JPS6161670B2 - - Google Patents

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JPS6161670B2
JPS6161670B2 JP10335781A JP10335781A JPS6161670B2 JP S6161670 B2 JPS6161670 B2 JP S6161670B2 JP 10335781 A JP10335781 A JP 10335781A JP 10335781 A JP10335781 A JP 10335781A JP S6161670 B2 JPS6161670 B2 JP S6161670B2
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Japan
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laser
photomask
light
white spot
spot defect
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JP10335781A
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JPS586127A (ja
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Takeoki Myauchi
Katsuro Mizukoshi
Mikio Ppongo
Masao Mitani
Masaaki Okunaka
Takao Kawanabe
Isao Tanabe
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to EP82105920A priority patent/EP0069361B1/en
Publication of JPS586127A publication Critical patent/JPS586127A/ja
Publication of JPS6161670B2 publication Critical patent/JPS6161670B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/139—Defect coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フオトマスクのパターン欠陥の修正
方法およびその装置に関するものである。
LSIを生産する際、回路等のパターンを描いた
フオトマスクを数枚用い、このパターンを順次ウ
エハ上に転写して微細回路を作つていく。このフ
オトマスクのパターン中に欠陥があるとLSIのチ
ツプ上にそのまま転写され、不良原因となつて生
産の歩留まりを低下させる。このため従来よりフ
オトマスクの欠陥修正が試みられてきている。
第１図は従来技術の一例である。ガラス基板４
上に正常なパターン５が厚さ数百オングストロー
ムのクロム材料で構成されている。この正常なパ
ターン５以外に、パターン材料が余分に残つてい
る黒点欠陥６やパターン材料が欠落した白点欠陥
７が存在する。この黒点欠陥６は、レーザ発振器
１から出たレーザ光２を集光レンズ３で黒点欠陥
６に集光照射し、除去することにより、修正が行
なわれる。この方法では白点欠陥７の修正はでき
ない。
第２図は従来技術の白点修正の一方法である。
(イ)で基板ガラス４の上につけられたCrパターン
５の中にCrが脱落した白点欠陥７が存在する場
合、(ロ)この上にポジ型フオトレジスト９を塗布
し、スポツト照射光を白点欠陥部分に照射し、現
像すると(ハ)のように光の当つた白点欠陥７の部分
のレジストは取り除かれ露光されない部分のレジ
スト９は残つてマスクの役割をする。次にスパツ
タ蒸着を行うと(ニ)の如く、白点欠陥７の部分には
基板ガラス４に直接蒸着Cr膜１０がつき、他の
部分はフオトレジスト９の上に蒸着Cr膜１０が
つく。次にフオトレジストを剥離すると(ホ)の如く
基板ガラス４に直接ついた蒸着Cr膜のみが欠陥
修正Cr１１として残り、他の部分の蒸着Cr膜は
フオトレジストとともに除去され、白点欠陥の修
正は終る。
この方法では、レジスト塗布、プリベーク、ス
ポツト露光、現像、真空中でのスパツタ蒸着、レ
ジスト剥離、洗浄という多数の工程と長い工数を
要するため、従来より工程が少なく、工数の短か
い方法が待ち望まれていた。
本発明の目的は上記従来技術の欠点をなくし、
フオトマスクの黒点欠陥と白点欠陥を少ない工程
と短かい工数で修正できるフオトマスク欠陥修正
方法とその装置を提供するにある。
即ち上記目的を達成するために本発明における
黒点修正は高出力パルスレーザによる材料除去を
応用し、白点修正は、レーザを照射すると遮光物
質を析出する錯体材料をマスクに塗布し、欠陥部
分を選択的に連続発振のレーザで照射して遮光膜
を作る方法を用いる。特に両方法を同一の加工ヘ
ツドで行うために、高出力パルスレーザと連続発
振レーザをともに搭載し、光軸を合わせておい
て、使用レーザを選ぶことにより黒点修正と白点
修正を任意に実施できるようにした。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。
第３図に本発明のフオトマスク修正装置の構成
を示す。この装置の操作は次の通りである。先ず
黒点欠陥と白点欠陥を有するフオトマスク２１を
載物台２２に載せ、次にコントローラ２３ですじ
出しモードと低倍率観察系を選択すると低倍率撮
像系２４でとらえたフオトマスクの像がTVコン
トローラ２５を経てTVモニターに送り込まれ、
モニターすることができる。ここでコントローラ
２３で載物台２２を動かすようにすると、テーブ
ル駆動装置２７が働いてマスク２１が左右に移動
し、TVモニター２６の上でパターンが移動す
る。TVモニター画面には上下方向と左右方向に
それぞれ２本づつ電子ラインが表示されており、
これはコントローラ２３により自由に移動するこ
とができる。この電子ライン２７の方向にマスク
パターンを概略合せるように調整する。次に高倍
率撮像系２８に切り換えて同様の方法で高精度に
すじ出しを行なう。
すじ出しが終るとコントローラ２３を白点修正
モードにすると、電源切換スイツチ２９が作動し
てＡに切り換わり、Arレーザ電源３０が稼動状
態に入り、同時にArレーザから所定の連続出力
光が出るとともにArレーザシヤツター３２とAr
レーザモニターシヤツター３３が開き、Arレー
ザ受光器３４にレーザ光の一部が入射し、パワー
メータ３５で出力が測定され、その出力信号はコ
ントローラ２３にフイードバツクされ、所定出力
からずれているとArレーザ電源３０に信号が送
られて放電電流をコントロールし、所定出力にも
どす。このとき、Dyeレーザモニターシヤツター
３６と白点修正シヤツタ３７は閉じた状態にあ
る。Arレーザ光は約99％を反射する全反射ミラ
ー３８で反射されて、488nmのArレーザ光は大
部分透過させるが、510nmのDyeレーザ光はほと
んど反射させる特性をもつた特殊ハーフミラー３
９を透過して、白点修正シヤツター３７まで到達
し、ここで遮断された状態にある。
次にオペレータがコントローラ３３の上の白点
欠陥位置出しボタンを押すと、欠陥番地情報を納
めたカセツトテープ４０の情報によつてテーブル
駆動装置２７が作動して最初の白点欠陥部分が
TVモニター２６の上に現われる。オペレータは
この白点欠陥をかこむように４本の電子ラインを
コントローラで調整するとスリツト駆動装置４１
が作動してスリツト４２の像が対物レンズ４３に
よつてフオトマスク２１の白点欠陥を囲むように
自動的に調整される。
以上のように調整された後、オペレータがコン
トローラ２３上のレーザ照射ボタンを押すと白点
修正シヤツター３７と透過光測定シヤツター４４
が開き、スリツト４２を通過したレーザ光は対物
レンズ４３によるスリツト４２の縮小投影結像と
して白点欠陥部分に照射される。フオトマスクに
は、表面全体に渡つてレーザ光の照射により遮光
性が生じる錯体材料（硝酸銀、シトラコン酸、ア
セトニトリル、メチルセルソルブ、チタンアルコ
レート、アセチルアセトン、および高沸点溶媒と
してトリエチレングリコールモノメチルエーテル
よりなる錯体）を約0.2〜２μｍの厚さに塗布し
てあり、レーザ照射前はほとんど透明である。錯
体材料中に高沸点溶媒を用いているのはプリベー
２７によつて塗膜にクラツクを生じさせないため
である。
白点欠陥部にレーザ光が照射され始めると、欠
陥を通過したレーザ光が透過光測定シヤツター４
４を通過して透過光受光器４５に入射し、この出
力信号はコントローラ２３に送られて演算され、
錯体材料からの遮光材料の析出をモニターする。
パワー密度数千Ｗ／cm2のレーザ光を照射した場
合、数μ〜数十μ角の場合、数秒〜数十秒立つと
急速に析出が起り、透過光量が低下する。透過光
量が最小になつた後数秒追加照射を行ない照射を
終了する。最小になる時間は、透過光量の変化を
測定し急速に低下する部分の傾斜を延長する形で
演算して透過率０になる時間を求め、これを最小
になる時間とする。このあとに数秒の追加照射を
行う。この追加照射を実施することにより、析出
する遮光膜の品質を向上し、スクラブ洗浄に強い
膜を得ることができる。
照射終了時間になると白点修正シヤツター３７
は自動的に閉じ、Arレーザの光を遮断する。遮
断が終ると、オペレータのTVモニター２６によ
る確認に要する時間の数秒を経て自動的に次の白
点欠陥への移動信号がコントローラ２３より出さ
れ、テーブル駆動装置２７が働いて次の白点欠陥
をTVモニター２６の画面に出るようにもつてく
る。そして再び同じ工程を繰返し白点欠陥部に
次々遮光膜を析出させていく。すべての白点欠陥
のレーザ照射が終了し、Arレーザ３１を停止さ
せるとArレーザシヤツタ３２、Arレーザモニタ
シヤツタ３３、透過光測定シヤツタ４４が閉じ
る。
白点欠陥のレーザ照射が終つたフオトマスク２
１はメチルセルソルブとイソプロピルアルコール
溶媒で各々数分ずつ超音波洗浄し、紫外線炉でア
フターベークされ、再び載物台２２に載せ、同様
な方法ですじ出しを行なう。すじ出しが終つてコ
ントローラ２３をDyeレーザモニターモードにす
ると電源切換スイツチ２９が作動してＢに切り換
り、窒素レーザ励起Dyeレーザ電源４６が稼動状
態になる。そして、Dyeレーザシヤツタ４８と
Dyeレーザモニタシヤツタ３６が開放状態にな
る。ここで、Dyeレーザモニタボタンを押すと、
Dyeレーザが10Hzでパルス発振し、特殊ハーフミ
ラー３９を透過したレーザ光の約２％はDyeレー
ザ受光器４９に入射し、パワーメータ３５で出力
が測定され、その出力信号はコントローラ２３に
フイードバツクされ、所定出力からずれていると
コントローラ２３からの信号により、アオリ方式
の透過率フイルター５０を調整し、所定のレーザ
出力にもどす。レーザパルス出力の98％は特殊ハ
ーフミラー３９により反射され、閉じている白点
修正シヤツターで遮光される。
次にコントローラ２３を黒点修正モードにする
とDyeレーザ４７は発振を停止し、待期状態にな
る。オペレータがコントローラ２３の黒点欠陥位
置出しボタンを押すと欠陥番地情報を納めたカセ
ツトテープ４０の情報によつてテーブル駆動装置
２７が作動して最初の白点欠陥部分がTVモニタ
ー２６の上に現われる。このあとは白点欠陥修正
の場合と同様に４本の電子ラインで黒点欠陥を囲
み、レーザ照射ボタンを押す。レーザ照射ボタン
が押されると、先ず白点修正シヤツター１７が開
き、次にDyeレーザが自動的に２パルス発振し、
残留する余分なマスク材料を除去し、最後に白点
修正シヤツター３７が閉じる。これは、ノイズに
よつて誤つてDyeレーザパルスが発射されてマス
クにダメージを与える場合を考慮し、白点修正シ
ヤツター３７の開いている時間を必要最小限にす
るためである。白点修正シヤツター３７が閉じる
と、オペレータのTVモニター２６による確認に
要する数秒の時間を経て、自動的に次の黒点欠陥
が位置出しされ、同様の黒点修正のプロセスが繰
返される。黒点修正モードでは黒点欠陥がすべて
修正されると引続き修正済の白点欠陥が順次位置
出しされ、遮光膜の析出が過剰になつている白点
欠陥修正部は黒点欠陥と同様に修正する。
第４図は、第３図における特殊ハーフミラーの
分光透過特性を示したものである。Ｍ点は約90％
の488nmの透過率を示し、Ｎ点は約２％の510nm
の透過率を示す。ここでは白点修正に用いる
488nmのArレーザ光の波長を最大限透過させ、
黒点修正に用いる510nmのDyeレーザ光の波長を
最大限反射する必要がある。しかも、Dyeレーザ
の出力密度が107W／cm2の高いレベルにあるた
め、ハーフミラーの耐パワー性を考慮する必要が
ある。第３図でArレーザ３１とDyeレーザ４７を
逆に置くと特殊ハーフミラーはArレーザ光に対
して高反射率でDyeレーザ光に対して透過で使用
することになり、この場合107W／cm2オーダーの
レーザパワー密度に対してはあまり持たない。従
つて、本発明の構成の如く、Dyeレーザを反射す
るタイプで使用する必要がある。
第５図は本発明の装置に使用している投影光学
系４２，４３の基本構成図である。レーザ光５１
は左右独立に可動のＸ方向スリツト５２と、同様
に独立に可動のＹ方向スリツト５３で成形され、
矩形光となつて対物レンズ４３に入射する。そし
て、フオトマスク２１の欠陥５６の上にスリツト
形状が縮小投影される形で照射される。このとき
の光学配置は第６図に示す通りである。レーザ光
５１はレンズ４３の第一の共役像画６２におかれ
たスリツト５２，５３で成形され透過光６４のみ
がレンズ４３に入射し、焦点面６７で一旦集光し
て、第２の共役像面６８に照射される。このとき
スリツト５２，５３の像６９がこの面に投影さ
れ、その縮小率ｎはレンズ４３の主面６５からの
距離をそれぞれａ，ｂとし、焦点距離をとする
と、 ｎ＝ｂ／ａ、但し１／ａ＋１／ｂ＝１／ の関係で示される。本発明の装置では縮小率と共
役距離（ａ＋ｂ）はそれぞれ、1/100、229mmを用
いている。従つてスリツト５２，５３の10μｍの
動きはフオトマスク２１を載置する第二の共役像
画でのスリツト像６９の0.1μｍの動きとなり、
非常に高い修正精度が実現できる。
第７図イ，ロ，ハは本発明で使用する白点欠陥
修正プロセスの説明図である。基板ガラス４の上
につけられたマスクのCrパターン５の中に白点
欠陥３がある。この上に錯体材料７０を塗布して
約80℃で数分プレベークしたのちレーザ光７１を
白点欠陥部分３に照射し、メチルセルソルプとイ
ソプロピルアルコールでそれぞれ数分づつ洗浄す
るとレーザ照射された部分のみに析出膜が残り白
点欠陥３は修正される。これを実際に上から見た
ものが第８図イ，ロ，ハ，ニである。白点欠陥３
の生じたCrパターン２のあるフオトマスクに錯
体材料７０を塗布し、スリツトの投影パターン７
２を白点欠陥３に合わせてレーザを照射すると、
熱伝導、光の回折等のため周辺ににじみのような
半析出部分７３が生じる。この部分をそのまま放
置するとフオトマスクとして使用するとき影とな
つてパターン精度を悪くする。この部分を黒点修
正するにはレーザ光の透過率が高すぎ、レーザ出
力をあげて黒点修正を試みると周辺にダメージを
生じる。これを防ぐために洗浄後、紫外線炉で
200℃前後の温度で約１分ポストベーク処理をす
ると半析出部７３を含めた析出部分全体の遮光性
が向上し、半析出部７３の析出も進んで安定化
し、レーザ吸収率が高くなる。このあと過剰析出
部分７４の黒点修正を行うと、通常の黒点欠陥の
修正条件と同様のパワー密度で容易に除去でき
る。従つてポストベークにより白点欠陥修正部の
遮光性が向上し、半析出部の析出を促して安定化
し、しかも過剰析出部分の除去を容易にするとい
う効果がある。またプレベークを実施したものと
しないものを比較すると、したものの耐スクラブ
洗浄性が高くなり、白点欠陥修正部の信頼性が向
上する。
第９図は本発明の白点修正の際の追加照射の時
間設定の方法である。照射時間０からレーザ照射
開始８１のときは基板ガラスに比べ透過率は数％
低い。析出開始８２は数秒〜数十秒で起り、すぐ
に急激に析出が進み遮光性が上つて透過率が低下
する。この急激に透過率の低下する時間を透過率
80％、60％、40％、20％の４点での時刻Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄを測定し、これを直線近似た場合透過率０
となる点の時刻Ｅを予測するように演算処理し、
時刻Ｅから数秒追加照射を行なつた後時刻Ｆでレ
ーザ照射を停止する。この数秒の追加照射によ
り、析出未了部分の析出を促し、膜の遮光性を向
上させるとともに基板ガラスとの結合力が向上
し、フオトマスク使用時のスクラブ洗浄に対し、
耐スクラブ性が向上する。この追加照射が長すぎ
ると過剰照射となり、析出済の遮光膜材料に損傷
が出はじめ、透過率が上つて83遮光性が低下す
る。
第１０図は本発明のフオトマスク修正工程を示
すものである。欠陥番地の検査済マスクは先ず
AgとTiを含む錯体材料を0.2〜2.0μｍの厚さで
塗布したのち60゜〜100℃で数分電気炉でプリベ
ークする。紫外線炉では析出をさそうため使用で
きない。プリベークが終了したらレーザ修正キに
かけ、白点欠陥にレーザ照射を行つて遮光膜を析
出させる。
析出を終つたマスクはメチルセルソルブで約10
分超音波洗浄し、未析出部を洗い流し、次にメチ
ルセルソルブの乾燥を促進するためイソプロピル
アルコールで約５分超音波洗浄する。次に紫外線
炉で150゜〜300℃で30秒から５分程度処理する。
この処理により析出膜および半析出のフリンジ部
の析出がさらに進み透過率が低下して遮光性が向
上するとともに膜の基板ガラスへの接着強度も上
る。このポストベークの温度が高すぎたり、処理
時間が長すぎると膜特性が劣化し、遮光性が悪く
なる。
ポストベークを終つたら再びレーザ修正キにか
け、黒点欠陥の修正および白点欠陥修正部のフリ
ンジ部分、析出過剰の部分などの修正を行なう。
このようにすべての修正が済むとフオトマスクを
取り出し、スクラブ洗浄にかけ、作業は完了す
る。
以上述べたように本発明の実施例ではパルスレ
ーザにN2レーザ励起Dyeレーザを、CWレーザに
Arレーザを用いているが、これらに限らず、他
のレーザでパルス出力とCW出力のものを組合わ
せてもよい。但しその波長範囲は本発明の屈折光
学系の使用可能な可視近辺の近紫外から近赤外
（0.35〜1.2μｍ）あたりに限られる。
２台のレーザを使う代りに連続出力とパルス出
力を両方出すことのできるレーザ例えばCWYAG
レーザに超音波Qswをつけたものや、Arレーザ
にキヤピテイダンピング用超音波セルをつけたも
のなどを用いて、パルスとCWを使いわけるよう
にしてもよいのは自明である。
以上説明したように本発明によれば従来のレー
ザを用いた黒点欠陥の修正装置に錯体析出方式の
白点欠陥修正を並用するため、レーザを２種類搭
載し、同一の照射光学系を用いることにより、フ
オトマスクの黒点欠陥と白点欠陥をひとつの装置
で修正できるようになつた。また本発明によれば
白点欠陥修正を含めたフオトマスクのすべての欠
陥の修正を従来より少ない工程と短かい時間で容
易に行なう方法が確立できた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の黒点欠陥修正の一例を示す図、
第２図は従来の白点欠陥修正の一例を示す図、第
３図は本発明の黒点欠陥と白点欠陥の両方を修正
するマスク修正装置の概略構成を示す図、第４図
は第３図の特殊ハーフミラーの透過率特性を示す
図、第５図は本発明の実施例の投影光学系の原理
的見取図を示す図、第６図は第５図に示す光学系
の結像の説明図、第７図は本発明の白点欠陥修正
の実施工程の説明図、第８図は第７図の平面図、
第９図は本発明の実施例の白点欠陥修正の際の透
過率モニターとレーザ照射停止のやり方の説明
図、第１０図は本発明のフオトマスク修正の全工
程の要約説明図である。 ２１……フオトマスク、２３……コントロー
ラ、２４……低倍率撮像系、２５……TVコント
ローラ、２６……TVモニター、２７……テーブ
ル駆動装置、２８……高倍率撮像系、２９……電
源切換スイツチ、３０……Arレーザ電源、３２
……Arレーザシヤツター、３４……Arレーザ受
光器、３７……白点修正シヤツタ、３８……全反
射ミラー、３９……特殊ハーフミラー、４０……
カセツトテープ、４１……スリツト駆動装置、４
２，５２，５３……スリツト、４３……対物レン
ズ、４４……透過光測定シヤツタ、４５……透過
光受光器、４６……窒素レーザ励起Dyeレーザ電
源、４７……Dyeレーザ、４８……Dyeレーザシ
ヤツタ、４９……Dyeレーザ受光器、５０……透
過率フイルタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ フオトマスクの欠陥修正方法において、パル
    スレーザ出力のスリツト投影光で黒点修正を行な
    い、CWレーザ出力のスリツト投影光で白点欠陥
    部に塗布された錯体材料を遮光性の膜に変質させ
    ることを特徴とする修正方法。 ２ CWレーザ出力のスリツト投影光の白点欠陥
    部分からの透過光量の測定を行つて遮光性物質の
    析出状態をモニターし、最適の成膜状態になつて
    レーザ照射を停止することを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載のフオトマスクの欠陥修正方
    法。 ３ レーザ照射停止のタイミングを決める方法と
    して、透過光が急速に低下する領域の透過率を２
    点以上設定し、各透過率に達した時刻の測定か
    ら、透過率が０になる時刻を外挿して算出し、こ
    の時刻から10秒以内の追加照射を行つたのちレー
    ザ照射を停止することを特徴とする特許請求の範
    囲第２項記載のフオトマスクの形状修正法。 ４ 先ず修正するフオトマスクに錯体材料を塗布
    し、次にこれをプリベークし、続いて白点欠陥部
    分にCWレーザ光を照射して遮光膜を析出させ、
    次に溶媒で未析出部分を洗浄除去し、このあと紫
    外線炉でポストベークし、この後黒点欠陥部分と
    白点欠陥修正部の周辺フリンジと過剰析出部分に
    パルスレーザ光を照射して除去修正することを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載のフオトマス
    クの欠陥修正方法。 ５ 錯体の材料として、硝酸銀、シトラコン酸、
    アセトニトリル、メチルセルソルブ、チタンアル
    コレート、アセチルアセトンおよび高沸点溶媒を
    含む材料を用い、また洗浄のための溶媒としてメ
    チルセルソルブを用いることを特徴とする特許請
    求の範囲第４項記載のフオトマスクの欠陥修正方
    法。 ６ 白点欠陥修正のための塗布膜の厚さを0.2か
    ら2.0μｍの間とし、プレベーク条件を電気炉等
    の熱線炉で60゜から100℃の間で２分ないし10分
    の時間範囲とし、レーザ照射のパワー密度条件を
    103W／cm2から４×103W／cm2の間とし、アフターベ
    ーク条件を紫外線炉による150゜から300℃の間で
    30秒ないし５分以内とすることを特徴とした特許
    請求の範囲第５項記載のフオトマスクの欠陥修正
    方法。 ７ フオトマスク修正装置においてパルス出力光
    とCW出力光の両方が得られる単一または複数の
    レーザ源を搭載したことを特徴とするフオトマス
    ク修正装置。 ８ レーザ源として超音波QSW YAGレーザを
    搭載したことを特徴とする特許請求の範囲第７項
    記載のフオトマスク修正装置。 ９ パルスレーザ光源としてN2レーザ励起Dyeレ
    ーザを、またCWレーザ光源としてArレーザを搭
    載したことを特徴とする特許請求の範囲第７項記
    載のフオトマスク修正装置。 １０ Arレーザの発振波長を488nmとし、Dyeレ
    ーザの波長を488nmから20nm以上離して設定し
    たことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の
    フオトマスク修正装置。 １１ Arレーザ光を透過し、Dyeレーザ光を反射
    する特性をもつたハーフミラーを使用し、このハ
    ーフミラーに適したレーザ配置をとつたことを特
    徴とする特許請求の範囲第１０項記載のフオトマ
    スク修正装置。 １２ CW出力光の白点欠陥部分からの透過レー
    ザ光量を測定する系を有することを特徴とする特
    許請求の範囲第７項記載のフオトマスク修正装
    置。
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58203443A (ja) * 1982-05-24 1983-11-26 Hitachi Ltd ホトマスクの白点欠陥修正用組成物
JPS60196942A (ja) * 1984-03-21 1985-10-05 Hitachi Ltd フオトマスク欠陥修正方法
US4543270A (en) * 1984-06-20 1985-09-24 Gould Inc. Method for depositing a micron-size metallic film on a transparent substrate utilizing a visible laser
ATE80955T1 (de) * 1984-06-20 1992-10-15 Gould Inc Laserverfahren zur photomaskenreparatur.
US4592975A (en) * 1984-06-20 1986-06-03 Gould Inc. Method for repairing a photomask by laser-induced polymer degradation
WO1986002581A1 (en) * 1984-10-26 1986-05-09 Ion Beam Systems, Inc. Focused substrate alteration
US4698236A (en) * 1984-10-26 1987-10-06 Ion Beam Systems, Inc. Augmented carbonaceous substrate alteration
JPS61170608A (ja) * 1985-01-25 1986-08-01 Nippon Kokan Kk <Nkk> 耐火物の侵蝕量計測方法
US4636403A (en) * 1985-04-29 1987-01-13 At&T Technologies, Inc. Method of repairing a defective photomask
US5230970A (en) * 1985-05-20 1993-07-27 At&T Bell Laboratories Method of forming metal regions
JPS62172211A (ja) * 1986-01-27 1987-07-29 Nippon Kokan Kk <Nkk> 溶解炉電極の消耗長さ測定方法
JPS62195662A (ja) * 1986-02-24 1987-08-28 Seiko Instr & Electronics Ltd マスクリペア方法及び装置
US4835576A (en) * 1986-10-17 1989-05-30 Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. Opaquing method and apparatus thereof
JP2504995B2 (ja) * 1987-06-25 1996-06-05 三菱電機株式会社 パタ−ン欠陥修正装置
DE4042695B4 (de) * 1989-06-06 2004-09-30 Dai Nippon Insatsu K.K. Vorrichtung zur Reparatur von Fehlern in Emulsionsmasken
KR100190423B1 (ko) * 1989-06-06 1999-06-01 기타지마 요시도시 에멀젼마스크 등의결함 수정방법 및 장치
JPH04271347A (ja) * 1991-02-27 1992-09-28 Nec Corp フォトマスク修正方法
US5164565A (en) * 1991-04-18 1992-11-17 Photon Dynamics, Inc. Laser-based system for material deposition and removal
US5235272A (en) * 1991-06-17 1993-08-10 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for automatically inspecting and repairing an active matrix LCD panel
US5175504A (en) * 1991-06-17 1992-12-29 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for automatically inspecting and repairing a simple matrix circuit panel
US5432461A (en) * 1991-06-28 1995-07-11 Photon Dynamics, Inc. Method of testing active matrix liquid crystal display substrates
US5206515A (en) * 1991-08-29 1993-04-27 Elliott David J Deep ultraviolet photolithography and microfabrication
US5444385A (en) * 1991-09-10 1995-08-22 Photon Dynamics, Inc. Testing apparatus for liquid crystal display substrates
US5543729A (en) * 1991-09-10 1996-08-06 Photon Dynamics, Inc. Testing apparatus and connector for liquid crystal display substrates
US5459409A (en) * 1991-09-10 1995-10-17 Photon Dynamics, Inc. Testing device for liquid crystal display base plate
US5465052A (en) * 1991-09-10 1995-11-07 Photon Dynamics, Inc. Method of testing liquid crystal display substrates
US5504438A (en) * 1991-09-10 1996-04-02 Photon Dynamics, Inc. Testing method for imaging defects in a liquid crystal display substrate
US5235154A (en) * 1992-04-28 1993-08-10 International Business Machines Corporation Laser removal of metal interconnects
US5470681A (en) * 1993-12-23 1995-11-28 International Business Machines Corporation Phase shift mask using liquid phase oxide deposition
US5441836A (en) * 1994-03-30 1995-08-15 International Business Machines Corporation Laser ablation mask repair method
US5534371A (en) * 1995-05-22 1996-07-09 International Business Machines Corporation Repaired apertured laser metal mask
US5759428A (en) * 1996-03-15 1998-06-02 International Business Machines Corporation Method of laser cutting a metal line on an MR head
JP2785803B2 (ja) 1996-05-01 1998-08-13 日本電気株式会社 フォトマスクの白点欠陥修正方法および装置
JPH10237078A (ja) * 1996-10-14 1998-09-08 Dainippon Printing Co Ltd 金属錯体溶液、感光性金属錯体溶液及び金属酸化物膜の形成方法
US6074571A (en) * 1997-09-30 2000-06-13 International Business Machines Corporation Cut and blast defect to avoid chrome roll over annealing
TW478014B (en) * 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP3479838B2 (ja) * 2000-10-19 2003-12-15 日本電気株式会社 パターン修正方法及びパターン修正装置
WO2003082583A1 (en) 2002-03-22 2003-10-09 Ap Technoglass Laser marking system
US7547978B2 (en) * 2004-06-14 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Underfill and encapsulation of semiconductor assemblies with materials having differing properties
US7235431B2 (en) 2004-09-02 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Methods for packaging a plurality of semiconductor dice using a flowable dielectric material
US8290239B2 (en) 2005-10-21 2012-10-16 Orbotech Ltd. Automatic repair of electric circuits
US7923298B2 (en) * 2007-09-07 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Imager die package and methods of packaging an imager die on a temporary carrier
KR101114362B1 (ko) * 2009-03-09 2012-02-14 주식회사 쓰리비 시스템 결점검사를 위한 검사장치
CN113939101B (zh) * 2021-11-11 2023-05-12 江西鹰高科技有限公司 一种缺陷pcb板的修补装置及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE793605A (fr) * 1972-01-03 1973-05-02 Rca Corp Appareil et procede pour corriger un masque photographique defectueux
US4190759A (en) * 1975-08-27 1980-02-26 Hitachi, Ltd. Processing of photomask
US4200668A (en) * 1978-09-05 1980-04-29 Western Electric Company, Inc. Method of repairing a defective photomask
JPS5630722A (en) * 1979-08-22 1981-03-27 Hitachi Ltd Correction of white-spotted defect on photo mask
US4340654A (en) * 1980-06-19 1982-07-20 Campi James G Defect-free photomask

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Publication number Publication date
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