JPS616116A - シランの製造方法 - Google Patents
シランの製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 49
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims description 9
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000000123 silicon containing inorganic group Chemical group 0.000 claims description 4
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical group Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical group II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 alkali metal salts Chemical class 0.000 description 3
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012975 dibutyltin dilaurate Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- FPJPAIQDDFIEKJ-UHFFFAOYSA-N 4-trimethoxysilylbutanenitrile Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCC#N FPJPAIQDDFIEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical class CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001944 Plastisol Polymers 0.000 description 1
- 235000006040 Prunus persica var persica Nutrition 0.000 description 1
- 240000006413 Prunus persica var. persica Species 0.000 description 1
- 241000244317 Tillandsia usneoides Species 0.000 description 1
- 238000006151 Voronkov reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical class [H]O* 0.000 description 1
- 208000006278 hypochromic anemia Diseases 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012194 insect media Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QIOYHIUHPGORLS-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN(C)C QIOYHIUHPGORLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical group 0.000 description 1
- 239000004999 plastisol Substances 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/06—Halogens; Compounds thereof
- B01J27/08—Halides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は新規なシランの製造方法、特にトリクロロシラ
ン、ジクロロシラン等のクロロシランの不均等化反応に
よるシランの製造方法に関する。
ン、ジクロロシラン等のクロロシランの不均等化反応に
よるシランの製造方法に関する。
(従来の技術)
硅素と水素の結合(Si−H)を南するクロロンランは
不飽和結合を有する有機化合物に付加反応を起こすこと
ができるのでいろいろな有機クロロ/ランを合成するの
に使用されている非常に有用な硅素化合物であル(E、
Y、 Lukevits & M、 G、 Voro
nkov。
不飽和結合を有する有機化合物に付加反応を起こすこと
ができるのでいろいろな有機クロロ/ランを合成するの
に使用されている非常に有用な硅素化合物であル(E、
Y、 Lukevits & M、 G、 Voro
nkov。
“第1V族元素の有機インザーンヨン反応(Organ
icInsertion Reactiuns o
f Group IV Elements)’′
。
icInsertion Reactiuns o
f Group IV Elements)’′
。
Con5ulants Bureau、New YOr
k、 1966)。工業用金属硅素から半導体硅素を製
造する工程に於いてもトリクロロ7ランは中間物質とし
て広く知られているが高純度である半導体硅素を製造す
るために不純物の多い工業用金属硅素を塩化水素と反応
させてトリクロロ/ランに転換させて、これを精製した
後に古び還元させ高純度の半導体硅素を得テイル(F、
A、 Padovani、米国特許第4092466
号)。
k、 1966)。工業用金属硅素から半導体硅素を製
造する工程に於いてもトリクロロ7ランは中間物質とし
て広く知られているが高純度である半導体硅素を製造す
るために不純物の多い工業用金属硅素を塩化水素と反応
させてトリクロロ/ランに転換させて、これを精製した
後に古び還元させ高純度の半導体硅素を得テイル(F、
A、 Padovani、米国特許第4092466
号)。
半導体工業が発達するにしたがって半導体硅素の需要が
増加し、その製造工程の改善に対する関心が高ツリ、ト
リクロロ7ランを還元しやすく桿□製しやすいジクロロ
7ランや7ランに転換させ、半導体硅素を得る方θ、に
改善された(L、 H,Coleman。
増加し、その製造工程の改善に対する関心が高ツリ、ト
リクロロ7ランを還元しやすく桿□製しやすいジクロロ
7ランや7ランに転換させ、半導体硅素を得る方θ、に
改善された(L、 H,Coleman。
米国特許第4340574号)。従って、クロロ/ラン
の工業的な重要IWは日1?lシに高1つていると8え
る。
の工業的な重要IWは日1?lシに高1つていると8え
る。
硅素と水素の結合を廟するクロロ7ランは銅を触媒とし
て合端硅素と塩化水素を反応させて得られるが、この反
応は発熱反応であるため工業的には流動1−反応槽を使
用することにより反応熱を除去する。反応温#1を制御
できないと、副産物が多くなるため経済性がなくなるた
めである。しかし、反応条件をよくA節しても予想され
る・ノクロロシラyf’r−非常に少ない量が得られる
たけであり、主生成物はトリクロロ7ランで、約80チ
が得られ、次にはテトラクロロ7ランが15%ぐらい得
られる。したがってジクロロ7ランや7ランはトリクロ
ロプランから不均等化反応によってシクロロンランとテ
トラクロロシランに転換され、次いでこの2クロロシラ
ンから同じ方法によってシランをイ9ることかテきる(
C,J、 Litteral、米国特許第411384
5号)。
て合端硅素と塩化水素を反応させて得られるが、この反
応は発熱反応であるため工業的には流動1−反応槽を使
用することにより反応熱を除去する。反応温#1を制御
できないと、副産物が多くなるため経済性がなくなるた
めである。しかし、反応条件をよくA節しても予想され
る・ノクロロシラyf’r−非常に少ない量が得られる
たけであり、主生成物はトリクロロ7ランで、約80チ
が得られ、次にはテトラクロロ7ランが15%ぐらい得
られる。したがってジクロロ7ランや7ランはトリクロ
ロプランから不均等化反応によってシクロロンランとテ
トラクロロシランに転換され、次いでこの2クロロシラ
ンから同じ方法によってシランをイ9ることかテきる(
C,J、 Litteral、米国特許第411384
5号)。
不均化反応は、硅素に結合された水素は、水素だけで集
まり、塩素は塩素たけで集って、一方は水素が多くなり
、他方は塩素が多くなる化合物に分離する反応であり、
この反応は必ず触媒を必要とし、従来いろいろなおに類
の触媒が使用されているが、その中で工業的に1裂なも
のは多くない。
まり、塩素は塩素たけで集って、一方は水素が多くなり
、他方は塩素が多くなる化合物に分離する反応であり、
この反応は必ず触媒を必要とし、従来いろいろなおに類
の触媒が使用されているが、その中で工業的に1裂なも
のは多くない。
(発明が解決しようとする問題点)
従来は、塩化アルミニウム、6塩化ホウ素の様なルイス
酸を触媒に使用したり(C,E、 Er1ckson。
酸を触媒に使用したり(C,E、 Er1ckson。
米国特許第2627451.2735861号)、ニト
リルやアミン化合物、トリフェニルフォスフイン、ジメ
チルフォルムアミド等の有機化合物が使用さレルか(D
、 L、 Ba11ey、米国特許第2732282号
)、炭素粉末、アルカリ金属塩等が使用された(M、
Kinger、米国%ffff第36275芳1がら、
塩化アルミニウムや6塩化ホウ素の様な触媒は、戊応佐
に生成物からδ易に分謹1できるA”4点はあるが、反
応幌1)J,が200℃程変の2冒,い(1引枝金必苅
とするが、トリクロロ/ランのδ(1点は62℃であり
、ジクロ1]ンランの沸点は8℃であり、シランの一ル
点iよ、−112℃であるため反応7A后秋が旨いと反
応槽の圧力も市くなければならす、このため工程の運転
には連点が多い一−dた、属素やアルカリ金属塩を使用
すると、反応温度を600〜650℃まで上けなければ
ならないので実用性は#1とんどなく、ニトリルやアミ
ン化付物のノ)!−な翁磯物を触媒として便用すると反
応温出−は100〜150℃であり、比s’5約5的低
7,A度で反応が起きるが、反応時間が長く、反応後に
は触媒が生成物(て浴けるため、生成物から触媒を分画
するわずられしい蒸留工程を経なけnはならない。
リルやアミン化合物、トリフェニルフォスフイン、ジメ
チルフォルムアミド等の有機化合物が使用さレルか(D
、 L、 Ba11ey、米国特許第2732282号
)、炭素粉末、アルカリ金属塩等が使用された(M、
Kinger、米国%ffff第36275芳1がら、
塩化アルミニウムや6塩化ホウ素の様な触媒は、戊応佐
に生成物からδ易に分謹1できるA”4点はあるが、反
応幌1)J,が200℃程変の2冒,い(1引枝金必苅
とするが、トリクロロ/ランのδ(1点は62℃であり
、ジクロ1]ンランの沸点は8℃であり、シランの一ル
点iよ、−112℃であるため反応7A后秋が旨いと反
応槽の圧力も市くなければならす、このため工程の運転
には連点が多い一−dた、属素やアルカリ金属塩を使用
すると、反応温度を600〜650℃まで上けなければ
ならないので実用性は#1とんどなく、ニトリルやアミ
ン化付物のノ)!−な翁磯物を触媒として便用すると反
応温出−は100〜150℃であり、比s’5約5的低
7,A度で反応が起きるが、反応時間が長く、反応後に
は触媒が生成物(て浴けるため、生成物から触媒を分画
するわずられしい蒸留工程を経なけnはならない。
この様に生成物から分照しゃすいlI!!]体型の触媒
は反応源,′糺が筒くなけれはならないし、反応温度の
低い有機系統の触媒は反応後に触媒が生成物に釣は入る
ため分Nfするのに灯点がある。従って、この二つの彫
りの触媒の長所を持ち、パノ所を補完した触媒として第
4級アルキルアンモニウム塩が置換された有機系統のイ
オン交換樹脂を使用しトリクロロ7ランに転換させる方
法が17ト]発された(J、 Bakay、米国特許第
3928542号)。イオン又換樹脂はクロロシラ/に
溶けないため分離しやすく、100℃以下の温度で反応
が起き、反応時1ト11も60分以内で短い方である。
は反応源,′糺が筒くなけれはならないし、反応温度の
低い有機系統の触媒は反応後に触媒が生成物に釣は入る
ため分Nfするのに灯点がある。従って、この二つの彫
りの触媒の長所を持ち、パノ所を補完した触媒として第
4級アルキルアンモニウム塩が置換された有機系統のイ
オン交換樹脂を使用しトリクロロ7ランに転換させる方
法が17ト]発された(J、 Bakay、米国特許第
3928542号)。イオン又換樹脂はクロロシラ/に
溶けないため分離しやすく、100℃以下の温度で反応
が起き、反応時1ト11も60分以内で短い方である。
この目的に使用きれるイオン交3Q IJ脂としては、
米国のロームアンドハス社のAmberyst A−2
1と八−26やAmberiteIRA−400等が用
いられ、公チ[」の卿1!媒中で最も使用しやすく、簡
単な触媒として知られている。しかし、この様な触媒は
イオン交候樹脂の比重が低いため連続工程に於いてはル
ー込物j【巻き体重れない様に支持体と共に充填しなけ
ればならない煩わしさがあり、反応条件で樹脂と第4級
アルキルアンモニウム均の結合が破壊されるため長時間
使用できない短所があるつこれは第4級アルキルアンモ
ニウム塩が有機系統の高分子であるイオン交換樹脂に結
合されている構造的特性からくるものと考えられている
。従って、この様々イオン交換194脂を触媒として便
ハjしようとすれは、■i脂の比重が低い事から由来す
る問題と触媒の安jビ性を高める問題を解決しなければ
ならないygがある。
米国のロームアンドハス社のAmberyst A−2
1と八−26やAmberiteIRA−400等が用
いられ、公チ[」の卿1!媒中で最も使用しやすく、簡
単な触媒として知られている。しかし、この様な触媒は
イオン交候樹脂の比重が低いため連続工程に於いてはル
ー込物j【巻き体重れない様に支持体と共に充填しなけ
ればならない煩わしさがあり、反応条件で樹脂と第4級
アルキルアンモニウム均の結合が破壊されるため長時間
使用できない短所があるつこれは第4級アルキルアンモ
ニウム塩が有機系統の高分子であるイオン交換樹脂に結
合されている構造的特性からくるものと考えられている
。従って、この様々イオン交換194脂を触媒として便
ハjしようとすれは、■i脂の比重が低い事から由来す
る問題と触媒の安jビ性を高める問題を解決しなければ
ならないygがある。
(間鴇点を解決するだめの手段)
シリカやゼオライ) 4Qの無機物Vi若干の反応性の
ある水酸基結合を持っているため、この揄睦基に反応性
がある有機硅素化合物を結合させる9(ができる(F、
R,Hartley & P、N、Vezey、”有
機金桐化学の進歩(Avd、 in Organome
tal chem、 )’、715巻、18?頁、(1
978))。この様な無イーAりの表面にある頁能基に
4f機硅素化合惰を組合させる事はプラスチソクエ穢に
使用される無機充填剤を表面処方する時に多く使用され
ている。
ある水酸基結合を持っているため、この揄睦基に反応性
がある有機硅素化合物を結合させる9(ができる(F、
R,Hartley & P、N、Vezey、”有
機金桐化学の進歩(Avd、 in Organome
tal chem、 )’、715巻、18?頁、(1
978))。この様な無イーAりの表面にある頁能基に
4f機硅素化合惰を組合させる事はプラスチソクエ穢に
使用される無機充填剤を表面処方する時に多く使用され
ている。
本発明者らは前記の問題を解決すべく kji h (
z Kltを重ねた結果、上記の技術を触媒の製造に利
用して得られた特殊な触媒がクロロ7シンの不均等化反
応触媒として上動であり、効率よくシ:j)を坂造でき
ることを一+1]り本発明を達成した。
z Kltを重ねた結果、上記の技術を触媒の製造に利
用して得られた特殊な触媒がクロロ7シンの不均等化反
応触媒として上動であり、効率よくシ:j)を坂造でき
ることを一+1]り本発明を達成した。
すなわち、本発明は下記一般式il+で表わされる珪素
化合物を珪素含有無機物および/′または下記一般式f
i+1で表わされる化合物に結合させ六Flの存在下に
クロロシランの不均等化反応を行うことを¥j徴とする
シランの製造方法である。
化合物を珪素含有無機物および/′または下記一般式f
i+1で表わされる化合物に結合させ六Flの存在下に
クロロシランの不均等化反応を行うことを¥j徴とする
シランの製造方法である。
一般式(I)
(RO)3 Sユ (CHz ) n −、’J ”
−H3X −〔式中、nは1〜4の整数であり、Rは炭
1″「【1〜4のアルキル基であり R1とR2i同〜
−1だは異なる炭素数1〜8のアルキル基7トだ(・1
アリール基であり、R3+d:炭素数1〜20のアルキ
ル基またはジメチルアミノ基を有するアルセル橘で5f
)す、Xけ塩素、臭素、沃累のハロゲン原子である。〕
一般式(I)) %式% 〔式中、ni1〜4の整数であり、)l 41−j炭表
数1〜6のアルキル鬼才7ビはアリール暦、nたけ−H
4−8H,−CN、−NR2(R5け炭素数1〜4のア
ルキOCR。
−H3X −〔式中、nは1〜4の整数であり、Rは炭
1″「【1〜4のアルキル基であり R1とR2i同〜
−1だは異なる炭素数1〜8のアルキル基7トだ(・1
アリール基であり、R3+d:炭素数1〜20のアルキ
ル基またはジメチルアミノ基を有するアルセル橘で5f
)す、Xけ塩素、臭素、沃累のハロゲン原子である。〕
一般式(I)) %式% 〔式中、ni1〜4の整数であり、)l 41−j炭表
数1〜6のアルキル鬼才7ビはアリール暦、nたけ−H
4−8H,−CN、−NR2(R5け炭素数1〜4のア
ルキOCR。
ル基である) 、 −〇−C−c=cn、であり、X′
は塩素\−5+木、沃;((件たに1.OR6〕代(R
−・壷−IIス(、屓1〜4のアルギル基である)であ
る。〕 本発明場らtl、1ず、上6己一般式if)の第4級ア
ンモニウム頃が置換された。砂漠、化合物でシリカやゼ
オライ)Jの無機物を処」vすると次の桃に無機物の水
I!iコ゛/^と有機ii′ノ・、化合物が絞込して第
4級アンモニウム均が作字的に結合された勺成物がイI
オらtlこの様にして肖らt1h生成物dクロロ/ジン
の不拘活化反応1/C,1:つ/ラン全製逅する方法に
おける一′¥1の用虫媒とし2て何’N+であることを
it+った。
は塩素\−5+木、沃;((件たに1.OR6〕代(R
−・壷−IIス(、屓1〜4のアルギル基である)であ
る。〕 本発明場らtl、1ず、上6己一般式if)の第4級ア
ンモニウム頃が置換された。砂漠、化合物でシリカやゼ
オライ)Jの無機物を処」vすると次の桃に無機物の水
I!iコ゛/^と有機ii′ノ・、化合物が絞込して第
4級アンモニウム均が作字的に結合された勺成物がイI
オらtlこの様にして肖らt1h生成物dクロロ/ジン
の不拘活化反応1/C,1:つ/ラン全製逅する方法に
おける一′¥1の用虫媒とし2て何’N+であることを
it+った。
この様に装J告された本発明方法((よる触媒は公知の
有機樹脂に21)四紘アンモニウム地が結合された触媒
に比へ、、 、l:aihが大きいため連続工程KかS
いても反応物質が通憫する81!F巻き体重れないため
、充填が容易であり、また、活性のある第四級アンモニ
ウム塩が無機物の表面に結合されているため反応物質と
の接゛触が容易であり、開広性が高くさらにifC,無
機物に結合されている六ぬ安定性の良い特徴がある。
有機樹脂に21)四紘アンモニウム地が結合された触媒
に比へ、、 、l:aihが大きいため連続工程KかS
いても反応物質が通憫する81!F巻き体重れないため
、充填が容易であり、また、活性のある第四級アンモニ
ウム塩が無機物の表面に結合されているため反応物質と
の接゛触が容易であり、開広性が高くさらにifC,無
機物に結合されている六ぬ安定性の良い特徴がある。
号た、上記一般式(I)の化合物と上記一般式(If)
の珪素樹脂を形成できる化合物とを適当量(好まし−く
け、一般式(Illの化合物1モルに対して一般式(I
lの化合物をO01〜5モル)混合して加水分解し2縮
重合させると次のような反応によって第四級アンモニウ
ム塩が結合された形慎の固体珪素樹脂の触媒が得られ、
この触媒はシリカ表面に一般式CI+の化合物を結合さ
せた影響に似た嘩造であゆ、本発明におけるクロロシラ
ンの不均等化反応に有効に用いることができる。
の珪素樹脂を形成できる化合物とを適当量(好まし−く
け、一般式(Illの化合物1モルに対して一般式(I
lの化合物をO01〜5モル)混合して加水分解し2縮
重合させると次のような反応によって第四級アンモニウ
ム塩が結合された形慎の固体珪素樹脂の触媒が得られ、
この触媒はシリカ表面に一般式CI+の化合物を結合さ
せた影響に似た嘩造であゆ、本発明におけるクロロシラ
ンの不均等化反応に有効に用いることができる。
(以下余白)
!
R4(CH2)n5iX、g +(RO)3Si (C
H2)、−N”−R3X −(CH2)、R4 ■ さらにまた、上記した一般式(Ilの化合物とシリカや
ゼオライトの如き珪素含有無機物との混合物に一般式f
n)の化合物を加えて加水分解することによっても本発
明に有効に用いられるクロロンランの不均等化反応触媒
を得ることができる。
H2)、−N”−R3X −(CH2)、R4 ■ さらにまた、上記した一般式(Ilの化合物とシリカや
ゼオライトの如き珪素含有無機物との混合物に一般式f
n)の化合物を加えて加水分解することによっても本発
明に有効に用いられるクロロンランの不均等化反応触媒
を得ることができる。
次に、本発明に用いられる触媒の製造方法について具体
的に説明する。
的に説明する。
まず、一般式(I)の化合物とシリカを結合させる場合
には、一般式(I)の化合物を好ましくは40〜70チ
濃度でメタノールに溶解させ、この溶液に反応させよう
とするシリカを入れ薄い塩酸溶液を徐々に加えて加水分
解させて触媒を得る。
には、一般式(I)の化合物を好ましくは40〜70チ
濃度でメタノールに溶解させ、この溶液に反応させよう
とするシリカを入れ薄い塩酸溶液を徐々に加えて加水分
解させて触媒を得る。
この場合、さらに一定量(一般式(Ilの化合物1モル
に対し0.01〜10モル量)の好ましくけ、第6級ア
ミノ基を有する一般式(n)の化合物を混ぜて加水分解
することによっても触媒が得られる。これらの化合物は
加水分解して縮合する際、ノリ力と化学的に結合するば
かりでなく、化合物どうしが重合することもある。固体
触媒は水溶液からろ過して水分を除去する。第4級アン
モニウム塩は高温では分解するため水と共に沸とうする
アルコール類やベンゼン等の溶媒を使用して蒸留させ、
150℃以下に維持しながら減圧下で溶媒を蒸発させる
。
に対し0.01〜10モル量)の好ましくけ、第6級ア
ミノ基を有する一般式(n)の化合物を混ぜて加水分解
することによっても触媒が得られる。これらの化合物は
加水分解して縮合する際、ノリ力と化学的に結合するば
かりでなく、化合物どうしが重合することもある。固体
触媒は水溶液からろ過して水分を除去する。第4級アン
モニウム塩は高温では分解するため水と共に沸とうする
アルコール類やベンゼン等の溶媒を使用して蒸留させ、
150℃以下に維持しながら減圧下で溶媒を蒸発させる
。
一般式CI)の化合物をゼオライトに結合させる工程は
、先ず例えばゼオライ)BXを塩化アンモニウム溶液で
処理してゼオライト中のナトリウムイオンをアンモニウ
ムイオンに変換させ、アンモニウムイオンが交換された
ゼオライトを600〜400℃の温度で加熱してアンモ
ニアを蒸発させる(D、W。
、先ず例えばゼオライ)BXを塩化アンモニウム溶液で
処理してゼオライト中のナトリウムイオンをアンモニウ
ムイオンに変換させ、アンモニウムイオンが交換された
ゼオライトを600〜400℃の温度で加熱してアンモ
ニアを蒸発させる(D、W。
このように処理したゼオライトを一般式(I)の化合物
をメタノールに好ましくは55〜85%溶解した溶液で
処理し、溶媒であるメタノールを蒸留除去する。一般式
(1)の化合物が結合されたゼオライトはジブチルチン
ジラウレートを5俤の濃度でトルエンに溶かした溶液で
再び処理してトルエン/]l−蒸留させる。残る固体は
100℃程度で加熱しながら真空中で揮発分を除去し反
応を完結させる。
をメタノールに好ましくは55〜85%溶解した溶液で
処理し、溶媒であるメタノールを蒸留除去する。一般式
(1)の化合物が結合されたゼオライトはジブチルチン
ジラウレートを5俤の濃度でトルエンに溶かした溶液で
再び処理してトルエン/]l−蒸留させる。残る固体は
100℃程度で加熱しながら真空中で揮発分を除去し反
応を完結させる。
この場合、ノリ力の場合と同様に、一般式(I))の化
合物を混在させでもよい。
合物を混在させでもよい。
第4級アンモニウム塩が結合された固体形態の珪素樹脂
の製造は、一般式fi+)の化合物をメタノールに溶か
し、1〜10倍の有機トリアルコキシンラ/(一般式(
I))と混ぜた後、弱酸性の水を加えて加水分解して作
る。加水分解が終るとゲル状態の固体が得られるがこれ
を乾留して水溶液から分離し、無水アルコールで数回洗
い流し、真空乾燥機で乾燥すると固まね状態の固体が得
られる。この工程で2メチルアミノプロピルトリエトキ
シシランを適当量混ぜて加水分解すると第4級アンモニ
ウム塩と第6級アミンを同時に有する生成物が得られる
。
の製造は、一般式fi+)の化合物をメタノールに溶か
し、1〜10倍の有機トリアルコキシンラ/(一般式(
I))と混ぜた後、弱酸性の水を加えて加水分解して作
る。加水分解が終るとゲル状態の固体が得られるがこれ
を乾留して水溶液から分離し、無水アルコールで数回洗
い流し、真空乾燥機で乾燥すると固まね状態の固体が得
られる。この工程で2メチルアミノプロピルトリエトキ
シシランを適当量混ぜて加水分解すると第4級アンモニ
ウム塩と第6級アミンを同時に有する生成物が得られる
。
上記の様に製造した本発明に用すられる触媒は、回分式
、連続式のどちらにも適合するが、触媒の比重が大きい
ため反応槽に充填しやすく、クロロ7ランを通過させる
時巻き込まれないため連続式に特に有利である。
、連続式のどちらにも適合するが、触媒の比重が大きい
ため反応槽に充填しやすく、クロロ7ランを通過させる
時巻き込まれないため連続式に特に有利である。
上記方法により製造された触媒を用いてシランを製造す
る本方法において、トリクロロシランから不均等化反応
によりジクロロシランを製造する反応け、0℃から20
0℃の温度でなされるが、常温から100℃までの温度
が適当である。反応圧力は常圧や高圧、共に可能である
が常圧では反応物質や生成物の沸点が低いので気相反応
になるため反応速度が遍く、高圧でけ液相反応になるた
め反応速度面では有利である。
る本方法において、トリクロロシランから不均等化反応
によりジクロロシランを製造する反応け、0℃から20
0℃の温度でなされるが、常温から100℃までの温度
が適当である。反応圧力は常圧や高圧、共に可能である
が常圧では反応物質や生成物の沸点が低いので気相反応
になるため反応速度が遍く、高圧でけ液相反応になるた
め反応速度面では有利である。
しかし、本方法において、反応温度と反応圧力以外にも
う一つ留意する事項は触媒と反応物質との充分な接触時
間を与えなければならないことである。これは回分式反
応では触媒の竜を増やし反応時間を充分にする事により
解決でき、連続工程では触媒を充填した反応槽の長さを
長くシ、反応物質の流速を遅くし合わすことができるつ
また、本発明においては、出発物質をトリクロロシラン
の代りにジクロロシランを使用し、同じ触媒を使用して
反応させるとシランが得られる。
う一つ留意する事項は触媒と反応物質との充分な接触時
間を与えなければならないことである。これは回分式反
応では触媒の竜を増やし反応時間を充分にする事により
解決でき、連続工程では触媒を充填した反応槽の長さを
長くシ、反応物質の流速を遅くし合わすことができるつ
また、本発明においては、出発物質をトリクロロシラン
の代りにジクロロシランを使用し、同じ触媒を使用して
反応させるとシランが得られる。
次の実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれに局限されるものではない。
本発明はこれに局限されるものではない。
実施例 1
攪拌機、滴下漏斗、コンデンサーを装置した1P容量の
三つ口の丸底フラスコに微片状のシリカゲル200gを
入れ、メタノールに40チ濃度で溶けている3−()リ
メトキシシリル)プロピルオクタデシル・ノメチルア/
モニウムークロリド溶液200g(0,16モル)を入
れた。弱い酸性になる様に地酸溶液を側部か入れた水6
00dを滴下漏斗に入れ、攪拌機を猛烈に作動させなが
ら水を徐々に注加し、反応を完結させるために1時間攪
拌し、た後、停止すると固体の沈殿が得られた。固体を
乾留して再び200*zの無水エタノールで二度洗い流
し200dのベンゼンを入れ蒸留し、固体中に含有され
る水、エタノール、ベンゼンを除去する。微量残ってい
る溶媒は減圧下で90℃壕で加熱して除き固体を乾燥さ
せた。この様に(7て製造された触媒は256gであっ
た。次に若干の圧力に耐えるテフロンノ々ルブを口に付
着し7た500yt容量のガラス管反応槽にこの得られ
た触媒100gを入れ、15ON/の5iHCjl、を
入れた後、テフロンバルブe締a6100℃で1時間加
熱した後、ガスクロマトグラフィーで分析したらS i
HCfi3が809%、5iCffi4が9.52チ
、SiH,CP、が8.81壬、S i H2ONが0
24係得られた。
三つ口の丸底フラスコに微片状のシリカゲル200gを
入れ、メタノールに40チ濃度で溶けている3−()リ
メトキシシリル)プロピルオクタデシル・ノメチルア/
モニウムークロリド溶液200g(0,16モル)を入
れた。弱い酸性になる様に地酸溶液を側部か入れた水6
00dを滴下漏斗に入れ、攪拌機を猛烈に作動させなが
ら水を徐々に注加し、反応を完結させるために1時間攪
拌し、た後、停止すると固体の沈殿が得られた。固体を
乾留して再び200*zの無水エタノールで二度洗い流
し200dのベンゼンを入れ蒸留し、固体中に含有され
る水、エタノール、ベンゼンを除去する。微量残ってい
る溶媒は減圧下で90℃壕で加熱して除き固体を乾燥さ
せた。この様に(7て製造された触媒は256gであっ
た。次に若干の圧力に耐えるテフロンノ々ルブを口に付
着し7た500yt容量のガラス管反応槽にこの得られ
た触媒100gを入れ、15ON/の5iHCjl、を
入れた後、テフロンバルブe締a6100℃で1時間加
熱した後、ガスクロマトグラフィーで分析したらS i
HCfi3が809%、5iCffi4が9.52チ
、SiH,CP、が8.81壬、S i H2ONが0
24係得られた。
実施例 2
100g(0,16モル)の6−(トリメトキシノリル
)プロピルトリメチルアンモニウム−クロリド40%メ
タノール溶液を使用して実施例1と同じ方法で触媒を製
ブ′ムしたう次にこの触媒を用いて、実施例1と同様の
方法で5i)12C12を反応させたらSiH4が10
6%、5iHC文3322%、5iCA4が01チ生成
され、残ねは出発物質が[91収された。
)プロピルトリメチルアンモニウム−クロリド40%メ
タノール溶液を使用して実施例1と同じ方法で触媒を製
ブ′ムしたう次にこの触媒を用いて、実施例1と同様の
方法で5i)12C12を反応させたらSiH4が10
6%、5iHC文3322%、5iCA4が01チ生成
され、残ねは出発物質が[91収された。
実施例 6
実施例1で得た触媒600gをステンレススチール61
6型で作つブζ反応槽に入れ、反応槽の外には、熱線を
巻いて自動温度調節機で80℃を維持するようにした。
6型で作つブζ反応槽に入れ、反応槽の外には、熱線を
巻いて自動温度調節機で80℃を維持するようにした。
反応槽の下には5iHCfi、を注入できるポンプを連
結し反応槽の上には圧力を調節できる・ぐルブをイ・1
涜し、ノンルブ外部にはガスクロマトグラフィーと連結
させ生成物の組成を分析できる様にした、 5iHCらの反応槽に滞留する時間が20〜60分にな
る様に5iH(13の注入速度を調節して反応させたら
4〜8%の5iH2(4□が生成し、6〜12チの5i
Cj!4、tた0、02〜006チの5iH3C1が得
られた。
結し反応槽の上には圧力を調節できる・ぐルブをイ・1
涜し、ノンルブ外部にはガスクロマトグラフィーと連結
させ生成物の組成を分析できる様にした、 5iHCらの反応槽に滞留する時間が20〜60分にな
る様に5iH(13の注入速度を調節して反応させたら
4〜8%の5iH2(4□が生成し、6〜12チの5i
Cj!4、tた0、02〜006チの5iH3C1が得
られた。
参考例 1
実施例1と同じ条件で0.01モルのジメチルアミノプ
ロピルトリメトキンンランを除却して触媒を製造した。
ロピルトリメトキンンランを除却して触媒を製造した。
参考例 2
実施例1の様に攪拌機、滴下漏斗、コンデンサーを装置
した12容量の三つ口の丸底フラスコに94g(Q、5
モル)のシアノプロピルトリメトキシシランを入れ、メ
タノールに40%溶液で溶ケている3−()リメトキシ
ンリル)プロピルオクタデシルジメチルアンモニウム−
クロリド溶液66g (0,05モル) f 5CJC
heノ水K fg カL 7’t 後、滴下漏斗に入れ
攪拌機を作Idhさせながら徐々に漏斗のコックを開け
1時間かけて滴下し反応を完結させるために1NHC[
溶液100+qzをさらに加え、60分間攪拌した。生
成した固体を乾留したら固い固まり状の固体が得られた
。この固体を無水アルコールで2回洗い流し真空乾燥機
で2時間乾燥し触媒を製造した。
した12容量の三つ口の丸底フラスコに94g(Q、5
モル)のシアノプロピルトリメトキシシランを入れ、メ
タノールに40%溶液で溶ケている3−()リメトキシ
ンリル)プロピルオクタデシルジメチルアンモニウム−
クロリド溶液66g (0,05モル) f 5CJC
heノ水K fg カL 7’t 後、滴下漏斗に入れ
攪拌機を作Idhさせながら徐々に漏斗のコックを開け
1時間かけて滴下し反応を完結させるために1NHC[
溶液100+qzをさらに加え、60分間攪拌した。生
成した固体を乾留したら固い固まり状の固体が得られた
。この固体を無水アルコールで2回洗い流し真空乾燥機
で2時間乾燥し触媒を製造した。
参考例 6
6−(トリメトキシ7リル)プロピルオクタデシルジメ
チルアンモニウム−クロリド溶液の代りに5−(トリメ
トキシシリル)プロピルベンジル・ジメチルアンモニウ
ム−クロリドを使用して参考例2の様な方法で触媒を製
造した。
チルアンモニウム−クロリド溶液の代りに5−(トリメ
トキシシリル)プロピルベンジル・ジメチルアンモニウ
ム−クロリドを使用して参考例2の様な方法で触媒を製
造した。
参考例 4
参考例1に於いてと同じ条件で001モルメi髄±田叫
のジメチルアミノプロピルトリメトキシシランを添加し
触媒を製造した。
のジメチルアミノプロピルトリメトキシシランを添加し
触媒を製造した。
参考例 5
ゼオライト(BX )100gを29gの塩化アンモニ
ウムを120−の水に溶かした溶液に入れ、80℃に加
熱しながら2時間放置してからろ過して再び同じ作業を
2回反復してアンモニウム塩にff!換し、このゼオラ
イトをろ過して適当に乾燥した後600〜400℃で2
時間加熱した。この様に処理したゼオライトを6−(ト
リメトキフ/リル)プロメタノールを蒸留しゼオライト
が乾燥すると2gのジブチルチンジラウレート=540
gのトルエンに溶かしゼオライトを処理した。トルエン
を蒸留し100℃に加熱しながら真空で揮発分を揮発さ
せ反応を完結させて触媒を製造した。
ウムを120−の水に溶かした溶液に入れ、80℃に加
熱しながら2時間放置してからろ過して再び同じ作業を
2回反復してアンモニウム塩にff!換し、このゼオラ
イトをろ過して適当に乾燥した後600〜400℃で2
時間加熱した。この様に処理したゼオライトを6−(ト
リメトキフ/リル)プロメタノールを蒸留しゼオライト
が乾燥すると2gのジブチルチンジラウレート=540
gのトルエンに溶かしゼオライトを処理した。トルエン
を蒸留し100℃に加熱しながら真空で揮発分を揮発さ
せ反応を完結させて触媒を製造した。
上記のようにして得られた触媒は倒れも本発明における
クロロシランの不均等化反応に有効に用いることができ
た。
クロロシランの不均等化反応に有効に用いることができ
た。
本発明は製造及び反応容器への充填が容易な触媒を用い
比較的低温度で安定してクロロシランの不均等化反応を
行い、7ラン類を高収率で得ることができる。
比較的低温度で安定してクロロシランの不均等化反応を
行い、7ラン類を高収率で得ることができる。
1凸0
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)下記一般式( I )で表わされる珪素化合物を珪素
含有無機化合物および/または下記一般式(II)で表わ
される化合物に結合させた触媒の存在下にクロロシラン
の不均等化反応を行うことを特徴とするシランの製造方
法。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、nは1〜4の整数であり、Rは炭素数1〜4の
アルキル基であり、R^1とR^2は同一または異なる
炭素数1〜8のアルキル基またはアリール基であり、R
^3は炭素数1〜20のアルキル基またはジメチルアミ
ノ基を有するアルキル基であり、Xは塩素、臭素、沃素
のハロゲン原子である。〕一般式(II) R^4(CH_2)_nSiX′_3 〔式中、nは1〜4の整数であり、R^4は炭素数1〜
6のアルキル基またはアリール基、または−H、−SH
、−CN、−NR^5_2(R^5は炭素数1〜4のア
ルキル基である)、▲数式、化学式、表等があります▼
であり、X′は 塩素、臭素、沃素またはOR^6基(R^6は炭素数1
〜4のアルキル基である)である。〕 2)クロロシランがトリクロロシラン、ジクロロシラン
、またはこれらの混合物であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のシランの製造方法。 3)クロロシランを35〜150℃に予熱した後に不均
等化反応を行うことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のシランの製造方法。 4)珪素含有無機化合物がシリカまたはゼオライトであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のシラン
の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019840002677A KR860000661B1 (ko) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 염화실란의 불균등화 반응촉매의 제조방법 |
| KR1984-2677 | 1984-05-17 | ||
| KR1984-2678 | 1984-05-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616116A true JPS616116A (ja) | 1986-01-11 |
| JPS6218483B2 JPS6218483B2 (ja) | 1987-04-23 |
Family
ID=19233876
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60086611A Granted JPS616116A (ja) | 1984-05-17 | 1985-04-24 | シランの製造方法 |
| JP60086610A Granted JPS60244340A (ja) | 1984-05-17 | 1985-04-24 | クロロシランの不均等化反応触媒の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60086610A Granted JPS60244340A (ja) | 1984-05-17 | 1985-04-24 | クロロシランの不均等化反応触媒の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS616116A (ja) |
| KR (1) | KR860000661B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06228162A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-08-16 | Wacker Chemie Gmbh | ジメチルクロルシランの製造方法 |
| US8636566B2 (en) | 2007-09-07 | 2014-01-28 | Toshiba Carrier Corporation | Ceiling-embedded air conditioner |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4419270A1 (de) * | 1994-06-01 | 1995-12-07 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Alkyl- oder Aryldichlorsilanen |
| DE102007059170A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Evonik Degussa Gmbh | Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen |
-
1984
- 1984-05-17 KR KR1019840002677A patent/KR860000661B1/ko not_active Expired
-
1985
- 1985-04-24 JP JP60086611A patent/JPS616116A/ja active Granted
- 1985-04-24 JP JP60086610A patent/JPS60244340A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06228162A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-08-16 | Wacker Chemie Gmbh | ジメチルクロルシランの製造方法 |
| US8636566B2 (en) | 2007-09-07 | 2014-01-28 | Toshiba Carrier Corporation | Ceiling-embedded air conditioner |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60244340A (ja) | 1985-12-04 |
| KR860000661B1 (ko) | 1986-05-29 |
| KR850008629A (ko) | 1985-12-21 |
| JPH0576349B2 (ja) | 1993-10-22 |
| JPS6218483B2 (ja) | 1987-04-23 |
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