JPH025183A - 集積回路アートワークデータのテキスト出力方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路アートワークデータに付加されたテキ
ストの出力方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、アートワークデータのテキスト出力においては、
テキストデータを回路あるいは素子上で水平又は垂直に
形成している。一般に、ＬＳＩのマスクパターンは、水
平、垂直なデータで構成されているなめ、出力されるテ
キストが重なってしまい、テキストの読み取りが困難に
なる場合が多くある。

第４１は従来のかかる一例を示すバイポーラトランジス
タの平面図である。

第４図に示すように、二個並置されたバイポーラトラン
ジスタは絶縁層５内に形成した埋込層６の中にベース拡
散層７を形成し、その中にエミッタ領域８を拡散により
形成する。しかる後、ベースコンタクト７′、エミッタ
コンタクト８′　コレクタコンタクト９を形成し、例え
ば、ベースコタクト７′上でＸ方向にテキスト１４を形
成する。

第５図は従来の他の例を示すＩＣの平面図である。

第５図に示すように、この場合はＩＣＩ　ｌ内のバッド
１２上にＸ方向にテキスト１５を形成する。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述したように、ＬＳＩのマスクパターンは水平あるい
は垂直方向のデータとして作られている。従って、従来
のテキスト出力は水平又は垂直に出力しているため、テ
キストの文字列が長くなると、Ｘ方向、Ｙ方向に隣接す
るパターンのテキストと重なり読み取りにくくなるとい
う欠点がある。また、この欠点を補うためには、テキス
トの文字列を短くしたり、あるいは文字を小さくするな
どの制限をする必要があり、この場合には表示できる情
報が制約されるという欠点がある。

本発明の目的は、かかるテキスト出力の重なりを大幅に
削減するＬＳＩアートワークデータのテキスト出力方法
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のＬＳＩアートワークデータのテキスト出力方法
は、前記アートワークデータに付加されたテキストを斜
め、特に４５°に出力するように構成される。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明において用いる概略システムフロー図で
ある。

第１図に示すように、ＬＳＩアートワークデータ１を゛
入力し、次に本システム２を介して４５゜にテキスト付
けされたＬＳＩアートワークデータ３を出力し、プロッ
ト図４を作成する。

第２図は本発明の第一の実施例を示すトランジスタ素子
の平面図である。

第２図に示すように、本実施例は二つのバイポーラトラ
ンジスタを示し、絶縁層５内に形成される埋込層６の中
にベース拡散層７を形成し、ついでエミッタ層８．ベー
スコンタクト７′、エミッタコンタクト８′、コレクタ
コンタクト９を形成された素子上に斜めにテキスト１０
が形成される。この例では、テキストを４５度に出力し
ている。このように、テキストを４５度に出力すること
により、テキスト１０の文字列が長くても、Ｘ方向およ
びＹ方向に隣接するパターンのテキストが重ならなくな
る。従って、素子上のテキストを容易に読み取ることが
可能になる。

第３図は本発明の第二の実施例を示すＩＣの平面図であ
る。

第３図に示すように、本実施例はＩＣＩＩ内に形成され
たバッド１２にテキスト１３を形成するものである。

一般に、パッドは隣接するパターンが多数配置されてい
るため、第５図の従来例で説明したように、テキストを
水平あるいは垂直に出力すると、文字列を短くしてもほ
とんどのテキストが重なってしまっていたが、第３図に
示すように、テキスト１３を４５度に出力することによ
り、テキスト１３が重ならなくなる。従って、この実施
例のように、Ｘ方向、Ｙ方向に隣接するパターンが多数
ある場合には、特に有効なテキスト出力手法である。

第６図は本発明および従来のテキスト表示範囲を示した
平面図である。

第６図に示すように、上述した従来のテキスト出力手法
では、テキスト１８を水平又は垂直に出力していたため
、テキスト１８の文字列が長いと、隣接するパターンの
テキストどうしが重なってしまい、テキストの読み取り
が困難であったのに対し、実施例ではテキストを４５°
に出力しているため、テキスト１７の文字列が長くても
、隣接するパターンのテキスト１７どうじが重なること
はほとんどなくなり、容易にテキスト１７を読み取るこ
とが出来る。また、第６図に示すように、テキスト出力
を水平又は垂直に出力した場合、最大テキスト数２２を
ｎ、レイアウト図形１６のレイアウト図形幅１９をし、
レイアウト図形の数は６文字までと制限されるが、本実
施例ではテキスト１７を４５度に出力することにより、
最り、テキスト１７の数は８文字までは重ならなくなる
。従って、本実施例では４０％程度のテキスト数を増や
せることになる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の集積回路アートワークデ
ータのテキスト出力方法は、ＬＳＩアートワークデータ
に付加されたテキストを傾斜（例えば、４５度）させて
出力することにより、テキストの重なりを大幅に削減す
ることができるという効果がある。

ンタクト、８・・・エミツタ層、８′・・・エミッタコ
ンタクト、９・・・コレクタコンタクト、１０，１３゜
１７・・・テキスト、１１・・・ＩＣ１１２・・・パッ
ド、１６・・・レイアウト図形、１つ・・・レイアウト
図形幅、２０・・・レイアウト図形間の距離、２１・・
・テキスト幅、２２・・・テキスト数。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明において用いるシステムの概略フロー図
、第２図は本発明の第一の実施例を示すトランジスタ素
子の平面図、第３図は本発明の第二の実施例を示すＩＣ
の平面図、第４図は従来の一例Ｍを示すトランジスタ素
子の平面図、第５図は従来の他の例を示すＩＣの平面図
、第６図は本発明および従来のテキスト表示範囲を示し
た平面図である。 １・・・ＬＳＩアートワークデータ、２・・・本システ
ム、３・・・４５°にテキスト付けされたＬＳＩアート
ワークデータ、４・・・プロット図、５・・・絶縁層、
６・・・埋込層、７・・・ベース拡散層、７′・・・ペ
ースコ第　２　回 ＄　３　間 ギ 聞 ｌり 茅 薗 第 乙 閏

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 集積回路のアートワークデータに付加されたテキストを
   斜めに出力することを特徴とする集積回路アートワーク
   データのテキスト出力方法。