JPS6068348A - アモルフアスシリコン粉末粒子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外線可視光線、
赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波を利用し
て像形成するのに使用される電子写真用像形成部材に関
する。

従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する光導
電材料としては、　８ｅ　、　Ｃｄ８　、　ＺｎＯ等の
無機光導電材料やボＩＪ−Ｎビニルカルバゾール（ＰＶ
Ｋ）、）リニトロフルオレノン（ＴＮＰ）等の有機光導
電材料（ｏｐｃ）が一般的に使用されている。

丙午ら、とれ等の光導電材料を使用する電子写真用像形
成部材に於いては、未だ諸々の解決され得る可き点があ
って、ある程度の条件緩和をして、個々の状況に応じて
各々適当な電子写真用像形成部材を使用し、その傍、改
善改曳を計っているのが実情である。

他方、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する光導
電材料として、新しｂ第３の材料の開発も進められてい
る。

その様な材料として最近有望視されているものの中にア
モルファスシリコン（以１ａ−８！、！：略記する）が
ある。

ａ−８ｉ膜は、開発初期のとろけ、その製造法や製造条
件によって、その構造が左右される為に種々の電気的特
性、光学的特性を示し、再現性の点に大きな問題を抱え
ていた。例えば、初期において、真空蒸着法やスパッタ
ーリング法で形成されたａ−８ｉ膜は、ボイド等の欠陥
を多量に含んでいて、その為に電気的性質も光学的性質
も大きく影響を受け、基礎物性の研究材料としてもそれ
程注目されてはいす、応用の為の研究開発もされなかっ
た。丙午ら、アモルファスではＰ、ｎ制御が不可能とさ
れていたのが、ａ−８ｉに於いて、１９７６年初頭にア
モルファスとして初めてｐ−ｎ接合が実現し得るトイウ
報告（Ａｐｐｌｉｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒ　
；Ｖｏｌ　２８、朧２．１５　Ｊａｎｕａｒｙ　１９７
６　）が成されて以来、大きな関心が集められ、以後主
として太陽電池への応用に研究開発力が注がれて来てｈ
る。

この為、これ迄に報告されているａ−８ｉ膜は、太陽電
池用として開発されたものであるので、その電気的特性
・光学的特性の点に於いて、電子写真用像形成部材の光
導電層としては使用し得ないのが現状である。即ち、太
陽電池は、太陽エネルギーを電流の形に変換して取り出
すので、ＳＮ比が良くて、効率良く電流を取り出すには
、ａ−８ｉ膜の抵抗は比較的小さくなければならないが
、余り抵抗が小さ過ぎると光感度が低下し、ＳＮ比が悪
くなるので、その特性の一つとしての抵抗は１０５〜１
０８Ω国程度が要求される。

丙午ら、との程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵抗）を有
するａ−８ｉ膜は、電子写真用像形成部材の光導電層と
しては、余りにも抵抗（暗抵抗）が低過ぎて、現在、知
られている電子写真法を適用するのでは全く使用し得な
い。

又、電子写真用像形成部材の光導電層構成材料としては
、明抵抗（光照射時の抵抗）が暗抵抗に較へて２〜４桁
程度小さいことが要求されるが、従来、報告されている
ａ−８！膜では精々２桁程度あるので、この点に於いて
も従来のａ−８ｉ膜では、その特性を充分満足し得る光
導電層とは成シ得なかった。

又、別には、これ迄のａ−８ｉ膜に関する報告では、暗
抵抗を増大させると光感度が低下し、例えば、暗抵抗が
一、、　１　ｏ１０Ω・（１）でのａ−８Ｓ膜では、明
抵抗も同程度の値を示すことが示されているが、この点
に於いても、従来のａ−８ｉ膜は電子写真用像形成部材
の光導電層とけ成り得なかった。

従って、電子写真用像形成部材の光導電層として充分適
用される可き暗抵抗と光感度を具備するａ−８ｉが再現
性と生産性を加味して開発される必要がある。

ところで、ａ−８１層は一般的には、グロー放電法やス
パッタリング法尋の放電現象を利用する堆積法によって
適当な支持体上に形成される。

この様な堆積法によってａ−８ｉ層を形成する場合、層
形成時の支持体温度によって形成された層の暗抵抗と光
感度が変わることは種々の報告書や文献に示されている
。

即ち、例えば、支持体温度を４００℃程度の高温に保持
して層形成すれば電気的特性の一つである明抵抗の減少
を計る事が出来る。丙午らａ−８ｉの層成長速度は、例
えばＳｅ等に較べて遥かに遅い為、先の様な高温を電子
写真用像形成部材の光導電層に要求される層厚になる迄
精度良く一定に維持することは甚だ困難である。

更に、電子写真用像形成部材の光導電層としては、線受
光面は、通常の場合であっても、例えばＡ４版やＢ４版
程度以上の大面積を要するものであるから、この様な大
面積に亘って層形成終了まで先に示した様な高温状態を
均一に保持する為に温度制御することは現在の技術では
至難の術である。然も、支持体温度を変化させる場合に
於いても、先の様な大面積忙亘って、場所による温度の
変化率斑のない様に制御することすらも難かしい。

この様に所望の暗抵抗及び明抵抗を得る為に支持体温度
を高温で長時間且つ温度斑のない様に大面積に亘って制
御するのは極めて困難である。従って、層形成時の場所
及び時間による温度斑が生じ大面積に亘って層厚の均一
化が計れないばかりか、電子写真用像形成部材の光導電
層に要求される電気的及び光学的特性の均一化を計るこ
とも出来ない。

本発明は上記の点に鑑み成されたものであって、ａ−８
ｔ形成用の材料の存在下で後述するある特定の条件下で
プラズマを生起させれば極めて光感度の高い３−７９ｉ
が粉末状として単時間に多量得られ、然も斯かるａ−８
ｉ粉末粒子はそのまま単−構成材料系の光導電層とした
のでは、電子写真用像形成部材の光導電層としては適用
され得ないが、親和性のある結着剤中に分散させたタイ
プの光導電層とすれば、極めて電子写真特性に優れた光
導電層と成り得る事を見出した点に基いている。

本発明の電子写真用像形成部材は、支持体と、光導電材
料粉末粒子が結着剤中に分散されて層形成されている光
導電層とを有する電子写真用像形成部材に於いて、光導
電材料粉末粒子がアモルファスシリコン粉末粒子である
事を特徴とする。

この様に、ａ−８ｉ粉末を結着剤中に分散して光導電層
を形成する場合にはａ−８ｉ粉末粒子が短時間に多量生
産され得るのでグロー放電法やスパッターリング法等の
放電現象を利用する堆積法圧よって、ａ−８ｉ光導電層
を形成する場合に較べて、厳密な支持体温度の制御を、
然も長時間行う必要がない、前記の堆積法によってａ−
８４光導電層を形成する場合の様に層成長速度の緩慢さ
に由来する生産効率上の不利がない生産設備の資本投下
がそれ程多くない、幾らでも大きな面積を有する光導電
層が、然も如何様な形状の支持体へも形成する事が出来
る、等々、前記の堆積法によってａ−８ｉ光導電層を形
成する場合にはない工業的に優れた効果を有する。

又、形成された電子写真用像形成部材は、高感度であり
、繰返し使用に優れていると共に機械的強度が強く、又
、帯電作用や放電作用に対して常時安定しており、クリ
ーニング性、転写効率にも優れ、常に多数枚の良質のコ
ピーを提供し得る。

本発明の電子写真用像形成部材は、基本的には、後述す
る方法によって製造されたａ−８ｉ粉末粒子を必要に応
じて溶剤を使用して所定の特性を有する結着剤と共に混
練し、金属等の適当な支持体上に塗布し、固化させて光
導電層を形成する事によって得られた。

本発明に於いて、使用される支持体としては、通常電子
写真分野に於いて使用される支持体の殆んどのものが有
効であるが、製造される像形成部材の形態、例えば静電
像形成の為の帯電時に支持体側より光導電層中に電荷が
注入される必要があるか否かによって使用される支持体
の種類は異なるものであるから、像形成部材の形態に合
せて、適宜選択して最良のものを使用する様にするのが
望ましい。

本発明に於いて、使用される支持体としては例えば、ス
テアＬ／ス、ＡＩ！、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ　ｒ％Ｎｂ
％Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ１Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合
金等の導電性支持体、或いは、合成樹脂のフィルム又は
シート、又はガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体
が挙げられる。支持体はその上に光導電層が形成される
前に、一連の清浄処理が施されるのが望ましい。

この様な清浄処理に於いて、一般的には、例えば金属性
支持体であれば、エツチングによって表面を効果的に清
浄化するアルカリ性又は酸性の溶液と接触される。その
後支持体は清浄雰囲気中で乾燥され、その後の準備処理
がなければ、次いでその上に光導電層が形成される。電
気絶縁性支持体の場合には、必要に応じて、その表面を
導電処理される。

例えば、ガラスであれば、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリイミドフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、Ａｊ？、Ａｇ％Ｐｂ％Ｚｎ
、Ｎｉ、Ａｕ％Ｃｒ％Ｍｏ。

Ｉ　ｒ、Ｎｂ、Ｔａ％Ｖ、Ｔ　ｔ、Ｐ　を等ｏ４Ｊ４を
以って真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等で
処理し、又は前記金属でラミネート処理して、その表面
が導電処理される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等、任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、連続高速複写の場合には、無端
ベルト状又は円筒状とするのがａｔしい。

支持体の厚さは、所望通シの像形成部材が形成される様
に適宜決定されるが、像形成部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば、可能な限り薄くされる。丙午ら、この様
な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、通常は、１０μ以上とされる。

ａ−８ｉ粉末粒子と共に光導電層を構成する材料である
結着剤としては、本発明の目的を達成す可く、製造され
たａ−８ｉ粉末粒子の電気的特性、光学的物性及び該ａ
−８ｉ粉末粒子との化学的・物理的親和性等を考慮して
、所望とし得る材料から適宜選択して使用される。その
様な材料としては、通常、電子写真分野において、使用
されている、成膜能を有し電気絶縁性である樹脂結着剤
の多くのものが有効に使用される。

この様な樹脂結着剤としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性
樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、Ｘ線硬化性樹
脂等があり、具体的には、フェノール樹脂二フラン樹脂
：キシレン樹脂：ホルムアルデヒド樹脂：尿素樹脂：メ
ラミン樹脂ニアニリン樹脂：スルホンアミド樹脂ニアル
キド樹脂：不飽和ポリエステル樹脂：エポキシ樹脂ニト
リアリルシアヌレート樹脂：ポリエチレン：ボリプロビ
レン：ボリスチレン：ボリ酢酸ビニル：ポリアクリレー
ト：ポリメタクリレート：ボリ塩化ビニル：ポリ塩化ビ
ニリデン：ポリテトラフルオロエチレン；ポリクロロト
リフルオロエチレン：ポリフッ化ビニル：ポリ弗化ビニ
リデンニラドラフルオロエチレン：へキサフルオロプロ
ピレン共重合体：クロロトリフルオロエチレン二弗化ビ
ニリゾｙ共重合体等の弗素樹脂：ポリアクリロニトリル
；ボリビニルエーテル：ボリビニルケトン：ボリエーテ
ル：ボリカーボネート：ポリエステル：ナイロン６、ナ
イロン６６、ナイロン６７６６等のポリアミド：ポリウ
レタン：シリコーン酢酸セルロース、エチルセルロース
、フロピオン酢酸セルロース、等のセルロース誘導体二
等々が挙げられ、これ等は、必要に応じて２種以上混合
して使用しても良い。

本発明に於いては、光導電層を構成する結着剤として、
上記した樹脂結着剤から適宜選択して使用されるもので
あるが又、別にはａ−８ｉ粉末粒子との化学的近似性の
点から、成膜能を有スるシリコーンワニス、シリコーン
ゴム等のシリコーン系化合物も結着剤として有効に使用
され得る。

シリコーンワニスとしては、塗膜形成用ワニス、各種塗
料用ビヒクル、あるいは成形材料用のベースレジンとし
て使用されるシリコーンワニスが挙げられ、例えば次式
で示されるようなポリシロキサンを主体としてなる純シ
リコーンワニス、 ケイ素原子に結合した水酸基やアルコキシ基をもつ例え
ば次式の如き低分子量ポリシロキサンを主体としてなる
シリコーン中間体。

また、各種樹脂をシリコーン中間体あるいはシランカッ
プリング剤、純シリコーンワニスと反応させることによ
シ得られる各攬樹脂のシリコーン変性ワニスが挙げられ
、例えば アルキッド変性シリコーンワニスとしては分子なる構造
を有するもの、エポキシ変性シリコーンゴムスとしては
例えば ポリエステル変性シリコーンワニス アクリル変性シリコーンフェス フェノール変性シリコーンゴムス ポリウレタン変性シリコーンワニス メラミン変性シリコーンフェス等がアリ。

更に無溶剤シリコーンゴムスとして次式で表わされる如
きシリコーンゴムスも挙げられる。

（５６：　Ｃ１１Ｈ５、Ｍｅ；　ＣＨ３、Ｖ　；ＣＨ２
＝ＣＨ）シリコーンゴムとしては熱硬化盤と常温硬化型
（一般にＲＴＶと称す）とに区別されるが、本発明では
常温硬化型（ＲＴＶ型）の方が好ましく使用されるもの
である。

ＲＴＶシリコーンゴムには一液型と二液型があるがどち
らも選択が可能である。

−液型ＲＴＶシリコーンゴムとしては一般式（とこでは
Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、フェニル基、ビニル基、三フ
ッ化プロピル基等）から成る主鎖の末端にアセトキシ基
、オキシム基、アルコキシル基、又はアルキル基を付け
たもので、空気中の湿分によ勺脱酢酸、脱オキシム、脱
アルコール、脱アミンの縮合反応が進行し常温から比較
的低い温度で架橋構造をとるもので、前記縮合反応の型
により脱酢酸型−液性常温硬化型シリコーンゴム、脱オ
キシム型−液性常温硬化型シリコーンゴム、脱アルコー
ルｍ−液性常ｓ硬化型シリコーンゴム、脱アミン型−液
性常温硬化型シリコーンゴムの４つの型を挙げることが
できる。

次に二液性常温硬化型シリコーンゴムも使用可能であり
このシリコーンゴムはベースオイルとしてジオルガノポ
リシルキサンと架橋剤として３官能性以上のシラン又は
シロキサン及び硬化触媒などから構成され、硬化機能と
しては縮合反応型（脱アルコール縮合反応型、脱水縮合
反応型、脱水縮合反応型）及び付加反応型がある。

本発明の目的を達成する為に結着剤として使用される上
記シリコーン系化合愉としては、市販されているシリコ
ーン系のワニス、ゴム等の多くのものが有効に使用され
、例えば、具体例として信越化学工業株式会社のＫｌ２
５１゜ＫＲ２５５，ＫＲ５２４０，ＫＲ１１４，ＫＥＮ
ＯＲＴＶ。

Ｋｌ６６ＲＴＶ、　ＫＢＩ　２０４（Ｂｌ、　ＫＥＩ　
０４Ｇｅ　Ｉ。

Ｋｌ（１０３ＲＴＶ、ＫＢＩＩＩＲＴＶ、ＫＢ１４００
ＲＴＶ。

ＫＢ４１ＲＴＶ、ＫＨ４４ＲＴＶ、ＫＥ４４５ＲＴＶ、
ＫＥＩ４２　Ｓ−Ｒ，ＴＶ、　Ｋｌ４４１几ＴＶ、ＫＥ
４５Ｓ４ＴＶ。

ＫＥ４８’ＲＴＶ、ＫＦｌｉ１０２ＲＴＶ、ＫＢ１２０
６ＲＴＶ。

ＫＥＩ　６．　ＫＥＩ　０９１　’ＲＴＶ、　Ｋｌ１３
１２ＲＴＶ、　ＫＦＳ１１２ＲＴＶ、　ＫＪＩＩ、６０
１．　ＫＪＲ４０１０，東芝シリコーン株式会社のＴＳ
Ｒ１４４，Ｔ８Ｒ１２０５，ＴＳＲ１２９１゜ＹＲ３１
１０，Ｔ８Ｅ３７０ＲＴＶ、ＴＳＥ３２８ＲＴＶ。

Ｔ８Ｅ３７１ＲＴＶ、Ｔ８Ｅ３５３ＲＴＶ、ＴＳＥ３８
０ＲＴＶ、Ｔ８Ｂ３４０２ＡＴＶ、Ｔ８Ｅ３５０３ＲＴ
Ｖ、ＴＳＥ−３５０−５ＲＴＶ、Ｔ８Ｂ３００ＲＴＶ、
’ＲＴＶ１１．ＴＨＥ３７０ＲＴＶ、ＹＢ３０８５．Ｙ
Ｂ５５０５．）−ｖ−シリコーン株式会社（７）ＳＨ６
３０，８Ｈ８５０，５Ｈ６００５、Ｒ４−３１１７，８
Ｈ６４９，８Ｈ６１０１゜８Ｈ６１００，５Ｅ５０１１
ＲＴＶ、８Ｈ７８０，８Ｈ７３８゜８Ｈ９５５１，８Ｈ
９５８３，５Ｈ９７３１，５Ｈ１８２０゜５Ｈ１８４０
，５Ｈ６４３，５Ｈ２１０４，富士高分子工業株式会社
のベルガンＣ１ベルガンＤ、ベルガンＦ、　ＦＳＸ几−
２６２２，７ラスコンＲ’ｌ”Ｖ６５０１゜シ；１ｙｘ
＝＋ｙｌｔＴＶ６５２１．　シラスコン１１．ＴＶ６７
００゜シラスコンＲＴＶ６６０１．シラスコン１１１Ｔ
ｖ６５８９゜ＦＳＸＳ−２２７９，シルボット２００．
シラシール３ＦＷ、シロテックス３２Ｂ、Ｆ’８ＸＦ’
−２５００等を上げることができ、必要に応じてこれ等
結着剤として使用される化合物を２種以上混合使用して
も良い。

更に、本発明に於いては結着剤として、電気絶縁性であ
って、成膜性のある合成ゴムの多くのものが有効に使用
され得る。具体的には例えば、ポリブタジェンゴム、ブ
タジェンアクリロニドクルゴム、アクリルゴム、ウレタ
ンゴム等が挙げられる。

これ迄に列挙した結着剤の中で、殊に体積固有抵抗が１
０　Ω・畑以上、好適には１０　Ω・−以上、最適には
１０　Ω・鑞以上のものの中から選択して使用するのが
望ましい。

又、絶縁耐力として通常、ｌ０ＫＶ／ｍ以上、好適ニＩ
ｒｉ　１５　Ｋ　Ｖ／　ｔｍ　以上、Ｒ適に、ｕ２０Ｋ
Ｖ／−以上のものから選択されると良い。

本発明に於いて、光導電層を形成する際の上記結着剤の
量は、所望とする電子写真特性を有する光導電層が形成
される可く適宜決定されるものであるが、ａ−３を粉末
粒子との重量比で通常は５〜６０ｗｔ％、好適には８〜
５Ｑｗｔ％最適には１０〜４０ｗｔ％　とされる。

ａ−８１粉末粒子を結着剤と共に混線分散させる為の溶
剤としては使用される結着剤の種類に応じて、ａ−８ｉ
粉末粒子に悪影響を与えないものから選択される。との
様な溶剤としては、通常、市販されている有機溶剤の多
くのものが有効に使用され得る。具体的に挙げれば、例
えば塩化メチレン、クロロホルム、二塩化エタン、１、
１．２三塩化エタン、三塩化エチレン、四塩化エタン、
四塩化炭素、１，２塩化プロパン％１，１゜１三塩化エ
タン、四塩化エチレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸
イソアミル、セロソルブアセナート、トルエン、キシレ
ン、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、ジメチルアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピ
ルアルコールおよヒフチルアルコール等のアルコール類
などが挙げられる。

本発明に於いては、光導電層を構成する結着剤として、
前記の材料の他、光感度の向上、層中での電荷移動性の
向上等の目的で、所謂有機光導電材料を使用しても良込
。

使用される有機光導電材料としては、非光照射時の抵抗
（暗抵抗）及び成膜性として前記した結着剤に就で記し
た特性と同様の特性を有するものから選択して使用する
のが望ましい。その様な有機光導電材料としては、ＰＶ
Ｋ、カルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イソ
プロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾール、テ
トラフェニルピレン、１−メチルピレン、ペリレン、ク
リセン、アトラセン、テトラセン、テトラフェン、２−
フェニルナフタリン、アザピレン、フルオレン、フルオ
レノン、１−エチルピレン、アセチルピレン、２゜３−
ベンゾグリセリン、３．４−ベンゾピレン、１．４−ブ
ロモピレン、フェニルインドール、ポリビニルピレン、
ポリビニルテトラセン、ポリビニルペリレン、ポリビニ
ルテトラフェン、ポリアクリロニトリル、ＰＶＫ　：　
ＴＮＦ　（単量体でのモル比１：１）に、テトラニトロ
フルオレノン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリ
デン、テトラシアノフイレン、ジニトロアントラキノン
等が挙げられる。

これらの有機光導電材料は、要求される特性を低下させ
なり範囲に於いて、２種以上混合して使用しても良いし
、又、前記した電気絶縁性の結着剤と混合して使用して
も良い。

ａ−８ｉ系先光導電の層厚としては、所望される電子写
真特性及び使用条件、例えば、可撓性が要求されるか否
か或いは、適用されるａ　−８ｉ粉末粒子の粒径、暗減
衰特性、又は形成された光導電層の電気的、光学的特性
の均一化の点等に応じて適宜決定されるものがあるが、
通常の場合１０〜８０μ、好適には１５〜７０μ、最適
には２０〜５０μとされるのが望ましい。

本発明の電子写真用像形成部材に於いては、上記の様に
支持体と光導電層を基本的層構成とするものであるが、
更に光導電層上に所謂保護層や電気絶縁層と称される表
面被覆層を設けても良い。

本発明に於いて、表面被覆層に要求される特性は、適用
する電子写真プロセスによって各々異なる。即ち、例え
ば、特公昭４２−２３９１０号公報、同４３−２４７４
８号公報に記載されている如きＮＰ方式の様な電子写真
プロセスを適用するのであれば、表面被覆層は、電気的
絶縁性であって、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が
充分あって、ある程度以上の厚みがあることが要求され
るが、例えば、カールソンプロセスの如き電子写真プロ
セスを適用するのであれば、静電像形成後の明部の電位
は非常に小さいことが望ましいので表面被覆層の厚さと
しては非常に薄いことが要求される。表面被覆層は、そ
の所望される電気的特性を満足するに加えて、光導電層
に化学的・物理的に悪影響を与えないこと、光導電層と
の電気的接触性及び接着性、更には耐湿性、耐摩耗性、
クリーニング性等を考慮して形成される。

表面被覆層の形成材料として有効に使用されるものとし
て、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレート、
ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチ
レン、ポリアミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩
化エチレン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六
弗化プロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン−弗化ビニリデンコポリマー、ポリブテン、ポリ
ビニルブチラール、ポリウレタン等の合成樹脂、ジアセ
テート、トリアセテート等のセルロース誘導体等が挙げ
られる。これらの合成樹脂又はセルロース誘導体は、フ
ィルム状とされて光導電層上に貼合されても良く、又、
それ等の塗布液を形成して、光導電層上に塗布し１層形
成しても良い。

表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じて、又、使
用される材質によって適宜決定されるが、通常の場合、
０．５〜７０μ程度とされる。

殊に表面被覆層が先述した保護層としての機能が要求さ
れる場合には、通常の場合、１０μ以下とされ、逆に電
気的絶縁層としての機能が要求される場合釦は、通常の
場合１０μ以上とされる。丙午ら、この保護層と電気絶
縁層とを差別する層厚値は、使用材料及び適用される電
子写真プロセス、設計される電子写真用像形成部材の構
造によって、変動するもので、先に１０μという値は絶
対的なものではない。

基本層構成を支持体と光導電層とし、該光導電層が自由
表面を有するか、又は該光導電層上に設けられた所謂保
護層としての表面被覆層が自由表面を有し、前記光導電
層成いは保護層の自由表面に静電像形成の為の帯電処理
が施される像形成部材に於いては、支持体と該支持体上
に設けられる層との間に、静電像形成の際の帯電処理時
に支持体側からキャリアーの注入を阻止する働きのある
障壁層を設けるのが一層好ましいものである。この様な
支持体側からのキャリアーの注入を阻止する働きのある
障壁層を形成する材料としては、選択される支持体の種
類光導電層の電気的特性に応じて適宜選択されて適当な
ものが使用される。その様な障壁層形成材料としては、
例えば、ｕｚｏ３．８ｉ０　、８ｉ０２等の無機絶縁性
化合物、ポリエチレン、ポリカーボネイト、ポリウレタ
ン、パリレン等の有機絶縁性化合物Ａｕ、Ｉ　ｒ、Ｐ　
ｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｍ。

等の金属である。

本発明に於いては、形成される電子写真用像形成部材の
転写画慣性、耐久性、繰返し使用性、或いは光導電層、
支持体、表面被覆層、障壁層等の中間層等各層間に於け
る電気的特性等の一層の改善の目的で、層形成する際支
持体或いは既に形成した層の表面をシラン系処理剤で表
面処理すると良い。

本発明に於いて、好適だ使用されるシラ／系処理剤とし
ては、例えば次の様な化学式で表わされる化合物が挙げ
られる。即ち Ｃｌ （ＣＨｓＯ）３　Ｓ　ｉ　（ＣＨ２）３　ＮＨＣＨ２Ｎ
Ｈ２（ＣＨ３０）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＩ］（ＣＨ３Ｃ
ＯＯ）３８１ｃＨ＝ｃＨ２ （ＣＨａＯ）ａ　８　ｒ　（ＣＨ２）３　ＣｌΦ　ｅ （ＨＯ）３５ｉ（ＣＨ２）３　Ｓ　Ｃ（ＮＨ２）２Ｃ１
（ＣＨ３０）３Ｓｉ　ＣＨ＝ＣＩ−Ｉ２ＣＨ２＝　ＣＨ
８ｉｃｅ　３ ＣＨ２ＮＨ２（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３ ＣＨ２＝ＣＨＳ　Ｉ　（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨｓ　）ａ
Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓ１（ＯＣＨ３）
２ＣＨ３ アミノシランのメタノール溶液等である。

本発明に使用されるシラン系処理剤として具体的には通
常市販されている多くのものが有効に使用され、例えば
トーン・シリコーン株式会社の８Ｈ６０２０，８Ｈ６０
２６，５Ｈ６０３１，ＤＣ６０３２゜８Ｈ６０４０，８
Ｈ６０６２，８Ｈ６０７５，５Ｈ６０７６゜ＤＣ５４５
６，Ｘｌ−６０００，ＰＲＸｌｌ、ＰＲＸ−１９゜ＰＲ
，Ｘ−２４，５Ｈ６０７０，８Ｈ６０７９，５Ｈ２２６
０゜信越化学工業株式会社のＫＡ１００３．　ＫＢＥ１
００３゜ＫＢＣ１００３，ＫＢＭ４０３．ＫＢＭ５０３
．ＫＢＭ６０２゜ＫＢＭ６０３．　プライマーＭＴ、プ
ライマーＵ。

プライマーＷ、プライマーＤ、プライマーＴ。

プライマーＡ、プライマーＳ、プライマーＡ６４゜プラ
イマー／１６５　、東芝シリコーン株式会社のＭＥＩ　
１．ＭＥｌ　３．ＭＢＩ　２１．ＭＥＩ　２３゜ＭＥＩ
　２４．　ＭＥＩ　５１．　ＭＥＩ　５２．　ＮＨ２０
゜ＮＨ２１，富士高分子工業株式会社のＦＳプライマー
Ｓなどが挙げられる。

これらのシラン系処理剤は有機溶剤または水。

または結着剤を溶解した溶液で稀釈するか、あるいは何
ら稀釈せずに、そのままシラン系処理剤で処理する表面
にスプレー塗布、へケ塗り、回転塗布、コーティングロ
ッド塗布、ディッピング法などの塗布方法により単分子
層から数１０μ程度の厚さで塗布される。

本発明に於いて、使用されるａ−８ｉ粉末粒子は、キャ
パシタンスタイプ或いはインダンクタンスタイプの気体
放電装置を利用して、　ａ　−８ｉ粉末粒子形成用の原
料ガス、例えば８ｉＨ４，８ｉ２Ｈ。

等や必要に応じて混合されるＨｅ　、　Ｎ　ｅ等の稀釈
ガスを減圧にし得る気体放電室内に導入し、該放電室内
にグロー放電を生起させてプラズマ雰囲気を形成する事
によって製造される。

本発明に於りて、その目的を達成する為のａ−８ｉ粉末
粒子を得る為に、所望のプラズマ雰囲気を形成するに有
効な放電現象を放電室内に生起させる条件は、使用する
気体放電装置の電極配置、電極の形状、放電室の内部容
積及び内部形状、電極間距離、更には気体放電を維持す
る時の電極間の電界強度、放電室内に導入される気体の
種類等によって適宜決定される。

例えば、電気的条件としては、キャパシタンスタイプの
場合、電極間電圧として、通常２０〜２０００Ｖ、好適
にば５０〜１５００ＶＫｉｌ整されると良い。投入され
る電力としては、キャパシタンスタイプ及びインダンク
タンスタイプ共に、通常０．０５〜５００　ｗ、好適に
は０．１〜３００ｗ、最適には１〜２００ｗとされるの
が良く、又更には、ＡＣｏ場合、その周波数は、通常０
．２〜３０ＭＨｚ。

好適には５〜２０ＭＨｚとされるのが望ましい。

形成されるａ−８ｉ粉末粒子は、目的とする電子写真用
としての光導電層が形成される可き特性を有する可く、
その暗抵抗及び光電利得が、その形成時にＨな含有させ
て制御される。とこに於いて、［ａ−’９ｉ粉末粒子中
にＨが含有される」ということけ、「Ｈが、８１と結合
した状態ｊ、ｒＨがイオン化して粉末粒子中に取り込ま
れている状態」又はｒＨｚ　として粉末粒子中に取り込
まれている状態」の何れかの又はこれ等の複合されてい
る状態を意味する。ａ−８！粉末粒子へのＨの含有は、
ａ−８！粉末粒子を形成する際、製造装置系内にＳｉＨ
４、Ｓｉ２Ｈ６等の化合物又はＨ２の形で導入し、気体
放電によって、それらの化合物又はＨ２を分解して、ａ
−８！粉末粒子中に、粉末粒子の形成に併せて含有させ
るＯ 本発明者の知見によれば、ａ−８！粉末粒子中へのＨの
含有量は、形成される光導電層が、実際面に於いて電子
写真用として適用され得るか否かを左右する大きな要因
の一つであって、極めて重要であることが判明している
。

本発明に於いて、形成される光導電層を実際面に充分適
用させ得る為には、ａ−８！粉末粒子中に含有されるＨ
の量は通常の場合１０〜４０ａｔｏｍｉｃ　％　、好適
には１５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
。

ａ−８！粉末粒子は、製造時の不純物のドーピングによ
って真性にし得、又その伝導型を制御することができる
。

ａ−８！粉末粒子中にドーピングされる不純物としては
、ａ−８！粉末粒子をＰ型にするには、周期律表第■族
Ａの元素、例えばＢ、ｋ１％Ｇａ　。

Ｉｎ％ＴＩ！　等が好適なものとして挙げられ、ｎ型に
する場合には、周期律表第Ｖ族Ａの元素１例えば、Ｎ、
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｔ　等が好適々ものとして挙げられ
る。　− ａ−８！粉末粒子中にドーピングされる不純物の量は、
所望される電気的、光学的特性に応じて適宜決定される
が、周期律表第■族Ａの不純物の場合には通常１０〜１
０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には１０”３〜１０−’　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｅＸ、周期律表ｔｌｃｖ族りの不純物の場
合には、通常１０〜１０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には１
０−”　〜１０−’　ａ　ｔｏｍ　ｉ　ｃ％とされるの
が望ましい。

放電室内に導入される気体の量は、放電室内の圧力表示
で、通常は０，１〜２０　’ｌｌ”ｏｒｒ　、好適には
０．５〜１０　Ｔｏｒｒとされ、ａ−８ｉ粉未形成用の
原料ガス圧としては、通常１０−２〜１０Ｔｏｒｒ、好
適には１０””　〜５Ｔｏｒｒ　、最適には１０−’　
〜２　Ｔｏｒｒとされるのが望ましｂものである。

本発明に於いて、使用されるａ−８！粉末粒子を製造す
るには、通常使用されている気体放電装置を利用するこ
とが出来る。その様か気体放電装置の一例を第１図に示
す。

第ｉ　図ｈキャパシタンスタイプグロー放電法によって
、ａ−８！粉末粒子を製造する為の気体放電装置の模式
的説明図である。

１はグロー放電室であり、該室１の上部外側には、高周
波電源２と接続されているキャノくシタンスタイプ電極
３，４が巻かれており、前記高周波電源２がＯＮされる
と前記電極３・、４に高周波電力が印加されて室１内に
グロー放電が生起される様になっている。

放電室１の上端部には、ガス導入管が接続されておυ、
ガスボンベ５，６．７．８より各々のボンベ内のガスが
必要時に放電室１内に導入される様になっている。９，
１０．１１．１２は各々フローメータであってガスの流
量を検知する為のメータであり、又、１３．１４．１５
．１６は流量調整パルプ、バルブ２１は補助ノ（ルプで
ある。

又放電室１の下側端部はメインノ（ルブ２２を介して排
気装置（図示されていない）に接続されている。２３は
、放電室１内の真空を破る為のパルプである。

放電室１の下端部には、中心部に穴が設けられた円錐状
の収集板２４が取り付けられており、収集室２５内の前
記収集板２４の穴の真下の位置には％製造されるａ−８
！粉末を収納する為の収納器２６が置かれである。

２７は、収集室２５内の収納器２６を出し入れる為の開
閉扉であって、閉じた状態に於いては、収集室２６内の
真空が充分保たれる様に設計されている。

収集板２４は、放電室１内で生成されるａ−８ｉ粉末を
、その中心部に収集する機能がある他、生成されたａ−
８ｉ粉末が排気系に取込まれるのを防止する機能も有し
ている。

２８は、ゲートバルブであって、放電室】と収集室２５
間を遮断開放する為のバルブである。

２９は、例えばゲートパルプ２８を閉めて放電室１との
機密を遮断した後、収集室２５内の真空を破る為のバル
ブである。

第１図の装置を使用して、ａ−８ｉ粉末を製造するには
、先ずメインバルブ２２及びゲートパルプ２８を全開し
て放電室１内及び収集室の空気を矢印Ａで示す様に排気
して、真空度：１Ｏ−５Ｔｏｒｒ　程度にする。放電室
１内が所定の真空度に達した後、次に補助バルブ２１を
全開し、続いてガスボンベ５のバルブ１７及びガスボン
ベ６のバルブ１８を全開する。ガスボンベ５は例えばＡ
ｒ　ガス等の稀釈ガス用であり、ガスボンベ６はａ−８
ｉを形成する為の原料ガス用であって、例えば、Ｓ　Ｉ
Ｈ４、Ｓ　１２Ｈ６、Ｓ　１４Ｈ１ｏ又は、それ等の混
合物等が貯蔵されている。又、ボンベ７及びボンベ８は
必要に応じてａ−８ｉ系先光導電中に不純物を導入する
為の原料ガス用であって、例えばボンベ７にはＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４，ボンベ８にはＢ２Ｈ６等が貯蔵されている。

その後ガスボンベ５及び６の流量調節バルブ１３．１４
を、フローメータ９及び１ｏを見乍ら、徐々に開口し、
放電室１内に稀釈ガスとして例えばＡｒガス及び例えば
、　ＳｉＨ，ガス等のａ−８ｉ形成用の原料ガスを導入
する。この時Ａｒガス等の稀釈ガスは必ずしも要するも
のではな（，８ｉＨ４ガス等の前記原料ガスのみ導入し
ても良い。ＡｒガスをＳ　ｉＨ，ガス等のａ−８ｉ形成
用の原料ガスに混合して導入する場合、その量的割合は
、所望に従って決定されるが、通常の場合、稀釈ガスに
対して前記原料ガスが１０　Ｖｏ／％以上とされる。尚
稀釈ガスとしてＡｒガスの代りＶＣＨｅガス等の稀ガス
を使用しても良い。

放電室１内に、ボンベ５．６よりＦｆｒＷノカスが導入
された時点に於いて、メインバルブ２２を調節して、所
定の真空度、通常の場合は、ａ−８ｉ粉末を形成する時
の全ガス圧で０．１〜２゜Ｔｏｒｒ　に保つ。次いで、
放電室１外に巻かれたキャパシタンスタイプの電極３．
４に高周波電源２により所定周波数、通常の場合は０．
２〜３０ＭＨｚの高周波電力を加えてグロー放電を放電
室１内に起すとプラズマ雰囲気が形成され、例えばａ−
８ｉ形成用の原料ガスとして５ｔｎ４を使用すると、該
８　ｉＨ４が分解されて、ａ−８ｉ粉末粒子が形成され
る。形成され九ａ−８ｔ粉末粒子は、収集板２４によっ
て、収集板２４の中央に収集されて、その下方に設置し
である収集室２５内の収納器２６中に収容される。

形成されるａ−８ｉ粉末粒子中に不純物を導入する際に
は、ボンベ７又は／及びボンベ８より不純物生成用のガ
スを、ａ−８を粉末形成時に放電室１内に導入してやれ
ば良い。この場合、流量調節バルブ１５又は／及び１６
を適当に調節することにより、ボンベ７又は／及び８よ
りの放電室１へのガスの導入量を適切に制御することが
出来るので、形成されるａ−８ｉ粉末粒子中に導入され
る不純物の量を任意に制御するととが出来る。

第１図に示される気体放電装置に於いては、キャパスタ
ンスタイプグロー放電法が採用されているが、この他、
インダクタンスタイプグロー放電法も本発明に於いて採
用される。又、グロー放電の為の電極は、放電室１の内
に設けても良いし又放電室１の外に設けても良い。

以下、本発明を実施例に従って、具体的に説明する。

実施例１ 光導電性物質として平均粒径５〜１０μのｎ型ａ−３ｉ
粉末粒子２０１と結着剤として平均粒径１０μの弗素樹
脂（商品名ＭＰ−１０：三井７０ロケミカル社）粒末２
０１とをトリニトン２２を含むフレオン溶液５〇−中に
混合分散させて光導電層形成用の分散液を作成した。

この分散液中に表面をマット処理したアルミニウム製円
筒状ドラム支持体を浸漬した後、引上げて充分乾燥させ
た後約３７０℃で６０分間焼成処理を施して朧厚２ｏμ
の光導電層を形成して、電子写真用像形成部材とした。

得られた電子写真用像形成部材の光導電層表面は極めて
平滑性に優れ、良好な外観を示していた。

この電子写真用像形成部材に暗所に於いて、ｅ６ＫＶの
コロナ放電を与え次いで画像露光し。

■に荷電したトナーを用いて現像を行い、得られたトナ
ー像を普通紙上に転写した。

クリーニングはウレタンゴム製のブレードクリーニング
を採用した。この様な画像再生処理を繰り返し１０万回
行ったところ１０万枚目の転写画像の画質と一枚目の転
写画像の画質とには、何等差はなく、被りのない鮮明な
極めて良好なものであり、又、転写性も優れている為に
画像再生処理の繰返し毎には殆どクリーニングの必要が
なく、本実施例に於いては、３０枚毎にクリーニング処
理を適用させた。又、感度も１０　ｌｕｘ、　ｓｅｃと
良好であって帯電特性もθ６ＫＶのコロナ放電を与える
とｅｓｏｏｖの表面電位が観測され実用的にも充分満足
し得るものであることが立証された。

実施例２ 光導電性物質として平均粒径１μのＰ型ａ−８ｉ粉末２
０？と結着剤として平均粒径１ｏμのポリフルオロエチ
レンプロピレン樹脂粒末２０ｙとトリニトン１ｖとをフ
レオン溶液５０ｍ１！中に混合分散させて光導電層形成
用の分散液を作成した。

この分散液中に表面をマット処理したアルミニウム製円
筒状ドラム支持体を浸漬した後、引上げて充分乾燥させ
た後約２８０℃で６０分間焼成処理を施して膜厚３ｏμ
の光導電層を形成して、′１子写真用像形成部材とした
。

得られた電子写真用像形成部材の光導電層表面は極めて
平滑性に優れ、良好な外観を示していた。

この電子写真用像形成部材に暗所に於いて、■６ＫＶの
コロナ放電を与え次いで画像露光し、ｅに荷電［またト
ナーを用いて現像を行い、得られたトナー像を普通紙上
に転写した。

クリーニングはウレタンゴム製のブレードクリーニング
を採用した。この様な画像再生処理を繰返し１０万回行
ったところ１０万枚目の転写画像の画質と一枚目の転写
画像の画質とには、何醇差はなく、被９のない極めて良
好なものであり、又、転写性も優れている為に画像再生
処理の繰返し毎には殆どクリーニングの必要がなく、本
実施例に於いては、１０枚毎にクリーニング処理を適用
させた場合でもクリーニングには同等支障は生じなかっ
た。又、感度も７．０／ＩｊＸ、　！ｉｅｃと良好であ
って帯電特性も■６ＫＶのコロナ放電を与えるとｅ５０
０Ｖの表面電位が観測され実用的にも充分満足し得るも
のであることが立証された。

実施例３ 第１図に示した装置によって製造したｎ型ａ−８ｉ粉末
１００重量部と樹脂固形分として芳香族ポリエステル化
ウレタン樹脂（分子量約３万）（商品名：ＣＡ１０１、
日本油脂社製）５０重量部とを含む分散液を円筒状アル
ミニウムドラムに塗布乾燥し、次いで、８０℃で１５分
間乾燥後、４ＫＷ水銀ランプで５分間光照射して硬化さ
せ、５０μ厚の光導電層を形成した。

次に、得られた光導電層表面を光硬化型不飽和ポリエス
テル樹脂（商品名：ＵＶ−ＣＭ−１０２、カシューＫＫ
製）の粘度が９０ＣＰ８となる様にメチルエチルケトン
で希釈した液に浸し、３０ｒｍ　／　ｍｌＨの速度で引
き上げた後、４ＫＷ水銀ランプで５分間照射して硬化さ
せた。この操作を３回くり返して３０μの絶縁層を設け
た。

この様にして形成された電子写真用像形成部材の絶縁層
表置に一次帯電として、電源電圧６０００Ｖでｅコルす
放電を０．２ａｅｃ間行ったところ、■２０００Ｖに帯
電した。次に、二次帯電として電源電圧５５００Ｖでｅ
コロナ放電を行うと同時に露光量１５１ｕｘ、ｓｅｃで
画像露光を行い、次いで像形成部材表面を一様に全面照
射して静電像を形成した。この静電像をカスケード法に
よってｅに荷電されたトナーで現像し、転写紙上に転写
定着したところ極めて良品質の画像が得られた。又、上
記の画像再生処理を繰返し１０万回行ったところ１０万
枚目の転写画像の画質と１枚目の転写画像の画質とには
、例等差はなく、被りのない極めて良質のものであった
。

実施例４ 第１図に示した装置によって製造したＰ型ａ−８ｔ粉末
１００重量部に塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー１０
重量部、希釈剤としてメチルイソブチルケトン１０重量
部を混合して日−ルミルで良く分散し、ペースト状光導
電性組成物を調整し、更にメチルエチルケトンを加えて
２０℃で７００　ｃｐｓの粘度に調製した。その組成物
溶液中にアルミニウム製円筒形ドラムをディッピングし
ｂ　３０　ｒｔｒｐｎ／　ｍｉｎの速度で引き上げて塗
布し％　７０℃２０分間乾燥して溶媒を完全に揮発させ
て厚さ５０μの光導電層を形成した。次−で上記ドラム
をα、ωポリブタジェンジカルボン酸樹脂のカルボキシ
ル基をアンモニアで中和して得た水系分散液（粘度：　
２０　℃７０　ｃｐｓ）にディッピングし、３０■／ｍ
ｉｎの速度で引き上げて塗布し、７０℃で３０分間乾燥
して、水及びアンモニアを揮発させて、上記光導電層上
に厚さ４μの目止層を形成した。更に上記ドラムを光硬
化型アクリル化ウレタン樹脂をエチルアルコールで希釈
した（粘度；２０℃７０　ｃｐｓ）溶液中にディッピン
グし、　３０　＋ｍ　／　ｍｉｎ　（Ｄ速ｒで引き上げ
目止層上に上記物質の薄膜を形成した後、紫外線照射装
置中で、１００秒間紫外線を照射して硬化し、絶縁層を
形成した。この絶縁層は、１回の塗布でできる膜の厚さ
は１０μで、この後更に２回同じ操作をくり返して合計
３０μの絶縁層とした。

この様にして製造した電子写真用像形成部材の絶縁層表
面に一次帯電として、電源電圧６０００Ｖでｅコロナ放
電を０．２　ｓｅＣ間行ったところ、θ２０００Ｖに帯
電した。次に、二次帯電として電源電圧５５００Ｖで■
コロナ放電を行うと同時に露光量１５　ｐｕｘ、ｓｅｃ
で画像露光を行い、次いで像形成部材表面を一様に全面
照射して静電像を形成した。この静電像をカスケード法
によってｅに荷電されたトナーで現像し、転写紙上に転
写定着したところ極めて良品質の画像が得られた。又、
上記の画像再生処理を繰返し１０万回行ったところ１０
万枚目の転写画像の画質と１枚目の転写画像の画質とに
は、何等差はなく、被りのない極めて良質のものであっ
た。

実施例５ 第１表に示す様に光導電層形成用の分散液を調合した。

これ等の分散液をステンレス製円筒状ドラム支持体上に
浸漬法にて塗布し、所定の硬化処理を施して約３５μ厚
の光導電層を形成して試料Ｎ０８Ｓ５１〜ＳＢｍ　の電
子写真用像形成部材を得た。これ等の像形成部材の中試
料Ｎｏ５８５１”８０の像形成部材に、暗中に於いて電
源電圧５５００Ｖでｅコロナ放電を光導電層表面に行い
、次いで１５　ｚｕｘ、ｓｅＣの露光量で画像露光を行
って、静電像を形成し、該静電像をカスケード法により
■荷電されたトナーで現像して転写紙上に転写・定着し
たところ解像力が高く極めて鮮明な画像が得られた。

一方、試料Ｎｏ５８５４〜８５Ｂの像形成部材に就で、
暗中で電源電圧６０００Ｖで■コロナ放電を施し、次い
で１５１ｕｘ、ｓｅｃの光量で画像露光を行い、前記の
ｅコロナ放電を施して画像出しをした時と同様の条件で
画像出しを行ったところ、得られた転写紙上の画像は、
解像力が高く極めて鮮明で良質の画像であった。

各々に適した上記の様な画像形成処理を繰返し、試料Ｎ
ｏ５８５１〜Ｓ５６の電子写真用像形成部材に施し、こ
れ等の電子写真用像形成部材の耐久性に就て試験したと
ころ、１５万枚目の転写紙上に得られた画像も極めて良
質であって、１枚目の転写紙上の画像と較べても同等差
違はなく、これ等の電子写真用像形成部材が耐コロナイ
オン性、耐摩耗性に優れ著しく耐久性に富んでいること
が実証された。

第　１　表 実施例６ 第１図に示した装置によって製造したｎ型ａ−８ｉ粉末
１００重量部に塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー１０
重量部、希釈剤としてメチルイソブチルケトン１０重量
部を混合してロールミルで良く分散し、ペースト状光導
電性組成物ヲ調整し、更にメチルエチルケトンを加えて
２０℃で７００　ｃｐｓの粘度に調製した。その組成物
溶液中にアルミニウム製円筒形ドラムをディッピングし
、３０ｗｅ／ｍｉｎの速度で引き上げて塗布し、７０℃
２０分間乾燥して溶媒を完全に揮発させて厚さ５０μの
光導電層を形成した。

次いで上記ドラムを、ポリビニールアルコール（商品名
：ポバールＣ−１７、信越化学社製）の水系分散液（粘
度：２０℃７０Ｃｐｌ）にディッピングし、３０■／ｍ
ｉｎの速度で引き上げて塗布し、７０℃で３０分間乾燥
して、水を揮発させて、上記光導電層上に厚さ２μの保
護層を形成した。

この様にして製造した電子写真用像形成部材に、暗中に
於いて電源電圧５５００Ｖでθコロナ放電を光導電層表
面に行い、次いで１５　ｌｕＸ。

ｓｅｃの露光量で画像露光を行って、静電像を形成し、
該静電像をカスケード法により、■荷電されたトナーで
現像して転写紙上に転写・定着したところ解像力が高く
極めて鮮明な画像が得られた。

又、更には上記の画像再生処理を繰返し２万回行ったと
ころ２万枚目の転写画像の画質と一枚目の転写画像の画
質とには同等差違はなく、被シのない極めて良質のもの
であった。

実施例７ 実施例６の保護層形成材料としてのポリビニルアルコー
ルの代りに第２表に示す保護層形成材料を用いた以外は
、実施例６と同様の条件と手順で試料Ｎｏ５８１１〜８
７４の電子写真用像形成部材を製造した。これ等の像形
成部材に就で実施例６と同様の画像再生処理を施したと
とろ実施例６の場合と同様に良好な結果を得た。

第　２　表 実施例８ デルミニラム製内筒状ドラム６本を用意し各々の表面を
第３表に示すシラン系処理剤（溶剤はエチルアルコール
を使用）で表面処理した。

別に第１図に示す装置で製造したｎ型ａ−８ｉ粉末１０
０重量部に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合ワニス（商品
名Ｖ−１・森用インキ社製）を固形分で１０重量部、稀
釈剤としてメチルイツブチルケトン５重量部を混合して
ロールミルで良く分散しペースト状光導電性組成物を調
製した。次いでこの組成物にメチルエチルケトンを加え
て５００〜６００　Ｃ，Ｐ、Ｓの粘度とした。

その組成物溶液中に前記の６本のアルミニウム製円筒形
ドラムを別々に各々ディッピングし、３０国／ｍｉｎの
速度で引上げ、７０℃で２０分間乾燥して溶剤を完全に
揮発させて厚さ３５μの光導電層を形成した。

次いで上記６本のドラムを各々４０℃に加熱溶解させた
１０％ゼラチン水溶液（新田ゼラチン社製）中にディッ
ピングし、約４　ｃｍ　／　ｍｉｎの速度で引上げ、上
記感光導電層上に厚さ１μの目止め層を形成した。

更に上記６本のドラムを光硬化型アクリルウレタン樹脂
（商品名ゾンネ：関西ペイント社製）をエチルアルコー
ルで１０００．Ｐ、Ｓに稀釈した溶液中に各々、別々に
ディッピングし１４ｃｍ／Ｉｎｊｎの速度で引上げ、目
上層上に上記物質の薄膜を形成した後紫外線照射装置中
で１２０秒間紫外線を照射して硬化させた。この塗布を
６本のドラムに対して各々３回〈り返えし３０μの厚さ
の絶縁層を形成して、試料Ｎｏ５Ｓ３１〜ＳＳ５の電子
写真用像形成部材を得た。

これ等の電子写真用像形成部材の絶縁層表面に一次帯電
として、電源電圧６０００Ｖで■コロナ放電を０．２　
ｓｅｃ間行ったところ、■２０００　Ｖに帯電した。次
に、二次帯電として電源電圧５５００Ｖでｅコロナ放電
を行うと同時に露光量１５　／！ｕｘ、ｓｅｃで画像露
光を行い、次いで像形成部材表面を一様に全面照射して
静電像を形成した。この静電像をカスケード法によって
ｅに荷電されたトナーで現像し、転写紙上に転写定着し
たところ極めて良品質の画像が得られた。又、上記の画
像再生処理を繰返し１０万回行ったところ１０万枚目の
転写画像の画質と１枚目の転写画像の画質とには、同等
差はなく、被りのない極めて良質のものであった。

第　３　表 数値は、溶剤とシラン系処理剤との重量比。

実施例９ アルミニウム製円筒状ドラム表面にシラン系処理剤（Ｃ
Ｈ３０）３Ｓｉ（ＣＨ２）３　ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２
２，０ｆＫｌ＆にエチルアルコール溶液をスプレーで吹
付けて塗布処理した。

別に第１図に示す装置で製造したｎ型ａ−８ｉ粉末１０
０重量部に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合ワニス（商品
名ｖ−１：森川インキ社製）を固形分で１０重量部、稀
釈剤としてメチルイソブチルケトン５重量部を混合して
ロールミルで良く分散しペースト状光導電性組成物を調
製した。次いでこの組成物にメチルエチルケトンを加え
て約５５００．Ｐ、８の粘度としだ。その組成物溶液中
に前記アルミニウム製円筒形ドラムをディッピングし、
３０（１）／ｍｉｎの速度で引上げ、７０℃で２０分間
乾燥して溶剤を完全に揮発させて厚さ３５μの光導電層
を形成した。

この光導電層表面を前記と同様のシラン系処理剤で表面
処理した後、ポリカーボネイト樹脂を乾燥後の厚さが１
５μとなる様に塗布して、電気的絶縁層を形成して、電
子写真用像形成部材とした。この像形成部材の絶縁層表
面に一次帯電として、電源電圧６０００Ｖで■コロナ放
電を０．２　ｓｅｃ間行ったところ、■２０００Ｖに帯
電した。次に、二次帯電として電源電圧５５００Ｖでｅ
コロナ放電を行うと同時に露光量１５／ｕｘ。

ｓｅｃで画像露光を行い、次いで感光体表面を一様に全
面照射して静電像を形成した。この静電像をカスケード
法によってｅに荷電されたトナーで現像し、転写紙上に
転写定着したところ極めて良品質の画像が得られた。

実施例１０ 実施例６に於けるアルミニウム円筒状ドラムの表面をア
ルマイト処理して厚さ約２μの障壁層を形成した以外は
、実施例６と同様の条件と手順で電子写真用像形成部材
を製造した。

この像形成部材に就て、実施例６と同様の画像再生処理
を施したところ、実施例６と同様に良好な転写画像が得
られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に於いて使用される光導電材料粉末を
製造する為の気体放電装置の一例を説明する為の模式的
説明図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. アモルファスシリコン粉末粒子形成用の原料ガスが導入
   されている放電室内に電力０．０５〜５００Ｗの放電条
   件で放電を生起し、前記原料ガスを分解するととＫより
   、アモルファスシリコン粉末を形成することを特徴とす
   るアモルファスシリコン粉末粒子の製造方法。