JPS5834921A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5834921A JPS5834921A JP56135284A JP13528481A JPS5834921A JP S5834921 A JPS5834921 A JP S5834921A JP 56135284 A JP56135284 A JP 56135284A JP 13528481 A JP13528481 A JP 13528481A JP S5834921 A JPS5834921 A JP S5834921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultra violet
- photoresist
- coated
- visible ray
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法にかかり、とくに半導体
基板上に７オトレジストのパターンを形成する方法に関
するものである。
基板上に７オトレジストのパターンを形成する方法に関
するものである。
最近、微細加工技術の進展に伴い、ポジ型フォトレジス
トの使用頻度が高まってきた。その理由は一般にポジ型
フォトレジストはネガ型７寸トレジスＦと比較して解像
力が優り、また、フォトマスクに於て黒地の部分が多い
ため塵埃の影餐を受けにくく高歩留りが期待できるから
である。しかしながら一般にポジ型フォトレジストは石
炭酸信脂を主成分としているためエツチング時の耐薬品
性に劣るという欠点があり、歩留り低下の一因にもなっ
ていた。
トの使用頻度が高まってきた。その理由は一般にポジ型
フォトレジストはネガ型７寸トレジスＦと比較して解像
力が優り、また、フォトマスクに於て黒地の部分が多い
ため塵埃の影餐を受けにくく高歩留りが期待できるから
である。しかしながら一般にポジ型フォトレジストは石
炭酸信脂を主成分としているためエツチング時の耐薬品
性に劣るという欠点があり、歩留り低下の一因にもなっ
ていた。
本発明はポジ型フォトレジストの高解像力を生かしつつ
、且つ、耐薬品性による歩留りの低下を防止できる方法
を提供するものである。
、且つ、耐薬品性による歩留りの低下を防止できる方法
を提供するものである。
本発明は半導体基板上の被エツチング物質上に遠紫外感
光性のネガ型フォトレジストを塗布し更に、その上に、
遠紫外光に対し不透明なポジ型フォトレジストの薄膜を
塗布し、可視光を用いてポジ型フォトレジストのパター
ニングを行った後、これをマスクとして遠紫外露光によ
って下ノーのネガ型フォトレジストのパターニングを貸
う方法である。
光性のネガ型フォトレジストを塗布し更に、その上に、
遠紫外光に対し不透明なポジ型フォトレジストの薄膜を
塗布し、可視光を用いてポジ型フォトレジストのパター
ニングを行った後、これをマスクとして遠紫外露光によ
って下ノーのネガ型フォトレジストのパターニングを貸
う方法である。
本発明によれば、高解像度のバターニングを行うことが
でき、且つ、得られたフォトレジストのパターンは強力
な耐薬品性を持っている。
でき、且つ、得られたフォトレジストのパターンは強力
な耐薬品性を持っている。
次に、図面を用いて本発明の実施例について説明する。
本実施例では半導体基板上の金に４膜のパターニングを
行う場合を例にとって説明を行う。
行う場合を例にとって説明を行う。
第１図に於て、半導体基板１上には金属薄膜２が被着さ
れている。次に、該金属膜２上に遠紫外光に対して感光
性を持つネガ型フォトレジスト３を塗布する。次に、可
視光に対して感光性を持ち且つ、遠紫外光に対して不透
明であるポジ型フォトレジスト４を塗布し、フォトマス
ク５を密着し可視光６を照射した後現像を行う。現像後
は第２図に示す様に可視光を照射された部分のポジ型フ
ォトレジスト層は除去され開口が形成される。次に、遠
紫外光７を照射した後現像を行う。
れている。次に、該金属膜２上に遠紫外光に対して感光
性を持つネガ型フォトレジスト３を塗布する。次に、可
視光に対して感光性を持ち且つ、遠紫外光に対して不透
明であるポジ型フォトレジスト４を塗布し、フォトマス
ク５を密着し可視光６を照射した後現像を行う。現像後
は第２図に示す様に可視光を照射された部分のポジ型フ
ォトレジスト層は除去され開口が形成される。次に、遠
紫外光７を照射した後現像を行う。
フォトレジスト４は遠紫外光に対し不透明であるため、
下層のネガ型フォトレジスト３は開口部分のみが露光さ
れ、第３図に示す様なパターンが形成される。
下層のネガ型フォトレジスト３は開口部分のみが露光さ
れ、第３図に示す様なパターンが形成される。
次に、これを適当なエツチング液中で処理し第４図に示
す様な金属のパターンが形成される。
す様な金属のパターンが形成される。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を説明するための
断面図である。 面図において、′１は半導体基板、２は金ｋＩ４膜、３
はネガ型フォトレジスト、４はボ＼８１！フォトレジス
ト、５はフォトマスク、６は可視光、７は遠紫外光であ
る。 八−介。 ｍ−ノー Ｊ“ □−−ノーー 一一ノ− −ｒｉ −」へ− ？ 々 １ 図 ／ グ ？ 、 茎 、、）′ 図
断面図である。 面図において、′１は半導体基板、２は金ｋＩ４膜、３
はネガ型フォトレジスト、４はボ＼８１！フォトレジス
ト、５はフォトマスク、６は可視光、７は遠紫外光であ
る。 八−介。 ｍ−ノー Ｊ“ □−−ノーー 一一ノ− −ｒｉ −」へ− ？ 々 １ 図 ／ グ ？ 、 茎 、、）′ 図
Claims (1)
- 半導体基板上の被エツチング物質上に遠紫外領域で感光
性を持つネガ型フォトレジストを塗布する工程と、蒙７
オＦレジスト上に可視領域で感光性を持ち遠紫外光に対
して不透明なポジ１１７オＦレジストを塗布する工程と
、７オＦマスクを用いて可視光照射により前記ポジ型フ
ォトレジストをパターニングする工程と、遠紫外光照射
により前記ネガ型７オシレジストをパターニングする工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135284A JPS5834921A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135284A JPS5834921A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834921A true JPS5834921A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15148099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135284A Pending JPS5834921A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834921A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106132A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS60116132A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH05287826A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-02 | Koiwa Kanaami Kk | 間仕切装置 |
| WO2004103040A3 (de) * | 2003-05-13 | 2005-06-09 | Austria Tech & System Tech | Verfahren zur beschichtung von rohlingen zur herstellung von gedruckten leiterplatten (pcb) |
| JP2008516094A (ja) * | 2004-10-04 | 2008-05-15 | シューバース・ゲーエムベーハー | クラッシュ・ヘルメット |
-
1981
- 1981-08-27 JP JP56135284A patent/JPS5834921A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106132A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS60116132A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH05287826A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-02 | Koiwa Kanaami Kk | 間仕切装置 |
| WO2004103040A3 (de) * | 2003-05-13 | 2005-06-09 | Austria Tech & System Tech | Verfahren zur beschichtung von rohlingen zur herstellung von gedruckten leiterplatten (pcb) |
| JP2008516094A (ja) * | 2004-10-04 | 2008-05-15 | シューバース・ゲーエムベーハー | クラッシュ・ヘルメット |
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