JPH046279B2 - - Google Patents
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- JPH046279B2 JPH046279B2 JP60038391A JP3839185A JPH046279B2 JP H046279 B2 JPH046279 B2 JP H046279B2 JP 60038391 A JP60038391 A JP 60038391A JP 3839185 A JP3839185 A JP 3839185A JP H046279 B2 JPH046279 B2 JP H046279B2
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- thin film
- zno
- light
- transparent electrode
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、交流電圧もしくは直流電圧を印加
されて発光するEL素子の改良に関し、特に発光
層が電子ビームまたはスパツタリングなどの薄膜
形成法により形成されている薄膜EL素子の改良
に関する。
されて発光するEL素子の改良に関し、特に発光
層が電子ビームまたはスパツタリングなどの薄膜
形成法により形成されている薄膜EL素子の改良
に関する。
［従来の技術］
たとえば電子通信学会誌第65巻第７号第741頁
−747頁（昭57−７）に示されているように、従
来より、交流もしくは直流で駆動される薄膜EL
素子が公知である。第２図は、このうちの一例と
しての交流で駆動される薄膜EL素子を示す略図
的断面図である。この薄膜EL素子１では、透明
なガラスよりなる透光性基板２上に蒸着もしくは
スパツタで透明電極３が形成されている。透明電
極３は、In2O3−SnO2酸化物合金からなるITO電
極で構成されている。該透明電極３の上面には、
さらに第１絶縁層４が形成されており、該第１絶
縁層４の上面にZnS：Mnからなる発光層５が形
成されており、該発光層５は、さらに上面に形成
された第２絶縁層６と第１絶縁層４とにより挾ま
れた構成とされている。第１絶縁層４、発光層５
および第２絶縁層６は、いずれもスパツタにより
形成され、透明電極３の上面において順に形成さ
れるものである。なお、第１絶縁層４および第２
絶縁層６は、通常Si3N4、Y2O3またはAl2O3など
の材料により構成される。第２絶縁層６の上面に
は、他方の電極としての背面電極７が形成されて
おり、該背面電極７は、第２図の紙面および紙背
方向に複数本延びて形成されており、透明電極３
と交差して格子を形成するように配置されてい
る。
−747頁（昭57−７）に示されているように、従
来より、交流もしくは直流で駆動される薄膜EL
素子が公知である。第２図は、このうちの一例と
しての交流で駆動される薄膜EL素子を示す略図
的断面図である。この薄膜EL素子１では、透明
なガラスよりなる透光性基板２上に蒸着もしくは
スパツタで透明電極３が形成されている。透明電
極３は、In2O3−SnO2酸化物合金からなるITO電
極で構成されている。該透明電極３の上面には、
さらに第１絶縁層４が形成されており、該第１絶
縁層４の上面にZnS：Mnからなる発光層５が形
成されており、該発光層５は、さらに上面に形成
された第２絶縁層６と第１絶縁層４とにより挾ま
れた構成とされている。第１絶縁層４、発光層５
および第２絶縁層６は、いずれもスパツタにより
形成され、透明電極３の上面において順に形成さ
れるものである。なお、第１絶縁層４および第２
絶縁層６は、通常Si3N4、Y2O3またはAl2O3など
の材料により構成される。第２絶縁層６の上面に
は、他方の電極としての背面電極７が形成されて
おり、該背面電極７は、第２図の紙面および紙背
方向に複数本延びて形成されており、透明電極３
と交差して格子を形成するように配置されてい
る。
第２図に示した従来の交流駆動薄膜EL素子１
では、透明電極３および背面電極７より交流電圧
を印加することにより、EL発光が得られる。
では、透明電極３および背面電極７より交流電圧
を印加することにより、EL発光が得られる。
他方、特に図示はしないが、直流で駆動される
薄膜EL素子では、発光層と電極との間を絶縁す
る必要がないため、第２図に示した交流駆動の薄
膜EL素子１から第１絶縁層４および第２絶縁層
６が除去された構成を有する。
薄膜EL素子では、発光層と電極との間を絶縁す
る必要がないため、第２図に示した交流駆動の薄
膜EL素子１から第１絶縁層４および第２絶縁層
６が除去された構成を有する。
［発明が解決しようとする問題点］
EL素子は、表示装置としての機能を目的とす
るものである以上、第１に高輝度、高効率である
ことが要求され、第２により低い電圧で駆動され
得るものであることが好ましい。ところで、薄膜
EL素子の効率および駆動電圧は、発光層を構成
するZnSの結晶性に依存し、該発光層の結晶性が
優れているほど望ましい。
るものである以上、第１に高輝度、高効率である
ことが要求され、第２により低い電圧で駆動され
得るものであることが好ましい。ところで、薄膜
EL素子の効率および駆動電圧は、発光層を構成
するZnSの結晶性に依存し、該発光層の結晶性が
優れているほど望ましい。
第２図に示した従来の薄膜EL素子１を例にと
れば、発光層５の結晶性を向上させるには、発光
層５が第１絶縁層４の表面にスパツタにより形成
されるものであるため、第１絶縁層４の結晶配向
性を向上させることが必要である。このため第１
絶縁層４には結晶配向性の良好な絶縁層を用いれ
ばよいが、通常Y2O3やAl2O3の結晶配向性はよく
ない。したがつて、この上に形成される発光層５
の結晶性は十分ではない。
れば、発光層５の結晶性を向上させるには、発光
層５が第１絶縁層４の表面にスパツタにより形成
されるものであるため、第１絶縁層４の結晶配向
性を向上させることが必要である。このため第１
絶縁層４には結晶配向性の良好な絶縁層を用いれ
ばよいが、通常Y2O3やAl2O3の結晶配向性はよく
ない。したがつて、この上に形成される発光層５
の結晶性は十分ではない。
それゆえに、この発明の目的は、発光層の結晶
性が向上されており、したがつて高効率で低電圧
駆動可能な薄膜EL素子を提供することにある。
性が向上されており、したがつて高効率で低電圧
駆動可能な薄膜EL素子を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
この発明は、上述の問題点を解決すべく鋭意検
討の結果なされたものであり、その要旨とすると
ころは、透光性基板、該透光性基板上に形成され
た透明電極、発光層および該発光層を介して透明
電極とは反対側に設けられた電極を備える薄膜
EL素子において、透光性基板の上にAlをドープ
した結晶配向性ZnOからなるスパツタリング透明
電極が形成され、その上に発光層が形成されてい
ることを特徴とする薄膜EL素子である。
討の結果なされたものであり、その要旨とすると
ころは、透光性基板、該透光性基板上に形成され
た透明電極、発光層および該発光層を介して透明
電極とは反対側に設けられた電極を備える薄膜
EL素子において、透光性基板の上にAlをドープ
した結晶配向性ZnOからなるスパツタリング透明
電極が形成され、その上に発光層が形成されてい
ることを特徴とする薄膜EL素子である。
Alをドープした結晶配向性ZnOからなるスパ
ツタリング透明電極が厚み方向における結晶配向
性に優れているので、その上に形成される発光層
の結晶性を大幅に向上させることができる。
ツタリング透明電極が厚み方向における結晶配向
性に優れているので、その上に形成される発光層
の結晶性を大幅に向上させることができる。
なお、交流駆動薄膜EL素子の場合には、透明
電極と発光層との間に第１の絶縁層が形成される
が、この場合には該第１の絶縁層はスパツタリン
グ膜からなる結晶配向性ZnO絶縁層で構成され、
たとえばZnOにLiなどをドープした材料を用いる
ことができ、上記透明電極と同様に厚み方向にお
ける結晶配向性に優れた絶縁層とすることができ
る。したがつて、交流駆動薄膜EL素子において
も、発光層の結晶性を大幅に改善することができ
る。
電極と発光層との間に第１の絶縁層が形成される
が、この場合には該第１の絶縁層はスパツタリン
グ膜からなる結晶配向性ZnO絶縁層で構成され、
たとえばZnOにLiなどをドープした材料を用いる
ことができ、上記透明電極と同様に厚み方向にお
ける結晶配向性に優れた絶縁層とすることができ
る。したがつて、交流駆動薄膜EL素子において
も、発光層の結晶性を大幅に改善することができ
る。
［実施例の説明］
第１図は、この発明の一実施例を示す部分切欠
断面図である。この実施例の薄膜EL素子１１は、
交流で駆動される形式の薄膜EL素子である。こ
こでは、たとえばコーニング社7059ガラスからな
る透光性基板１２上に、Alよりなる取出用電極
１８が蒸着により形成されている。該取出用電極
１８に電気的に接続され得るように、透光性基板
１２上には、透明電極１３が形成されている。該
透明電極１３は、Alをドープした結晶配向性
ZnOからなるもので、後述するように、スパツタ
リングにより形成されている。また、ZnO透明電
極１３の上面には第１絶縁層としての結晶配向性
ZnO絶縁層１４がrfマグネトロンスパツタにより
形成されている。ZnO絶縁層１４の上面には、
ZnS：TbF3発光層１５がスパツタにより形成さ
れており、さらにその上面には第２絶縁層１６お
よび背面電極１７，１７が形成されている。
断面図である。この実施例の薄膜EL素子１１は、
交流で駆動される形式の薄膜EL素子である。こ
こでは、たとえばコーニング社7059ガラスからな
る透光性基板１２上に、Alよりなる取出用電極
１８が蒸着により形成されている。該取出用電極
１８に電気的に接続され得るように、透光性基板
１２上には、透明電極１３が形成されている。該
透明電極１３は、Alをドープした結晶配向性
ZnOからなるもので、後述するように、スパツタ
リングにより形成されている。また、ZnO透明電
極１３の上面には第１絶縁層としての結晶配向性
ZnO絶縁層１４がrfマグネトロンスパツタにより
形成されている。ZnO絶縁層１４の上面には、
ZnS：TbF3発光層１５がスパツタにより形成さ
れており、さらにその上面には第２絶縁層１６お
よび背面電極１７，１７が形成されている。
上記したような各層の積層構造は、第２図に示
した従来の薄膜EL素子１とほぼ同様である。し
かしながら、この実施例の薄膜EL素子１１では、
透明電極１３および第１絶縁層１４がｃ軸配向性
に優れているため、発光層１５の形成にあたつて
は結晶性に優れたZnS膜が成長する。ところで、
このような結晶配向性に優れたZnO膜を得るに
は、約1μｍ以上の膜厚を必要とする。したがつ
て、薄膜EL素子の絶縁層として用いるには、駆
動電圧の増大等を招来し、不適当なものである。
した従来の薄膜EL素子１とほぼ同様である。し
かしながら、この実施例の薄膜EL素子１１では、
透明電極１３および第１絶縁層１４がｃ軸配向性
に優れているため、発光層１５の形成にあたつて
は結晶性に優れたZnS膜が成長する。ところで、
このような結晶配向性に優れたZnO膜を得るに
は、約1μｍ以上の膜厚を必要とする。したがつ
て、薄膜EL素子の絶縁層として用いるには、駆
動電圧の増大等を招来し、不適当なものである。
しかしながら、この実施例では、ZnOにAlが
ドープされた配向性透明電極１３の上にZnOにLi
がドープされた絶縁層１４を成膜するものである
ため結晶配向性ZnO電極１３の膜厚がある程度厚
ければ、絶縁層１４の膜厚が薄いにもかかわら
ず、結晶性の良いｃ軸配向膜を形成することがで
きる。したがつて、１絶縁層１４の膜厚を薄くし
たままで、結晶性に優れた発光層１５を形成し得
る。第３図に、ｃ軸結晶配向性ZnO膜よりなる絶
縁層１４の上に発光層を形成したこの実施例と、
従来のAl2O3膜からなる絶縁層上に発光層を形成
した例のＸ線回折パターンを示す（実線Ｘが実施
例、実線Ｙが従来例を示す。）。なお、発光層はい
ずれもZnS：TbF3膜により形成した。またこの
実施例のZnO透明電極１３の膜厚は約8000Å、
ZnO絶縁層１４の膜厚は約2000Åである。同様
に、第４図に、この実施例の輝度−電圧特性を実
線Ａで示す。なお、比較のために、同一構造の従
来の薄膜EL素子の輝度−電圧特性を実線Ｂで示
す。第３図および第４図の結果から、この実施例
の薄膜EL素子１１では、ZnS発光層の結晶性が
向上することにより、低電圧駆動、高輝度化を実
現することができ、高効率の薄膜EL素子の作製
ができる。
ドープされた配向性透明電極１３の上にZnOにLi
がドープされた絶縁層１４を成膜するものである
ため結晶配向性ZnO電極１３の膜厚がある程度厚
ければ、絶縁層１４の膜厚が薄いにもかかわら
ず、結晶性の良いｃ軸配向膜を形成することがで
きる。したがつて、１絶縁層１４の膜厚を薄くし
たままで、結晶性に優れた発光層１５を形成し得
る。第３図に、ｃ軸結晶配向性ZnO膜よりなる絶
縁層１４の上に発光層を形成したこの実施例と、
従来のAl2O3膜からなる絶縁層上に発光層を形成
した例のＸ線回折パターンを示す（実線Ｘが実施
例、実線Ｙが従来例を示す。）。なお、発光層はい
ずれもZnS：TbF3膜により形成した。またこの
実施例のZnO透明電極１３の膜厚は約8000Å、
ZnO絶縁層１４の膜厚は約2000Åである。同様
に、第４図に、この実施例の輝度−電圧特性を実
線Ａで示す。なお、比較のために、同一構造の従
来の薄膜EL素子の輝度−電圧特性を実線Ｂで示
す。第３図および第４図の結果から、この実施例
の薄膜EL素子１１では、ZnS発光層の結晶性が
向上することにより、低電圧駆動、高輝度化を実
現することができ、高効率の薄膜EL素子の作製
ができる。
なお、上記実施例では、交流駆動型の薄膜EL
素子１１について説明したが、直流駆動型の薄膜
EL素子についてもこの発明を適用し得るもので
あることを指摘しておく。すなわち、透明電極と
して結晶配向性ZnO電極を用いることにより、第
１絶縁層が形成されない直流駆動型の薄膜EL素
子であつても、その上に形成される発光層の結晶
性を同様に改善し得るからである。
素子１１について説明したが、直流駆動型の薄膜
EL素子についてもこの発明を適用し得るもので
あることを指摘しておく。すなわち、透明電極と
して結晶配向性ZnO電極を用いることにより、第
１絶縁層が形成されない直流駆動型の薄膜EL素
子であつても、その上に形成される発光層の結晶
性を同様に改善し得るからである。
また、発光層については、上記実施例では
ZnS：TbF3を用いたが、これに限らず、ZnS：
Mn、ZnS：PrF3、ZnS：DyF3、ZnS：TmF3お
よびZnS：Cuなどの任意のZnSを用いた発光層を
用いることができ、またZnSに代わりSrF、CaS
などを主体とする発光層を用いることも可能であ
る。
ZnS：TbF3を用いたが、これに限らず、ZnS：
Mn、ZnS：PrF3、ZnS：DyF3、ZnS：TmF3お
よびZnS：Cuなどの任意のZnSを用いた発光層を
用いることができ、またZnSに代わりSrF、CaS
などを主体とする発光層を用いることも可能であ
る。
さらに、第１図に示した実施例では、第２絶縁
層１６を設けたが、該第２絶縁層１６は必ずしも
必要なものではなく、除去してもよい。また第２
絶縁層１６を形成する場合、第２絶縁層１６は、
結晶配向性ZnO絶縁層により構成されずともよ
い。すなわち第２絶縁層１６については、従来か
ら用いられているY2O3、Si3N4、Al2O3などの任
意の材料により構成することも可能である。
層１６を設けたが、該第２絶縁層１６は必ずしも
必要なものではなく、除去してもよい。また第２
絶縁層１６を形成する場合、第２絶縁層１６は、
結晶配向性ZnO絶縁層により構成されずともよ
い。すなわち第２絶縁層１６については、従来か
ら用いられているY2O3、Si3N4、Al2O3などの任
意の材料により構成することも可能である。
次に、上記した第１図に示した実施例の製造方
法につき説明する。
法につき説明する。
まず、上面に取出用電極１８がAlを蒸着する
ことにより形成されたガラスよりなる透光性基板
１２を準備する。次に、基板ホルダ（図示せず）
に、該透光性基板１２が、取出電極１８の一部を
マスクした状態でセツトされる。この状態を第５
図に平面図で示す。第５図において、２１はマス
クを示す。次に、真空槽を２×10-6Torr以下の
真空度に排気した後、マルチターゲツト方式のス
パツタ法にて下記の工程により各層が透光性基板
１２上に形成される。
ことにより形成されたガラスよりなる透光性基板
１２を準備する。次に、基板ホルダ（図示せず）
に、該透光性基板１２が、取出電極１８の一部を
マスクした状態でセツトされる。この状態を第５
図に平面図で示す。第５図において、２１はマス
クを示す。次に、真空槽を２×10-6Torr以下の
真空度に排気した後、マルチターゲツト方式のス
パツタ法にて下記の工程により各層が透光性基板
１２上に形成される。
ZnO透明電極の形成
スパツタにより、結晶配向性ZnO透明電極１
３を形成する。ターゲツトは、ZnO粉末に
Al2O3粉末を２重量％添加して混合したものを
用いる。このスパツタ条件を第１表に示す。得
られた結晶配向性ZnO透明電極の膜厚は約8000
Åとなる。 第１表 スパツタ条件 ターゲツト ZnO粉末−２重量％ Al2O3粉末 スパツタ方式 RFマグネトロン スパツタリングパワー 50W スパツタガス Ar ガス圧 ８×−10-3Torr 時 間 40分基板加熱 無 結晶配向性ZnO絶縁層の形成 同一真空槽内で、ZnO焼結体ターゲツトを用
いてRFマグネトロンスパツタにより結晶配向
性ZnO絶縁層を形成する。この結晶配向性ZnO
絶縁層は、ZnOにLiをドープしたものであり、
第２表に示すスパツタ条件により製膜される。
膜厚は、約2000Åである。 表２ スパツタ条件 ターゲツト Ziをドープされた ZnO 焼結ターゲツト スパツタ方式 RFマグネトロン パワー 50W ガ ス Ar／O2＝90／10 ガス圧 ５×10-3Torr 時 間 10分基板温度 120℃ 発光層の形成 スパツタにより、ZnS：TbF3発光層を形成
する。ターゲツトは、純度99.99％のZnS粉末
に、純度99.999％TbF3粉末を４重量％添加し
たものを、ステンレス皿に仕込んだものを用い
た。このスパツタ条件を第３表に示す。発光層
の膜厚は約5000Åである。発光層を形成した後
に450℃の温度で１時間真空中にて熱処理を施
した。 表３ スパツタ条件 ターゲツト ZnS粉末−４重量％ TbF3 スパツタ方式 RFマグネトロン パワー 60W ガ ス Ar ガス圧 ５×10-3Torr 時 間 40分基板温度 150℃ 第２絶縁層の形成 上記のようにして得られた構造体に、背面電
極としてAlを電子ビーム蒸着により形成し、
第１図に示した実施例の交流駆動型薄膜EL素
子を得る。
３を形成する。ターゲツトは、ZnO粉末に
Al2O3粉末を２重量％添加して混合したものを
用いる。このスパツタ条件を第１表に示す。得
られた結晶配向性ZnO透明電極の膜厚は約8000
Åとなる。 第１表 スパツタ条件 ターゲツト ZnO粉末−２重量％ Al2O3粉末 スパツタ方式 RFマグネトロン スパツタリングパワー 50W スパツタガス Ar ガス圧 ８×−10-3Torr 時 間 40分基板加熱 無 結晶配向性ZnO絶縁層の形成 同一真空槽内で、ZnO焼結体ターゲツトを用
いてRFマグネトロンスパツタにより結晶配向
性ZnO絶縁層を形成する。この結晶配向性ZnO
絶縁層は、ZnOにLiをドープしたものであり、
第２表に示すスパツタ条件により製膜される。
膜厚は、約2000Åである。 表２ スパツタ条件 ターゲツト Ziをドープされた ZnO 焼結ターゲツト スパツタ方式 RFマグネトロン パワー 50W ガ ス Ar／O2＝90／10 ガス圧 ５×10-3Torr 時 間 10分基板温度 120℃ 発光層の形成 スパツタにより、ZnS：TbF3発光層を形成
する。ターゲツトは、純度99.99％のZnS粉末
に、純度99.999％TbF3粉末を４重量％添加し
たものを、ステンレス皿に仕込んだものを用い
た。このスパツタ条件を第３表に示す。発光層
の膜厚は約5000Åである。発光層を形成した後
に450℃の温度で１時間真空中にて熱処理を施
した。 表３ スパツタ条件 ターゲツト ZnS粉末−４重量％ TbF3 スパツタ方式 RFマグネトロン パワー 60W ガ ス Ar ガス圧 ５×10-3Torr 時 間 40分基板温度 150℃ 第２絶縁層の形成 上記のようにして得られた構造体に、背面電
極としてAlを電子ビーム蒸着により形成し、
第１図に示した実施例の交流駆動型薄膜EL素
子を得る。
上述のように、第１図に示した実施例の薄膜
EL素子１１の作成にあたつては、透明電極１３、
第１絶縁層としての結晶配向性ZnO絶縁層１４お
よび発光層１５が、すべて同一の真空チヤンバ内
で行ない得る。したがつて、各層の界面は清浄に
保たれ、また真空引き作業も１度行なうだけでよ
いため、操作時間を短縮することができ、したが
つて作業性および量産性に優れることがわかる。
EL素子１１の作成にあたつては、透明電極１３、
第１絶縁層としての結晶配向性ZnO絶縁層１４お
よび発光層１５が、すべて同一の真空チヤンバ内
で行ない得る。したがつて、各層の界面は清浄に
保たれ、また真空引き作業も１度行なうだけでよ
いため、操作時間を短縮することができ、したが
つて作業性および量産性に優れることがわかる。
なお、第２絶縁層１６を、Y2O3以外のAl2O3、
Si3N4などでスパツタリング法により形成する場
合には、ターゲツトとしてはこれらの材料の焼結
体を同一の真空チヤンバ内に設けることができ
る。したがつて、この場合には同一真空チヤンバ
内で各層をすべて形成することができる。また、
透明電極をマトリツクス状に形成するには、まず
透光性基板の上に下地層として結晶配向性ZnO絶
縁層を形成し、さらにその上にZnO透明電極を形
成する。この状態でエツチングによりマトリツク
ス状のZnO透明電極に加工形成する。さらにこの
上に結晶配向性ZnO絶縁層を形成すればよい。こ
のように下地層として適当な厚みの結晶配向性
ZnO絶縁層を形成することにより、その表面には
膜厚が薄くても良好な結晶配向性を有するZnO透
明電極およびZnO絶縁層が形成され、ZnO透明電
極を厚くした場合に生じるエツジ部分での耐圧低
下を防止することができる。
Si3N4などでスパツタリング法により形成する場
合には、ターゲツトとしてはこれらの材料の焼結
体を同一の真空チヤンバ内に設けることができ
る。したがつて、この場合には同一真空チヤンバ
内で各層をすべて形成することができる。また、
透明電極をマトリツクス状に形成するには、まず
透光性基板の上に下地層として結晶配向性ZnO絶
縁層を形成し、さらにその上にZnO透明電極を形
成する。この状態でエツチングによりマトリツク
ス状のZnO透明電極に加工形成する。さらにこの
上に結晶配向性ZnO絶縁層を形成すればよい。こ
のように下地層として適当な厚みの結晶配向性
ZnO絶縁層を形成することにより、その表面には
膜厚が薄くても良好な結晶配向性を有するZnO透
明電極およびZnO絶縁層が形成され、ZnO透明電
極を厚くした場合に生じるエツジ部分での耐圧低
下を防止することができる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、透光性基板
と発光層との間に形成される透明電極が、Alを
ドープした結晶配向性ZnOからなるスパツタリン
グ透明電極により構成されるため、その上側に形
成される発光層の結晶性を向上することができ、
したがつて高輝度の薄膜EL素子を得ることが可
能となる。
と発光層との間に形成される透明電極が、Alを
ドープした結晶配向性ZnOからなるスパツタリン
グ透明電極により構成されるため、その上側に形
成される発光層の結晶性を向上することができ、
したがつて高輝度の薄膜EL素子を得ることが可
能となる。
第１図は、この発明の一実施例の薄膜EL素子
を示す部分切欠断面図である。第２図は、従来の
薄膜EL素子を示す略図的断面図である。第３図
は、第１図に示した実施例および従来の薄膜EL
素子のＸ線回折パターンを示す図である。第４図
は、第１図に示した実施例と、従来例の輝度−電
圧特性を示す図である。第５図は、第１図に示し
た実施例の製作にあたり、取出電極が形成された
透光性基板を薄膜形成に際してマスクした状態を
示す平面図である。 図において、１１は薄膜EL素子、１２は透光
性基板、１３は結晶配向性ZnO透明電極、１４は
結晶配向性ZnO絶縁層、１５は発光層、１７，１
７は電極を示す。
を示す部分切欠断面図である。第２図は、従来の
薄膜EL素子を示す略図的断面図である。第３図
は、第１図に示した実施例および従来の薄膜EL
素子のＸ線回折パターンを示す図である。第４図
は、第１図に示した実施例と、従来例の輝度−電
圧特性を示す図である。第５図は、第１図に示し
た実施例の製作にあたり、取出電極が形成された
透光性基板を薄膜形成に際してマスクした状態を
示す平面図である。 図において、１１は薄膜EL素子、１２は透光
性基板、１３は結晶配向性ZnO透明電極、１４は
結晶配向性ZnO絶縁層、１５は発光層、１７，１
７は電極を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板、該透光性基板上に形成された透
明電極、発光層および該発光層を介して前記透明
電極とは反対側に設けられた電極を備える薄膜
EL素子において、 前記透光性基板の上にAlをドープした結晶配
向性ZnOからなるスパツタリング透明電極が形成
され、その上に発光層が形成されていることを特
徴とする、薄膜EL素子。 ２ 前記Alをドープした結晶配向性ZnOからな
るスパツタリング透明電極と前記発光層との間
に、スパツタリング膜からなる結晶配向性ZnO絶
縁層が形成されている、特許請求の範囲第１項記
載の薄膜EL素子。 ３ 前記透光性基板と前記Alをドープした結晶
配向性ZnOからなるスパツタリング透明電極との
間にスパツタリング膜からなる結晶配向性ZnO絶
縁層が形成されている、特許請求の範囲第１項記
載の薄膜EL素子。 ４ 前記結晶配向性ZnO絶縁層は、ZnOにLiがド
ープされた材料よりなる、特許請求の範囲第２項
ないし第３項のいずれかに記載の薄膜EL素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038391A JPS61198592A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
| US06/828,020 US4737684A (en) | 1985-02-21 | 1986-02-10 | Thin film EL element having a crystal-orientable ZnO sublayer for a light-emitting layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038391A JPS61198592A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198592A JPS61198592A (ja) | 1986-09-02 |
| JPH046279B2 true JPH046279B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=12523981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60038391A Granted JPS61198592A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198592A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2758660B2 (ja) * | 1989-07-18 | 1998-05-28 | グンゼ株式会社 | 酸化亜鉛を透明電極とした分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH04108457U (ja) * | 1991-03-01 | 1992-09-18 | 株式会社東海理化電機製作所 | エアバツグ装置の袋体 |
| JP2008197296A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Sony Corp | エレクトロウェッティングデバイス及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56110779A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display device |
| JPS5859594A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-04-08 | コニカ株式会社 | 発光素子 |
| JPS59175593A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | 松下電器産業株式会社 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
| JPS59101794A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 株式会社デンソー | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60038391A patent/JPS61198592A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61198592A (ja) | 1986-09-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |