JPS6161239B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6161239B2 JPS6161239B2 JP54109981A JP10998179A JPS6161239B2 JP S6161239 B2 JPS6161239 B2 JP S6161239B2 JP 54109981 A JP54109981 A JP 54109981A JP 10998179 A JP10998179 A JP 10998179A JP S6161239 B2 JPS6161239 B2 JP S6161239B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- activator
- tbf
- zns
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトルミネセンス（以下ELと略
称する）表示素子に関し、さらに具体的にはEL
表示素子における薄膜EL層構造の改良に関す
る。
称する）表示素子に関し、さらに具体的にはEL
表示素子における薄膜EL層構造の改良に関す
る。
たとえばガラス基板上に配設した帯状の平行な
透明電極上に第１の絶縁体層を介して硫化亜鉛
（ZnS）などの発光母材に弗化テルビウム
（TbF3）などの付活剤を添加したようなEL材料か
らなる薄膜EL層を形成し、さらに該EL層上に第
２の絶縁体層を介して帯状の平行な背面電極を前
記透明電極と直交する関係で配設し、透明電極と
背面電極との間に選択的に駆動電圧を印加するこ
とにより、これら交点部のEL層が発光すること
を利用して所望の形象を表示するようにしたEL
表示素子は周知である。
透明電極上に第１の絶縁体層を介して硫化亜鉛
（ZnS）などの発光母材に弗化テルビウム
（TbF3）などの付活剤を添加したようなEL材料か
らなる薄膜EL層を形成し、さらに該EL層上に第
２の絶縁体層を介して帯状の平行な背面電極を前
記透明電極と直交する関係で配設し、透明電極と
背面電極との間に選択的に駆動電圧を印加するこ
とにより、これら交点部のEL層が発光すること
を利用して所望の形象を表示するようにしたEL
表示素子は周知である。
このようなEL表示素子におけるEL層はZnSの
ような発光母材となる物質とTbF3のような付活
剤となる物質とを所定比に混合、焼結して製した
タブレツトを蒸発源として、電子ビーム蒸着法に
よつて形成するのが一般的である。ところがこの
ような方法で形成したEL層は発光母材と付活剤
との蒸気圧の差や蒸発形態の差などに基因して組
成比率が所定のものとなりにくく粒子も不均一に
なることが多い。たとえば発光母材としてのZnS
は1180℃〜1190℃で昇華するのに対し、付活剤と
してのTbF3は融点がこれと同程度（〜1170℃）
であり、均一な蒸発が行われず、実際にこのよう
な方法で形成したEL層には１〜30μｍ程度の半
球状の飛着物が無数に見られ、この飛着物は殆ん
どTbF3だけからなつており、ZnSの昇華時に融
解したTbF3の小塊が飛ばされた飛着したものと
考えられる。このようにEL層に不均一性が存在
すると、その部分で絶縁耐圧が低下し、その結果
駆動時に絶縁破壊を生じることがあり、表示品質
に致命的な障害を招いていた。
ような発光母材となる物質とTbF3のような付活
剤となる物質とを所定比に混合、焼結して製した
タブレツトを蒸発源として、電子ビーム蒸着法に
よつて形成するのが一般的である。ところがこの
ような方法で形成したEL層は発光母材と付活剤
との蒸気圧の差や蒸発形態の差などに基因して組
成比率が所定のものとなりにくく粒子も不均一に
なることが多い。たとえば発光母材としてのZnS
は1180℃〜1190℃で昇華するのに対し、付活剤と
してのTbF3は融点がこれと同程度（〜1170℃）
であり、均一な蒸発が行われず、実際にこのよう
な方法で形成したEL層には１〜30μｍ程度の半
球状の飛着物が無数に見られ、この飛着物は殆ん
どTbF3だけからなつており、ZnSの昇華時に融
解したTbF3の小塊が飛ばされた飛着したものと
考えられる。このようにEL層に不均一性が存在
すると、その部分で絶縁耐圧が低下し、その結果
駆動時に絶縁破壊を生じることがあり、表示品質
に致命的な障害を招いていた。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、その
目的は均一かつ容易に形成できるEL層構造を有
してなるEL表示素子を提供することであり、そ
の特徴は絶縁基板上に配設した一方の電極と、そ
れに対向する他方の電極との間に発光母材と付活
剤とからなるEL層をそなえてなるEL表示素子に
おいて、前記EL層を発光母材と付活剤との交互
積層構造としたところにある。
目的は均一かつ容易に形成できるEL層構造を有
してなるEL表示素子を提供することであり、そ
の特徴は絶縁基板上に配設した一方の電極と、そ
れに対向する他方の電極との間に発光母材と付活
剤とからなるEL層をそなえてなるEL表示素子に
おいて、前記EL層を発光母材と付活剤との交互
積層構造としたところにある。
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明
する。
する。
図は本発明に係るEL表示素子の一例の構造を
説明するための要部断面図であり、１は透明なガ
ラス基板であつて、そのガラス基板１上にはたと
えば酸化錫（SnO2）からなる帯状の平行な透明電
極２が配設され、その透明電極２上にたとえば酸
化イツトリウム（Y2O3）からなる第１の絶縁体層
３を介して薄膜EL層６が形成してあり、さらに
そのEL層６上にY2O3からなる第２の絶縁体層７
を介してたとえばアルミニウム（Al）からなる
帯状の平行な背面電極８が透明電極２と直交する
関係で配設してある。ここにEL層６は第１の絶
縁体層３上にたとえば発光母材としてのZnS層４
ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄと付活剤としてのTbF3層
５ａ，５ｂ，５ｃとを順次交互に積層形成した積
層構造となつている。そしてその交互積層構造の
EL層６は第１の絶縁体層３を形成した後、その
絶縁体層３上にZnSを蒸発源として電子ビーム蒸
着法により、ZnS層４ａ（たとえば層厚200〜
1000Å）を被着し、さらにそのZnS層４ａ上に蒸
発源をTbF3に切替えて同じく電子ビーム蒸着法
によりTbF3層５ａ（たとえば層厚20〜100Å）を
形成するという工程を順次繰返してZnS層４ａと
同じ層厚のZnS層４ｂ，４ｃ，４ｄおよびTbF3
層５ａと同じ層厚のTbF3層５ｂ，５ｃを積層形
成したものである。
説明するための要部断面図であり、１は透明なガ
ラス基板であつて、そのガラス基板１上にはたと
えば酸化錫（SnO2）からなる帯状の平行な透明電
極２が配設され、その透明電極２上にたとえば酸
化イツトリウム（Y2O3）からなる第１の絶縁体層
３を介して薄膜EL層６が形成してあり、さらに
そのEL層６上にY2O3からなる第２の絶縁体層７
を介してたとえばアルミニウム（Al）からなる
帯状の平行な背面電極８が透明電極２と直交する
関係で配設してある。ここにEL層６は第１の絶
縁体層３上にたとえば発光母材としてのZnS層４
ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄと付活剤としてのTbF3層
５ａ，５ｂ，５ｃとを順次交互に積層形成した積
層構造となつている。そしてその交互積層構造の
EL層６は第１の絶縁体層３を形成した後、その
絶縁体層３上にZnSを蒸発源として電子ビーム蒸
着法により、ZnS層４ａ（たとえば層厚200〜
1000Å）を被着し、さらにそのZnS層４ａ上に蒸
発源をTbF3に切替えて同じく電子ビーム蒸着法
によりTbF3層５ａ（たとえば層厚20〜100Å）を
形成するという工程を順次繰返してZnS層４ａと
同じ層厚のZnS層４ｂ，４ｃ，４ｄおよびTbF3
層５ａと同じ層厚のTbF3層５ｂ，５ｃを積層形
成したものである。
このように発光母材となるZnSと付活剤となる
TbF3との単独の蒸発源を用いて交互積層構造の
EL層５を形成することにより、蒸着の制御が容
易となつて、均一なEL層を容易に構成すること
ができ、従来EL層の不均一性に基因して駆動時
に生じていたEL層の絶縁破壊を防止することが
できる。
TbF3との単独の蒸発源を用いて交互積層構造の
EL層５を形成することにより、蒸着の制御が容
易となつて、均一なEL層を容易に構成すること
ができ、従来EL層の不均一性に基因して駆動時
に生じていたEL層の絶縁破壊を防止することが
できる。
なお前述の実施例ではZnS層４ａ，４ｂ，４
ｃ，４ｄの各層厚およびTbF3層５ａ，５ｂ，５
ｃの各層厚を等しく積層形成してEL層６を構成
したが必ずしもそれぞれの層厚を等しくする必要
はなく、各層厚はそれぞれの膜中での電子の平均
自由行程の１〜５倍程度に選べばよい。また実施
例ではTbF3層の三層で構成したが一層以上何層
で構成してもよい。ただしこの場合EL層の層厚
があまり厚くなると駆動電圧を高くする必要があ
るため、EL層の層厚は20000Å以下となるように
することが望ましい。さらにまた絶縁体層３，７
に接する層は付活剤層であつてもよいし、一方が
発光母材層で他方が付活剤層であつてもよい。ま
た本実施例ではEL層６を絶縁体層３，７でサン
ドイツチ状に挾持したものに透明電極２および背
面電極８を設けたいわゆる二重絶縁膜構造のEL
表示素子の場合について述べたが、透明電極２お
よび背面電極８で絶縁体層３，７を介せず直接
EL層６を挾持せしめたEL表示素子にも適用でき
る。また発光母材がZnSに限らず硫化カドミウム
（CdS）やセレン化亜鉛（ZzSe）などの他の発光
母材にも適用でき、付活剤がTbF3に限らずマン
ガン（Mn）など他の付活剤の場合についても適
用可能である。
ｃ，４ｄの各層厚およびTbF3層５ａ，５ｂ，５
ｃの各層厚を等しく積層形成してEL層６を構成
したが必ずしもそれぞれの層厚を等しくする必要
はなく、各層厚はそれぞれの膜中での電子の平均
自由行程の１〜５倍程度に選べばよい。また実施
例ではTbF3層の三層で構成したが一層以上何層
で構成してもよい。ただしこの場合EL層の層厚
があまり厚くなると駆動電圧を高くする必要があ
るため、EL層の層厚は20000Å以下となるように
することが望ましい。さらにまた絶縁体層３，７
に接する層は付活剤層であつてもよいし、一方が
発光母材層で他方が付活剤層であつてもよい。ま
た本実施例ではEL層６を絶縁体層３，７でサン
ドイツチ状に挾持したものに透明電極２および背
面電極８を設けたいわゆる二重絶縁膜構造のEL
表示素子の場合について述べたが、透明電極２お
よび背面電極８で絶縁体層３，７を介せず直接
EL層６を挾持せしめたEL表示素子にも適用でき
る。また発光母材がZnSに限らず硫化カドミウム
（CdS）やセレン化亜鉛（ZzSe）などの他の発光
母材にも適用でき、付活剤がTbF3に限らずマン
ガン（Mn）など他の付活剤の場合についても適
用可能である。
以上の説明から明らかなごとく本発明はEL層
を発光母材と付活剤との単独の蒸発源を用いて交
互積層構成とすることにより、蒸着制御が容易と
なり、均一な薄膜EL層を容易に構成し得て、従
来EL層の不均一性に基因して生じていたEL層の
絶縁破壊などの障害を除去することができ、EL
表示素子の表示品質および製造歩留りの向上に極
めて有効である。
を発光母材と付活剤との単独の蒸発源を用いて交
互積層構成とすることにより、蒸着制御が容易と
なり、均一な薄膜EL層を容易に構成し得て、従
来EL層の不均一性に基因して生じていたEL層の
絶縁破壊などの障害を除去することができ、EL
表示素子の表示品質および製造歩留りの向上に極
めて有効である。
図は本発明に係るEL表示素子の一例の構造を
説明するための要部断面図である。 １：ガラス基板、２，８：電極、３，７：絶縁
体層、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ：発光母材
（ZnS）層、５ａ，５ｂ，５ｃ：付活剤（TbF3）
層、６：EL層。
説明するための要部断面図である。 １：ガラス基板、２，８：電極、３，７：絶縁
体層、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ：発光母材
（ZnS）層、５ａ，５ｂ，５ｃ：付活剤（TbF3）
層、６：EL層。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に配設した一方の電極と、それに
対向する他方の電極との間に発光母材と付活剤と
からなるEL層をそなえてなるEL表示素子におい
て、前記EL層を発光母材と付活剤との交互積層
構造としたことを特徴とするEL表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10998179A JPS5635393A (en) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | El display element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10998179A JPS5635393A (en) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | El display element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5635393A JPS5635393A (en) | 1981-04-08 |
| JPS6161239B2 true JPS6161239B2 (ja) | 1986-12-24 |
Family
ID=14524047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10998179A Granted JPS5635393A (en) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | El display element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5635393A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047718B2 (ja) * | 1980-12-18 | 1985-10-23 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜発光素子の製造方法 |
| JPS5857288A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-05 | 日本精機株式会社 | 電界発光素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5186991A (en) * | 1975-01-28 | 1976-07-30 | Sharp Kk | Hakumakuhatsukososhi |
-
1979
- 1979-08-28 JP JP10998179A patent/JPS5635393A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5635393A (en) | 1981-04-08 |
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