仕込み、約200℃まで加熱昇温して、その間((水分
および若千のNMPを溜出させた(重合缶内の残存水分
量は13モルであった)。ソコへkJMP 3.01c
g、 m−ジクロルベンゼン10.0モルおヨヒ1 +
3 s 5−トリクロルベンゼン0.10モルを加え
て210℃で10時間反応させ、それから水を47モル
加えて260℃で12時間加熱して反応させた。反応終
了後、(1)と同様の方法でポリマー0(m−フェニレ
ンスルフィドホモポリマー)を得た。η“は約20ポイ
ズであった。
(4) 20リットル耐圧缶K NMP 11.0
kgおよびNa 2 B ・5H2020,0モルを仕
込み、約200℃まで加熱昇温して、その間に水分およ
び若干のNMPを溜めさせた(重合缶内の残存水分量は
26モルであった)。
kgおよびNa 2 B ・5H2020,0モルを仕
込み、約200℃まで加熱昇温して、その間に水分およ
び若干のNMPを溜めさせた(重合缶内の残存水分量は
26モルであった)。
そこへNMP 3.Okg、 Il−ジクロルベンゼ
ン20.2モルならびに水54モルを加え、260℃で
3時間加熱して反応させた。 ゛ 反応終了後、(1)と同様の方法でポリマーD(p−フ
ェニレンスルフィドホモポリマー)ヲ得り。
ン20.2モルならびに水54モルを加え、260℃で
3時間加熱して反応させた。 ゛ 反応終了後、(1)と同様の方法でポリマーD(p−フ
ェニレンスルフィドホモポリマー)ヲ得り。
1”−610ボイズであった。
成形実施例
各種フェニレンスルフィドポリi−と所定量の無機充填
材および所定量の添加助剤とをヘンシェルきΦサーを用
いて均一に混合し、30φ圓同方向2軸押出機にてシリ
ンダ一温度290℃〜330℃で押出してペレット化し
た。得られたペレットを、射出成形機を用いてシリンダ
一温度300〜340 ℃、金属温度120〜180℃
、射出圧20〜60 kg / am2でトランジスタ
−9フレームをインサートした金型にて射出成形した。
材および所定量の添加助剤とをヘンシェルきΦサーを用
いて均一に混合し、30φ圓同方向2軸押出機にてシリ
ンダ一温度290℃〜330℃で押出してペレット化し
た。得られたペレットを、射出成形機を用いてシリンダ
一温度300〜340 ℃、金属温度120〜180℃
、射出圧20〜60 kg / am2でトランジスタ
−9フレームをインサートした金型にて射出成形した。
得られたそれぞれの封止品を赤インク中で24時間煮沸
した後、封止樹脂のクラックや、封止樹脂とフレームと
の界面からの赤インク浸入状態を観察した。その結果は
、表1に示した通りであった。
した後、封止樹脂のクラックや、封止樹脂とフレームと
の界面からの赤インク浸入状態を観察した。その結果は
、表1に示した通りであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、合成樹脂成分100重量部と無機質充填材20〜3
00重量部とからなり、合成樹脂成分が下記のフェニレ
ンスルフィドブロックコポリマーから主としてなるもの
であることを特徴とする、電子部品封止用組成物。 記 繰り返し単位▲数式、化学式、表等があります▼と繰返
し単位▲数式、化学式、表等があります▼ とから実質的になり、繰返し単位▲数式、化学式、表等
があります▼が 平均20〜2000個の重合度のブロックで分子鎖中に
結合していると共に、そのモル分率が0.50〜0.9
5の範囲にあり、溶融粘度が10〜1500ポイズ〔3
10℃、せん断速度200(秒)^−^1〕であるフェ
ニレンスルフィドブロックコポリマー。 2、合成樹脂成分がフェニレンスルフィドブロックコポ
リマーのみからなる、特許請求の範囲第1項記載の電子
部品封止用組成物。 3、合成樹脂成分が40重量%以下のm−フェニレンス
ルフィドポリマーを含むフェニレンスルフィドブロック
コポリマー混合物である、特許請求の範囲第1項記載の
電子部品封止用組成物。 4、合成樹脂成分が40重量%以下のp−フェニレンス
ルフィドポリマーを含むフェニレンスルフィドブロック
コポリマー混合物である、特許請求の範囲第1項記載の
電子部品封止用組成物。 5、無機質充填材が長さ0.5mm以下の繊維状充填材
または粒子径0.5mm以下の非繊維状充填材である、
特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれか1項に記載
の電子部品封止用組成物。 6、合成樹脂成分100重量部と無機質充填材20〜3
00重量部とからなり、合成樹脂成分が下記のフェニレ
ンスルフィドブロックコポリマーから主としてなるもの
であるところの組成物を封止用組成物として射出成型法
によって電子部品を封止することを特徴とする、電子部
品の封止方法。 記 繰り返し単位▲数式、化学式、表等があります▼と繰返
し単位▲数式、化学式、表等があります▼ とから実質的になり、繰返し単位▲数式、化学式、表等
があります▼が 平均20〜2000個の重合度のブロックで分子鎖中に
結合していると共に、そのモル分率が0.50〜0.9
5の範囲にあり、溶融粘度が10〜1500ポイズ〔3
10℃、せん断速度200(秒)^−^1〕であるフェ
ニレンスルフィドブロックコポリマー。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17801784A JPS6155148A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 電子部品封止用組成物およびその利用 |
| CA000485040A CA1260174A (en) | 1984-06-29 | 1985-06-25 | PARA-PHENYLENE SULPHIDE COPOLYMERS; METHOD OF PREPARATION AND USE |
| DE8585108037T DE3577098D1 (de) | 1984-06-29 | 1985-06-28 | Para-phenylensulfid-blockcopolymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung. |
| EP19850108037 EP0166451B1 (en) | 1984-06-29 | 1985-06-28 | Para-phenylene sulfide block copolymers; process for the production of the same and use thereof |
| US06/858,851 US4785057A (en) | 1984-06-29 | 1986-04-30 | Para-phenylene sulfide block copolymer, process for the production of the same |
| US06/944,469 US4774298A (en) | 1984-06-29 | 1986-12-22 | Process for producing biaxially oriented paraphenylene sulfide block copolymer film |
| US06/944,509 US4777228A (en) | 1984-06-29 | 1986-12-22 | Biaxially oriented paraphenylene sulfide block copolymer film and process for producing the same |
| US07/133,905 US4795671A (en) | 1984-06-29 | 1987-12-16 | Para-phenylene sulfide block copolymers, process for the production of the same and use thereof |
| CA000601685A CA1272535A (en) | 1984-06-29 | 1989-06-02 | Para-phenylene sulfie block copolymers process for the production of the same and use thereof |
| CA000601686A CA1304182C (en) | 1984-06-29 | 1989-06-02 | Composition and method for sealing electronic parts |
| CA000601684A CA1272534A (en) | 1984-06-29 | 1989-06-02 | Para-phenylene sulfide block copolymers, process for the production of the same and use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17801784A JPS6155148A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 電子部品封止用組成物およびその利用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6155148A true JPS6155148A (ja) | 1986-03-19 |
| JPH0365899B2 JPH0365899B2 (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=16041110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17801784A Granted JPS6155148A (ja) | 1984-06-29 | 1984-08-27 | 電子部品封止用組成物およびその利用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6155148A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197451A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電子部品封止用樹脂組成物 |
| JPH01163257A (ja) * | 1987-09-11 | 1989-06-27 | Polyplastics Co | 低応力封止材 |
| JPH0245560A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-15 | Toray Ind Inc | 電子部品封止用組成物および樹脂封止電子部品 |
| JPH10130501A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-19 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物及び摺動部材 |
| JPH10310699A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Kureha Chem Ind Co Ltd | ポリアリーレンスルフィド成形体の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17801784A patent/JPS6155148A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197451A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電子部品封止用樹脂組成物 |
| JPH01163257A (ja) * | 1987-09-11 | 1989-06-27 | Polyplastics Co | 低応力封止材 |
| JPH0245560A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-15 | Toray Ind Inc | 電子部品封止用組成物および樹脂封止電子部品 |
| JPH10130501A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-19 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物及び摺動部材 |
| JPH10310699A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Kureha Chem Ind Co Ltd | ポリアリーレンスルフィド成形体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0365899B2 (ja) | 1991-10-15 |
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