JPS6159652B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、外周面に電極を有する磁器チユーブ
に金属キヤツプを嵌着する形式の磁器コンデンサ
に関する。

磁器コンデンサを構成するための磁器素体は、
例えばチタン酸バリウム（BaTiO₃）又はチタン酸
ストロンチウム（SrTiO₃）を主成分とするセラミ
ツク材料と、バインダとの混練物を成形し、焼結
することによつて作られる。ところが、成形物を
焼成すると、バラツキを有した状態で約20％にも
及ぶ焼結収縮が生じ、磁器素体の寸法にもバラツ
キが生じる。このため、金属キヤツプ付の円筒型
磁器キヤパシタを製作する際には、スプリングを
有する金属キヤツプを磁器チユーブに嵌着する。

ところで、電極を有する磁器チユーブと金属キ
ヤツプとの結合は強固であることが望ましい。こ
のため、米国特許第3233028号において、金属キ
ヤツプを嵌着した後に合成樹脂でモールドするこ
とが開示されている。

一方、円筒型磁器キヤパシタの電気的特性を長
期間に渡つて安定的に保つために、磁器チユーブ
の内部（中空部）を外気から実質的隔離すること
が要求される。そこで、前記米国特許第3233028
号には中空部にシリコーン・ゲルを充填すること
が開示されている。

しかし、前記米国特許第3233028号には、合成
樹脂でモールドする前に金属キヤツプと、電極を
有する磁器チユーブ（キヤパシタ素子）とを強固
に結合することが開示されていない。

磁器チユーブと金属キヤツプとの結合を強固に
し、且つ磁器チユーブの内部を気密的に保護する
ために、磁器チユーブ上の電極と金属キヤツプと
の境界領域に半田又は導電性接着剤を付着させ、
金属キヤツプと電極とを電気的且つ機械的に強固
に結合すると共に、半田又は導電性接着剤で磁器
チユーブの内部を気密的にシールすることが考え
られる。ところが、半田又は導電性接着剤が金属
キヤツプと磁器チユーブとの間を通つて内部に入
り込み、しばしば一方の電極と他方の電極との間
を短絡状態にする。また半田にコンデンサ電極材
料が吸収されて容量変化が生じる。

そこで、本発明の目的は、コンデンサ電極材料
の半田への移行が制限され、且つ金属キヤツプの
円筒状磁器コンデンサ素子に対する結合が強固に
なされ、且つ電極間短絡が防止されている円筒型
磁器コンデンサを提供することにある。

上記目的を達成するための本発明は、少なくと
もその一端近傍の外周面及びその他端近傍の外周
面に第１及び第２の電極を有する円筒状磁器コン
デンサ素子と、前記円筒状磁器コンデンサ素子の
両端部に嵌着され、且つ端子機能を有するように
形成された一対の金属キヤツプとを備えている円
筒型磁器コンデンサにおいて、前記一対の金属キ
ヤツプにはその内周壁面から突出する複数の突起
が夫々設けられ、少なくとも前記突起の表面上に
半田メツキ層が設けられ、前記突起が前記電極に
食い込むように前記円筒状磁器コンデンサ素子に
前記一対の金属キヤツプが嵌着され、前記突起の
部分の前記半田メツキ層の半田によつて前記一対
の金属キヤツプが前記第１及び第２の電極に電気
的に接続され、少なくとも前記一対の金属キヤツ
プの開放端部及びその近傍と前記第１及び第２の
電極との隙間に絶縁シール層が設けられているこ
とを特徴とする円筒型磁器コンデンサに係わるも
のである。

上記発明では、金属キヤツプと電極との間の隙
間を半田のみでシールせずに、絶縁シール層を伴
なつてシールしている。シール層を絶縁物で形成
しても、金属キヤツプの突起を電極に食い込ま
せ、且つ突起をここに設けた半田メツキ層によつ
て電極に半田結合させているので、金属キヤツプ
と電極との電気的接続は良好に達成される。半田
と絶縁シール層とを組み合せた本願発明の磁器コ
ンデンサにおいては、半田のみで金属キヤツプの
電極への結合及びシールを行つていた従来の磁器
コンデンサに比較して、半田の量が大幅に少なく
なるために、電極材料の半田への移行が大幅に少
なくなり、容量変化及びコンデンサ特性の劣化が
少なくなる。また、半田が金属キヤツプと電極と
の間を通つて円筒型コンデンサ素子の内部に流入
し、第１の電極と第２の電極との間を短絡させる
ような事態が生じなくなる。

以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明す
る。

実施例 １ 本発明の第１の実施例に係わる円筒型磁器キヤ
パシタを工程順に説明すると、まず、チタン酸ス
トロンチウム（SrTiO₃）を主成分とする誘電体磁
器材料とバインダとの混練物を押出し成形機にて
長手の中空円筒体に成形し、次いで適当な長さに
切断してから焼成し、しかる後、端面を研摩（面
とり）することによつて第１図のセラミツク・チ
ユーブ２０を形成する。

次に、セラミツク・チユーブ２０の中空部即ち
貫通孔２１に、銀粉末とガラスフリツトと樹脂と
溶剤とから成る導電塗料即ち銀ペイントを付着さ
せたピンを挿入し、またセラミツク・チユーブ２
０の外周面２２には前記銀ペイントを付着させた
ローラを接触させ、所定領域のみに銀ペイントを
塗布し、500〜800℃の焼付処理を施し、第１図に
示す如く内側電極としての第１の電極２３と、外
側電極としての第２の電極２４とを形成する。こ
の実施例における第１の電極２３はチユーブ２０
の右端２５から約0.3mmの空白部を有して貫通孔
２１の壁即ちチユーブ２０の内周面に形成されて
いると共に、チユーブ２０の左端２６を介して外
周面２２に導出されている。これに対して、第２
の電極２４は、第１の電極２３との間に第１及び
第２の分離領域２７，２８を有してチユーブ２０
の外周面２２に形成されている。

尚、第１図に示す一対の電極２３，２４を有す
るセラミツクチユーブ２０の寸法を示すと、チユ
ーブ２０の長さが約７mm、その外径が約1.78mm、
貫通孔２１の径が約１mmであり、第１及び第２の
電極２３，２４の厚さが約10μｍであるから、電
極２３，２４を形成した円筒形キヤパシタ素子の
外径は約1.8mmである。またチユーブ２０の左右
の端２５，２６は半径0.25mm程度の曲面となるよ
うに研摩（面取り）されている。この左右の端２
５，２６の研摩は金属キヤツプにチユーブ２０を
円滑に圧入するために必要である。

次に第１及び第２の電極２３，２４を有するセ
ラミツク・チユーブ２０を、好ましくは0.03％以
下の低塩素分のロジン（松やに）のアルコール溶
液（好ましくは10〜40％、より好ましくは20％の
アルコール溶液）に浸漬し、しかる後、ロジンを
好ましくは約150〜170℃、より好ましくは165℃
で約１時間乾燥させて、第１及び第２の電極２
３，２４の上及び第１及び第２の分離領域２７，
２８の上に約数オングストロームのロジン膜を形
成する。このロジン膜は極めて薄いので、第１図
等の多くの図面で省略しているが、第８図の拡大
図で符号２９で示されている。このロジン膜２９
は後の工程で第１及び第２の電極２３，２４と金
属キヤツプとの半田結合を助けると共に、第１及
び第２の電極２３，２４の酸化を防止し、また防
湿膜としても機能し、更にまた10¹⁵Ωcm程度の抵
抗率を有するので、第１及び第２の分離領域２
７，２８において第１及び第２の電極２３，２４
間を絶縁分離するための絶縁膜としても機能す
る。

第２図〜第４図は、第１図に示した一対の電極
２３，２４を有するセラミツク・チユーブ２０即
ちキヤパシタ素子に嵌着するための金属キヤツプ
３０を示す。この金属キヤツプ３０は、冷間圧延
鋼板をプレス成形したものであり、円筒部３２と
底部３３とを有してコツプ状に形成され、更に一
端３１から切り込まれた４つのスリツト３４、及
びこの４つのスリツト３４の相互間に設けられた
電極に圧接するための４つの突起３５を有する。
円筒部３２の内周面３６から内側に突出する上記
の４つの突起３５の内接円の直径は、鎖線で示す
電極２３の外径よりも僅かに大きく形成されてい
る。またチユーブ２０の圧入を容易にするため
に、突起３５は半球状又は台形状に形成されてい
る。

この実施例では円筒部３２の内径が1.85mmであ
り、略等間隔に内周面３６に配置された４つの突
起３５の内接円の直径が1.75mmである。従つて突
起３５の高さは0.05mmである。また金属キヤツプ
３０の厚さは0.15mmであるので、その外径は2.15
mmである。また金属キヤツプ３０の一端３１から
底部３３までの深さは1.4mmであり、その約2/3の
深さにスリツト３４が約0.05mm幅を有して形成さ
れている。突起３５の内接円の直径は第１及び第
２の電極２３，２４の外径の93.8％〜99.8％の範
囲であることが好ましく、更に93.8％〜99.5％で
あることがより好ましく、97.1％〜97.6％である
ことが最も好ましい。もし、突起３５の内接円が
大き過ぎると、一対の電極２３，２４を有するセ
ラミツクチユーブ２０と金属キヤツプ３０との間
のガタ及び抜けによる不良、電極２３，２４と金
属キヤツプ３０との間の電気的接触不良、及び
tanδの不良等が発生し、他方、突起３５の内接
円が小さ過ぎると、圧入時において金属キヤツプ
３０でセラミツクチユーブ２０に損傷又はマイク
ロクラツクを発生させる不良、完成品における容
量Ｃ、tanδ、絶縁抵抗が所定値にならないとい
う不良が多くなる。

金属キヤツプ３０に形成された突起３５の高さ
は1.8mmの電極２３，２４の外径に対して0.03〜
0.05mmの範囲であることが好ましく、最も好まし
くは0.03〜0.04mmの範囲である。

尚金属キヤツプ３０はセラミツク・チユーブ２
０の圧入によつて円筒部３２の径が大きくなるよ
うに変形しなければならないので、本実施例では
約600℃、約30分間のアニールが施されている。
このようにアニールを施し且つスリツト３４を設
けると、円筒部３２の外周を1.3Kgで押圧するこ
とにより、約20％の楕円変形が生じる。この変形
量はキヤパシタ素子を圧入するのに適した値であ
り、鉄の代りに黄銅を金属キヤツプ材料として使
用し、約500℃、約20分間のアニールを行つても
得ることができる。

第２図〜第４図では省略されているが、金属キ
ヤツプ３０は、第８図に示す如く、鉄基体３７の
上に、約１μｍの銅メツキ層３８を有し、更に銅
メツキ層３８の上に約４μｍの半田層３９を有す
る。この半田層３９は鉛８〜12％と錫88〜92％の
比率、好ましくは鉛10％と錫90％の比率の半田層
であり、メツキによつて形成されている。半田層
３９は突起３５を第１又は第２の電極２３，２４
に半田結合するために使用されるが、金属キヤツ
プ３０とチユーブ２０を内部を気密的にシールす
るためには使用されない。従つて半田層３９の厚
さは３〜10μｍの範囲であることが好ましい。ま
たこの実施例では金属キヤツプ３０の全周に半田
層３９が設けられているが、突起３５又はその近
傍のみに塗布によつて設けてもよい。

第２図〜第４図から明らかなように金属キヤツ
プ３０の底部３３の中央に外部回路に接続するた
めのリード線４０が電気溶接されている。このリ
ード線４０の溶着は、電極を有するセラミツク・
チユーブ２０に金属キヤツプ３０を嵌着した後に
行つても差支えないが、本実施例では自動化を容
易にするために金属キヤツプ３０を嵌着する直前
に行つている。

次に、一対の電極２３，２４を有するセラミツ
クチユーブ２０即ちキヤパシタ素子に対して第５
図に示す如く第１の金属キヤツプ３０と第２の金
属キヤツプ４１とを嵌着する。第２の金属キヤツ
プ４１の構造は、第１の金属キヤツプ３０と全く
同一であるので、各部に同一符号を付してその説
明を省略する。この実施例では、第１及び第２の
金属キヤツプ３０，４１の嵌着を自動化装置で能
率的に行うために、一対の電極２３，２４を有す
るセラミツクチユーブ２０即ちキヤパシタ素子を
固定した状態で、第１の金属キヤツプ３０を第５
図で左から右に移動し、同時に第２の金属キヤツ
プ４１を右から左に移動することによつて行う。
第１及び第２の金属キヤツプ３０，４１には夫々
突起３５が設けられ、一端３１の内径が第１及び
第２の電極２３，２４における外径よりも大きく
形成されているので、円筒部３２の中に、電極２
３，２４を有するチユーブ２０は容易に挿入され
る。第１及び第２の金属キヤツプ３０，４１の移
動を続けると、第１の金属キヤツプ３０の突起３
５が第１の電極２３に食い込み、また第２の金属
キヤツプ４１の突起３５が第２の電極２４に食い
込む。この際、セラミツク・チユーブ２０の右端
２５と左端２６が夫々面とりされ、また突起３５
が半球状に形成されているので、第１及び第２の
電極２３，２４と第１及び第２の金属キヤツプ３
０，４１の突起３５の噛み合いは円滑に開始す
る。第１及び第２の金属キヤツプ３０，４１の移
動に伴い、最初は第１及び第２の金属キヤツプ３
０，４１がスリツト３４の働きで弾性変形する
が、ついに弾性限界を越えて塑性変形し、第１及
び第２の電極２３，２４に夫々強固に電気的、機
械的に結合する。

しかし、セラミツク・チユーブ２０の径にバラ
ツキがあると、４つの突起３５のうちの１つ又は
２つが第１及び第２の電極２３，２４に接触しな
い。そこで、約350℃、約30秒間の加熱処理によ
つて金属キヤツプ３０，４１の半田層３９を溶融
し、突起３５と第１及び第２の電極２３，２４と
の間及びその周辺の半田によつて電気的且つ機械
的結合を達成する。また第１及び第２の電極２
３，２４に既に食い込んでいる突起３５において
も、突起３５及びその近傍と第１及び第２の電極
２３，２４との間に半田を介在させて電気的且つ
機械的結合を更に強固なものとする。尚前述した
ロジン膜２９は上述の半田結合を助ける。

次に、第１の金属キヤツプ３０のリード線４
０、及び第２の金属キヤツプ４１のリード線４２
をストレーナで真すぐにする。磁器キヤパシタの
完成をまたずに、この段階でリード線４０，４２
の曲りをなおすのは、一対のリード線４０，４２
を軸にしてセラミツクチユーブ２０及び一対の金
属キヤツプ３０，４１を回転しつつ後述のシール
層及び外装絶縁層を均一且つ容易に形成するため
である。本実施例では前述の如く一対の金属キヤ
ツプ３０，４１が既に一対の電極２３，２４に強
固に結合されているので、ストレーナでリード線
４０，４２を引張つても、金属キヤツプ３０，４
１がセラミツクチユーブ２０の電極２３，２４か
ら外れる恐れは殆んどない。

次に、ビスフエノールＡ型エポキシレジンと、
充填剤と、硬化剤とから成る絶縁塗料を用意し、
これを付着させたローラを第１及び第２の金属キ
ヤツプ３０，４１とセラミツク・チユーブ２０上
の第１及び第２の電極２３，２４との境界領域に
塗布し、硬化させる。この際、硬化工程又はその
後の工程での加熱で、チユーブ２０内の空気が膨
張して吹き出すのを防止するために、予め金属キ
ヤツプ３０，４１を被着したセラミツク・チユー
ブ２０を後の工程の最高温度よりも高い250℃〜
350℃で加熱し、チユーブ２０内の空気の一部を
排出した状態でシール用の絶縁塗料を塗布する。
勿論、加熱の代りに真空手段でチユーブ２０内の
空気の一部又は全部を排出した状態でシール用絶
縁塗料を塗布してもよい。また絶縁塗料の塗布
は、一対のリード線４０，４２を軸受にて支持し
た状態で絶縁塗料を付着させたローラを金属キヤ
ツプ３０，４１と電極２３，２４との境界領域に
当接させて行うので、一対のリード線４０，４２
が軸となつて金属キヤツプ３０，４１を被着させ
たチユーブ２０が回転しつつ、塗布が行われ、境
界領域の全周に比較的均一に絶縁塗料が付着す
る。しかる後、絶縁塗料を約150℃、約20分間で
硬化し、金属キヤツプ３０，４１上の厚さが約70
μｍとなるシール層４３を形成する。尚シール層
４３はスリツト３４の上にも形成して金属キヤツ
プ３０，４１及びチユーブ２０の内部を気密状態
にする。この際、スリツト３４は極めて狭い（約
0.05mm）ので、絶縁塗料によつて容易にシールさ
れる。このシール工程において、例え絶縁塗料が
金属キヤツプ３０，４１の中に深く浸入したとし
ても、絶縁物であるので、第１の電極２３と第２
の電極２４の短絡は生じない。シール層４３に
は、−65℃〜130℃の範囲でのヒートサイクルに耐
えること、密着性及び耐湿性が良いこと、絶縁性
であることが要求される。このような条件を満足
させるために、本実施例では、ビスフエノールＡ
型エポキシレジンに、タルク（Mg₃Si₄O₁₀
（OH）₂）、炭酸カルシウム（CaCO₃）、シリカ
（SiO₂）から成る充填剤を約31.5％付加し、また酸
無水物の硬化物を付加した粘度約48000cpsの絶
縁塗料を使用している。そしてこの絶縁塗料によ
れば、ヒートサイクルに耐えることが可能なシヨ
アーＤが約65の硬さのシール層４３が得られる。
また１時間煮沸後のシール層４３の吸水率は0.1
％以下となる。またシール層４３による金属キヤ
ツプ３０，４１と電極２３，２４との接着強度は
約100Kg／cm²である。またシール層４３の抵抗率
は約2.7×10¹⁴Ωcmである。また第６図に示すよ
うにシール層４３を設けたものを125℃のシール
試験液の中に浸漬して気泡が連続的に発生するか
どうかを調べたところ、全然発生しなかつた。

ところで、シール層４３がヒートサイクルに耐
えるためには、その硬さがシヨアーＤで50〜80の
範囲であることが望ましく、約65であることが最
も望ましい。そして、このようなシール層４３
は、ビスフエノールＡ型エポキシレジンに対して
充填剤を25〜35％付加することによつて得られ
る。充填剤は前述のタルク、炭酸カルシウム、シ
リカの混合物であつてもよいが、これ等から選択
された１種又は２種であつてもよい。また一般に
使用される別な充填剤から選択したものを使用し
ても勿論差支えない。

上述の実施例ではビスフエノールＡ型エポキシ
樹脂を使用しているが、この他に、ポリブタジエ
ン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリ
コンラバー等に充填剤を付加するか、又は付加し
ないで、シール層４３を形成することも可能であ
る。

シール層４３の形成が終了したら、セラミツ
ク・チユーブ２０に対する防湿特性を更に上げる
ためにフエノール樹脂のアルコール溶液を塗布
し、約150℃で硬化することによつて第７図に示
す第１の被覆絶縁層４４を数オングストロームの
厚さに形成する。次に、粉体エポキシ樹脂が溶融
することが可能な温度（約200℃）にキヤパシタ
素子を加熱し、この加熱したキヤパシタ素子を一
対のリード線４０，４２を利用して回転させなが
ら粉体エポキシ樹脂に接触させて全周にこれを溶
融付着させ、しかる後、約170℃、15分間加熱
（焼付）することによつて外径が約2.7mmとなるよ
うに第７図に示す第２の被覆絶縁層４５を形成す
る。上述の第１及び第２の被覆絶縁層４４，４５
を形成する際に、キヤパシタ素子は勿論加熱され
るが、金属キヤツプ３０，４１及びチユーブ２０
の内の空気の一部又は全部は予め排出され、且つ
シール層４３にて気密的にシールされているの
で、空気が膨張してシール層４３を介して吹き出
して、第１及び第２の被覆絶縁層４４，４５にピ
ンホールが発生することはない。

この実施例では、第１及び第２の金属キヤツプ
３０，４１は第１及び第２の電極２３，２４に圧
入変形で強固に結合され、また突起３５の部分で
半田によつても結合され、更にシール層４３にて
結合されているので、第１及び第２の被覆絶縁層
４４，４５が、金属キヤツプ３０，４１とセラミ
ツク・チユーブ２０の電極２３，２４との結合に
寄与する度合は小さくてよい。このため、第１及
び第２の被覆絶縁層４４，４５は比較的薄く形成
されている。

第７図には示されていないが、必要に応じてカ
ラーコードのための着色がなされ、磁器キヤパシ
タが完成する。完成した磁器キヤパシタは、一対
のリード線４０，４２を電気回路に接続すること
によつて使用される。

本実施例によれば、次のメリツトがある。

(a) 突起３５又はこの近傍のみで半田結合されて
いるので、電極材料の半田への移行が少なくな
る。また突起３５による弾性的結合と半田によ
る電気的結合との両方で結合されるので、強固
な結合が得られる。

(b) シール層４３を絶縁塗料で形成しているの
で、絶縁塗料が内部に浸入しても電極間短絡が
発生しない。

(c) シール層４３は弾性又はフレキシブル性を有
しているので、−65〜130℃程度のヒートサイク
ルに耐える。

(d) シール層４３は接着性、耐湿性が優れている
ので、セラミツク・チユーブ２０中空部即ち貫
通孔２１を外部から保護することができる。

(e) シール層４３を設ける前に、内部の空気を排
出しているので、シール層４３を形成するため
の加熱又は第１及び第２の被覆絶縁層４４，４
５を形成する際の加熱等で内部の空気が吹き出
す恐れが少ない。

(f) 金属キヤツプ３０，４１の突起３５を電極２
３，２４に食い込ませることによつて結合をな
し、シール層４３を形成する前においては、突
起３５以外の部分で内部と外部とが通じている
ので、内部の空気の排出を迅速に行うことが可
能になる。

(g) 金属キヤツプ３０，４１が圧入変形し、突起
３５が電極２３，２４に強固に電気的及び機械
的に結合するので、リード線の曲りをなおす工
程を、キヤパシタの完成前に設けることが可能
になる。このため、リード線４０，４２を軸と
してキヤパシタ素子を回転しつつシール層４
３、第１及び第２の被覆絶縁層４４，４５を比
較的均一且つ能率的に形成することが可能にな
る。

(h) 電極２３，２４を有するセラミツク・チユー
ブ２０にロジン膜２９が形成されているので、
半田結合が容易になるのみならず、電極２３，
２４の酸化防止、防湿、電気的絶縁の効果も生
じる。

(i) セラミツク・チユーブ２０の右端２５及び左
端２６が面とりされているので、金属キヤツプ
３０，４１への挿入を円滑に行うことができ
る。

(j) 金属キヤツプ３０，４１とセラミツク・チユ
ーブ２０との結合が強固であると共にシールさ
れた状態にあるので、第１及び第２の被覆絶縁
層４４，４５を薄くすることが可能になる。

実施例 ２ 本発明の第２の実施例に係わる磁器キヤパシタ
を示す第９図において、第７図に示した磁器キヤ
パシタと共通する部分には同一の符号が付されて
いる。この実施例においても、第１の実施例と同
様に第１及び第２の電極２３，２４を有するセラ
ミツク・チユーブ２０を用意し、この外周にロジ
ン膜（図示省略）を形成する。このようなセラミ
ツク・チユーブ２０に被着する第１及び第２の金
属キヤツプ３０ａ，４１ａは、これ等の底部３３
に凹部５１を形成し、ここに夫々のリード線４
０，４２を溶接したことを除いた外は、実施例１
で説明した金属キヤツプ３０，４１と全く同一で
ある。従つて各部の詳しい説明を省略する。

電極２３，２４を有するセラミツク・チユーブ
２０即ちキヤパシタ素子に第１及び第２の金属キ
ヤツプ３０ａ，４１ａを実施例１と同様な方法で
被着し、しかる後、加熱処理によつて、第１及び
第２の金属キヤツプ３０ａ，４１ａの半田層によ
つて突起３５を第１及び第２の電極２３，２４に
半田結合する。次に、実施例１と同様に内部の空
気の一部を排出し、シール層４３を実施例１と同
様な絶縁材料で形成する。但し、この第２の実施
例では、シール層４３を防湿にも利用するため
に、第１の金属キヤツプ３０ａと第２の金属キヤ
ツプ４１ａとの間の領域にも形成している。この
ようなシール層４３は外周面が凸状の段付きロー
ラに絶縁塗料を付着させ、これを金属キヤツプ３
０ａ，４１ａ付のキヤパシタ素子に接触させるこ
とによつて容易に形成される。この実施例ではシ
ール層４３に防湿機能を持たせているので、第１
の実施例における第１の被覆絶縁層４４は設けず
に、粉体エポキシ樹脂によつて単一の被覆絶縁層
４５ａのみを設ける。この場合、金属キヤツプ３
０ａ，４１ａに凹部５１が夫々設けられているの
で、被覆絶縁層４５ａを形成するためのエポキシ
樹脂がリード線４０，４２にまで流れ出ることが
阻止され、電気的接続を阻害する絶縁層がリード
線４０，４２に付着することが少なくなる。

金属キヤツプ３０ａ，４１ａにおける凹部５１
は上述の如くエポキシ樹脂の流れ出しを阻止する
機能の他に、リード線４０，４２を金属キヤツプ
３０ａ，４１ａの底部３３の中央に位置決めする
機能を有する。更にまた第１０図に示す如く一対
のリード線４０，４２を屈曲し、回路基板５２の
配線導体５３に電気的に結合する際に、円筒状キ
ヤパシタ素子部５４の両端５５，５６に近接した
位置でリード線４０，４２を屈曲することが可能
になり、一方のリード線４０の屈曲部４０ａから
他方のリード線４２の屈曲部４２ａまでの距離を
短かくすることが可能となる。

上述の如き種々の機能を得るために凹部５１の
深さは0.1〜0.4mmの範囲が好ましく、また凹部５
１の径は0.6mmのリード線４０，４２よりも僅か
に大きい0.8mm程度が好ましい。本実施例は、凹
部５１に基づくメリツトの他、勿論第１の実施例
で述べた(a)〜(j)項のメリツトもある。

実施例 ３ 本発明の第３の実施例に係わる磁器キヤパシタ
を示す第１１図において、第７図に示した磁器キ
ヤパシタと共通する部分には同一の符号が付され
ている。この第３の実施例においても、第１の実
施例と同様に第１及び第２の電極２３，２４を有
するセラミツク・チユーブ２０にロジン膜（図示
省略）を設け、ここに第１及び第２の金属キヤツ
プ６１，６２を被着し、突起３５を第１及び第２
の電極２３，２４に食い込ませると共に半田結合
させ、シール層４３を第９図と同様に一方の金属
キヤツプ６１から他方の金属キヤツプ６２の間も
含むように設ける。この実施例では、第１及び第
２の金属キヤツプ６１，６２にリード線が結合さ
れてはいないが、これ等の底部３３の中央に第９
図と同様な凹部５１が設けられているので、この
凹部５１に支持軸（図示せず）を当接させてキヤ
パシタ素子を保持した状態でシール用絶縁塗料を
付着させたローラをキヤパシタ素子の外周面に接
触させ、弾性を有する絶縁シール層４３を形成す
る。次にシール層４３の上に外装用被覆絶縁層６
３を形成する。この際、外周全体に被覆絶縁層６
３を形成せずに、第１及び第２の金属キヤツプ６
１，６２の円筒部３２に露出面６４が生じるよう
に形成する。この磁器キヤパシタは、リード線を
有さないので、一対の金属キヤツプ６１，６２の
露出面６４を回路基板６５の配線導体６６に結合
するように使用される。

本実施例は、凹部５１を設けることによるメリ
ツトの他に、第１の実施例で述べた、(a)，(b)，
(c)，(d)，(e)，(g)，(h)，(i)，(j)のメリツトがある
。

変形例 第１２図〜第１４図は変形された金属キヤツプ
７０を示す。この金属キヤツプ７０も、第２図〜
第４図に示した金属キヤツプ３０と同様に円筒部
３２と底部３３とから成り、円筒部３２に突起３
５を有すると共に一端３１から切り込まれたスリ
ツト３４ａを有する。スリツト３４ａは第２図〜
第４図の場合と異なり、Ｖ字状であつて、このＶ
字状スリツト３４ａの終端に隣接して突起３５が
設けられている。突起３５の高さは第２図〜第４
図の場合と同様に設定されているので、第１図に
示すセラミツク・チユーブ２０の一対の電極２
３，２４に強固に結合される。Ｖ字状スリツト３
４ａの一端３１における幅は約2.2mmであり、そ
の切り込み長さは円筒部３２の深さ1.4mmの約1/5
に相当する約0.28mmである。底部３３には第９図
の場合と同様に凹部５１が設けられ、ここにリー
ド線４０が結合されている。この金属キヤツプ７
０は第７図又は第９図に示す磁器キヤパシタの金
属キヤツプ３０，４１又は３０ａ，４１ａの代り
に使用することが可能である。またリード線４０
を取り除けば、第１１図の磁器キヤパシタの金属
キヤツプ６１，６２の代りに使用することが可能
である。この金属キヤツプ７０の場合は、スリツ
ト３４ａが突起３５よりも浅く形成されているの
で、キヤパシタ素子を圧入すると、突起３５が最
初は弾性変形し、しかる後突起３５及びこの近傍
の塑性変形でキヤパシタ素子と金属キヤツプ７０
とが強固に結合される。この場合、勿論スリツト
３４ａが設けられている部分は径が大きくなるよ
うに変形し、キヤパシタ素子の圧入を助ける。

第１５図は第１図のキヤパシタ素子の代りに使
用するための変形されたキヤパシタ素子を示す。
このキヤパシタ素子においては、第１図と同様の
セラミツク・チユーブ２０ａの中空部即ち貫通孔
２１ａ内に共通電極８０が設けられ、これに対向
するように外周面２２ａに第１及び第２の電極２
３ａ，２４ａが設けられている。従つて第１の電
極２３ａと共通電極８０との間の容量と、第２の
電極２４ａと共通電極との間の容量とが直列接続
された形態の磁器キヤパシタとなる。この場合に
おいても勿論金属キヤツプは第１及び第２の電極
２３ａ，２４ａに結合される。

第１６図はキヤパシタ素子の更に別の変形例を
示す。この変形例では、第１５図から共通電極８
０を省いて、セラミツク・チユーブ２０ａの外周
面２２ａにのみ第１及び第２の電極２３ａ，２４
ａを設けている。このように構成しても、0.1〜
５ピコアアラツドの微小キヤパシタを得ることが
できる。勿論この場合も第１及び第２の電極に金
属キヤツプを被着する。

以上本発明の実施例及び変形例について述べた
が、更に種々の変形が可能である。例えば、磁器
チユーブ２０はチタン酸ストロンチウム系磁器材
料に限ることなく、チタン酸バリウム系磁器材料
又は酸化チタン系磁器材料等で形成してもよい。
また第１及び第２の電極２３，２４をニツケルメ
ツキ層と半田メツキ層との二層構造としてもよ
い。また銀塗布焼付層とニツケルメツキ層と半田
メツキ層との三層で第１及び第２の電極２３，２
４を形成してもよい。またロジン溶液として、ロ
ジンに活性剤を付加したものを使用しても差支え
ない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係わる磁器キ
ヤパシタの電極を有する磁器チユーブを示す断面
図である。第２図は第１図のチユーブに嵌着する
ための金属キヤツプを示す正面図である。第３図
は第２図の金属キヤツプの右側面図である。第４
図は第３図の金属キヤツプの−線断面図であ
る。第５図は第１図のチユーブに第２図の金属キ
ヤツプを嵌着した状態を示す断面図である。第６
図は第５図のキヤパシタにシール層を設けた状態
を示す断面図である。第７図は第６図のキヤパシ
タに外装用絶縁層を設けて完成させた磁器キヤパ
シタを示す断面図である。第８図は突起と電極と
の結合部の拡大断面図である。第９図は本発明の
第２の実施例に係わる磁器キヤパシタを示す断面
図である。第１０図は第９図の磁器キヤパシタを
プリント基板に装着した状態を示す一部縦断正面
図である。第１１図は本発明の第３の実施例に係
わる磁器キヤパシタ及びプリント基板に対するマ
ウント状態を示す断面図である。第１２図は変形
された金属キヤツプの正面図である。第１３図は
第１２図の金属キヤツプの右側面図である。第１
４図は第１３図の−線断面図である。第
１５図は変形された電極を有する磁器チユーブの
断面図である。第１６図は変形された電極を有す
る磁器チユーブの別の例を示す断面図である。 尚図面に用いられている符号において、２０は
セラミツク・チユーブ、２３は第１の電極、２４
は第２の電極、２７は第１の分離領域、２８は第
２の分離領域、２９はロジン膜、３０は第１の金
属キヤツプ、４１は第２の金属キヤツプ、４３は
シール層である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 少なくともその一端近傍の外周面及びその他
   端近傍の外周面に第１及び第２の電極を有する円
   筒状磁器コンデンサ素子と、前記円筒状磁器コン
   デンサ素子の両端部に嵌着され、且つ端子機能を
   有するように形成された一対の金属キヤツプとを
   備えている円筒型磁器コンデンサにおいて、 前記一対の金属キヤツプにはその内周壁面から
   突出する複数の突起が夫々設けられ、 少なくとも前記突起の表面上に半田メツキ層が
   設けられ、 前記突起が前記電極に食い込むように前記円筒
   状磁器コンデンサ素子に前記一対の金属キヤツプ
   が嵌着され、 前記突起の部分の前記半田メツキ層の半田によ
   つて前記一対の金属キヤツプが前記第１及び第２
   の電極に電気的に接続され、 少なくとも前記一対の金属キヤツプの開放端部
   及びその近傍と前記第１及び第２の電極との隙間
   に絶縁シール層が設けられていることを特徴とす
   る円筒型磁器コンデンサ。 ２ 前記金属キヤツプの前記半田メツキ層は、厚
   さ３〜10μｍの半田メツキ層である特許請求の範
   囲第１項記載の円筒型磁器コンデンサ。 ３ 前記半田メツキ層は、Pb（８〜12％）とSn
   （88〜92％）とから成る半田層である特許請求の
   範囲第１項又は第２項記載の円筒型磁器コンデン
   サ。