JPS6158233A - Ｘ線リソグラフイ−用マスク - Google Patents
Ｘ線リソグラフイ−用マスクInfo
- Publication number
- JPS6158233A JPS6158233A JP59178262A JP17826284A JPS6158233A JP S6158233 A JPS6158233 A JP S6158233A JP 59178262 A JP59178262 A JP 59178262A JP 17826284 A JP17826284 A JP 17826284A JP S6158233 A JPS6158233 A JP S6158233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ray lithography
- mask
- layer
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はＸ線リソグラフィー用マスクに関する。
従来技術
米国特許第４，２５３．０２９号は、ポリイミド／Ｂ、
Ｎ４複合層の上に、接着層としてＴｉ膜を設け、この上
にＸ線吸収体としてＡｕ膜を設け、さらにＡｕ膜の上に
Ｔａ膜を設けたＸ線リソグラフィー用のマスクを開示す
るが、その製法の記載はない。本発明者は、まず、これ
らの膜を成膜し、上層のＴａ膜ｔ−ＣＣＬ４／ｃｔ２混
合ガスのりアクティブイオンエツチングによってパター
ニングし、次にＡｎはＴａと異なってリアクティテイオ
／工、チングするコトができないので、Ａｒイオンミリ
ングしたが、Ａｕ膜は台形となプ、マスクとして適当で
ないことが判明した。
Ｎ４複合層の上に、接着層としてＴｉ膜を設け、この上
にＸ線吸収体としてＡｕ膜を設け、さらにＡｕ膜の上に
Ｔａ膜を設けたＸ線リソグラフィー用のマスクを開示す
るが、その製法の記載はない。本発明者は、まず、これ
らの膜を成膜し、上層のＴａ膜ｔ−ＣＣＬ４／ｃｔ２混
合ガスのりアクティブイオンエツチングによってパター
ニングし、次にＡｎはＴａと異なってリアクティテイオ
／工、チングするコトができないので、Ａｒイオンミリ
ングしたが、Ａｕ膜は台形となプ、マスクとして適当で
ないことが判明した。
問題点
垂直に工、チングできる金属ｔ−Ｘ線吸収体とし、さら
にエツチングのときに、複合基層の上層である有機層を
エツチングしないバリア膜を下地とする必要がある。
にエツチングのときに、複合基層の上層である有機層を
エツチングしないバリア膜を下地とする必要がある。
解決手段
上記問題点は、無機層の上に有機層を設けて形成した複
合基層の上に、下地としてＰｔ膜を有し、この上ＫＴ＆
膜からなるＸ線吸収体を有することを特徴とするＸ線リ
ソグラフィー用マスクによって解決される。
合基層の上に、下地としてＰｔ膜を有し、この上ＫＴ＆
膜からなるＸ線吸収体を有することを特徴とするＸ線リ
ソグラフィー用マスクによって解決される。
作用
下地のｐｔは、吸収材のＴａをエツチングするときに、
基層ポリアミドの工、チングパリアとして作用シ、また
レジストをアッシングするときに、基層ポリイミドのア
ッシングバリアとして作用するばかりでなく、非剛体の
ポリイミドの上にＴａ吸収体を安定して支持することが
できる。Ｔａは、Ｘ線吸収率が大きいはかシでなく、ｐ
ｔとの密着性も良好であシ、もっともｆ［要な利点は、
ｃｃｔ、／Ｃｔ２混合ガスによるリアクティプイオンエ
、チングにおいて工、チング率がレジストの７〜ｌＯ倍
であって、しかも実質的に垂直に）９ターニングできる
ことである。
基層ポリアミドの工、チングパリアとして作用シ、また
レジストをアッシングするときに、基層ポリイミドのア
ッシングバリアとして作用するばかりでなく、非剛体の
ポリイミドの上にＴａ吸収体を安定して支持することが
できる。Ｔａは、Ｘ線吸収率が大きいはかシでなく、ｐ
ｔとの密着性も良好であシ、もっともｆ［要な利点は、
ｃｃｔ、／Ｃｔ２混合ガスによるリアクティプイオンエ
、チングにおいて工、チング率がレジストの７〜ｌＯ倍
であって、しかも実質的に垂直に）９ターニングできる
ことである。
実施例
図面を参照して、本発明の実施態様を説明する・第１図
は本発明の実施態様であるＸ線リソグラフィー用マスク
要部の断面図である。
は本発明の実施態様であるＸ線リソグラフィー用マスク
要部の断面図である。
厚み６００膵のＳ１ウエハ２に、厚み５μｍのＢ５Ｎ４
膜３をＬＰＣＶＤで成膜し、この上にポリアミ、り酸を
スピンコーティングし、かつベーキングして厚み５μｍ
のポリイミド膜４を成膜して、無機／有機複合基層を形
成し、これを・ぐイレ、クスリ／グ１に取付けた。
膜３をＬＰＣＶＤで成膜し、この上にポリアミ、り酸を
スピンコーティングし、かつベーキングして厚み５μｍ
のポリイミド膜４を成膜して、無機／有機複合基層を形
成し、これを・ぐイレ、クスリ／グ１に取付けた。
次に、本発明によって、第１図に示すように、ポリイミ
ド膜４の上に厚みｚｏｏｌｏｐｔ膜５をスパッタリング
して成膜し、さらにこの上に厚み８０００ＸのＴ＆膜６
をスパッタリングして成膜した。
ド膜４の上に厚みｚｏｏｌｏｐｔ膜５をスパッタリング
して成膜し、さらにこの上に厚み８０００ＸのＴ＆膜６
をスパッタリングして成膜した。
ＰＭＭＡレジスト７ｔ−スピンコーティング、カつベー
キングし、電子緑露光してＴａ１Ｊ６上にレジストパタ
ーンを形成し、とのレジス）ｋマスクとしてＣＣｔ４／
ｃｔ２リアクティブイオンエツチングしてＴａ膜を垂直
に加工した（第２図）。レジスト７は０２プラズマアツ
シングし、露出したｐｔ膜５はＡｒスパ、タリングして
除去ＬＡ’ｆａ膜６の下にのみＰｔ膜５ｔ−残した。次
に、ポリイミド保護膜８ｔ−成膜し、最後にＳ１ウエハ
２ ｅ ＨｓＰＯμ０３混酸でパ、クエッチングして、
ノクイレックスリング１内の部分を除いて、マスクを完
成した（第３図）。
キングし、電子緑露光してＴａ１Ｊ６上にレジストパタ
ーンを形成し、とのレジス）ｋマスクとしてＣＣｔ４／
ｃｔ２リアクティブイオンエツチングしてＴａ膜を垂直
に加工した（第２図）。レジスト７は０２プラズマアツ
シングし、露出したｐｔ膜５はＡｒスパ、タリングして
除去ＬＡ’ｆａ膜６の下にのみＰｔ膜５ｔ−残した。次
に、ポリイミド保護膜８ｔ−成膜し、最後にＳ１ウエハ
２ ｅ ＨｓＰＯμ０３混酸でパ、クエッチングして、
ノクイレックスリング１内の部分を除いて、マスクを完
成した（第３図）。
発明の効果
本発明によれば、線幅および線間が０．５μｍ程度のパ
ターンの形成に使用できるＸ線リソグラフィー用マスク
を提供することができる。
ターンの形成に使用できるＸ線リソグラフィー用マスク
を提供することができる。
第１図は本発明のＸ線リソグラフィー用マスクの実施態
様の要部断面図であシ、 第２図は本発明のＸ線リソグラフィー用マスクの吸収体
形成工程を示す断面図であシ、第３図は本発明のＸ線リ
ソグラフィー用マスクの実施態様の断面図である。 ｌ・・りぐイレックスリング、２・・・ｓ１クエハ、３
・・・複合基層の無機層、４・・・複合基層の有機層、
５・・・ｐｔ膜、６・・・Ｔａ膜、７・・・レジスト、
８・・・保ｌＩ！膜。
様の要部断面図であシ、 第２図は本発明のＸ線リソグラフィー用マスクの吸収体
形成工程を示す断面図であシ、第３図は本発明のＸ線リ
ソグラフィー用マスクの実施態様の断面図である。 ｌ・・りぐイレックスリング、２・・・ｓ１クエハ、３
・・・複合基層の無機層、４・・・複合基層の有機層、
５・・・ｐｔ膜、６・・・Ｔａ膜、７・・・レジスト、
８・・・保ｌＩ！膜。
Claims (1)
- 無機層の上に有機層を設けて形成した複合基層の上に、
下地としてＰｔ膜を有し、この上にＴａ膜から成るＸ線
吸収体を有することを特徴とするＸ線リソグラフィー用
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178262A JPS6158233A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178262A JPS6158233A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158233A true JPS6158233A (ja) | 1986-03-25 |
| JPH0340498B2 JPH0340498B2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=16045412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59178262A Granted JPS6158233A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
| JP2012126113A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Tohoku Univ | 金属デポジションを用いたナノインプリント金型の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59178262A patent/JPS6158233A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
| JP2012126113A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Tohoku Univ | 金属デポジションを用いたナノインプリント金型の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0340498B2 (ja) | 1991-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5669835A (en) | Method for forming thin film pattern | |
| JPS6158233A (ja) | Ｘ線リソグラフイ−用マスク | |
| JP3349001B2 (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| JPS58151023A (ja) | 多層よりなるレジスト層の形成方法 | |
| JPS5834921A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5864616A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS6270838A (ja) | 電子線レジスト | |
| JPS5856333A (ja) | マスクアライメントのためのキ−パタ−ン形成法 | |
| JPS63104327A (ja) | Ｘ線マスク、およびその製造方法 | |
| JPS63254728A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH041492B2 (ja) | ||
| JPS59163828A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS612156A (ja) | フオトフアブリケーシヨン用マスクの製作方法 | |
| JPS60173712A (ja) | 薄膜パタ−ン付設基板の表面平担化方法 | |
| JPS63140530A (ja) | Ｘ線マスク | |
| JPS61127128A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0391233A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH054806B2 (ja) | ||
| JPH0748468B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6367731A (ja) | ステツパ用ｘ線マスク | |
| JPS5498179A (en) | Preparation of minute circuits and elements | |
| JPS5756915A (en) | Forming method for magnetic layer pattern | |
| JPS5868994A (ja) | ジヨセフソン集積回路の作成法 | |
| JPS61276221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02301575A (ja) | 金属膜パターン形成方法 |