JPS6161461A - 光・電気集積化素子 - Google Patents

光・電気集積化素子

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JPS6161461A JP59182801A JP18280184A JPS6161461A JP S6161461 A JPS6161461 A JP S6161461A JP 59182801 A JP59182801 A JP 59182801A JP 18280184 A JP18280184 A JP 18280184A JP S6161461 A JPS6161461 A JP S6161461A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は光素子と電気素子とを集積化した光・電気集積
化素子に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
一般に半導体集積回路の集積度は年々増大し、近年では
数ｍｘ四方のチップ内に数メガビットのメモリなどが実
現し始めている。そのなかで現時点に於ける集積回路の
問題点の一つは、高密度実装状態での配線長や負荷の増
大に伴う信号遅延や、配線の複雑化による設計、製造コ
ストの上昇等である。すなわち論理ＩＣ等に於いてはク
ロック信号はシステム動作上最も基本的な信号であり、
チノブ内でのクロック信号分配に関しては同時性が必要
とされるのであるが、高密度実装下では上記のような信
号遅延が生じ重大な問題となっているっまたクロック信
号は論理ユニットに少なくとも１個以上接続されている
ためＩＣ全体に占めるクロック配線の比率は大きく、従
って高集積化への一つの障害となっている。このような
従来技術に於いて、高速で同時性が十分確保されかつ分
配の容易な信号分配が望まれていた。
〔発明の目的〕
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、電子集積回
路に光半導体素子を一体的に複合化した光・電気集積化
素子を提供することを目的とする。
すなわち光半導体素子に電子回路での共通信号である、
例えばクロック信号を担わせることにより従来の信号遅
延や配線長の増大を軽減することを目的とする。
〔発明の概要〕
複数の論理ユニットからなる集積回路と、この集積回路
が形成された基板に一体化形成された１個又は２個以上
の半導体発光素子と、複数の論理ユニットに各一体化形
成され半導体発光素子からの共通光信号を検出しこの検
出した信号を論理ユニットに供給する半導体光検出素子
とからなる光電気集積化素子を得るものである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、論理回路によるクロックをこの論理回
路基板に一体化形成した光半導体素子により供給するこ
とで、数正四方のチップであれば全領域への光クロック
の伝搬遅延差が僅か数１０ｐＳの言わば、略同時のクロ
ックを分配できるっ各論理ユニットは半導体発光素子　
らの光を検出する受光素子を１個付加するだけで良く、
クロック分配に関する配線が不要となる。その為ＩＣの
有効面積が増えさらに集積度が増加する。また従来のク
ロックの配線に於いては配線の１箇所が切断されるとそ
の配線に接続された全論理ユニｙ　トが動作不良を生ず
るが、本発明による光クロックでは個別分配方式とも言
うべき機能を果すため、そのような問題は生じない。さ
らにＩＣのクロック配線を省略することができるので、
設計自由度が増大し、パターンレイプラトも格段に容易
となる。
〔発明の実施例〕
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は一実施例を示すものであり、集積回路基板（１
）に単数或いに複数の論理素子からなる論理ユニット（
２）が複数集積化され、さらにこの集積回路基板（１）
内には中央部に１個又は２個以上の半導体発光素子（３
Ｔがモノリシックに形成されている。また各論理ユニッ
ト（２）には、論理回路を構成する電気素子に結合した
半導体光検出素子が一体化形成されている。各論理ユニ
ット（２）にクロック信号を供給する場合は、このクロ
ック信号を半導体発光素子（３）に印加し、クロック信
号に応じた光信号を放出させる。このクロック信号に応
じて放出された光信号は、複数の各論理ユニット（２）
ごとにモノリシック形成された光検出素子で一斉に検出
されこの検出された信号はクロック信号として論理回路
を構成する電気素子に供給される。次に半導体発光素子
、光検出素子及び論理回路の一部を構成するＦＥＴがモ
ノリシックに形成された部分の断面図を第２図に示して
説明する。すなわち、半導体発光素子部（５）、光検出
素子部（６）、そしてＦＥＴ部（７）が同一基板にモノ
リシックに形成されている。
半導体発光素子としては、光放射がよシ等方的となるよ
うに１例えばＧａＡＪＡｓからなる発光ダイオード（以
下ＬＦ！Ｄと称す）が良い。この場合の発光ダイオード
は発光効率或いは高速性の点を考慮すると、例えば図示
の如く内部狭窄型のＬＥＤでも良い。すなわちこの内部
狭窄型のＬＥＤは下部電極（８）と上部電極（９）が設
けられており、狭窄層ａ０で形成された狭窄領域ＣＬＩ
＋を通してダイオード電流を集中させ活性層０２１の一
部で発光させるような構造となっている。このＬＥＤ部
（５）の上部層０９は、論理回路を構成するＦＥＴ部（
力を形成する際の基板となる如く予め低濃度層とされて
おシ、従ってＬＥＤ部（５）を構成する部分の上部層は
、例えばイオンインプランテーションで高濃度領域（１
４）とされ通電が良好となるように形成されている。光
検出素子としては、例えば図示の如きフォトコンダクタ
を用すても良い。この場合、通常のＰＩＮ−７オトダイ
オードを用いても良いことは明らかであるが、描造上の
簡便さ、Ｆ　Ｅ　Ｔ等の製作プロセスとの整合性、また
良好な光検出利得を持つことなどの点で７オトコンタリ
タが有利である。葱２図に於けるフォトコンタリタから
なる半導体光検出素子の電極霞、　ｈＱのうちの一方の
電極αｅは論理回路の一素子を構成するＦ　Ｅ　Ｔ部（
７ンのゲート電極（Ｌηに直結されたＧｆｆ造となって
いる。またこのＦＥＴ部（刀は当然にノース領域σηと
ソース１ｚ極αυ及びドレイン領域Ｈとドレイン電極■
が形成されている。第３図は第２図に示すような光半導
体素子部（５）と、複数の論理ユニットの光半導体素子
部（６）、ＦＥＴ部（７）の等価回路図を示すものであ
り、同一部分には同一番号を付しである。
本発明では、以上のように１個又は２個以上の半導体発
光素子と、対になった光検出素子と論理回路とが一体化
形成されており、このような構成で光クロツク分配方式
を実現するのである。上記実施例では光検出素子として
ＬＥＤを用いだが、このＬＥＤの応答速度は出力パワー
を無視した極めて高速なものを除けば通常１００ＭＨｚ
程度である。
従っテ、近時ノマイコン、ミニコンのシステムクロック
がＩＱ　ＭＨｚ以下であることを考慮すると、ＬＥＤで
十分であると言える。一方、より高速な光クロックを望
む場合は半導体レーザを用いることが考えられる。
次に本発明の他の実施例を第４図を参照して説明する。
第４図は本発明を信号選択装置に応用した例を示す図で
あぢ。すなわち、この実施例では複数個の半導体発光素
子（３０）、（３１）、（３２）が論理回路（至）＋　
８４）　ｔ（ハ）及び半導体光検出素子□□□、　Ｃ３
７）　、（至）が形成された基板Ｃ３’Ｊ　Ｋ−Ｅ−ノ
リシックに一体化形成されており、各半導体発光素子（
３０）、（３１）、（３２）は出力光の周波数が夫々異
なるよう例えばｆｘ、ｆ２．ｆａに制御されている。動
作時には各半導体発光素子（３０）。
Ｇυ、０りは夫々異なる周波数の光信合を出力し夫々複
数個の半導体光検出素子（至）、Ｇη、（至）に供給す
る。
各半導体光検出素子（ト）、Ｃ３７）、■は異なる周波
数（例えば上記ｒｌ、ｒ２．ｒａ　）の信号が重畳した
信号を検出することになり、この検出した信号を論理回
路（ト）、ｏ７）、（至）内に設けられた例えば加入者
等の要求Ｍ　号（−ＩＩ　Ｋ　応じチルＪ作すルｆ　、
−す（４１）　、　（４Ｂ　、　（４１により選択的に
取り出し他の論理回路１４４）　、　（４５、（４Ｇに
供給する。このように複数個の発光素子を一体化形成し
、各出力光の周波数を異ならせ光検出側でこれらの光信
号を選択することにより信号選択機能を持たせることが
できる。このように本発明は論理ＩＣのクロック信号の
光化に限らずアナログ信号でもディジタル信号であって
も良く、信号〕種類を特に限定するものではない。すな
わち、本発明は電子回路素子に於いて１或いは２種以上
の共通信号を必要とする場合にすべて適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は第１図の
一部断面図、第３図は第２図の等価回路図、第４図は他
の実施例を示す図である０１・・・基板、　　２・・・
論理ユニット、。 ３・・・半導体発光素子、５・・・半導体発光素子部、
６・半導体光検出素子部、　　７・・ＦＥＴ部。 第１図 第２図

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）複数の論理ユニットからなる集積回路と、該集積
    回路が形成された基板に一体化形成された１個又は２個
    以上の半導体発光素子と、前記複数の論理ユニットに各
    一体化形成され前記半導体発光素子からの共通光信号を
    検出し該検出した信号を前記論理ユニットに供給する半
    導体光検出素子とを具備することを特徴とする光・電気
    集積化素子。
  2. （２）半導体発光素子が１個の場合は、該半導体発光素
    子は前記集積回路が形成された基板の中央部に一体化形
    成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
    載の光・電気集積化素子。
  3. （３）共通光信号は前記複数の論理ユニットを駆動する
    共通のクロック信号であることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の光・電気集積化素子。
  4. （４）論理ユニットにはＦＥＴが設けられており、該Ｆ
    ＥＴのゲート電極に前記半導体光検出素子の一方の電極
    が接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の光・電気集積化素子。
  5. （５）半導体発光素子は発光ダイオード（ＬＥＤ）であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光・電
    気集積化素子。
  6. （６）半導体光検出素子はフォトコンダクタであること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光・電気集積
    化素子。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61156870A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Nec Corp 平面光プリント板
JPH0191478A (ja) * 1987-10-02 1989-04-11 Nec Corp 光接続回路
JPH01109758A (ja) * 1987-10-23 1989-04-26 Hitachi Ltd 大規模論理集積回路
JPH07131063A (ja) * 1993-11-01 1995-05-19 Nec Corp マルチチップモジュール
JP2002299598A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Fujitsu Ltd 半導体装置

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4766471A (en) * 1986-01-23 1988-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electro-optical devices
US4879250A (en) * 1988-09-29 1989-11-07 The Boeing Company Method of making a monolithic interleaved LED/PIN photodetector array
US4970381A (en) * 1989-04-28 1990-11-13 At&T Bell Laboratories Integrated optics facsimile apparatus
US5319182A (en) * 1992-03-04 1994-06-07 Welch Allyn, Inc. Integrated solid state light emitting and detecting array and apparatus employing said array
US5280184A (en) * 1992-04-08 1994-01-18 Georgia Tech Research Corporation Three dimensional integrated circuits with lift-off
JPH07508856A (ja) * 1992-04-08 1995-09-28 ジョージア テック リサーチ コーポレイション 成長基板から薄膜材料をリフトオフするためのプロセス
US5406543A (en) * 1993-04-07 1995-04-11 Olympus Optical Co., Ltd. Optical head with semiconductor laser
US5753928A (en) * 1993-09-30 1998-05-19 Siemens Components, Inc. Monolithic optical emitter-detector
ES2142897T3 (es) * 1993-09-30 2000-05-01 Siemens Microelectronics Inc Optoacoplador lineal bidireccional.
US5448077A (en) * 1993-09-30 1995-09-05 Siemens Components Inc. Monolithic optical emitter-detector having a control amplifier with a feedback signal
AUPM512194A0 (en) * 1994-04-15 1994-05-12 Chulalongkorn University Amorphous semiconductor photocoupler
GB2326277A (en) * 1997-06-11 1998-12-16 Lsi Logic Corp Low skew signal distribution for integrated circuits
EP1074049B1 (en) * 1998-04-13 2006-07-12 Intel Corporation Method and apparatus for distributing an optical clock in an integrated circuit
US6202165B1 (en) 1998-07-23 2001-03-13 Conexant Systems, Inc. Photonic clock distribution method and apparatus for electronic systems
US6214733B1 (en) 1999-11-17 2001-04-10 Elo Technologies, Inc. Process for lift off and handling of thin film materials
US6392257B1 (en) 2000-02-10 2002-05-21 Motorola Inc. Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same
US6693033B2 (en) 2000-02-10 2004-02-17 Motorola, Inc. Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface
US7962326B2 (en) * 2000-04-20 2011-06-14 Invention Machine Corporation Semantic answering system and method
AU2001257346A1 (en) 2000-05-31 2001-12-11 Motorola, Inc. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2002009187A2 (en) 2000-07-24 2002-01-31 Motorola, Inc. Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same
US20030215415A1 (en) * 2000-09-08 2003-11-20 The Procter & Gamble Company Hair conditioning compositions comprising particles
US6638838B1 (en) 2000-10-02 2003-10-28 Motorola, Inc. Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same
US20020096683A1 (en) 2001-01-19 2002-07-25 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate
US6673646B2 (en) 2001-02-28 2004-01-06 Motorola, Inc. Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same
WO2002082551A1 (en) 2001-04-02 2002-10-17 Motorola, Inc. A semiconductor structure exhibiting reduced leakage current
US20020181825A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-05 Motorola, Inc. Optical clock signal distribution
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
US6992321B2 (en) 2001-07-13 2006-01-31 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials
US6646293B2 (en) 2001-07-18 2003-11-11 Motorola, Inc. Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates
US6693298B2 (en) 2001-07-20 2004-02-17 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same
US7019332B2 (en) 2001-07-20 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure
US6855992B2 (en) 2001-07-24 2005-02-15 Motorola Inc. Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same
US6667196B2 (en) 2001-07-25 2003-12-23 Motorola, Inc. Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method
US6589856B2 (en) 2001-08-06 2003-07-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices
US6639249B2 (en) 2001-08-06 2003-10-28 Motorola, Inc. Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device
US20030034491A1 (en) 2001-08-14 2003-02-20 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object
US6673667B2 (en) 2001-08-15 2004-01-06 Motorola, Inc. Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials
US20030071327A1 (en) 2001-10-17 2003-04-17 Motorola, Inc. Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator
US6916717B2 (en) * 2002-05-03 2005-07-12 Motorola, Inc. Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate
US7169619B2 (en) 2002-11-19 2007-01-30 Freescale Semiconductor, Inc. Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process
US6885065B2 (en) 2002-11-20 2005-04-26 Freescale Semiconductor, Inc. Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same
US6965128B2 (en) 2003-02-03 2005-11-15 Freescale Semiconductor, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices
US7020374B2 (en) 2003-02-03 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Optical waveguide structure and method for fabricating the same
CN101854168A (zh) * 2010-04-06 2010-10-06 艾默生网络能源有限公司 一种光耦隔离通信电路
US12394770B2 (en) * 2021-05-06 2025-08-19 IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Instit. für innovativeIHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Instit. für innovative Semiconductor device with back side protection mechanism

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914137A (en) * 1971-10-06 1975-10-21 Motorola Inc Method of manufacturing a light coupled monolithic circuit by selective epitaxial deposition
US3879606A (en) * 1973-09-24 1975-04-22 Texas Instruments Inc Light projection coupling of semiconductor type devices through the use of thermally grown or deposited SiO{HD 2 {B films
GB1493976A (en) * 1975-03-27 1977-12-07 Standard Telephones Cables Ltd Solid state relay devices
JPS5466788A (en) * 1977-08-09 1979-05-29 Omron Tateisi Electronics Co Photo coupler
US4396932A (en) * 1978-06-16 1983-08-02 Motorola, Inc. Method for making a light-activated line-operable zero-crossing switch including two lateral transistors, the emitter of one lying between the emitter and collector of the other
JPS566480A (en) * 1979-06-27 1981-01-23 Fujitsu Ltd Semiconductor light emitting diode
US4390790A (en) * 1979-08-09 1983-06-28 Theta-J Corporation Solid state optically coupled electrical power switch
JPS5776883A (en) * 1980-10-31 1982-05-14 Toshiba Corp Photocoupler
DE3135462A1 (de) * 1981-09-08 1983-09-01 AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Monolithische eingangsstufe eines optischen empfaengers

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61156870A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Nec Corp 平面光プリント板
JPH0191478A (ja) * 1987-10-02 1989-04-11 Nec Corp 光接続回路
JPH01109758A (ja) * 1987-10-23 1989-04-26 Hitachi Ltd 大規模論理集積回路
JPH07131063A (ja) * 1993-11-01 1995-05-19 Nec Corp マルチチップモジュール
JP2002299598A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Fujitsu Ltd 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US4667212A (en) 1987-05-19
EP0174073B1 (en) 1992-01-08
JPH069334B2 (ja) 1994-02-02
EP0174073A3 (en) 1986-12-17
EP0174073A2 (en) 1986-03-12
DE3585112D1 (de) 1992-02-20

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