JPS6161900A - Ｉｃ製図用テンプレ−ト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路のパターン設計に用いられるＩ
Ｃ製図用テンプレートに関する。

〔従来の技術〕

半導体集積回路（ＩＣ）等のパターン設計は、回路図に
基づいて机上で各種のコンポーネントをレイアウトし配
線を行うことでア）、机上設計完了後、パターン設計図
面をデジタイズして磁気ディスク等に書き込み、パター
ンジェネレータや電子露光装置で処理できるアートワー
クテータを作成することによシ完了する。

机上設計段階では、各種のコンポーネント、例えばトラ
ンジスタ（Ｔｒ）、ダイオードＣＤＩ）、抵抗、容量等
および機能ブロックをシンボル化してレイアウトを行な
い、これらのコンポーネントを相互配線する。

ＩＣ全体図のレイアウトを行う際は、通常方眠紙上に実
際寸法の２００倍程（例えば５μｍｆ：１ｍｍに）Ｋ拡
大した状態でコンポーネントのシンボル図を正確にレイ
アウトする。例えば、第１図に示すようなＮＰＮ）ラン
ジスタを描く場合は、トランジスタ１のサイズａ、ｂ（
素子分離層の中心線２）と、リファレンスクロスポイン
トＦ（素子分離層２の中心線左下のコーナー）からのエ
ミッタ（Ｅ）、ベース（Ｂ）、コレクタ（Ｃ）のコンタ
クト部電極３．４．５を、各コンタク部の電極の位置お
よびサイズに注意して図面上に正確に省く必要がある。

このシンボル図は、定規や矩形、円形等の単純な形状の
穴のあいたプレートを用いて書かれるため、コンポーネ
ント数が増えるにつれて設計者の負担は増大するととも
に設計期間増大の一因とな・りている。特ＫＩＣＯ高集
積化のため方眼紙の半目盛（０，５ｍｍ）′ｔ−使用し
て書く頻度が多くなるにつれ、煩雑さから作図ミスの発
生が多くなシ、修正を繰シ返さなけれはならないため設
計ミス勿生じやすい欠点がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、上記欠点を除去し、ＩＣのパターンＩ
＆　計で使用するコンポーネントのシンボル図形を正確
に早く書くことのできるＩＣ製図用テンプレートを提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のＩＣ製図用テンプレートは、半導体集積回路の
パターン設計に用いられるコンポーネントのシンボル図
形を複数個穿設して構成される。

〔実施例〕

次に本発明を実施例を用い、図面を参照して説明する。

第２図μ本発明の一実施例の平面図である。

第２図において、プクスチックや軟鋼板吟、穿孔が容易
で安価な素材からなるプレー）１０には、ＩＣのパター
ン設計に多く用いられるトランジスタおよびダイオード
のシンボル図形が正確に穿設されている。

例ｃば、ＲＴＪＩ　Ｐ　Ｎ　Ｐ　ト’ｊ　；／　シ、ｘ
、　ｌ　（ｖ−ＰＮＰ　）（７）シンボル図形１１にお
いては、エミッタ（Ｅ）、ベース（Ｂ）およびコレクタ
（Ｃ）のコンタクト部の電極の位置と大きさは、その周
囲の素子分離層の境界を示すかぎ形ラインｌｌａのクロ
スポイントＦから規定されており、シンボル図形１１の
孔にそりてその図形を描くことによシ、正確なＰＮＰト
ランジスタのシンボル図形を単時間に、かつ容易に作図
することができる。

横型ＰＮＰトランジスタ（Ｌ−ＰＮＰ）のシンボル図形
としては普通型のもの１２の外に、マルチコレクタ型１
３、ベース共通型１４が、そしてダイオード（Ｄｉ）と
しては、コレクタ・ベースシ冒−トＤ１１５およびコレ
クタ・ベースＤ１１６がそれぞれ穿設してあり、ＮＰＮ
）ランジスタのシンボル図形の場合と同様に正確なシン
ボル図形の作図に利用できる。

＄３図は本発明の他の実施例の平面図である。

第３図におけるシンボル図形は、抵抗２１、抵抗コンタ
クト２２、基準線２３、斜め配線２４およびファンクシ
ョンブロック（Ｆ−Ｂｌｏｃｋ）　２５　テあシ、第２
図の場合と同様にプレート１０に穿設されている。

抵抗のシンボル図形２１には、例えばその幅Ｗ（μｍ）
を示す数字を記入しておくことによシ所望の幅Ｗを有す
るシンボル図形を省くことができる。

特に折り曲げ部の図形は作図能率の向上に有効である。

また、波形図形２１２は、配線と抵抗図形とが重なるよ
うな場合に、抵抗図形を略して書くのに都合がよく、波
形の粗密を抵抗図形の幅Ｗの大小に関連させることもで
きる。

抵抗コンタクトのシンボル図形２２としては、正方形の
ものや矩形のもの及びかき形の境界線を有するもの２２
ａが有用である。境界線を肩するもの２２２は、静電破
壊対策用抵抗コンタクト部のように、コンタクト部の電
極が抵抗コンタクト部のＰＮ接合よシ、内側にある場合
に有効である。

又抵抗コンタクトは、絶縁中心線から設計基準に従って
配置しておくことによって抵抗のレイアウト及びチェッ
クを容易に行うことが出来る。

基準線の図形２３は、例えば素子分離層の中心線を基準
として抵抗の中心線部を作図したり、チェックしたシす
る場合に有用でちＪ、ＩＣｏ設計基準にそった間隔を有
する複数本の線を基準間隔値を記入して形成しておくこ
とが望ましい。

斜め配線２４は、斜め配線間隔を意識しながら何本も作
図する煩雑省を軽減するのに役立つ。

Ｆ−Ｂ１ｏｃｋ２５としてフリッププロップのシンボル
図を示したが、この外、パターン設計に多く用いられる
電源、発振器等のシンボル図を穿設しておくことが望ま
しく、作図の効率化に寄与する。

伺、誤使用を防ぐためにこれらシンボル図形には簡単な
名称をその周囲に記入しておくとよい。

上記実施例に訃いては、ＩＣのパターン設計に比較的多
く利用される各ねコンポーネントのシンボル図形をプレ
ートに穿設した場合について説明したが、図示したシン
ボル図形に限定されるものではなく、目合せパターン、
ＴＥＧ用バンド等の図形を穿設してもよいことは勿論で
ある。また、第２図および第３図に示したシンボル図形
を１枚のプレートに穿設してもよく、更に、設計基準ご
とに複数枚のＩＣ！！！Ｑ用テンプレートを用意するこ
とも可能である。この場合、シンボル図形には名称と共
に基準値も記入しておくと便利でちシ誤使用をなくすこ
とができる。

上記説明ではシンボル図形はバイポーラＩＣの場合につ
いて述べたが、ＭＯＳ　ＬＳＩについても同様に適用で
きる。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように１本発明によれば、ＩＣのパ
ターン・設計で使用する各種コンポーネントのシンボル
図を正確に早く書くことのできるＩＣ製図用テンプレー
トが得られるので、パターン設計の能率向上に大きな効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はパターン設計におけるトランジスタのシンボル
図形を説明するための図、第２図は本発明の一実施例の
平面図、第３図は本発明の他の実施例の平面図である。 １・・・・・・トランジスタ、２・・・・・・素子分離
層の中心線、３・・・・・・エミッタコンタクト部の電
極、４・・・・・・べ−ス：Ｉンタクト部のｔＬ　５・
・・・・・コレクタコンタクト部の電極、１０・・・・
・・プレート、１１・・・・・・縦ｆｆ１ＰＮＰトラン
ジスタのシンボル図、１２．１３゜１４・・・・・・横
型ＰＮＰ　）ランジスタのシンボル図、１５．１６・・
・・・・ダイオードのシンボル図、２１・・・・・・抵
抗のシンボル図、２２・・・・・・抵抗コンタクト部の
シンボル図、２３・・・・・・基準線のシンボル図、２
４・・・・・・斜め配線のシンボル図、２５・・・・・
・ファンクションブロックのシンボル図。 竿　１　回 享　３　回

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体集積回路のパターン設計に用いられるコン
   ポーネントのシンボル図形を複数個穿設したことを特徴
   とするＩＣ製図用テンプレート。
2. （２）シンボル図形の周辺部には図形の名称が記載され
   ている特許請求の範囲第１項記載のＩＣ製図用テンプレ
   ート。
3. （３）各種バイポーラトランジスタのエミッタ、ベース
   、コレクタ各電極部及びダイオードのアノード、カソー
   ド各電極部の形状及び前記電極間相互の配置が、設計図
   面倍率に応じて正確にテンプレート上に窓開けされてお
   り、かつ前記トランジスタ及びダイオードを構成する絶
   縁層の絶縁中心を規定するＬ字形のスリットを少なくと
   も相対するコーナー部に２カ所以上配置してなることを
   特徴とする特許請求範囲第１項記載のテンプレート。
4. （４）抵抗コンタクト電極部の形状又は抵抗コンタクト
   電極部の形状及びコンタクト部拡散領域を示すＬ字形の
   スリットを有する抵抗コンタクト部と前記抵抗コンタク
   トに接近してかつ、設計基準を満たして配置してある絶
   縁層の絶縁中心を示す直線上のスリットからなる特許請
   求範囲第１項記載のテンプレート。
5. （５）半導体集積回路に用いられる各種機能ブロックの
   入出力、クロック、電源などの各端子部の電極部の形状
   と前記電極間相互の配置が設計図面倍率に応じてテンプ
   レート上に窓開けされており、かつ前記機能ブロックの
   大きさを規定するＬ字形のスリットが少なくとも相対す
   るコーナー部に２カ所以上有することを特徴とする特許
   請求範囲第１項記載のテンプレート。