JPS603577Y2 - 筒状チツプコンデンサ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、リード線を具備しないコンデンサに関し、更
に詳細には筒状に形成されたチップコンデンサに関する
。

混成集積回路又はその他の回路に使用されるチップコン
デンサとして、第１図に示す板状チップコンデンサと第
２図に示す積層チップコンデンサとが知られている。

第１図に示す板状チップコンデンサは、誘電体磁器基板
１に第１の電極２と第２の電極３とを設けたものであり
、上面の第２の電極３と第１の電極２の上面導出部２ａ
とを利用して配線導体に接着されるように構成されてい
る。

第２図に示す積層チップコンデンサは、電極金属４と磁
器５とを交互に積層し、両側に接続電極部６及び７を設
けたものである。

ところで、板状チップコンデンサを小形に保って所望の
容量を得るためには磁器基板１を薄くする必要があり、
機械的強度が小になることが免れなかった。

このため、チップを自動的に製造すること及びチップを
回路基板に自動的に装着することが困難であった。

これに対して、積層チップコンデンサは、小形にして大
きな容量を得ることが出来るという利点を有する反面、
製作が面倒で高価になるという欠点及び磁器５が薄いた
めに熱クラツクが発生し、高信頼性を得ることが難しい
という欠点を有している。

そこで、上述の如き欠点を解決するために本願の出願人
は筒状のチップコンデンサを開発した。

この筒状チップコンデンサは小形であると共に製作及び
装着の自動化が容易であるという特徴を有している。

しかし、上記筒状チップコンデンサは絶縁被膜を有し、
この絶縁被膜が形成されていない部分を利用して外部回
路に接続するように形成されているため、絶縁被膜が厚
くなれば、回路基板等への接続が難しくなるという欠点
を有する。

従って、本考案の目的は外部回路への接続が容易である
と共に更に小形化可能な筒状チップコンデンサを提供す
ることにある。

上記目的を遠戚するための本考案は、筒状誘電体と、前
記筒状誘電体の内周面部分及び該内周面部分に連続する
前記筒状誘電体の一端及び該一端に連続する前記筒状誘
電体の外周面の一部に形成された第１の電極と、前記第
１の電極との間に第１及び第２の分離領域を有して前記
筒状誘電体の外周面に形成された第２の電極と、前記第
１の電極の外周面部分に接続領域を残して前記第１の電
極の筒状誘電体一端部分を少なくとも被覆するように形
成された第１の絶縁被膜と、前記筒状誘電体の他端を含
む前記第２の分離領域を少なくとも被覆するように形成
された第２の絶縁被膜と、前記第２の電極の接続領域を
除いて少なくとも前記第２の電極及び前記第１の分離領
域を被覆するように形成された第３の絶縁被膜と、前記
第１の電極の接続領域に固着された状態に形成され且つ
前記第１及び第３の絶縁被膜から突出する高さに形成さ
れていると共にその上面の幅が前記第１の電極の接続領
域の幅より大になるように形成された第１の引き出し電
極と、前記第２の電極の接続領域に固着された状態に形
成され且つ前記第２及び第３の絶縁被膜から突出する高
さに形成されていると共にその上面の幅が前記第２の電
極の接続領域の幅より大になるように形成された第２の
引き出し電極とから成る筒状チップコンデンサに係わる
ものである。

上記本考案によれば、突出している第１及び第２の引き
出し電極で外部回路に接続することが可能になるので、
筒状チップコンデンサの接着が容易になる。

また第１の電極の接続領域の幅を小さくすることが可能
になり、従って、第１の電極の外周面部分も小さくする
ことが可能になり、筒状チップコンデンサを更に小形に
することが出来る。

また筒状チップコンデンサとして次のような利点も勿論
有している。

即ち、積層構造とせずに筒状にして容量の増大を図って
いるので、量産性が向上し、コストの低減が可能である
。

また積層構造としないので、熱クラツク等による欠陥も
少なくなる。

また筒状であるので、チップの自動装着の際のチップの
自動移送等が容易になる。

また第１及び第２の絶縁被膜によって筒状誘電体の両端
を被覆しているので、チップコンデンサを回路基板に接
着する際に半田浸漬されても、第１及び第２のの絶縁被
膜に於ける半田の表面張力の関係で、耐溶融半田が筒内
に進入することが阻止され、第１の電極が銀焼付であっ
たとしても、半田による銀くわれ現象が生じない。

゛また第３の絶縁被膜が設けられているので、回路基板
の配線導体から絶縁することが可能になり、交叉配線が
可能になる。

以下、図面を参照して本考案の実施例に付いて述べる。

本考案の１実施例に係わる筒状チップコンデンサ１０を
示す第３図〜第５図に於いて、円筒状磁器誘電体１１上
に第１の電極１２と第２の電極１３とが銀ペーストを焼
付けることによって形成されている。

同第１の電極１２は第５図から明らかなように誘電体１
１の内周面１４及び誘電体１１の一端１５及び誘電体１
１の外周面１６の左側一部１７に形成され、また第２の
電極１３は、第１の電極１２との間に第１及び第２の分
離領域１８及び１９を有して誘電体１１の外周面１６に
形戒されている。

上記第２の分離領域１９は誘電体１１の他端２０と内周
面１４の右端近傍領域２１と外周面１５の右端近傍領域
２２とを含む。

換言すれば、第１の電極１２と第２の電極１３との分離
を確実にするために、内周面右端近傍領域２１には第１
の電極１２が設けられず、また外周面右端近傍領域２２
には第２の電極１３が設けられていない。

２３は第１の絶縁被膜であって、誘電体１１の一端１５
に於ける第１の電極１２上即ち第１の電極１２の筒状誘
電体一端部分に形成されていると共に、第１の電極１２
の内周面及び外周面にも僅かに被着されている。

２４は第２の絶縁被膜であって、誘電体１１の他端２０
に被着されていると共に第２の分離領域１９全体に被着
され、更に第１の電極１２と第２の電極１３との右端に
も被着されている。

２５は第３の絶縁被膜であって、第１及び第２の電極１
２及び１３に第１及び第２の接続領域２６及び２７を残
した状態に形成されている。

即ち、この第３の絶縁被膜２５は第２の接続領域２７を
除いた第２の電極１３の全部及び第１の分離領域１８及
び第１の電極１２の一部に形成されている。

２８は第１の引き出し電極であって、第１の接続領域２
６に固着され且つ第１及び第３の絶縁被膜２３及び２５
から突出する高さに形成され且つその上面の幅が第１の
接続領域２６の幅より大になるように形成されている。

２９は第２の引き出し電極であって、第２の接続領域２
７に固着され且つ第２及び第３の絶縁被膜２４及び２５
から突出する高さに形成され置つその上面の幅が第２の
接続領域２７の幅より大になるように形成されている。

上述の筒状チップコンデンサ１０の幾何学的大きさを例
示すると、誘電体１１の円筒の長さが３．５７７１ｍ、
円筒の内径が１．Ｏｍｍ、円筒の外径が１．５朋、第１
の絶縁被膜２３の左端即ち円筒体左端から第１の接続領
域２６までの長さ０．２ｒｒｒｍ、第１の接続領域２６
の幅が０．２ｍｍ、第２の絶縁被膜２４の右端即ち円筒
体右端から第２の接続領域２７までの長さが０．２ｒｒ
ｒｒｎ、第２の接続領域２７の幅が０．２ｒｍ。

第１の分離領域１８の幅が０．２ｒｒｒｍ、第１及び第
２の引き出し電極２８及び２９の上面の幅が０．３ｍｍ
である。

従って第１及び第２の接続領域２６及び２７の幅より第
１及び第２の引き出し電極２８及び２９の幅が０．１謳
小さくなっており、この分だけ第１の電極１２の外周面
部分１２ａの長さが小になっている。

上述の如き筒状チップコンデンサの製造方法に付いて述
べると、まず、磁器材料をボールミルにて配合し、脱水
、乾燥した後にポリ・ビニール。

アルコールのような有機結合剤を添加して造粒する。

次に、粉末冶金的手法にて焼上り寸法１．５φＸ３．５
ｍｍになるように底型し、これを約１３５０℃で焼成す
る。

次に銀ペーストの付いたピンを円筒形磁器誘電体１１の
中空部に挿入し、また誘電体１１の外周面には銀ペース
トの付いた転写ローラを当接させ、転写ローラを回転さ
せることによってピンを軸にして円筒形磁器誘電体１１
も回転させ、誘電体１１の内周面１４及び外周面１６の
所定領域に銀ペーストを転写印刷する。

勿論この時誘電体１１の一端１５にも銀ペーストを塗布
する。

次に、乾燥し、更に８００℃、１時間の焼付をなす。

次に、ガラス、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の絶縁
物をインク状にして約２０μ乳程度の厚さに塗布し、し
かる後焼付することによって第１、第２及び第３の絶縁
被膜２３，２４，２５を形成する。

しかる後、銀−パラジウム・ペーストを第１及び第２の
接続領域２６及び２７の上に夫々塗布し、焼付けること
によって第１及び第２の引き出し電極２８及び２９を形
成する。

第６図は第３図〜第５図に示す筒状チップコンデンサ１
０の使用例を示すものであって、回路基板３０上の配線
導体３１及び３２に第１及び第２の引き出し電極２８及
び２９を半田（図示せず）にて接着した状態を示してい
る。

この場合、チップコンデンサ１０の下を別の配線導体３
３が通過していても差支えない。

尚筒状チップコンデンサ１０は極めて小さいものである
から、絶縁性接着剤で弱く仮り固定した後に半田リフロ
ー法又は半田浸漬法にて半田接着する。

上述の如くチップコンデンサを構成すれば、積層チップ
コンデンサと同様に比較的小形なチップコンデンサを低
コストで提供することが可能になる。

これは筒形に形成して容量の増大を図ると共に自動化を
容易にしたためである。

また第１及び第２の絶縁被膜２３及び２４を設けたので
、チップコンデンサ１０が溶融半田に接しても、絶縁被
膜２３及び２４に於ける半田の表面張力の関係で、溶融
半田が円筒内部に入り込まない。

従って、第１の電極１２の銀が半田に吸収されてくわれ
たような状態になる所謂銀くわれが発生せず、コンデン
サの特性を安定的に保持することが出来る。

勿論、第１の電極１２の内周面領域全部に絶縁被膜を設
けて銀くわれを防ぐことも可能であるが、絶縁被膜の形
成が面倒になるばかりではなく、絶縁材料の使用量の増
大を招く。

また本実施例のチップコンデンサ１０は第１及び第２の
接続領域２６及び２７を除いて円筒外周面が主として第
３の絶縁被膜２５で被覆されているので、第６図に示す
ように交叉配線が可能になる。

また絶縁被膜２３，２４，２５を設けることによって、
第１及び第２の接続領域２６及び２７と絶縁被膜との間
に比較的大きな高低差があっても、第１及び第２の引き
出し電極２８及び２９を設けたので、配線導体に容易に
接着することが出来る。

またチップコンデンサの移送又は配列は第１及び第２の
引き出し電極２８及び２９が接しつつ転がるので、第３
の絶縁被膜２５の損傷が生じない。

また第１の引き出し電極２８は絶縁被膜２３及び２５の
上にまで設けられているので、第１の接続領域２６の幅
に無関係にその上面の幅を決定することが出来る。

従って、静電容量に寄与しない第１の電極１２の外周面
部分１２ａを小さくすることが可能になり、チップコン
デンサの小形化が可能になる。

また第１の分離領域１８に第３の絶縁被膜２５が設けら
れ、第２の分離領域１９に第２の絶縁被膜２４が設けら
れているので、この幅を小さくすることが可能になり、
チップを小形にすることが可能になる。

耐湿特性を調べるために、第１の分離領域１８の幅を０
．１．０．３．０．５．１．０ｍｍとし、第２の分離領
域１９の幅は第１の分離領域よりも大にし、絶縁被膜２
３，２４．２５を設けないもの、シリコーン樹脂にて絶
縁被膜２３，２４．２５を設けたもの、エポキシ樹脂に
て絶縁被膜２３．２４．２５を設けたもの、ガラスで絶
縁被膜２３．２４．２５を設けたものを夫々用意し、温
度４０′Ｃ±２℃、湿度９０〜９５％の雰囲気中で直流
５０Ｖを印加し、１０叩時間後の良品率を調べたところ
、絶縁被膜を設けない場合には、０．３ｍｍ以下では良
品率が０％となり、０．５閣で１５％、１．０ｍｍで３
２％となった。

これに対して、シリコーン樹脂の場合は、０．１ｍｍで
絽％、０．３７７Ｅｌ＋！〜１．ｏｒ！ｒｌＩＬで５０
％の良品率となり、またエポキシ樹脂の場合は、０．１
１１ｒＩＲで３０％、０．３ｒｔｒｍで４１％、０．５
ｍで４９％、１．−で５０％の良品率となり、ガラスの
場合は、０．１斜で４５％、０．３〜１．０ｍｍで５０
％の良品率となった。

以上、本考案の１実施例に付いて述べたが、本考案は上
述の実施例に限定されるものではなく、更に変形可能な
ものである。

例えば、第７図に示す如く第１の電極１２及び第２の電
極１３を誘電体１１の右端に及ぶように設けてもよい。

また第７図に示す如く第３の絶縁被膜２５を第２の電極
１３と第１の分離領域１８とのみに設けてもよい。

また第１の引き出し電極２８を第３の絶縁被膜２５のみ
に覆せるように形成してもよい。

また第１及び第２の絶縁被膜２３及び２４を第７図に示
す如く内周面及び外周面に殆んど設けないような状態と
してもよい。

しかし、誘電体１１の一端１５の第１の電極１２の厚さ
は他の部分に比較して一般に薄いので、誘電体１１の端
部に相当する部分まで絶縁被膜２３を設けることが望ま
しい。

また電極を銀ペーストに限らず、Ａｇ−Ｐｄ及びＡｇ−
Ｐｄ −Ａｕペーストで形成してもよいし、ニッケルで
形成してもよい。

また第１及び第２の引き出し電極２８及び２９も別の金
属で形成してもよい。

また誘電体１１は円筒に限ることなく、楕円又は多角形
又はその他の形状の筒状であってもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の板状チップコンデンサを示す断面図、第
２図は従来の積層チップコンデンサを示す断面図、第３
図は本考案の１実施例に係わる筒状チップコンデンサの
正面図、第４図は第３図の左側面図、第５図は第３図の
■−■線断面図、第６図は第３図の筒状チップコンデン
サを回路基板に装着した状態を説明的に示す一部縦断正
面図、第７図は変形例を示す断面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、１１は磁器誘電
体、１２は第１の電極、１２ａは外周面部分、１３は第
２の電極、１４は内周面、１５は一端、１６は外周面、
１８は第１の分離領域、１９は第２の分離領域、２０は
他端、２３は第１の絶縁被膜、２４は第２の絶縁被膜、
２５は第３の絶縁被膜、２６は第１の接続領域、２７は
第２の接続領域、２８は第１の引き出し電極、 ２の引き出し電極である。 ２９は第

Claims (4)

【実用新案登録請求の範囲】
1. （１）筒状誘電体と、 前記筒状誘電体の内周面部分及び該内周面部分に連続す
   る前記筒状誘電体の一端及び該一端に連続する前記筒状
   誘電体の外周面の一部に形成された第１の電極と、 前記第１の電極との間に第１及び第２の分離領域を有し
   て前記筒状誘電体の外周面に形成された第２の電極と、 前記第１の電極の外周面部分に接続領域を残して前記第
   １の電極の筒状誘電体一端部分を少なくとも被覆するよ
   うに形成された第１の絶縁被膜と、 前記筒状誘電体の他端を含む前記第２の分離領域を少な
   くとも被覆するように形成された第２の絶縁被膜と、 前記第２の電極の接続領域を除いて少なくとも前記第２
   の電極及び前記第１の分離領域を被覆するように形成さ
   れた第３の絶縁被膜と、前記第１の電極の接続領域に固
   着された状態に形成され且つ前記第１及び第３の絶縁被
   膜から突出する高さに形成されていると共にその上面の
   幅が前記第１の電極の接続領域の幅より大になるように
   形成された第１の引き出し電極と、 前記第２の電極の接続領域に固着された状態に形成され
   且つ前記第２及び第３の絶縁被膜から突出する高さに形
   成されていると共にその上面の幅が前記第２の電極の接
   続領域の幅より大になるように形成された第２の引き出
   し電極とから成る筒状チップコンデンサ。
2. （２）前記筒状誘電体が、磁器誘電体である実用新案登
   録請求の範囲第１項記載の筒状チップコンデンサ。
3. （３）前記第１の電極を形成する前記内周面部分は前記
   筒状誘電体の他端近傍領域を除いた内周面である実用新
   案登録請求の範囲第１項又は第２項記載の筒状チップコ
   ンデンサ。
4. （４）前記第２の電極は前記筒状誘電体の他端近傍領域
   を除いて形成された電極である実用新案登録請求の範囲
   第１項又は第２項又は第３項記載の筒状チップコンデン
   サ。