JPS6155935A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置特に高周波用半導体装置のウェハ
ー状態での検査１選別を容易に行い得るようにし几構造
を有する＃−専体装麿の製造方法に関する。

（従来の技術） ＵＨＦ〜マイクロ波帯における増幅器あるいは高速グリ
スケーラなど、高周波用半導体集積回路（以下、高周波
用ＩＣという、）は、その入出力特性への要求は極めて
きびしいものがあり、入出力信号線に付随する寄生浮遊
容量や寄生インダクタンス等で、高周波帯域での動作が
著しく損われる場合が必る。このような浮遊容量の低減
のため、入出力信号線のポンディングパッドは、第３図
に一例を示す如く、可能な限り小型化されていることが
望ましく、ｔた寄生インダクタンスの低減のため能動素
子領域工５とこれらのポンディングパッドは可能な限り
接近していることが望まれる。なお第３図において、２
０はＩＣチ、プ。

１１．１２は給電用、接地用パッド、１３．１４は人、
出力信号線ｌワイヤーボンディング用パッドである。

しかし、このような理想的なパッド形状、配置にし几場
合、ウェハー状態で各パッドにプロービングして、その
［流的あるいは交流的動作機能を確認する４’！３！査
ＶＣｓｐいて、小型化され九パッドにプロービングする
ことは非常に困難であ）、また能動素子領域１ｃ接近し
た人、出力信号線ワイヤポンディング用パッドでは、プ
ローブの接触に１カ。

パッド近傍の素子を破壊してしまう危険性もある。

また、ウェハー状態での検査の容易さ全考慮して第４図
のＩＣチップ２０ａに示すよう罠、第３図の人、出力信
号１！］／ワイヤボンデイング用パ。

ド１３，１４の代りに、プロービング可能な大型のパッ
ドとして、入、出力信号線プロービング兼周波用ＩＣの
動作能力を損ってしまう恐れがある。

従来、この種の超高周波用ＩＣの検査は、ダイシングを
行ないケースに組立てた後に直流的及び高周波的検査全
行ない選別全行なう場合と、特性を多少犠牲にしてもプ
ロービングが可能なパッド形状、配置にしてクエハー状
態で検査全行なう場合とが適宜使い分けられていた。

前者の場合、不良ペレット全組立てる工数、材料費など
が必要となり、後者の場合、ダイシング組立て後の高周
波用ＩＣの性能が一様に損われるという欠点があった。

（発明の目的） 本発明の目的は、上記欠点全除去することにより、高周
波用半導体装置において、ウェハー状態での直流的検査
、あるいは低周波での交流的検査。

すなわちウェハ一段階での選別を可能とし、かつ。

ウェハ一段零での検査を可能とするために、ダイシング
、組立て後の高周波特性を犠牲にすることのない、を極
パッド構造を有する半導体装置の製造方法全提供するこ
とにある。

（発明の構成） 本発明の半導体装置の製造方法は、能動素子領域の周辺
に配置された複数のワイヤボンディング用パッドを有す
る半導体装置チップと該半導体装置チップにスクライブ
線を挾み隣接して設けられた少くとも一個の任意の数の
プロービング用パッ）’ｔ−Ｖｆるプロービングパッド
用チップを形成する工程と、前記プロービング用パッド
と所定の前記ワイヤボンディング用パッド間に導電性配
線を形成する工程と、ウェハー状態で前記半導体装置チ
ップの特性評価後にダイシングに工）前記プロービング
パッド用チップを前記スクライブ線から切り離す工程を
含むことから構成される。

（作用） 本発明による半導体装置の製造方法においては。

クエハー状態での検査を、能動素子領域とスクライプ＃
１１１ｃ隔てた別チップ上に設けた大型のプロービング
用パッドを用いて行うことができ、ウェハー状態での検
査は易容となる。また、ダイシング時に上部のプロービ
ング用チップを切断することにエフ、寄生的な容量やイ
ンダクタンスを信号線から除去でき１組立て時には、エ
フ能動素子領域−ボンディングを行なうことにエフ、半
導体装置の性能を損うこともなくなる。

（実施例） 次に１本発明の実施例について（２）面？参照して説明
する。

第１図は本発明の第１の実施例にＬり製造された高周波
用ＩＣチップのウェハー状態におけるパターン図である
。

本実施例は、高周波用ＩＣチップ２４に対し。

ダイシング用のスクライプ線３０．３０ａで分割され友
人、出力信号線プロービング用パッド２７゜２８ｔ−載
せたプロービングパッド用チップ３２゜３２ａｔ並べて
配し、全体をＩＣ製造時の１チツプとして形成する。こ
こでＩＣチ、プ２４は、能のチップ２４上の位置は、同
図に示すよりに能動素子領域２５に可能な限フ接近させ
、寄生インダイヤ−ボンデングが可能な限り小型化でき
、寄生２３．２６は４電性配線２９．３１を形成するこ
とにエフ、ウニノー−状態で検査全行なう際に、実際に
プロービングを行なうプロービング用ノ（ラド２７．２
Ｂと接続されており、このプロービング用パッド２７．
２８は、検査時に、プローブが余裕を持って接触できる
程度の大きさに形成できる。

ｉたその位置はＩＣチップ２４上の能動素子領域２５と
距ｌ！Ｊｌｔ−十分に取ることができる。

プロービング用パッド２７，２８Ｈ，ＩＣチップ２４と
、スクライブ線３０．３０！で区切られた別チップとし
てのプロービングパッド用チツプング用パッド２７．２
８と金結ぶ配線２９．３１は、スクライブ線３０．３０
８を横切ることになる。

本実施例においてｔま、フェノ１一段階での検査の際は
、給電用パッド２１．接地用パッド２２１人。

出力信号線プロービング用パッド２７．２８などにプロ
ービング全行ない直流的あるいは父流的検査全行なうが
、この際１人、出力信号線プロービング用パッド２７，
２８は、上記の工うにグローブが接触できる程度に十分
大きく、また能動素子領域２５からの距離が十分わる九
め、グローピングの誤差によるチップ内能動素子領域２
５の破損はなくなる。

このクエハー状態での特性評価後、ダイシングによ、り
、ＩＣチ、プチッとプロービング用パッド２７．２Ｅｌ
載せたプロービングパッチッチパッパッド２３，２６か
ら不要な寄生インダクタンスや寄生容量を除去でき、Ｉ
Ｃチ、グ２４の高周波特性は良好に保たれる。

第２図は、本発明の第２の実施例によ）製造され九高周
波ＩＣチップのウェハー状態におけるパターン図で、Ｉ
Ｃチップ２４ａのパッド配置が異なる場合を示したもの
である６本実施例では、人。

出力信号線ワイヤボンディング用パッド２３ａ。

２６ａが同一の辺ＩＣるる場合金示す。この場合人。

出力１ｇ号線プロービング用パパッ２７ａ、２８ａを載
せたプロービングパッド用チップ３２ａはＩＣソングバ
ッド２７ａ、２８ａとを結ぶ配線２９ａ。

３１ａは丁べて同一の辺のスクライブ線３０ｂｔ−横切
ることになる。また検査の方法はＮ１の実施例と同様に
して行なわれる。

以上の実施例においては、給電用パッド、接地用パッド
、入力信号線用パッド２個、出力信号線用パッド２個の
パッド構成から成る場合について説明を行なったが、パ
ッドの個数が異なる半導体装置についても同様に本発明
は適用できる。

（発明の効果） 以上、詳細説明した工うに１本発明の半導体装置の製造
方法は、半導体装置のチップとは別に。

プロービングパッチッチ、グ金形成し、クエノーー状態
での特性評価後に切り離丁ので、半導体装置のパッドや
信号配線による寄生容量、寄生インダクタンスを極力お
さえ、半導体装置の性能全犠牲にすることなく、ウェノ
１一段階でのプロービングによる検査が可能であるとい
う効果全盲する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実
施例にエフ製造された高周波用ＩＣチ。 プのウェハー状態におけるパターン図、第３図及び第４
図はそれぞれ従来例の高周波用ＩＣＣチップパターン図
である。 ２１．２１８・−・−給電用パッド、２２，２２ａ・・
・・・・接地用パッド、２３，２３ａ・・・・・・入力
信号線ワイヤボンディング用パッド、２４，２４ａ・・
・・・・ＩＣチ、プ、２５，２５ａ・・・・・・能動素
子領域。 ２６．２６ａ・・・・・・出力信号線ワイヤボンデイン
グ用パッド、２７，２７ａ・・・・・・入力信号線プロ
ービング用パッド、２８，２８ａ川・・出力は量線プロ
ービング用パッド、２９，２９ａ・・・・・・（人力信
号線・パッド間）配線、３０，３０ａ・・・・・・スク
ライブ線、３１，３１１・・・・・（出力信号線νく、
ド間）配線、３２．３２ａ、３２ｂ・・・・・・プロー
ビングパ。 ド用チップ。 第２図 第３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 能動素子領域の周辺に配置された複数のワイヤボンディ
   ング用パッドを有する半導体装置チップと該半導体装置
   チップにスクライブ線を挾み隣接して設けられた少くと
   も一個の任意の数のプロービング用パッドを有するプロ
   ービングパット用チップを形成する工程と、前記プロー
   ビング用パッドと所定の前記ワイヤボンディング用パッ
   ド間に導電性配線を形成する工程と、ウェハー状態で前
   記半導体装置チップの特性評価後にダイシングにより前
   記プロービングバンド用チップを前記スクライブ線から
   切り離す工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造
   方法。