JPS6162521A - 電導性高分子の製造方法 - Google Patents
電導性高分子の製造方法Info
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- JPS6162521A JPS6162521A JP18287684A JP18287684A JPS6162521A JP S6162521 A JPS6162521 A JP S6162521A JP 18287684 A JP18287684 A JP 18287684A JP 18287684 A JP18287684 A JP 18287684A JP S6162521 A JPS6162521 A JP S6162521A
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- conductive polymer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高分子よシなる電導体の製造法に関する。特に
電極、１！Ｌ池１表示素子及び各種センサー材料として
利用される化学的に安定性の高い電導性の優れた高分子
の製造法に関する。
電極、１！Ｌ池１表示素子及び各種センサー材料として
利用される化学的に安定性の高い電導性の優れた高分子
の製造法に関する。
従来技術
有機高分子化合物は一般に絶縁体であるが、最近ある種
の不純物（以下ドーパントと言う）を添加することによ
シ、半導体あるいは電導体にすることは知られている。
の不純物（以下ドーパントと言う）を添加することによ
シ、半導体あるいは電導体にすることは知られている。
これらの高分子はドーパントの選択によりＰ型あるいは
Ｎ型の半導体として各種の半導体と組合せて電子材料、
電池などへの応用の可能性が検討されている。
Ｎ型の半導体として各種の半導体と組合せて電子材料、
電池などへの応用の可能性が検討されている。
これらの高分子の代表として、ポリアセチレンが最も活
発に検討されている。しかしながら、ポリアセチレンは
空気中での安定性に欠けるために実用上での応用が困難
である。
発に検討されている。しかしながら、ポリアセチレンは
空気中での安定性に欠けるために実用上での応用が困難
である。
ところが、ポリチオフェン、ポリピローｋｆｘＥの複素
５員環を繰返し単位とする重合体が高い電導性と空気中
での安定性がよいことで注目されるようになった。
５員環を繰返し単位とする重合体が高い電導性と空気中
での安定性がよいことで注目されるようになった。
従来、ポリチオフェンはニッケル触媒の存在下で、２．
５−ジブロモチオフェンを原料とし、グリニアール法に
よシ合成されていた（ Ｊ、 ＰＯｌｙｍ。
５−ジブロモチオフェンを原料とし、グリニアール法に
よシ合成されていた（ Ｊ、 ＰＯｌｙｍ。
Ｓｃｉ、、 Ｐｏｌｙｍ、 Ｌｅｔｔ、 Ｅｄ、、
１８巻第９頁（１９８０３３゜しかし、得られた重合体
は粉末状であシ、加工性に欠ける欠点があった。ところ
がピロールを、テトラエチルアンモニウムテトラフルオ
ロボーレイトのような支持電解質の存在下で電解重合法
で重合することにより、高い電導性を持ち空気中で安定
なポリピロールのフィルムを製造する方法が託発された
（ Ｊ、Ｃｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 Ｃｈｅｍ、 Ｃｏｍｍ
ｕｍ、 １９７９年、第８５４頁］。
１８巻第９頁（１９８０３３゜しかし、得られた重合体
は粉末状であシ、加工性に欠ける欠点があった。ところ
がピロールを、テトラエチルアンモニウムテトラフルオ
ロボーレイトのような支持電解質の存在下で電解重合法
で重合することにより、高い電導性を持ち空気中で安定
なポリピロールのフィルムを製造する方法が託発された
（ Ｊ、Ｃｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 Ｃｈｅｍ、 Ｃｏｍｍ
ｕｍ、 １９７９年、第８５４頁］。
また、同様に電解重合法によってチオフェンを重合して
空気中で安定な電導性ポリチオフェンを製造することが
開発された（ Ｊ、 ＥｌｅｃｔｒｏａｎａｌＣｈａｍ
、 １３５巻第１７３頁（１９８２） ）。
空気中で安定な電導性ポリチオフェンを製造することが
開発された（ Ｊ、 ＥｌｅｃｔｒｏａｎａｌＣｈａｍ
、 １３５巻第１７３頁（１９８２） ）。
これらの電解重合法はグリニアール法などの化学的重合
法に比べ、応用面に有利な重合体フィルムが容易に得ら
れる点で優れた方法である。
法に比べ、応用面に有利な重合体フィルムが容易に得ら
れる点で優れた方法である。
しかし”ながら、電解重合法によるポリチオフェン、ポ
リピロールの生成の電流効率は約４０％程度と低いこと
、また、これらの重合位置が２位、５位ばかりでなく、
３位あるいは４位も重合に関与し、構造的に乱れが存在
し、結晶性が低いという問題点があった。
リピロールの生成の電流効率は約４０％程度と低いこと
、また、これらの重合位置が２位、５位ばかりでなく、
３位あるいは４位も重合に関与し、構造的に乱れが存在
し、結晶性が低いという問題点があった。
発明の目的
本発明は従来の電導性高分子の製造法における問題点を
解消すべくなされたもので、その目的は電解重合法によ
り電流効率が高く、かつ単量体が規則正しく結合した電
導性の優れた電導性重合体の製造法を提供するにある。
解消すべくなされたもので、その目的は電解重合法によ
り電流効率が高く、かつ単量体が規則正しく結合した電
導性の優れた電導性重合体の製造法を提供するにある。
発明の構成
本発明者は前記目的を達成すぺ〈研究の結果、出発原料
として、チオフェンオリゴマーを使用Ｌ、電解重合法に
よって重合させる之、電流効率が高く、得られる重合体
は２位、５位のみの規則正しく結合した結晶性の高い重
合体が容易に博られること、及びこの重合体にアクセプ
ター性あるいはドナー性ドーパントを化学的にドープす
ると高電導性の高分子が製造し得られることを究明した
。
として、チオフェンオリゴマーを使用Ｌ、電解重合法に
よって重合させる之、電流効率が高く、得られる重合体
は２位、５位のみの規則正しく結合した結晶性の高い重
合体が容易に博られること、及びこの重合体にアクセプ
ター性あるいはドナー性ドーパントを化学的にドープす
ると高電導性の高分子が製造し得られることを究明した
。
この知見に基いて本発明を完成した。
本発明の要旨は、チオフェンオリゴマーを電解重合法で
重合させた重合体に、アクセプター性あるいはドナー性
ドーパントを化学的にドープすることを特徴とする電導
性高分子の製造方法にある。
重合させた重合体に、アクセプター性あるいはドナー性
ドーパントを化学的にドープすることを特徴とする電導
性高分子の製造方法にある。
この基本的な製造法を詳述すると、チオフェンオリゴマ
ーを支持電解質と共に、溶媒に溶解もしくけ分散させ、
定電圧あるいは定電流にて電気化学的に重合させる。
ーを支持電解質と共に、溶媒に溶解もしくけ分散させ、
定電圧あるいは定電流にて電気化学的に重合させる。
チオフェンオリゴマーとしては、例えばα−ターチェニ
ル、α−クォーターチエニル、α−クウインクチェニル
、α−セクシチェニル、 ２．２’ −ジチェニルージ
アセチレン及び２．２′−ジチェニルーＮ−Ｒ−ビロー
ル（Ｒは水素、脂肪族基、脂環式基または芳香族基を表
わす。）が挙げられる。
ル、α−クォーターチエニル、α−クウインクチェニル
、α−セクシチェニル、 ２．２’ −ジチェニルージ
アセチレン及び２．２′−ジチェニルーＮ−Ｒ−ビロー
ル（Ｒは水素、脂肪族基、脂環式基または芳香族基を表
わす。）が挙げられる。
支持電解質としては、一般式ＡＢ で示される塩が使
用される。式中、Ａ＋はＨ＋、アルカリ金属イオン、ア
ルカリ土類金属イオン、 Ｒ２Ｈ” 、 Ｒ４Ｆ”。
用される。式中、Ａ＋はＨ＋、アルカリ金属イオン、ア
ルカリ土類金属イオン、 Ｒ２Ｈ” 、 Ｒ４Ｆ”。
ＮＯ＋、ＮＯ＋２などの陽イオンを表わす。なお、前記
式中のＲは水素原子脂肪族、脂環式もしくは芳香族基を
表わす。） Ｂはｃｔｏ″″、 ＢＦ； 、 ＰＦ； 、 ＳｂＦ″
： 、 ｓｂｃ！；、 ＡｓＦ； ＋８ｏ４． Ｈ８Ｏ
； 、 ａｙ、ｓｏ； Ｉ ＣＨ，Ｃｏｏ″″、 Ｃ６
１（５Ｓｏ″Ｓ 。
式中のＲは水素原子脂肪族、脂環式もしくは芳香族基を
表わす。） Ｂはｃｔｏ″″、 ＢＦ； 、 ＰＦ； 、 ＳｂＦ″
： 、 ｓｂｃ！；、 ＡｓＦ； ＋８ｏ４． Ｈ８Ｏ
； 、 ａｙ、ｓｏ； Ｉ ＣＨ，Ｃｏｏ″″、 Ｃ６
１（５Ｓｏ″Ｓ 。
トシレートなどの陰イオンを表わす。
支持電解質は溶媒１１当り ０．０１〜１０モル濃度で
使用し、チオ７エンオリゴマーは溶媒１１当５０．００
１〜１０モル濃度で使用する。
使用し、チオ７エンオリゴマーは溶媒１１当５０．００
１〜１０モル濃度で使用する。
溶媒としては、チオフェンオリゴマー、支持電解質を溶
解あるいは分散させうるものが好ましい。
解あるいは分散させうるものが好ましい。
例エバ、エタノール、メタノール、テトラヒドロフラン
、１．４−ジオキサン、アセトン、アセトニトリル、フ
ロピオニトリル、ベンゾニトリル。
、１．４−ジオキサン、アセトン、アセトニトリル、フ
ロピオニトリル、ベンゾニトリル。
ピリジン、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド。
ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホルトリアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ビクリドン、ジメチルスルホキシ
ド、スルホラン、１．２−ジｐａａエタン、プロピレン
カーボネートの単独またはこれらの混合溶媒が使用され
る。
ド、Ｎ−メチル−２−ビクリドン、ジメチルスルホキシ
ド、スルホラン、１．２−ジｐａａエタン、プロピレン
カーボネートの単独またはこれらの混合溶媒が使用され
る。
電解重合反応は、一般には窒素、アルゴンなどの不活性
雰囲気下で行うことが好ましい。その反応温度は電解液
の凝固温度を下回らないか、その沸点温度未満であれば
いずれの温度でも差支えなｔ い。一般には一１０
〜５０℃である。
雰囲気下で行うことが好ましい。その反応温度は電解液
の凝固温度を下回らないか、その沸点温度未満であれば
いずれの温度でも差支えなｔ い。一般には一１０
〜５０℃である。
反応時間は１分〜２０時間、好ましくは１０分〜６０分
である。電圧は０．１〜２５ｖ、好ましくは１〜１５ｖ
で、電流密度は０．０５〜５０ｍＶＣＷＩ２、電極とし
ては、白金、金、クロム、銅、ニッケルなどの板あるい
けメツシュ状の電極、あるいはスズ、インジウム酸化物
を薄膜状にコートしたガラス電極（ＩＴＯ）などが使用
し得られる。これらは、その上に薄膜状の重合体を析出
させる場合は、表面が平滑であることが好ましい０ 重合体は使用する支持電解質、溶媒の種類によシフイル
ム状のほか、パウダー状、ゲル状として得られることが
ある。
である。電圧は０．１〜２５ｖ、好ましくは１〜１５ｖ
で、電流密度は０．０５〜５０ｍＶＣＷＩ２、電極とし
ては、白金、金、クロム、銅、ニッケルなどの板あるい
けメツシュ状の電極、あるいはスズ、インジウム酸化物
を薄膜状にコートしたガラス電極（ＩＴＯ）などが使用
し得られる。これらは、その上に薄膜状の重合体を析出
させる場合は、表面が平滑であることが好ましい０ 重合体は使用する支持電解質、溶媒の種類によシフイル
ム状のほか、パウダー状、ゲル状として得られることが
ある。
従って、その条件を変えることによって重合体の物性あ
るいは形態を任意に制御することができる。
るいは形態を任意に制御することができる。
例えば、＋ Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ニトロペ／
ゼン、ベンゾニトリルの溶媒を用いた場合はフィルム状
重合体が得られる。また、アセトニトリル、ニトロメタ
／、テトラヒドロフランの溶媒１を用いた場合はパウダ
ー状の重合体が得られる。
ゼン、ベンゾニトリルの溶媒を用いた場合はフィルム状
重合体が得られる。また、アセトニトリル、ニトロメタ
／、テトラヒドロフランの溶媒１を用いた場合はパウダ
ー状の重合体が得られる。
支持電解質としてＨ，Ｓｏ４を用いた場合は、溶媒はい
ずれの場合でもゲル状の重合体が得られる。
ずれの場合でもゲル状の重合体が得られる。
重合体の生成効率は７０％以上であシ、従来法における
約４０％に比べると著しく高い。
約４０％に比べると著しく高い。
従来の電解重合法によって得られたポリピロール、゛ポ
リチオフェンはこれに化学的にドーパントをドーピング
することは困難である。これに対し、本発明の前記方法
によって得られた重合体はドーパントを容易に化学的に
ドーピングすることができる。
リチオフェンはこれに化学的にドーパントをドーピング
することは困難である。これに対し、本発明の前記方法
によって得られた重合体はドーパントを容易に化学的に
ドーピングすることができる。
本発明の方法で得られた重合体は電解重合時に、既に一
部ドーピングされており、電導性であるが、さらにアク
セプター性あるいはドナー性ドーパントを化学的にドー
ピングすることにより、著しく電導性を向上し得られる
優れた効果を有する。
部ドーピングされており、電導性であるが、さらにアク
セプター性あるいはドナー性ドーパントを化学的にドー
ピングすることにより、著しく電導性を向上し得られる
優れた効果を有する。
アクセプター性のドーパントとしては、例えばＨ３０、
Ｓｏ 、 Ｉ 、 ＨＦ 、 ＹｅＣｌ ＋ 工
０１ 、 Ｂｒ２＋Ｃ１２＋ ＨＮＯ３＋ ＨＣｔ 、
ＳｂＦ５＋ Ｎｏ ＢＦ４カ挙げられる。
Ｓｏ 、 Ｉ 、 ＨＦ 、 ＹｅＣｌ ＋ 工
０１ 、 Ｂｒ２＋Ｃ１２＋ ＨＮＯ３＋ ＨＣｔ 、
ＳｂＦ５＋ Ｎｏ ＢＦ４カ挙げられる。
またドナー性のドーパントとしては、例えばＬｉ 、
Ｎａ 、 Ｋ 、 Ｒｂ及びＯｓから選ばれたものであ
り、これらアルカリ金属を亘接または合金とじたものか
、あるいはリチウムナフタレン、ナトリウムナフタレ／
、カリウムナフタレン、リチウムビフェニル、ナトリウ
ムビフェニル、カリウムビフェニル、リチウムアントラ
セン、ナトリウムアントラセン、カリウムアントラセン
のような有機化合物塩としたものが挙げられた。
Ｎａ 、 Ｋ 、 Ｒｂ及びＯｓから選ばれたものであ
り、これらアルカリ金属を亘接または合金とじたものか
、あるいはリチウムナフタレン、ナトリウムナフタレ／
、カリウムナフタレン、リチウムビフェニル、ナトリウ
ムビフェニル、カリウムビフェニル、リチウムアントラ
セン、ナトリウムアントラセン、カリウムアントラセン
のような有機化合物塩としたものが挙げられた。
ドーピング法としては、ドーパントが気体の場合は、減
圧下、重合体をドーパントの蒸気に曝露して行なう。ド
ーパントが固体の場合は、ドーパントを溶解し得る溶媒
を用い、ドーパントを溶解せしめ、これに重合体を浸漬
して行い、またドーパントが液体の場合も、浸漬するこ
とによシト−ピング金行うことができる。
圧下、重合体をドーパントの蒸気に曝露して行なう。ド
ーパントが固体の場合は、ドーパントを溶解し得る溶媒
を用い、ドーパントを溶解せしめ、これに重合体を浸漬
して行い、またドーパントが液体の場合も、浸漬するこ
とによシト−ピング金行うことができる。
実施例゛
実施例１゜
不活性ガス置換したガラス製容器に、α−ターチェニル
０．１０ ｆ （０，０１モル濃度）、テトラブチルア
ンモニウムパークロレイト１．１ ？ （０，１モル濃
度）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３０ｄを入れ、攪拌
溶解させた。これに溶存酸素を除去するためにアルゴン
ガスを１５分間吹込んだ。
０．１０ ｆ （０，０１モル濃度）、テトラブチルア
ンモニウムパークロレイト１．１ ？ （０，１モル濃
度）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３０ｄを入れ、攪拌
溶解させた。これに溶存酸素を除去するためにアルゴン
ガスを１５分間吹込んだ。
陰極に白金電極、陽極にＩＴＯ電極を用い、１ｍＡＺ−
２、の定電流により３０分間電解した。陽極に金属光沢
を有する約１０μの膜厚のフィルム状重合体が生成した
。得られたフィルムを電極から剥Ｐｉｎ、Ｎ−メチル−
２−ピロリドンで十分洗浄した後、さらにメタールで洗
浄し、２４時間３０°Ｃで真空乾燥した。電流効率は７
０％で、結晶化度は１０％であった。重合体のＩＲスペ
クトルには、２．５−ジ置換のチオフェン環特有の吸収
が６９０ 、７９０Ｃｍ−’に見られ、２，５位で規則
正しく結合した重合体であることが確認された。
２、の定電流により３０分間電解した。陽極に金属光沢
を有する約１０μの膜厚のフィルム状重合体が生成した
。得られたフィルムを電極から剥Ｐｉｎ、Ｎ−メチル−
２−ピロリドンで十分洗浄した後、さらにメタールで洗
浄し、２４時間３０°Ｃで真空乾燥した。電流効率は７
０％で、結晶化度は１０％であった。重合体のＩＲスペ
クトルには、２．５−ジ置換のチオフェン環特有の吸収
が６９０ 、７９０Ｃｍ−’に見られ、２，５位で規則
正しく結合した重合体であることが確認された。
一方従来法のグリニヤール法及び電気化学的法で重合し
たポリチオフェンは、いずれも２，５位ばかりでなく３
，４位での結合に基く吸収もみられた。
たポリチオフェンは、いずれも２，５位ばかりでなく３
，４位での結合に基く吸収もみられた。
フィルム状重合体に銀ペーストを用いて４端子電極を付
与し、定電流電源及びディジタルボルトメータを用いて
電導度を測定した。その結果を第１表に示す。
与し、定電流電源及びディジタルボルトメータを用いて
電導度を測定した。その結果を第１表に示す。
電導度を測定後、これを減圧に引いたドーピング反応容
器にセットし、Ｈ２ＳＯ４蒸気を反応容器に導入し、電
導度の変化を測定した。Ｈ２ＳＯ４蒸気の導入と共に電
導度は増大し、約２４時間後はぼ一定となった。その結
果を第１表に示す。
器にセットし、Ｈ２ＳＯ４蒸気を反応容器に導入し、電
導度の変化を測定した。Ｈ２ＳＯ４蒸気の導入と共に電
導度は増大し、約２４時間後はぼ一定となった。その結
果を第１表に示す。
第 １ 表
［導度（Ｓｃｍ）
電解重合時 ドーピング後
フィルム １．Ｏｘ １０−８８．５ ｘ １０−２
パウダー １．２ Ｘ １０−２７．０ゲ ル
２．ＯＸ １０−２１１なお、パウダー、ゲ
ル状の重合体を作り、Ｈ２ＳＯ４の化学的Ｐ−ピングし
たものを併記した。
パウダー １．２ Ｘ １０−２７．０ゲ ル
２．ＯＸ １０−２１１なお、パウダー、ゲ
ル状の重合体を作り、Ｈ２ＳＯ４の化学的Ｐ−ピングし
たものを併記した。
また、この重合体フィルムを空気中６ケ月間放置しても
、その電気的および化学的性質は全く変化がなかった。
、その電気的および化学的性質は全く変化がなかった。
実施例２゜
実施例１と同様にして、α−ターチェニルを原料として
、フィルム状、パウダー状及びゲル状重合体を製造した
。その重合体を工、でドーピングし、電導度を測定した
。電導度はドーピング開始後、約２時間で一定値に達し
た。その結果を第２表に示す。
、フィルム状、パウダー状及びゲル状重合体を製造した
。その重合体を工、でドーピングし、電導度を測定した
。電導度はドーピング開始後、約２時間で一定値に達し
た。その結果を第２表に示す。
第 ２ 表
ドーピング後の電導度（Ｓｅｗ ）
フィルム ３．ＯＸ １０−２
パウダー ？、９ Ｘ １０−２
ゲ ル ０．４５実施例３゜
実施例１と同様にして、α−ターチェニルを原料として
フィルム状、パウダー状及びゲル状の重合体を製造した
。この重合体をガラス製ドーピング反応容器内でナトリ
ウムナフタレンのテトラヒドロフラン溶液中に２４時間
浸漬した。得られたものをテトラヒドロフランで洗浄し
真空乾燥して電導度を測定した。その結果を第３表に示
す。
フィルム状、パウダー状及びゲル状の重合体を製造した
。この重合体をガラス製ドーピング反応容器内でナトリ
ウムナフタレンのテトラヒドロフラン溶液中に２４時間
浸漬した。得られたものをテトラヒドロフランで洗浄し
真空乾燥して電導度を測定した。その結果を第３表に示
す。
第 ３ 表
ドーピング後の電導度（ＳＣｒｎ）
フィルム ８．５ Ｘ １０−２パウダー
９．２ Ｘ １０−２ゲ ル
０．６０実施例４．〜８゜ 実施例１ど同様にして、α−クォーターチエニル、α−
クウインクチェニル、α−セクシチェニル、２．２’−
ジチェニルジアセチレン、２．２’−ジチェニルーピロ
ールを原料として重合体を製造した。
９．２ Ｘ １０−２ゲ ル
０．６０実施例４．〜８゜ 実施例１ど同様にして、α−クォーターチエニル、α−
クウインクチェニル、α−セクシチェニル、２．２’−
ジチェニルジアセチレン、２．２’−ジチェニルーピロ
ールを原料として重合体を製造した。
この重合体を実施例１及び３と同様な操作でＨ２ＳＯ４
及び゛ナトリウムナフタレンのドーピングを行った。
及び゛ナトリウムナフタレンのドーピングを行った。
得られた重合体の電導度を測定した結果を第４表に示す
。
。
第 ４ ９
電導度（Ｓｃｍ）
α−クォーターチエニル ３．７ ０．１
８α−クラインクチェニル ２．５ ８．
４Ｘ１０−２α−セクシチェニル １．０
９．３Ｘ１０−２２．２′−ジチェニルジアセチレン
０．１３ ６．８ Ｘ １０−２２．２′−ジ
チェニルピロール ９．８ ９．ＯＸ １０−
２発明の効果 本発明の方法によると、従来の高分子電導体の製造法の
欠点を改善し、特に従来の電解重合法に比べて、電流効
率が高く、かつ単量体が規則正しく結合し、結晶性の高
いものを容易に製造することができる。
８α−クラインクチェニル ２．５ ８．
４Ｘ１０−２α−セクシチェニル １．０
９．３Ｘ１０−２２．２′−ジチェニルジアセチレン
０．１３ ６．８ Ｘ １０−２２．２′−ジ
チェニルピロール ９．８ ９．ＯＸ １０−
２発明の効果 本発明の方法によると、従来の高分子電導体の製造法の
欠点を改善し、特に従来の電解重合法に比べて、電流効
率が高く、かつ単量体が規則正しく結合し、結晶性の高
いものを容易に製造することができる。
つじかも、電解重合条件の制御により、生成する重合体
の形態をフィルム状、パウダー状及びゲル状の任意のも
のとなし得、かつ、得られる重合体は空気中でも安定で
、しかも優れだ電導度を有するものである等の優れた効
果を有する。
の形態をフィルム状、パウダー状及びゲル状の任意のも
のとなし得、かつ、得られる重合体は空気中でも安定で
、しかも優れだ電導度を有するものである等の優れた効
果を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）チオフェンオリゴマーを電解重合法で重合させた重
合体に、アクセプター性あるいはドナー性ドーパントを
化学的にドープすることを特徴とする電導性高分子の製
造方法。 ２）チオフェンオリゴマーがα−ターチエニル、α−ク
ォーターチエニル、α−クウインクチエニル、α−セク
シチエニル、２，２′−ジチエニル−ジアセチレン及び
２，２′−ジチエニル−Ｎ−Ｒ−ピロール（Ｒは水素、
脂肪族基、脂環式基または芳香族基を表わす。）から選
ばれたものである特許請求の範囲第１項記載の電導性高
分子の製造方法。 ３）アクセプター性のドーパントが、Ｈ＿２ＳＯ＿４、
ＳＯ＿３、Ｉ＿２、ＨＦ、ＦｅＣｌ＿３、ＩＣｌ、Ｂｒ
＿２、Ｃｌ＿２、ＨＮＯ＿３、ＨＣｌ、ＳｂＦ＿５及び
ＮＯ＾＋ＢＦ＾−＿４から選ばれたものである特許請求
の範囲第１項記載の電導性高分子の製造方法。 ４）ドナー性のドーパントが、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及
びＣｓから選ばれたものであり、これらアルカリ金属を
直接または合金としたものか、あるいはリチウムナフタ
レン、ナトリウムナフタレン、カリウムナフタレン、リ
チウムビフェニル、ナトリウムビフェニル、カリウムビ
フェニル、リチウムアントラセン、ナトリウムアントラ
セン、カリウムアントラセンのような有機化合物塩とし
たものである特許請求の範囲第１項記載の電導性高分子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18287684A JPS6162521A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 電導性高分子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18287684A JPS6162521A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 電導性高分子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6162521A true JPS6162521A (ja) | 1986-03-31 |
| JPH029621B2 JPH029621B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16125966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18287684A Granted JPS6162521A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 電導性高分子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6162521A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236822A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-16 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 導電性組成物 |
| JP2010189644A (ja) * | 2003-09-25 | 2010-09-02 | Showa Denko Kk | π共役系共重合体、その製造方法及びその共重合体を用いたコンデンサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5647421A (en) * | 1979-09-28 | 1981-04-30 | Tokyo Inst Of Technol | Linear poly 2,5-thienylene polymer, its preparation, and semiconductor comprising it |
| JPS58187432A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性ないし半導電性重合体組成物の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP18287684A patent/JPS6162521A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5647421A (en) * | 1979-09-28 | 1981-04-30 | Tokyo Inst Of Technol | Linear poly 2,5-thienylene polymer, its preparation, and semiconductor comprising it |
| JPS58187432A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性ないし半導電性重合体組成物の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236822A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-16 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 導電性組成物 |
| JP2010189644A (ja) * | 2003-09-25 | 2010-09-02 | Showa Denko Kk | π共役系共重合体、その製造方法及びその共重合体を用いたコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029621B2 (ja) | 1990-03-02 |
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